Lab - 12 Transistor MOSFET

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS
Laboratorio N°12
TRANSISTORES MOSFET
Curso: Dispositivos y Circuitos Secció
Electrónicos n:
Mes
Lab. Nro.: 12
a
Nro.
:
Transistores
Tema: Fecha:
MOSFET
Observaciones:
Participante
s
Nro. Apellidos Nombres
1
2
2022
“TRANSISTORES MOSFET”
Logros:
- Identificar los terminales de un MOSFET de Enriquecimiento

y Empobrecimiento.
- Probar el estado de un MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
- Implementar un circuito básico de polarización con MOSFET.
- Medir los valores DC en un circuito básico con MOSFET
Introducción:
Los Mosfet están compuestos de un diodo Mos y dos uniones P-N colocadas a los
lados del diodo MOS, es un dispositivo muy importante para circuitos integrados
avanzados tales como microprocesadores y memorias semiconductoras, la causa
de este desarrollo radica en su bajo consumo de potencia y un alto rendimiento de
trabajo , otro hecho importante es que el MOSFET se puede reducir fácilmente de
tamaño sin perder sus características y ocupa menos espacios que un transistor
bipolar para las mismas consideraciones.
En un MOSFET la compuerta está aislada del canal, también se le conoce como

IGFET y pueden ser de canal N o canal P. El MOSFET posee un electrodo de
compuerta de metal que está separado del material semiconductor por una capa
de material aislante formada por dióxido de silicio (SiO2) llamado también “sílice” o
“silica”
Cuando la polaridad de la polarización de Compuerta - Fuente requerida es tal que

produce un aumento en la corriente del canal se dice que el MOSFET funciona en
el modo de ENRIQUECIMIENTO y cuando produce una disminución en la
corriente se dice que funciona en el modo de EMPOBRECIMIENTO.
Algunos MOSFET pueden operar en ambos modos es decir de Empobrecimiento

y Enriquecimiento.
La impedancia de entrada es más alta y la capacitancia de entrada más baja en

un MOSFET que en un JFET.
Los MOSFET pueden requerir cierta forma de protección de compuerta para impedir el
daño debido a la carga estática.
En el JFET de canal N, la polarización inversa del diodo de compuerta impide la

corriente de compuerta. En el MOSFET, el óxido aislante impide la corriente de
compuerta (aunque no es raro tener una corriente del orden de los nA o pA). El
aislante es mucho más perfecto que el diodo y la impedancia de entrada del
MOSFET puede llegar hasta un millón de megaohmios. La estructura de
compuerta de MOSFET también tiene una ventaja de una capacitancia más baja
de entrada. La menor capacitancia mejora su funcionamiento a altas frecuencias.
VERIFICAR EL ESTADO DEL TRANSISTOR MOSFET USANDO EL
MULTÍMETRO DIGITAL.
El MOSFET tiene una capa delgada de
material aislante de dióxido de silicio
(SiO2) colocada al lado del
semiconductor y una capa de metal es
colocada al lado del gate, tal como vemos
en la Fig 101.
En estas condiciones, se observa que

todos los terminales se encuentran
aislados, unos de otros, por lo tanto, al
usar el multímetro digital, sus lecturas
serán de alta resistencia, es decir indicarán “OL”.
El multímetro digital debe estar en la condición “probar
diodos”. Efectuamos las siguientes mediciones.
Como se aprecia, y era de esperarse, las lecturas indican “OL”, es decir cuando se
desea probar un MOSFET, lo único aceptable es el reemplazo directo.
Observe que la lectura entre drenador y surtidor es, realmente, la indicación de la

verificación del diodo interno entre ambos terminales.
Una buena práctica es recordar que los MOSFET se pueden dañar con facilidad y
hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy
delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad
estática producida durante el manipuleo del transistor.
CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA DEL TRANSISTOR MOSFET
Teniendo como referencia y punto de partida la curva característica del MOSFET

(ID vs VDS) ( lado derecho), dibujamos al lado izquierdo un eje de coordenadas
cartesianos (ID vs VGS) .
Trazamos rectas paralelas en las diversas curvas de VGS y las prolongamos hasta
lograr la intersección con al abcisa de la coordenada (ID vs VGS).
Obtendremos una serie de puntos que al unirlos nos generará la curva
característica de transferencia que obedece a la ecuación de Shockley.
En la curva de transferencia se aprecia que, conforme se incrementa el voltaje

compuerta-surtidor (Vgs), también se va incrementando la corriente de drenador
(Id), en mA; por lo que se deduce que el MOSFET es un dispositivo controlado
por tensión.
Esta curva de transferencia nos permite obtener la tensión VGS (th) que es la
tensión aplicada entre gate y surtidor que determina el pase de bloqueo a
conducción del MOSFET.
En ella se puede visualizar la tensión de umbral VGS(th) que determina el paso de

bloqueo a conducción, en este caso observamos que es igual a 2 Voltios; significa
que, para que el MOSFET inicie la conducción, la tensión entre compuerta y
surtidor debe ser mayor que 2 Voltios. Con valores de VGS menores de 2 Voltios,
el transistor permanecerá en la condición de bloqueo o de corte.
El MOSFET se emplea en circuitos amplificadores, pero su aplicación más

efectiva, para los MOSFET de potencia, es en circuitos de conmutación, como el
empleado para el arranque y parada de un motor, el control de velocidad PWM de
un motor DC etc, debido a que su velocidad de conmutación es muy alta, siendo
los tiempos de conmutación del orden de los nanosegundos.
PASO DE CORTE A CONDUCCIÓN
A diferencia de los transistores BJT,
quienes, para iniciar la conducción, sólo
se requiere que el VBE sea mayor que
0,7 Voltios.
En los MOSFET es necesario acudir a la
curva de transferencia y verificar dicho
valor.
Por ejemplo, en la figura adjunta se
aprecia que, el MOSFET inicie la
conducción, se requiere que la tensión
VGS sea mayor que 6 Voltios.
ESPECIFICACIÓN TÉCNICA
DEL TRANSISTOR MOSFET
Lo usual es indicar el código del dispositivo.; sin embargo, los parámetros

importantes son: Tipo de Canal (N o P), Corriente máxima que soporta el
drenador, la tensión drenador – surtidor y la resistencia RDS(on).
Por ejemplo:
Un transistor IRF840
Un transistor MOSFET de canal N, Corriente de drenador : 8 A, VDS : 500 V, RDS(on) :
0,75 Ω
Preparación
Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deberá revisar los

apuntes de clase el texto base, el manual de componentes electrónicos, asimismo
realizar sus diseños previos utilizando el software de diseño electrónico del curso.
Equipos y Materiales
01 Osciloscopio
01 Generador de
Funciones. 01 Multímetro
digital.
01 Fuente doble de DC
01 Protoboard.
01 Resistencia de 330 Ω, ½ W
01 Resistencia de 1MΩ, ½ W.
01 Resistencia de 1kΩ, ½ W.
01 MOSFET de Enriquecimiento de canal N - IRF840 o IRF730
01 CMOS 4011B
01 Motor DC
12V 01 Diodo
1N4002
02 Led
I: RECONOCIMIENTO FÍSICO DE UN MOSFET
Símbolo:
1.1 Identifique el tipo de MOSFET y sus terminales en la figura 1-1
Tipo: ……………………. Tipo: ………………………
1.2 En la figura se muestra el encapsulado de un de MOSFET, las

características principales.
a) Código:
b) Encapsulado:
c) Señalar sus terminales:
II. Circuito con MOSFET
2.1 Implemente el circuito mostrado en la figura 2.1
Figura 2.1
2.2 Aplique a VDD un valor de 12 V y varíe la tensión de la fuente VGS desde 0

hasta 12 V. y anote el valor de la corriente ID para cada caso, complete la
tabla.
VGS 0 2 4 6 8 10 12
ID
¿Comentar los resultados obtenidos?
………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………
2.3 Implemente el circuito mostrado en la figura 2.2, remplazando el motor por un

led y una resistencia de 330Ohms. (Simulación)
Figura 2.2
2.4 Visualice en el osciloscopio las señales VGS y VDS para distintos valores de
frecuencia (10 Hz, 100 Hz, 1 kHz, 10 kHz, 100 kHz) y ciclo de trabajo de (0%,
25%, 50%, 75% y 100%),
2.5 Mida, para cada caso, la corriente que circula en la resistencia de 330 Ω.
2.6 Hacer tablas para poner los resultados.
Ejemplo:
10 Hz
Ciclo de 0% 25% 50% 75% 100%
trabajo
Corriente :
¿Qué comentarios puede hacer de lo observado?
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
2.7 ¿Por qué se conecta una compuerta NAND a la entrada del MOSFET?, se
podría realizar usando compuertas inversoras 4049? se podría realizar esta
conexión con compuertas 7404?
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
2.8 Observaciones
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………
2.9 Conclusiones
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………

Lab - 12 Transistor MOSFET

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Lab - 12 Transistor MOSFET

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Lab - 12 Transistor MOSFET

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS

- Identificar los terminales de un MOSFET de Enriquecimiento

En un MOSFET la compuerta está aislada del canal, también se le conoce como

Cuando la polaridad de la polarización de Compuerta - Fuente requerida es tal que

Algunos MOSFET pueden operar en ambos modos es decir de Empobrecimiento

La impedancia de entrada es más alta y la capacitancia de entrada más baja en

En el JFET de canal N, la polarización inversa del diodo de compuerta impide la

En estas condiciones, se observa que

Observe que la lectura entre drenador y surtidor es, realmente, la indicación de la

Teniendo como referencia y punto de partida la curva característica del MOSFET

En la curva de transferencia se aprecia que, conforme se incrementa el voltaje

En ella se puede visualizar la tensión de umbral VGS(th) que determina el paso de

El MOSFET se emplea en circuitos amplificadores, pero su aplicación más

Lo usual es indicar el código del dispositivo.; sin embargo, los parámetros

Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deberá revisar los

1.1 Identifique el tipo de MOSFET y sus terminales en la figura 1-1

Tipo: ……………………. Tipo: ………………………

1.2 En la figura se muestra el encapsulado de un de MOSFET, las

2.1 Implemente el circuito mostrado en la figura 2.1

2.2 Aplique a VDD un valor de 12 V y varíe la tensión de la fuente VGS desde 0

¿Comentar los resultados obtenidos?

2.3 Implemente el circuito mostrado en la figura 2.2, remplazando el motor por un

¿Qué comentarios puede hacer de lo observado?

También podría gustarte