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    Lab - 11 El Transistor de Efecto de Campo 2022-2

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    Este documento describe un laboratorio sobre transistores de efecto de campo (FET). Explica que los FET son dispositivos semiconductores controlados por voltaje cuya conducción depende de los portadores mayoritarios. Describe los símbolos y terminales de los FET, así como objetivos como identificar los terminales de un FET, probar un FET, y medir el efecto del voltaje de drenaje y voltaje de estrangulamiento. También incluye secciones sobre las ventajas y desventajas de los FET.

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    Lab - 11 El Transistor de Efecto de Campo 2022-2

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    Este documento describe un laboratorio sobre transistores de efecto de campo (FET). Explica que los FET son dispositivos semiconductores controlados por voltaje cuya conducción depende de los portadores mayoritarios. Describe los símbolos y terminales de los FET, así como objetivos como identificar los terminales de un FET, probar un FET, y medir el efecto del voltaje de drenaje y voltaje de estrangulamiento. También incluye secciones sobre las ventajas y desventajas de los FET.

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    Lab_11 El transistor de Efecto de Campo 2022-2

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    Este documento describe un laboratorio sobre transistores de efecto de campo (FET). Explica que los FET son dispositivos semiconductores controlados por voltaje cuya conducción depende de los portadores mayoritarios. Describe los símbolos y terminales de los FET, así como objetivos como identificar los terminales de un FET, probar un FET, y medir el efecto del voltaje de drenaje y voltaje de estrangulamiento. También incluye secciones sobre las ventajas y desventajas de los FET.

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    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

    Laboratorio N°11

    TRANSISTORES DE EFECTO DE
    CAMPO
    Curso: Dispositivos y Circuitos Electrónicos Sección:
    Mesa
    Lab. Nro.: 11
    Nro.:
    Transistores de efecto de campo
    Tema: Fecha:
    Observaciones:

    Participantes
    Nro. Apellidos Nombres
    1
    2

    2021
    1
    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    “TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO”

    Objetivos

    - Identificar los terminales de un FET.


    - Probar el estado de un FET
    - Mostrar y medir el efecto del voltaje de drenaje con polarización cero en la compuerta y
    determinar el voltaje de estrangulamiento para producir una corriente de drenaje
    constante.
    - Medir el valor del voltaje de polarización inversa compuerta-fuente requerido para
    producir estrangulamiento para un valor dado de voltaje de fuente a drenador.
    - Implementar un circuito básico de polarización con FET.
    - Dibujar los diagramas y medir los valores DC en un circuito básico con FET.

    Introducción
    Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,
    llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
    forma con el canal una unión p-n.
    Son componentes semiconductores, que se basan en el manejo de tensión y corriente de
    salida bajo el control del Campo Eléctrico (V / mm), es decir, su entrada no toma corriente,
    en la práctica esa corriente es extremadamente baja, comparable a la I de fuga en un
    capacitor debido al dieléctrico.
    La conducción en esta tecnología, depende únicamente del flujo de portadores
    mayoritarios, por eso son unipolares, (un solo tipo de portadores N o P).
    En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
    sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el
    collar.

    2
    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    Símbolos gráficos para un FET

    CANAL N CANAL P

    3
    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    LA INTERPRETACIÓN DE LA CARACTERÍSTICA DE SALIDA

    Tiene 3 zonas: VDS (aumenta)


    1- Zona lineal. Ley de Ohm ID= VDS canal (cte.)
    2- Zona alineal o de codo.
    3- Zona de saturación, es la utilización como amplificador

    PRUEBA DE UN TRANSISTOR FET

    Entre la compuerta G y Fuente S se conforma un diodo PN para el cual el canal N y un


    diodo NP para el canal P.
    La tensión VGS se debe polarizar en forma inversa y en directa siempre y cuando en forma
    no se sobrepase la tensión de arranque V (= 0,6V, Si). AL sobrepasar 0,6 V el diodo
    conduce y se destruye, porque está fabricado para baja corriente directa. En síntesis, es una
    barra de Si, con impurezas controladas, N si el canal es N, e impurezas P para el de canal
    P, que tiene cierta resistencia

    4
    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    VENTAJAS DEL FET


    1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (107 a 1012
    W).Ya que la impedancia de entrada es mayor que la de los BJT, se prefieren los
    FET a los BJT para la etapa de entrada a un amplificador multietapa.

    2. Generan un nivel de ruido menor que los BJT.


    3. Son más estables con la temperatura que el BJT.
    4. Se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores
    pequeños de tensión drenaje a fuente.
    5. Puede ser utilizado como conmutador y como almacenador de carga (Tao de
    entrada grande T=R.C).
    6. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
    grandes.
    7. Tamaño mucho más pequeño que los bipolares.
    DESVENTAJAS DEL FET
    1. Exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
    2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
    3. Se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.

    Preparación

    Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deberá revisar ls apuntes de


    clase el texto base, el manual de componentes electrónicos, asimismo realizar sus diseños
    previos utilizando el software de diseño electrónico del curso.

    Equipos y Materiales

    01 Osciloscopio 01 FET de canal N. 2N5433 o


    01 Generador de Funciones. 01 2N3819 o k170
    Multimetro digital. 01 Resistencia de 100
    01 Fuente doble de DC 01 Diodo 1N4002GP
    01 Protoboard.
    01 Pelacables.
    01 Resistencia de 1M, ½ W. 01
    Resistencia de 47, 1/2W.

    5
    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    PRIMERA PARTE: RECONOCIMIENTO FÍSICO

    - El Transistor JFET:

    Símbolo:
    El símbolo de JFET es el mostrado; en él identifique y nombre sus terminales: Forma Física:

    CANAL:..........

    CANAL:..............

    A continuación se muestran las diversas formas físicas que presentan los JFETs; con la
    ayuda del manual ECG identifique sus terminales y anótelos en cada uno de ellos así como su
    tipo de encapsulado (Nota: Si no sabe usar el manual ECG pida ayuda a su profesor de
    laboratorio)

    A) Tipo de empaquetamiento..........................................

    6
    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    B) Tipo de empaquetamiento=..........................................

    C) Tipo de empaquetamiento=..........................................

    ....................................................................................................................................

    SEGUNDA PARTE: CIRCUITO DE PRUEBA

    Objetivo 1: Mostrar y medir el efecto del voltaje de Drenador en la corriente ID


    con polarización cero en la compuerta y determinar el valor del voltaje de
    Drenador – Surtidor (estrangulamiento) requerido para producir una corriente
    constante de drenador.

    1. Implemente el circuito mostrado en la figura 1. utilizar un JFET de canal N en él se


    comprobará su funcionamiento a través del control de la corriente del drenador – surtidor
    por medio de un voltaje aplicado en terminal de compuerta (Nótese que el valor de R1
    implica una corriente muy pequeña a través del resistor).

    7
    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    Figura 1

    2. Aumente el voltaje de la fuente VDD del Drenador hasta que la caída de voltaje VDS
    indicada en el voltímetro sea 0.5 Vdc.
    3. Mida la corriente Id del drenador y anote el resultado en la tabla 1
    4. Siga aumentando VDD y registre el valor de Id para cada valor de VDS en la tabla 1

    VDS(V) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5


    IDS(mA)

    VDS(V) 4.0 4.5 5.0 6.0 8.0 10.0 15.0 20.0


    IDS(mA)

    5. ¿Qué puede comentar de los datos obtenidos?

    …………………………………………………………………………………………………
    …………………………………………………………………………………………………
    …………………………………………………………………………………………………
    …………………………………………………………………………………………………
    ……………………………………………………………………………………..

    8
    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    6. Muestre los datos obtenidos en el siguiente gráfico ID Vs VDS.

    7. En su curva, señale el punto donde termina el aumento rápido en ID y comienza el flujo


    de corriente constante. Dibuje una línea vertical desde ese punto hasta la escala VDS,
    registre el valor del voltaje en ese punto. Este es el voltaje de estrangulamiento de
    Drenador- Surtidor: Vp

    8. ¿Cómo se llama la zona en donde el valor es menor de Vp?


    …………………………………………………………………………………………….

    9. ¿Cómo se llama la zona en donde la corriente ID no aumenta?


    …………………………………………………………………………………………….

    10. ¿Qué pasa con la corriente en la zona Óhmica?


    ...............................................................................................................................

    11. Baje el valor de la fuente VDD a cero voltios.

    ………………………………………………………………………………………………….

    9
    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    Objetivo 2: Medir el valor del voltaje de polarización inversa Compuerta –


    Surtidor (Fuente) requerido para producir estrangulamiento para un valor dado
    de voltaje de fuente a Drenador.

    12. Implemente el circuito mostrado en la figura 2

    Figura 2

    13. Ajuste el voltaje de la fuente de Drenador a 12 VDC.

    14. Lentamente aumente el voltaje VGS de polarización de Compuerta – Fuente hasta que la
    corriente ID de drenador llegue a cero y repita el proceso hasta asegurarse de cual es el
    punto exacto donde Id cae a cero, observe en el voltímetro XMM2 el valor de VGS el cual
    representa el valor de Vp de estrangulamiento de compuerta
    – fuente, anote el valor.

    Vp =…............................Vcd.

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    TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0

    I. OBSERVACIONES
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    II. CONCLUSIONES.
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