MOSFET DE TIPO DECREMENTAL

Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de los
JFET y de los MOSFET de tipo decremental permiten un análisis similar de cada uno en el
dominio de dc. La diferencia mas importante entre los dos es el hecho de que el MOSFET
de tipo decremental permite puntos de operación con valores positivos de V GS y niveles de
ID que exceden IDSS. De hecho, para todas las configuraciones realizadas hasta ahora, el
análisis es el mismo si el JFET se reemplaza por un MOSFET de tipo decremental.

La única parte sin definir en el análisis consiste en la forma de graficar la ecuación

de Shockley para los valores positivos de VGS. ¿Qué tan lejos debe extenderse la curva de
transferencia en la región de valores positivos de V GS y valores de ID mayores que IDSS? Para
la mayoría de las situaciones este rango estará bien definido por parámetros del MOSFET y
por la recta de polarización que se obtuvo de la red. Unos cuantos ejemplos indicaran el
impacto del cambio de dispositivo en el análisis obtenido.

MOSFET DE TIPO INCREMENTAL

Las características de transferencia del MOSFET de tipo incremental son muy

diferentes de las encontradas para el JFET y los MOSFET de tipo decremental. Lo primero
y quizás mas importante es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de canal N,
la corriente de drenaje es 0 para aquellos niveles de voltaje compuerta- fuente, menos que
el nivel de umbral VGS (Th.). Para los niveles de VGS mayores que VGS (Th.), la corriente de
malla se define mediante:

ID = kVGS - VGS (Th))2

Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del
umbral y un nivel de corriente de drenaje (ID (encendido)), así como su nivel correspondiente de
VGS (encendido) pueden definirse dos puntos de inmediato. Para completar la curva, primero
tiene que determinar la constante k de la ecuación a partir de los datos de las hojas de
especificaciones mediante la sustitución en la ecuación y resolviendo para k de la siguiente
manera:

ID = kVGS - VGS(Th) )2
ID (encendido) = k (VGS (encendido) - VGS (Th))2

Una vez que k esta definida, pueden calcularse otros niveles de ID para los valores
seleccionados de VGS. Por lo general, un punto entre VGS (Th) y VGS (encendido) y uno poco
mayor que VGS (encendido).
 La ecuación de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada
y de salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental:

Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuación:

ID = k (VGS - VT)2
La ecuación de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada
y de salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental:

Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuación:

ID = k (VGS - VT)2
La ecuación de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada
y de salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental:

Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuación:

ID = k (VGS - VT)2
 La ecuación de Shockley se aplica con objeto de relacionar las cantidades de entrada
y de salida para los JFET y los MOSFET de tipo decremental:

Para los MOSFET de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuación:

ID = k (VGS - VT)2

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
Las construcciones de los MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p se
muestran en las figuras 6 y 7, respectivamente. En cada una de estas figuras se muestran
la construcción, el símbolo, la característica de transferencia y las características i D-VGS. El
MOSFET de empobrecimiento se construye (como se muestra en la figura 6(a) para el
canal n y en la figura 7(a) para el canal p) con un canal físico construido entre el drenaje y
la fuente cuando se aplica una tensión, VDS.
El MOSFET de empobrecimiento de canal n de la figura 6 se establece en un sustrato p,
que es silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el
drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos de canal n y los
contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace una capa de silicio de
SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal n, como se muestra en la figura
6(a). Se deposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO 2 para formar la terminal
de compuerta (G). El desempeño del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del
JFET, como puede verse en las figura 6(c)

y 7(c). El JFET se controla por la unión pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del
canal. No existe dicha unión en el MOSFET de enriquecimiento, y la capa de SiO 2 actúa
como aislante. Para el MOSFET de canal n, mostrado en la figura 6, una V GS negativa
saca los electrones, de la región del canal, empobreciéndolo. Cuando V GS alcanza Vp, el
canal se estrecha. Los valores positivos de VGS aumentan el tamaño del canal, dando

por resultado un aumento en la corriente de drenaje. Esto se indica en las curvas

características de la figura 6(c).
Figura 6. MOSFET de empobrecimiento de canal n.
 Figura 7. MOSFET de empobrecimiento de canal p.
Nótese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos
como negativos de VGS. Se puede utilizar la misma ecuación de Shockley (ec.1) a fin de
aproximar las curvas para valores negativos de V GS. Obsérvese, sin embargo que la
característica de transferencia continua para valores positivos de VGS. Como la compuerta
esta aislada del canal, la corriente de compuerta es sumamente pequeña (10 -12 A) y VGS
puede ser de cualquier polaridad.
Como puede verse en las figuras 6(b) y 7(b), el símbolo para el MOSFET posee una
cuarta terminal, el sustrato. La flecha apunta hacia adentro para un canal n y hacia afuera
para un canal p. El MOSFET de empobrecimiento de canal p, que se muestra en la figura
7, es igual que el de la figura 6, excepto que se invierten los materiales n y p al igual que
las polaridades de las tensiones y corrientes.

Curva característica del MOSFET de empobrecimiento

A continuación se presenta un ejemplo de la curva de un MOSFET de empobrecimiento
canal n realizada en el programa MATLAB, como se puede observar el voltaje Drain-
Source (VDS) es de 15v, el voltaje de pellizco (Vp) es -8v y la corriente Drain-Source de
saturación (IDSS) es de 21mA, esto realizado para distintos voltajes de Gate-Source (VGS).
  

Electrónica:
Amplificadores con transistores de
efecto de campo
Indice
1. Ventajas y desventajas del FET
2. Tipos de FET
3. Operación y construcción del JFET
4. Variación de la tension compuerta a fuente en el FET
5. Operación y construcción del MOSFET
6. Polarización de los FET
1. Ventajas y desventajas del FET
Las ventajas del FET pueden resumirse como sigue:
1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden de 10 7
 ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se
prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos
pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de
dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque
mayor).
5. Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores
pequeños de tensión de drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente
para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Existen varias desventajas que limitan la utilización de los FET en algunas aplicaciones:
1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de
entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.

2. Tipos de FET
Se consideran tres tipos principales de FET:
1. FET de unión (JFET)
2. FET metal óxido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento)
3. FET metal óxido semiconductor de eriquecimiento (MOSFET de enriquecimiento)

Con frecuencia el MOSFET se denomina FET de compuerta aislada (IGFET, insulated-gate FET).
3. Operación y construcción del JFET
Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero solo tiene una unión pn en vez
de dos, como en el BJT. El JFET de canal n, mostrado en la figura 4.1(a), se construye utilizando
una cinta de material de tipo n con dos materiales de tipo p difundidos en ella, uno en cada lado. El
JFET de canal p tiene una cinta de material de tipo p con dos materiales de tipo n difundidos en
ella, como se muestra en la figura 4.1(b).
Para entender la operación del JFET, se conecta el JFET de canal n de la figura 4.1(a) a un circuito
externo. Se aplica una fuente de tensión, VDD, al drenaje (esta es analoga a la fuente de tension V CC
para el BJT) y se envía a tierra. Una fuente de tensión de compuerta, VGG, se aplica a la compuerta
(aquella es analoga a la VBB para el BJT). Esta configuración se muestra en la figura 4.2(a). VDD
proporciona una tensión drenaje a fuente, vDS, que provoca una corriente de drenaje, i D, del drenaje
a la fuente. La corriente de drenaje, iD, que es identica a la corriente de fuente, existe en el canal
rodeado por la compuerta de tipo p. La tensión compuerta a fuente, v GS, que es igual a –VGG crea
una region desertica en el canal, que reduce el ancho de este y por tanto aumenta la resistencia
entre drenaje y fuente. Como la unión compuerta –fuente esta polarizada en inverso, el resultado
es una corriente de compuerta nula.
4. Variación de la tension compuerta a fuente en el FET
El Fet es un dispositivo controlado por tensión y se controla mediante v GS. En la figura 4.4 se
muestran las curvas caracteristicas iD-vDS tanto para un JFET de canal n como para uno de canal p.
Antes de analizar estas curvas, tomese nota de los simbolos para los JFET de canal n y de canal p,
que también se muestran en la figura 4.4. Estos simbolos son iguales excepto por la dirección de la
flecha.
Conforme se incrementa vGS (más negativo para un canal n y más positivo para un canal p) se
forma la region desertica y se cierra para un valor menor que iD. Por tanto, para el JFET de canal n
de la figura 4.4(a), la iD maxima se reduce desde IDSS conforme vGS se hace más negativo. Si vGS
disminuye aun más (más negativo), se alcanza un valor de vGS, después del cual iD será cero sin
importar el valor de vDS. Este valor de vGS se denomina VGSOFF, o tensión de estrangulamiento (VP).
El valor de VP es negativo para un JFET de canal n y positivo para un JFET de canal p.
Características de transferencia del JFET
De gran valor en el diseño con JFET es la característica de transferencia, que es una gráfica de la
corriente de drenaje, iD, como función de la tensión compuerta a fuente, vGS, por encima del
estrangulamiento.
Un método util de determinar la característica de transferencia es con ayuda de la siguiente
relación (ecuación de Shockley):

(4.1)
Por tanto, solo se necesita conocer IDSS y VP, y toda la característica quedara determinada. Las
hojas de datos de los fabricantes a menudo dan estos dos parámetros, por la que se puede
construir la característica de transferencia o utilizar la ecuación 4.1 directamente. El parámetro de
control para el FET es la tensión compuerta-fuente en lugar de la corriente de base, como en el
BJT.
La región entre el estrangulamiento y la ruptura por avalancha se denomina región activa, región
de operación del amplificador, región de saturación o región de estrangulamiento, como se muestra
en la figura 4.5. La región ohmica (antes del estrangulamiento) a veces se denomina región
controlada por tensión. El FET opera en esta región cuando se desea un resistor variable y en
aplicaciones de conmutación.
La tensión de ruptura es función de vGS así como de vDS. Conforme aumenta la magnitud entre
compuerta y fuente (más negativa para el canal n y más positiva para el canal p), disminuye la
tensión por ruptura. Con vGS = VP, la corriente de drenaje es cero (excepto por una pequeña
corriente de fuga), y con vGS = 0, la corriente de drenaje se satura a un valor
iD = IDSS
donde IDSS es la corriente de saturación drenaje a fuente.
Circuito equivalente, gm y rDS
Para obtener una medida de la amplificación posible con un JFET, se introduce el parametro g m,
que es la transconductancia en directo. Este parametro es similar a la ganancia en corriente (o h fe)
para un BJT. El valor de gm, que se mide en siemens (S), es una medida del cambio en la corriente
de drenaje para un cambio en la tensión compuerta-fuente. Esto se puede expresar como

(4.2)
Se puede encontrar la transconductancia diferenciando la ecuación (4.1), lo que da como resultado

(4.3)
La resistencia dinamica en inverso, rDS, se define como el inverso de la pendiente de la curba i D-vDS
en la región de saturación:

(4.7)
El desempeño de un JFET esta especificado por lo valores de gm y rDS. Estos parametros se
determinan ahora para un JFET de canal n utilizando la curva caracteristica de la figura 4.7. Si las
curvas caracteristicas para el FET no estan disponibles, gm y vGS se pueden obtener
matematicamente, siempre que se conozcan IDSS y VP. Por lo general, estos dos parametros se
incluyen enlas especificaciones del fabricante. Se puede seleccionar una corriente de drenaje
estatica, IDQ, que se halle entre 0.3 y 0.7 veces IDSS, lo cual ubica el punto Q en la región más lineal
de las curvas cracteristicas.
5. Operación y construcción del MOSFET
En esta sección, se considera el FET de metal –óxido semiconductor (MOSFET). Este FET se
construye con la terminal de compuerta aislada del canal con el dielectrico dióxido de silicio (SiO 2),
y ya sea en modo de empobrecimiento o bien de enriquecimiento. Estos dos tipos se definen y
consideran en las siguientes secciones.
MOSFET de empobrecimiento
Las construcciones de los MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p se muestran en
las figuras 4.9 y 4.10, respectivamente. En cada una de estas figuras se muestra la construcción, el
simbolo, la caracteristica de transferencia y las caracteristicas iD-vGS. El MOSFET de
empobrecimiento se construye (como se muestra en la figura 4.9(a) para el de canal n y en la
figura 4.10(a) para el de canal p) con un canal fisico construido entre el drenaje y la fuente. Como
resultado de ello, existe una iD entre drenaje y fuente cuando se aplica una tension, v DS.
El MOSFET de empobrecimiento de canal n de la figura 4.9 se establece en un sustrato p, que es
silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el drenaje forman
conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal n y los contactos de aluminio de la
fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa de SiO 2, que es un aislante, en la parte
superior del canal n, como se muestra en la figura 4.9(a). Se deposita una capa de aluminio sobre
el aislante de SiO2 para formar el material de compuerta (G). El desempeño del MOSFET de
empobrecimiento, es similar al del JFET, como puede verse en las figuras 4.9(C) y 4.10(C). El
JFET se controla por la unión pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No existe
dicha unión en el MOSFET enriquecimiento, y la capa de SiO 2 actúa como aislante. Para el
MOSFET de canal n, mostrado en la figura 4.9, una v GS negativa saca los electrones de la región
del canal, empobreciéndolo. Cuando vGS alcanza VP, el canal se estrangula. Los valores positivos
de vGS aumentan el tamaño del canal, dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje.
Esto se indica en las curvas caracteristicas de la figura 4.9(C).
MOSFET de enriquecimiento
El MOSFET de enriquecimiento difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa
delgada de material n sino que requiere de una tension positiva entre la compuerta y la fuente para
establecer un canal. Este canal se forma por la acción de una tension positiva compuerta a fuente,
vGS, que atrae electrones de la región de sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta
contaminados de tipo n. Una vGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie
inferior de la capa de oxido. Cuando la tensión alcanza el valor de umbral, V T, han sido atraidos a
esta región los electrones suficientes para que se comporte como canal n conductor. No habra una
corriente apreciable iD hasta que vGS excede VT.
La corriente de drenaje en saturación se puede calcular de la ecuación

(4.10)
6. Polarización de los FET
Los mismos circuitos básicos de la figura 3.6 que se utilizan para polarizar los BJT se pueden
emplear para los JFET y los MOSFET de empobrecimiento, la polaridad de v GS puede ser opuesta
a la de la fuente de tension del drenaje. Cuando se selecciona el punto de operación, no hay
tensión de polaridad opuesta disponible de la fuente para cumplir con los requerimientos del
circuito. Puede ser necesario descartar R2 de manera que solo se obtenga una tensión de la
polaridad correcta. No siempre es posible encontrar valores de un resistor para lograr un punto Q
en particular. En tales casos, seleccionar un nuevo punto Q puede proporcionar a veces una
solución al problema.
Análisis de un amplificador FC
En la figura 4.13© se muestra el circuito equivalente en ca para el amplificador FET. Se supone
que rDS es grane comparada con RDllRL, por lo que se puede despreciar. Escribiendo la ecuación de
LTK alrededor del circuito de compuerta, se encuentra

Resolviendo para vgs, se obtiene

La tensión de salida, v0, esta dada por

La ganancia de tension, Av, es

La resistencia de entrada y la ganancia de corriente estan dadas por

Trabajo enviado por:

Alberto Guillermo Lozano Romero
[email protected]
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1.2. METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD ?

EFECT
 TRANSISTOR (MOSFET)

Existen dos tipos de MOSFET:

1.2.1 MOSFET a Enriquecimiento ó Incremental: la

polarización Gate- Fuente es positiva y el sustrato se
conecta a la fuente; (en la configuración fuente común).
Por otra parte, la unión Drenaje-Fuente es positiva (V ds
 0).

o La polarización Vgs  0 produce una acumulación de portadores

negativos en la zona cercana a la compuerta formándose así un
canal tipo n (análogo al canal JFET).

o Los MOSFET a Enriquecimiento sólo se operan con la condición V gs

 0. Para Vgs  0, se dice que el MOSFET se encuentra en estado de
corte.

o Para Vgs  0, existe una tensión Vgs = Vt (Voltaje Threshold, Tensión

Umbral) en la cuál se produce la aparición efectiva del canal.

o Sí Vgs  Vt , el canal no existe e igualmente Ids = 0.

o La tensión VR es suministrada por el fabricante.

o Para Vgs  Vt y Vds  Vgs - Vt ; el transistor se encuentra en la Región

de Funcionamiento Óhmico. Por tanto:

Ids = 2  K ((Vgs - Vt)Vds - Vds2)) donde K es la

constante suministrada por el fabricante y se da
en A V2.
o Para Vgs  Vt y Vds  Vgs - Vt ; el transistor se encuentra en la Región
de Saturación, para lo cual Ids es más o menos constante, y viene
dada por la fórmula Ids = K (Vgs - Vt)2.

Ids Ids

Vds Vgs

1.2.2 MOSFET a Empobrecimiento ó Decremental

La diferencia entre un MOSFET de Empobrecimiento (Decremental)

y un MOSFET de Enriquecimiento (Incremental) es el canal tipo n
 depositado durante la fabricación en la región adyacente a la
compuerta.

Debido a esto, ya existe un canal para Vgs = 0. Los valores positivos

de Vgs incrementan aún más la conductividad del canal existente y
por ende una disminución de la corriente Ids.

TRANSISTOR MOST
La gran diferencia fundamental con el JFET, es que entre compuerta G y Fuente S
hay
un material aislante (Si O2), que contiene una constante dieléctrica relativa (Rr),
baja
pero
estable.
Podemos decir sin dudas, que entre G y S hay un dieléctrico por lo tanto es un
CAPACITOR.
Las corrientes de entradas IG = pA ( 1 pA= 10-12 A )
1000 veces o mas menores al JFET.
La rgs oscila 1010 a 1015 .
Hay dos tipos de MOST: Acumulación y Deplexión.
MOST DE ACUMULACION

Este es el transistor de menor consumo, ideal para el uso en equipos portátiles.

Figura:TR04_05.
En algunos MOST, el terminal de substrato viene al exterior y se puede colocar a
masa
o VDD.
Lo normal es en canal P a +VDD y para canal N a masa.
Curva característica de salida
Tiene las curvas con 3 zonas = JFET con sustrato
a +VDD VGS 0V.

Curvas características de salidas del MOST de deplexión y Acumulación

Un MOST de deplexión tiene igual respuesta al JFET, pero con >> resistencia de
entrada y lo importante
MOST Deplexión = MOSt Acumulación + JFET
Actualmente hay MOST de Potencia de 100 A y 1500 V o mas.
El transistor bipolar original (1948), era extrernamente un cilindro de aprox. 10x20
mm.
A comienzos de 1990, en un circuito integrado cada transistor se redujo a 1x1 um.
Ya se integran en 45 mm2 10.000.000 de transistores y se espera un límite
tecnológico
y económico para el Si entre 50 y 100 millones .
La clave de los MOST para integrarse es su muy bajo consumo bajo efecto
Joule y
se pueden aproximar mas entre si, en los procesos de integración.
Resumen:
Extructura básica y funcionamiento de transitores bipolares.
El transitor bipolar fue desarrollado en 1948 en los laboratorios Bell en EE.UU y
desde
entonces ha reemplazado casi totalmente a las válvulas electrónicas. Consta de
tres
zonas situadas una detrás de otra con conductividad p y n por el orden p-n-p
(transistor
PNP)o n-p-n (transistor NPN). Estas tres zonas se denominan emisor, base y
colector.
(FIG: 12)
La tensión de trabajo se aplica a un transistor NPN del modo que el polo negativo
se
halle en el emisor y el polo negativo en el colector. La base se conecta de forma
que
es positiva respecto al emisor; sin embargo, esta tensión de base es mucho menor
que la tensión de colector.
Si sólo en el diodo de emisor hubiera tensión circularía una corriente elevada
desde el
emisor a la base, porque una gran cantidad de electrones migran a la zona de
base, o
bien de huecos o lagunas a la zona de emisor.
Un MOST de Deplexión puede trabajar también en el
modo de Acumulación.

MOSFET de tipo decremental

Las construcciones de los MOSFET de tipo decremental de canal n y de canal p se

muestran en las siguientes figuras. En cada una de estas figuras se muestran la
construcción, el símbolo, la característica de transferencia y las características ID-VGS.
Las regiones contaminadas de la fuente y el drenaje forman conexiones de baja
resistencia entre los extremos de canal y los contactos de aluminio de la fuente (S) y el
drenaje (D). Se hace una capa de silicio de SiO2, que es un aislante, en la parte superior
del canal, como se muestra en la figura . Se deposita una capa de aluminio sobre el
aislante de SiO2 para formar la terminal de compuerta (G). El desempeño del MOSFET de
tipo decremental, es similar al del JFET, como puede verse en las figura). El JFET se
controla por la unión pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No existe
dicha unión en el MOSFET de incremental, y la capa de SiO2 actúa como aislante.
MOSFET de tipo decremental canal N
En el MOSFET de tipo decremental de canal n, se establece en un sustrato p, que es
silicio contaminado de tipo p. que es la base en que se construye el dispositivo. En
algunos casos la Terminal de fuente y el sustrato vienen conectadas internamente, la
Terminal de compuerta está aislada del canal n mediante una capa muy delgada de
dioxido de silicio (SiO2) que hace las veces de dieléctrico, esto explica la alta impedancia
del dispositivo. El Terminal de compuerta puede tener valores de V positivos y a medida
que se disminuyen y se vuelven negativos producen una disminución en la corriente de
drenaje del dispositivo.

.
MOSFET de tipo decremental canal P
En el MOSFET de tipo decremental de canal p, se establece en un sustrato n, que es
silicio contaminado de tipo n. que es la base en que se construye el dispositivo. En
algunos casos la Terminal de fuente y el sustrato vienen conectadas internamente, la
Terminal de compuerta está aislada del canal n mediante una capa muy delgada de
dioxido de silicio (SiO2) que hace las veces de dieléctrico, Todas las polaridades y
derecciones de corriente están invertidas con respecto al MOSFET canal N, El Terminal
de compuerta puede tener valores de V negativos y a medida que se disminuyen y se
vuelven positivos producen una disminución en la corriente de drenaje del dispositivo.

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL

Las similitudes que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET de tipo decremental
permiten un análisis similar de cada uno en el dominio de dc. La diferencia mas importante entre los dos es el hecho de que
el MOSFET de tipo decremental permite puntos de operación con valores positivos de VGS y niveles de ID que exceden
IDSS. De hecho, para todas las configuraciones realizadas hasta ahora, el análisis es el mismo si el JFET se reemplaza por
un MOSFET de tipo decremental.
La única parte sin definir en el análisis consiste en la forma de graficar la ecuación de Shockley para los valores positivos de
VGS. ¿Qué tan lejos debe extenderse la curva de transferencia en la región de valores positivos de VGS y valores de ID
mayores que IDSS? Para la mayoría de las situaciones este rango estará bien definido por parámetros del MOSFET y por la
recta de polarización que se obtuvo de la red. Unos cuantos ejemplos indicaran el impacto del cambio de dispositivo en el
análisis obtenido.
MOSFET DE TIPO INCREMENTAL
Las características de transferencia del MOSFET de tipo incremental son muy diferentes de las encontradas para el JFET y
los MOSFET de tipo decremental. Lo primero y quizás mas importante es recordar que para el MOSFET de tipo incremental
de canal N, la corriente de drenaje es 0 para aquellos niveles de voltaje compuerta- fuente, menos que el nivel de umbral
VGS (Th.). Para los niveles de VGS mayores que VGS (Th.), la corriente de malla se define mediante:
ID = kVGS - VGS (Th))2
Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral y un nivel de corriente de drenaje (ID
(encendido)), así como su nivel correspondiente de VGS (encendido) pueden definirse dos puntos de inmediato. Para
completar la curva, primero tiene que determinar la constante k de la ecuación a partir de los datos de las hojas de
especificaciones mediante la sustitución en la ecuación y resolviendo para k de la siguiente manera:

MOSFET
Este FET se construye con la terminal de compuerta aislada del canal con el dieléctrico
dióxido de silicio (SiO2), y ya sea en modo de empobrecimiento o bien de enriquecimiento.
A continuación se definen estos dos tipos.

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
Las construcciones de los MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p se
muestran en las figuras 6 y 7, respectivamente. En cada una de estas figuras se muestran
la construcción, el símbolo, la característica de transferencia y las características i D-VGS. El
MOSFET de empobrecimiento se construye (como se muestra en la figura 6(a) para el
canal n y en la figura 7(a) para el canal p) con un canal físico construido entre el drenaje y
la fuente cuando se aplica una tensión, VDS.
El MOSFET de empobrecimiento de canal n de la figura 6 se establece en un sustrato p,
que es silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el
drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos de canal n y los
contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace una capa de silicio de
SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal n, como se muestra en la figura
6(a). Se deposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO 2 para formar la terminal
de compuerta (G). El desempeño del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del
JFET, como puede verse en las figura 6(c) y 7(c). El JFET se controla por la unión pn
entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No existe dicha unión en el
MOSFET de enriquecimiento, y la capa de SiO2 actúa como aislante. Para el MOSFET de
canal n, mostrado en la figura 6, una VGS negativa saca los electrones, de la región del
canal, empobreciéndolo. Cuando VGS alcanza Vp, el canal se estrecha. Los valores
positivos de VGS aumentan el tamaño del canal, dando

por resultado un aumento en la corriente de drenaje. Esto se indica en las curvas

características de la figura 6(c).
Figura 6. MOSFET de empobrecimiento de canal n.
Nótese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos
como negativos de VGS. Se puede utilizar la misma ecuación de Shockley (ec.1) a fin de
aproximar las curvas para valores negativos de V GS. Obsérvese, sin embargo que la
característica de transferencia continua para valores positivos de VGS. Como la compuerta
esta aislada del canal, la corriente de compuerta es sumamente pequeña (10 -12 A) y VGS
puede ser de cualquier polaridad.
Como puede verse en las figuras 6(b) y 7(b), el símbolo para el MOSFET posee una
cuarta terminal, el sustrato. La flecha apunta hacia adentro para un canal n y hacia afuera
para un canal p. El MOSFET de empobrecimiento de canal p, que se muestra en la figura
7, es igual que el de la figura 6, excepto que se invierten los materiales n y p al igual que
las polaridades de las tensiones y corrientes.

Curva característica del MOSFET de empobrecimiento

A continuación se presenta un ejemplo de la curva de un MOSFET de empobrecimiento
canal n realizada en el programa MATLAB, como se puede observar el voltaje Drain-
Source (VDS) es de 15v, el voltaje de pellizco (Vp) es -8v y la corriente Drain-Source de
saturación