Presentación de la Unidad II

Introducción

En la actualidad los materiales pueden dividirse en tres grandes clases según la

conducción de corriente de cada uno de ellos:

 Aislantes: no permiten un buen flujo de corriente.

 Conductores: pueden sustentar un flujo de corriente.
 Semiconductores: son moderadamente buenos para el flujo de corriente.

Para lograr comprender los fenómenos que se producen en las entrañas de un

diodo, de un transistor o de cualquier otro dispositivo semiconductor, primero
tenemos que aprender cosas relativas a los llamados "portadores de carga". Ellos
son los encargados de establecer el flujo de corriente eléctrica en el cristal
semiconductor.

Hasta el momento conoces de sobra a uno de ellos, el electrón, el cual también

existe en los materiales buenos conductores. Es probable además que, aunque
solo sea de oídas, conozcas al otro miembro de esta familia, el hueco. La
existencia de este último en su estructura cristalina es lo que hace especiales a los
semiconductores.

El objetivo que nos proponemos conseguir con este artículo es darte la

información necesaria para que sepas como actúan estos portadores de carga en
el seno del cristal semiconductor, además de otros temas relacionados e
igualmente interesantes. Una vez que hayas asimilado esto, estarás preparado
para conocer el funcionamiento de la unión P - N, alma y corazón de gran parte de
los dispositivos semiconductores existentes.

En el momento en que ambos tipos de impurezas entran en contacto en el interior

del semiconductor ocurre algo muy singular. Los electrones libres del cristal
tipo N se difunden (se dispersan) hacia el cristal tipo P atraídos por los huecos
positivos de este, y comienzan a ocupar dichos huecos nada más entrar en el
cristal.

Objetivo General

 Analizar los fenómenos electrónicos de conducción en los sólidos

cristalinos.
 Comprender el principio de operación de los dispositivos semiconductores
desde la perspectiva de su construcción, régimen de operación para su
aplicación en el diseño de circuitos electrónicos en asignaturas posteriores
del plan de estudios.
 Analizar los principios básicos de la física de semiconductores para
garantizar la comprensión del comportamiento de las estructuras de los
dispositivos.
  Analizar las propiedades y características de materiales semiconductores
tipos P y N.
 Describir la operación de los diferentes tipos de diodos, dispositivos opto
electrónicos, dispositivos bipolares y unipolares.

Objetivos de la Unidad:

 Analizar el comportamiento de la unión P-N en estado estable y transitorio,

en polarización directa, y el fenómeno de ruptura en inversa (avalancha,
Zener), para su aplicación en circuitos de rectificación, limitadores,
recortadores y regulación.

Materiales semiconductores, (intrínseco, extrínseco).

Semiconductores intrínsecos:

Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se denomina

semiconductor intrínseco.

Los más empleados históricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo
éste último el más empleado (por ser mucho más abundante y poder trabajar a
temperaturas mayores que el germanio).

Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa

(electrones de valencia), que comparte con los átomos adyacentes formando 4
enlaces covalentes. De esta manera cada átomo posee 8 electrones en su capa
más externa., formando una red cristalina, en la que la unión entre los electrones y
sus átomos es muy fuerte. Por consiguiente, en dicha red, los electrones no se
desplazan fácilmente, y el material en circunstancias normales se comporta como
un aislante.

Semiconductores extrínsecos:
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso
de impurificación (llamado dopaje), consistente en introducir átomos de otros
elementos con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se
denominará semiconductor extrínseco. Según la impureza (llamada dopante)
distinguimos:

Semiconductor tipo P: Se emplean elementos trivalentes (3 electrones de

valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no
aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en
la red cristalina éstos átomos presentarán un defecto de electrones (para formar
los 4 enlaces covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan el
paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina. Así, al material
tipo P también se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).

Semiconductor tipo N:
Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5 electrones de
valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El donante
aporta electrones en exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se moverán
fácilmente por la red cristalina aumentando su conductividad. De ese modo, el
material tipo N se denomina también donador de electrones.

Tipos de semiconductores:

1.- Semiconductores intrínsecos.

2.- Semiconductores extrínsecos.

3.- Semiconductor tipo N.

4.- Semiconductor tipo P.

Estructura de bandas de un semiconductor de tipo N. La imagen muestra la

Estructura de bandas de un semiconductor de tipo N. Los círculos negros
representan los electrones en la banda de conducción (naranja), mientras que los
blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen muestra que
los electrones son los portadores de carga mayoritarios.

Estructura de bandas de un semiconductor de tipo P. Los círculos negros

representan los electrones en la banda de conducción (naranja), mientras que los
blancos serían los huecos en la banda de valencia (azul). La imagen muestra que
los huecos son los portadores de carga mayoritarios.

Semiconductor P y semiconductor N.
Semiconductores extrínsecos:
Los semiconductores extrínsecos se obtienen mediante un proceso conocido
como dopaje y que consiste en la introducción de impurezas (dopantes) de forma
controlada en semiconductores intrínsecos. En función del dopante utilizado se
puede obtener semiconductores tipo P (positivos) o semiconductores tipo N
(negativos).

Semiconductores extrínsecos tipo N:

Los semiconductores extrínsecos tipo N son aquellos obtenidos por la adición de
dopantes con más valencias que el semiconductor intrínseco de partida. En el
caso del silicio, que es tetravalente se utilizan dopantes pentavalentes, por
ejemplo fósforo. En cada átomo de fósforo quedará un electrón sin formar enlace.
Este electrón puede saltar a la banda de conducción pero no deja ningún hueco,
por lo que se dice que estos dopantes son donadores de electrones y quedarán
más cargas negativas (electrones) en la banda de conducción que positivas
(huecos) en la banda de valencia.

La conductividad del material aumenta enormemente, hasta 24100 añadiendo tan

sólo un átomo donador por cada 1000 átomos de silicio. En la siguiente imagen
podemos ver un esquema de este tipo de semiconductores:

Semiconductor P y semiconductor N.
Semiconductores extrínsecos:
Los semiconductores extrínsecos se obtienen mediante un proceso conocido
como dopaje y que consiste en la introducción de impurezas (dopantes) de forma
controlada en semiconductores intrínsecos. En función del dopante utilizado se
puede obtener semiconductores tipo P (positivos) o semiconductores tipo N
(negativos).

Semiconductores extrínsecos tipo N:

Los semiconductores extrínsecos tipo N son aquellos obtenidos por la adición de
dopantes con más valencias que el semiconductor intrínseco de partida. En el
caso del silicio, que es tetravalente se utilizan dopantes pentavalentes, por
ejemplo fósforo. En cada átomo de fósforo quedará un electrón sin formar enlace.
Este electrón puede saltar a la banda de conducción pero no deja ningún hueco,
por lo que se dice que estos dopantes son donadores de electrones y quedarán
más cargas negativas (electrones) en la banda de conducción que positivas
(huecos) en la banda de valencia.

La conductividad del material aumenta enormemente, hasta 24100 añadiendo tan

sólo un átomo donador por cada 1000 átomos de silicio. En la siguiente imagen
podemos ver un esquema de este tipo de semiconductores:
Aplicaciones:
Los semiconductores tienen una infinidad de usos y aplicaciones, por ejemplo, son
imprescindibles en la fabricación de diodos (entre ellos los LED), dispositivos
electrónicos o paneles solares. Algunos de los semiconductores más utilizados
son:

1.- Termistores: la conductividad depende de la temperatura

Transductores de presión: la aplicación de presión a este tipo de semiconductor

provoca que el gap de energía entre banda de conducción y valencia se estreche
y aumente la conductividad.

2.- Rectificadores (dispositivos de unión del tipo p-n): se unen

semiconductores tipo n y p (unión p-n) y al hacerlo los electrones se concentran en
la unión del tipo n y los huecos en la unión p, este desequilibrio electrónico crea un
voltaje en la unión que se utiliza como rectificador.

3.- Transistores de unión bipolar: estos transistores se utilizan generalmente en

los CPU (unidades de procesamiento central) de ordenadores por la eficiencia en
dar una respuesta rápida a la conmutación.

4.- Transistores de efecto de campo: son utilizados frecuentemente para

almacenar información en la memoria de los ordenadores.

Unión P-N en estado de equilibrio.

Potencial de contacto:
En la unión P-N en equilibrio, es la diferencia de potencial existente en la zona de
transición. Depende de la concentración de impurezas aceptoras (NA), donadoras
(ND) y de la concentración intrínseca (ni), y viene dada por:

En la que VT es el potencial de temperatura, donde k es la constante de

Boltzmann (1,38066·10-23 J/K), T la temperatura absoluta y que la carga del
electrón. De este modo, a 300 K, VT vale 26 mV.
Campo eléctrico.
Campo eléctrico de una carga puntal.
El campo eléctrico de una carga puntual se puede obtener de la ley de Coulomb:

El campo eléctrico está dirigido radialmente hacia fuera de una carga puntual en
todas las direcciones. Los círculos representan superficies equipotenciales
esféricas.

El campo eléctrico de cualquier número de cargas puntuales, se puede obtener

por la suma vectorial de los campos individuales. Un campo dirigido hacia fuera se
toma como positivo; el campo de carga negativa está dirigido hacia el interior de la
carga.

Esta expresión de campo eléctrico se puede obtener también, aplicando la ley de

Gauss.
Zonas de vaciamiento.

Zona de Vaciamiento
Llamada también:

1.- Zona de Deplexión,

2.- Barrera Interna de Potencial,

3.- Zona de Carga Espacial,

4.- Zona de Agotamiento o Empobrecimiento,

5.- Zona de Vaciado, etc.

Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos.

Al aumentar los dipolos la región cerca de la unión se vacía de portadores y se

crea la llamada "Zona de Deplexión".
Carga almacenada.
Energía Almacenada en un Condensador
La energía almacenada en un condensador se puede calcular de las expresiones
equivalentes:

Esta energía está almacenada en el campo eléctrico.

Un condensador 12 μF = 1.2 x 10-5 F

Que se carga al voltaje V = 10 V

Tendrá una carga Q = 1.2 x10-4 C y almacenará una energía E =

0.6000000000000001x10-3 J.

De la definición de voltaje como energía por unidad de carga, uno podría esperar
que la energía almacenada en este condensador ideal fuera exactamente QV. Es
decir, todo el trabajo realizado sobre las cargas para moverlas desde una placa a
la otra, debería aparecer como energía almacenada en el condensador. Para una
resistencia finita, se puede demostrar que la mitad de la energía suministrada por
la batería para la carga del condensador, se ha disipado como calor en la
resistencia independientemente de su valor.
Energía de Campo Eléctrico en Condensador
La energía almacenada en un condensador está en forma de densidad de energía
de un campo eléctrico y está dada por:

Esto se puede ver que es consistente con la energía almacenada en un

condensador cargado de placas paralelas.

Continuación.

Condensador de Placas Paralelas.

Campo Eléctrico.
 Energía del Condensador.

Capacitancia de difusión y transición

Los dos efectos de capacitancia son:
1.- Capacitancia de transición o de agotamiento.

2.- Capacitancia de difusión o de almacenamiento.

En la región de polarización inversa se tiene la capacitancia de la región de

transición o de agotamiento (CT).

En la región de polarización directa se tiene la capacitancia de difusión o de

almacenamiento (CD).

Capacitancia de transición o de agotamiento:

En la región de polarización inversa existe una región de agotamiento (libre de
portadores) que se comporta como un aislante entre las capas de carga opuesta.
Debido a que el ancho de esta región (d) se incrementara mediante el aumento
del potencial de polarización inversa, la capacitancia de transición que resulta
disminuirá.

Capacitancia de difusión o de almacenamiento:

El efecto también se encuentra en la región de polarización directa, pero este es
mucho menor que un efecto de capacitancia directamente dependiente de la
velocidad a la que la carga es inyectada hacia las regiones justo fuera de la región
de agotamiento. El resultado es que niveles crecientes de corriente resultaran
niveles crecientes de la capacitancia de difusión.
Presentación de la Unidad III
Introducción

Los Dispositivos de Unión Los dispositivos de unión son diodos de distintas

funciones. Se clasifican en: Rectificadores Reguladores Varistores Opto
electrónicos Sensores diodo rectificador Un diodo rectificador es uno de los
dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. El nombre “diodo
rectificador” procede de su aplicación, la cual consiste en separar los ciclos
positivos de una señal de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensión de
corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa;
de esta manera, permite el paso de la corriente eléctrica.

Objetivos

 Analizar los fenómenos electrónicos de conducción en los sólidos

cristalinos.
 Comprender el principio de operación de los dispositivos semiconductores
desde la perspectiva de su construcción, régimen de operación para su
aplicación en el diseño de circuitos electrónicos en asignaturas posteriores
del plan de estudios.
 Analizar los principios básicos de la física de semiconductores para
garantizar la comprensión del comportamiento de las estructuras de los
dispositivos.
 Analizar las propiedades y características de materiales semiconductores
tipos P y N.
 Describir la operación de los diferentes tipos de diodos, dispositivos opto
electrónicos, dispositivos bipolares y unipolares.