Practica 2 Dispositivos

Instituto Politécnico Nacional
Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Unidad Culhuacán
Practica N°2: Diodos Rectificadores
Nonoal Rivera Daniela

Villegas Islas Brian Mario
5EM21
Dispositivos
Prof. Avalos Arzate Guillermo

INTRODUCCIÓN
Un diodo rectificador es un semiconductor de dos terminales que permite el paso

de la corriente en una sola dirección. Generalmente, el diodo de unión P-N se
forma uniendo materiales semiconductores de tipo n y de tipo p. El lado de tipo P
se llama ánodo y el de tipo n, cátodo. El diodo rectificador es capaz de conducir
valores de corriente que varían desde varios miliamperios hasta unos pocos
kiloamperios y voltajes hasta unos pocos kilovoltios. Se utilizan en las fuentes de
alimentación para convertir la corriente alterna en corriente continua, un proceso
llamado rectificación. También se utilizan en otros circuitos en los que debe pasar
una gran corriente a través del diodo. Los diodos rectificadores más típicos están
hechos de silicio (cristal semiconductor). Son capaces de conducir altos valores de
corriente eléctrica, y eso se puede clasificar como su característica básica.
También hay diodos semiconductores menos populares, pero que aún se usan,
hechos de germanio o arseniuro de galio. Los diodos de germanio tienen un
voltaje inverso permisible mucho más bajo y una temperatura de unión permisible
más pequeña (Tu = 75° C para diodos de germanio y Tu = 150° C para un diodo
de silicio)
Instituto Politécnico Nacional
E.S.I.M.E – U C
INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
PRACTICA Nº 2: DIODOS RECTIFICADORES
- OBJETIVOS.
El alumno deberá:
 Identificar el comportamiento rectificante en un diodo y el comportamiento óhmico en un

resistor.
 Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (región N) en un diodo rectificador.
 Obtener y comparar las curvas características (V-I) de diodos rectificadores de silicio y
germanio. En cada caso, determinar el valor del voltaje del umbral y calcular las
resistencias estática y dinámica en la región directa de conducción, para un punto de
operación Q (Vp, Ip) arbitraria.
 Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva características V-I, en el
voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando varia la
temperatura.
- MATERIAL REQUERIDO.
 2 diodos de silicio 1N4004 o similar.
 2 diodos de germanio 0A81 o similar.
 2 resistores de 1KΩ a 0.5w.
 1 resistor de 22 KΩ a 0.5w.
- DESARROLLO EXPERIMENTAL.
2.1.- Identificar el comportamiento rectificante de un diodo y el comportamiento óhmico de un
resistor.
2.2.- Armar el circuito mostrado en la figura 2.1. Colocar primero el diodo rectificador y observar el
comportamiento de este elemento en el osciloscopio (en modo XY) y dibujar la grafica que se
obtiene.
(a) Circuito (b) Graficas
Fig. 2.1- Circuito propuesto para observar el comportamiento rectificante de un diodo y de un
resistor.
2.3.- Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (regio N) en un diodo rectificador.
Para la identificación de las terminales de un diodo rectificador, se puede emplear diferentes

métodos, se sugiere que se haga usando un óhmetro analógico y se llene la tabla 2.1.
Medición de resistencia en un diodo de Si y uno de Ge polarizado directa e inversamente usando la

pila interna del óhmetro.
DIODO RESISTENCIA MEDIDA ENTRE RESISTENCIA MEDIDA ENTRE

LAS TERMINALES A(+) Y K(-) LAS TERMINALES A(-) Y K(+)
Silicio 1N4004 o 588 Ω 1M Ω
equivalente
Germanio 0A81 o 300 Ω 170k Ω
equivalente
Tabla 2.1
Mediante las mediciones reportadas en la tabla 2.1, diga ¿Cuál de las terminales (T1, T2)
corresponde al cátodo y cual al ánodo? En la figura 2.2, dibuje con detalle la forma física y las
indicaciones (con letra, números, rayas, etc.) de cada uno de los diodos, indicando cual de las
terminales es el ando y cuál es el cátodo.
Fig. 2.2 Dibujo de la representación física e indicaciones de los diodos 1N4004 y 0A81.
2.4.- Obtener y comparar la curva característica (V-I) de un diodo de silicio y uno de germanio. En
cada caso, determinar el valor del voltaje de umbral y calcular la resistencia estática y dinámica en
la región directa de conducción para un punto de operación Q (
V D , I D ) arbitrario.
Armar el circuito de la figura 2.3. Colocar las terminales de osciloscopio como se muestra
(usándolo en su modo XY) y obtener la curva característica V-I, de los diodos de Si y Ge, reporta
ambas graficas en la figura 2.4, y llenar la tabla 2.2 con los datos solicitados.
(a) (b)
Figura 2.3 a) Circuito propuesto para obtener la curva característica de los diodos, b) Curva
característica de un diodo de Si y un diodo de Ge.
a) Curva característica V-I, diodo de Si b) Curva característica V-I, diodo de Ge
Figura 2.4 Graficas para el diodo de Si y el de Ge, que se obtienen en el osciloscopio usando el
circuito 2.3
DIODO BAJO VOLTAJE DE VOLTAJE CORRIENTE
PRUEBA UMBRAL MAXIMO MEDIDO MAXIMA MEDIDA EN
MEDIDO EN (V) EN LA CURVA EN LA CURVA EN (mA)
(V)
Si 1N4004 O 7 10 10
EQUIVALENTE
Ge 0A81 O 7 10 10
EQUIVALENTE
Tabla 2.2 Mediciones de voltaje y de voltaje-corriente para el punto de operación máximo que
permite el circuito 2.4, para el diodo de Si y para el diodo de Ge a temperatura ambiente.
2.5.- Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica, en el voltaje de
umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando aumenta la temperatura
ambiente.
2.6.- Hacer la simulación de los circuitos de las figuras 2.1 y 2.3 y traer las hojas de datos técnicos
de los diodos 1N4004 y 0A81. Software de apoyo PSpice, MicroSim Corparation.
2.7.- Conclusiones y Cuestionario.

Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y
mediciones llevadas a cabo durante la realización de esta práctica.
2.7.1.- Para la figura 2.1 ¿Cuál de los dos elementos es el que presenta el comportamiento
rectificante y cual el que presenta comportamiento resistivo? Explique porque.
El elemento rectificarte es el diodo, se debe a que el diodo está fabricado de tal

forma que cuando se le polariza de manera directa, se comporta como un
conductor con un pequeño voltaje de umbral para esta conducción y cuando lo
polarizamos de manera inversa y no rebasamos el voltaje inverso pico, éste se
comportará como un aislante
2.7.2.- En una grafica (V-I), dibuje el comportamiento de dos elementos resistivos, uno con
un valor de 1 KΩ y otro con un valor de 22 KΩ.
2.7.3.- Establezca un método general para identificar un diodo (comportamiento

rectificante) de una resistencia (comportamiento resistivo), usando un óhmetro (ver figura 2.1 y
tabla 2.1).
Conectamos las terminales del diodo con las puntas del óhmetro y observamos la
lectura, si muestra la medida de resistencia, será porque lo polarizamos
directamente y así sabremos que el ánodo corresponde a la terminal que está
conectada en nuestro instrumento de medición en la entrada positiva, y el cátodo
es el que está conectado al negativo del óhmetro. Cuando se conecta el diodo al
óhmetro con las puntas invertidas, el óhmetro mostrará una resistencia infinita y el
ánodo será el conectado a negativo y el cátodo el conectado a positivo.
2.7.4.- Investigue de que otra forma se puede identificar el ánodo y el cátodo de un diodo
usando los multímetros digitales, explique.
El óhmetro digital muestra OL (fuera de rango) en pantalla cuando se conecta el

ánodo a negativo y el cátodo a positivo. Además, dentro de sus funciones una que
nos permite conocer la cantidad de voltaje que consume una unión P-N, a esta
función se le conoce como probador de diodos. Cuando conectamos entre las
terminales de nuestro multímetro un diodo, si la punta roja la ponemos con el
ánodo y la punta negra la unimos al cátodo, la pantalla nos estará indicando la
caída de voltaje en la unión P-N en su forma de polarización directa, esto es un
voltaje aproximado a 7v para los diodos fabricados con Si y 3V para los de Ge.
2.7.5.- Cuando se polariza directamente un diodo con un voltaje menor al voltaje de umbral,
¿De qué orden espera medir el valor de la resistencia equivalente que presenta el diodo?
Si se analiza la condición podemos deducir que, si el voltaje de umbral no es

rebasado por el voltaje de polarización de nuestro diodo, aunque la polarización de
éste se haga de manera directa el diodo no entrará en conducción y por lo tanto
presentará una resistencia infinita.
2.7.6.- Determine el valor de la resistencia estática en la región directa de conducción (para

el punto de operación con corriente de 2 mA) tanto para el diodo de silicio como para el de
germanio, indique ¿Cuál de los dos presenta mayor resistencia estática? (usar los resultados de la
figura 2.3).
El Silicio tiene una mayor resistencia estática que el Germanio, ya que se observó
qué el diodo de Germanio entra en conducción con menos voltaje que el de Silicio.
2.7.7.- Determine el valor de la resistencia dinámica en la región directa de conducción

(para el punto de la grafica en que la corriente es de 2 mA), tanto para el diodo de silicio como para
el de germanio y diga ¿Cuál de ellas es mayor? Usar los resultados de la tabla 2.2
V 10 V
R= = =5 k Ω
I 2 mA
2.7.8.- ¿Qué parámetro se debería de modificar en el circuito de la figura 2.3 para poder
observar el voltaje de ruptura de los diodos rectificadores?
La amplitud del voltaje de entrada.
2.7.9.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura del voltaje de umbral de un diodo

rectificador?
Mientras más grande es el coeficiente de temperatura, el voltaje de umbral se va

acercando a cero.
2.7.10.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura de la corriente de la figura de un diodo

rectificador?
En el diodo de germanio la corriente de fuga es mayor que en el diodo de Silicio,

ya que soporta un poco más el incremento de temperatura y la corriente de fuga
crece de manera lenta y en poca cantidad en comparación con el diodo de
germanio.
2.7.11.- Explique a que se debe la variación, en la corriente de fuga de un diodo rectificador

cuando se eleva la temperatura.
Al aumentar la temperatura en el diodo, los electrones de los materiales N y P

comienzan a liberarse debido a que absorben del calor un exceso de energía,
provocando una conducción en la polarización directa e inversa.
CONCLUSIÓN
En esta práctica nos dimos cuenta de la forma en que se comporta un diodo
rectificador de Silicio y de Germanio, así como también la forma de identificar el
cátodo y ánodo con un multímetro, existen dos tipos de conexiones para un diodo,
la inversa y directa. Podemos observar que la importancia de los diodos
rectificadores es muy grande, pues permite tanto transformar una señal de
corriente alterna en una de corriente directa, como duplicar, triplicar, cuadriplicar,
etc. voltajes y poder sujetar señales a un cierto valor de C.D requerido.

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Un diodo rectificador es un semiconductor de dos terminales que permite el paso

 Identificar el comportamiento rectificante en un diodo y el comportamiento óhmico en un

2.3.- Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (regio N) en un diodo rectificador.

Para la identificación de las terminales de un diodo rectificador, se puede emplear diferentes

Medición de resistencia en un diodo de Si y uno de Ge polarizado directa e inversamente usando la

DIODO RESISTENCIA MEDIDA ENTRE RESISTENCIA MEDIDA ENTRE

2.7.- Conclusiones y Cuestionario.

El elemento rectificarte es el diodo, se debe a que el diodo está fabricado de tal

2.7.3.- Establezca un método general para identificar un diodo (comportamiento

El óhmetro digital muestra OL (fuera de rango) en pantalla cuando se conecta el

Si se analiza la condición podemos deducir que, si el voltaje de umbral no es

2.7.6.- Determine el valor de la resistencia estática en la región directa de conducción (para

2.7.7.- Determine el valor de la resistencia dinámica en la región directa de conducción

La amplitud del voltaje de entrada.

2.7.9.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura del voltaje de umbral de un diodo

Mientras más grande es el coeficiente de temperatura, el voltaje de umbral se va

2.7.10.- ¿Cómo es el coeficiente de temperatura de la corriente de la figura de un diodo

En el diodo de germanio la corriente de fuga es mayor que en el diodo de Silicio,

2.7.11.- Explique a que se debe la variación, en la corriente de fuga de un diodo rectificador

Al aumentar la temperatura en el diodo, los electrones de los materiales N y P

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