Scribd Logo
Cargar

¡Te damos la bienvenida a Scribd!

  • 101 vistas

    Capitulo 5 Transistores

    Cargado por

    Leonel Aguirre
    El documento describe los diferentes tipos de transistores bipolares, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar y el transistor de efecto de campo. Explica la estructura básica de un transistor bipolar, que consta de un sustrato de silicio con tres partes dopadas que forman dos uniones bipolares entre el emisor, la base y el colector. También describe cómo funcionan los diferentes tipos de transistores y sus aplicaciones como amplificadores de señal.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOC, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    Capitulo 5 Transistores

    Cargado por

    Leonel Aguirre
    101 vistas4 páginas
    El documento describe los diferentes tipos de transistores bipolares, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar y el transistor de efecto de campo. Explica la estructura básica de un transistor bipolar, que consta de un sustrato de silicio con tres partes dopadas que forman dos uniones bipolares entre el emisor, la base y el colector. También describe cómo funcionan los diferentes tipos de transistores y sus aplicaciones como amplificadores de señal.

    Descripción original:

    TRANSISTORES

    Título original

    CAPITULO 5 TRANSISTORES

    Derechos de autor

    © © All Rights Reserved

    Formatos disponibles

    DOC, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    ¿Le pareció útil este documento?

    ¿Este contenido es inapropiado?

    El documento describe los diferentes tipos de transistores bipolares, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar y el transistor de efecto de campo. Explica la estructura básica de un transistor bipolar, que consta de un sustrato de silicio con tres partes dopadas que forman dos uniones bipolares entre el emisor, la base y el colector. También describe cómo funcionan los diferentes tipos de transistores y sus aplicaciones como amplificadores de señal.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOC, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como doc, pdf o txt
    101 vistas4 páginas

    Capitulo 5 Transistores

    Cargado por

    Leonel Aguirre
    El documento describe los diferentes tipos de transistores bipolares, incluyendo el transistor de contacto puntual, el transistor de unión bipolar y el transistor de efecto de campo. Explica la estructura básica de un transistor bipolar, que consta de un sustrato de silicio con tres partes dopadas que forman dos uniones bipolares entre el emisor, la base y el colector. También describe cómo funcionan los diferentes tipos de transistores y sus aplicaciones como amplificadores de señal.

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como DOC, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como doc, pdf o txt
    de 4

    CAPITULO 5: TRANSISTORES BIIPOLARES

    TEMA A: Descripcin del transistor bipolar


    1) Estructura bsica: El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
    artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos
    uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera,
    que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia
    de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
    amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
    diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su
    funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica.
    Tipos de transistores:
    Transistor de contacto puntual: Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer
    transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain.
    Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
    combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas
    que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la
    resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en
    efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban
    a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el
    transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad
    ha desaparecido.

    Transistor de unin bipolar: El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se
    fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que
    tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como
    los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
    forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
    quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes
    de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas).
    Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al)
    o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones
    PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre
    corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien
    son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas
    (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que
    representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la
    geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial,
    etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.
    Transistor de efecto de campo: El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer
    transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor
    de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico,
    tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden
    dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir
    una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos fuente (Source) y al otro drenador
    (Drain). Aplicando tensin positiva entre el drenador y la fuente, y conectando la puerta a la
    fuente, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
    polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de
    estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
    El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en
    funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

    Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
    Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla
    del canal mediante un dielctrico.
    Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor
    por una capa de xido.

    Fototransistor: Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias


    cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por
    medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor
    normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

    Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);


    Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente
    de base. (IP) (modo de iluminacin).

    Mtodos de fabricacin. http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/fabricacionTransistores.html

    Funcionamiento: anlisis cualitativo.


    http://www2.imse-cnm.csic.es/~gloria/documentos/CURSO_0708/ELECTRONICA/TEMAS_PDF/TEMA4_0708.pdf

    2) Ecuaciones del transistor,


    Modelo equivalente de Ebers y Moll.
    3) El transistor como elemento circuital
    Disposiciones del transistor
    Curvas caractersticas.
    Caractersticas de Base comn.
    Caractersticas de Emisor comn.
    4) Comparacin de las disposiciones en la zona activa
    Discusin general.
    5) El transistor como llave
    Respuesta escaln
    TEMA B: Polarizacin
    1) Tcnicas de polarizacin en la zona activa.
    Recta de carga dinmica y esttica.
    Estabilizacin lineal de la polarizacin.
    2) Lmites operativos de los transistores:
    Limitaciones trmicas
    Limitaciones de tensin
    Ruptura en base comn y en emisor comn
    Perforacin
    Efecto Early.
    3) Limitaciones de corriente
    Ruptura secundaria
    4) limitaciones de frecuencia y de ruido,
    el transistor Schottky
    Hojas de datos.
    TEMA C: El transistor como amplificador
    1) El transistor como elemento circultal lineal.
    Modelos equivalentes lineales
    Clasificacin.
    2) Modelo hbrido pi (Modelo de Gacoletto): limitaciones de frecuencia a partir del modelo
    hbrido pi,
    Frecuencia de transicin en emisor comn y en base comn.
    3) Modelos de baja frecuencia utilizando la teora de cuadripolos
    Modelo de parmetros h.
    Equivalencia entre modelos.
    Cmputo de impedancias de entrada y de salida
    Ganancia de tensin, corriente y potencia.
    Comparacin entre las configuraciones circuitales.

    4) Diseo de una etapa amplificadora en EC utilizando parmetros h.

    También podría gustarte