La historia su estudio y aplicacin desde su aparicin hasta sus ultimos avances

El transistor fue inventado en 1948 y por su descubrimiento, William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain fueron acreedores al Premio Nobel de Fsica en 1956

Iader Salgado

El transistor
El transistor es el elemento ms importante de los dispositivos semiconductores, pues es el ladrillo con el que se construye el edificio de la tecnologa electrnica moderna. Hace ms de 50 aos, el 23 de diciembre de 1947, cientficos de los Laboratorios Bell demostraron que un dispositivo construido con base en materiales slidos, poda comportarse de forma prcticamente idntica a las vlvulas de vaco, pero sin sus inconvenientes. El transistor fue inventado en 1948 y por su descubrimiento, William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain fueron acreedores al Premio Nobel de Fsica en 1956. Hoy da ha sido uno de los componentes ms verstiles e importantes de la electrnica moderna, el transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.

El transistor es usado bsicamente en circuitos anlogos y circuitos digitales, tambin existen dos tipos de transistores los BIPOLARES que pertenecen a la familia de los transistores de unin o BJT (del ingls Bipolar junction Transistor) y son dispositivos controlados por corriente. El otro tipo de transistores son los UNIPOLARES denominados como transistores de efecto de campo, pertenecientes a las familias de los FET (Field Efect Transistor) y son dispositivos controlados por voltaje. Aunque dentro de cada una de las categoras de los transistores existen diversas variantes a todos se les conoce como transistores, estos componentes son semiconductores lo que significa que pueden actuar como conductores o como aislantes, por ello los fabricantes usan dos tipos de materiales llamados N y P.

Es muy conocido el arsenal de componentes electrnicos de tipo semiconductor que est acaparando el mercado, y tambin es obvio que muchas tecnlogas actualmente est a la vanguardia con el uso cada vez ms de dispositivos que en algn punto son desconocidos por los tcnicos electrnicos. En esta entrega trataremos de actualizar nuestro conocimiento sobre algunos transistores especiales, que si son o no son conocidos por usted sera bueno que le diera una ojeada a este tema que no estara dems ampliar u hondar en esta materia.

Transistores bipolares
Un transistor bipolar consta de tres electrodos llamados BASE, COLECTOR y EMISOR.

Generalmente existen en varios tamaos y encapsulados para baja, media y altas potencias, lo que significa que algunos necesitaran de un disipador para disipar la potencia generada por el cuerpo metlico del transistor.

Los hay tipo NPN, donde la flecha sale del EMISOR o sea que el potencial positivo no penetra por este electrodo.

TRANSISTOR NPN

Caso contrario est el PNP o sea que en este caso la flecha entra por el EMISOR indicando que el potencial positivo si penetra por este electrodo. TRANSISTOR PNP

Mtodo de polarizacin de un transistor bipolar NPN

En la siguiente imagen observamos la representacion esquematica y la practica del circuito terminado, se trata de un probador de contuinidad a base de un transistor NPN y uno PNP.

Despus de haber visto en su orden bsico lo que es el transistor, tambin es bueno saber que as como hay dos tipos de transistores tambin hay una variada familia del transistor bipolar, y es en su orden lo que veremos a continuacin. La gran familia del transistor obedece a que cada da la tecnologa nos ofrece un stndar de aplicaciones que obligan al fabricante a crear diversos tipos de transistores cada da ms pequeos o ms grandes orientados a las distintas aplicaciones.

Transistor BJT
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un mono-cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).

JUNTURAS DE UNION DEL TRANSISTOR

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor Darlington
En electrnica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par Darlington) en un nico dispositivo. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior.

Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando los dos transistores individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.

Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, como en: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

Transistor de conmutacin
Se les llama transistores de conmutacin o digitales porque su unin Emisor Colector trabaja como switch, su encapsulado es de menor tamao y los hay de tipo NPN con referencias C144 y de tipo PNP con referencia A114, internamente trae incorporadas dos resistencias

una expuesta en la base y en serie con esta tiene otra entre la unin Base Emisor, estas resistencias forman una resistencia total de aproximadamente 90K.

Transistor de contacto puntual

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Sistema de nomenclaturas
El sistema americano establecido por el JEDC, asigna para los transistores en nmero 2 seguido de la letra N y nmeros del 100 al 9999 por ejemplo (2N2222A). En algunos casos se le agrega una letra para indicar su ganancia A baja, B media, C alta ganancia. El sistema japons establecido por JIS (Japan industrial stndard) se identifica con el numero 2 seguido de una S y luego la letra (A, B, C, D) segn el tipo de frecuencia, y por ultimo varios nmeros entre el 10 y 9999. Por ejemplo 2SA1887, 2SB646, 2SC733. En algunos casos no se utilizan los dos primeros smbolos 2S sino que simplemente se le coloca A1887, B646, C733. El sistema europeo utiliza primero la letra A o B si el material es germanio o silicio seguido de las letras C, D, F, L, y U segn la potencia y la frecuencia luego combinadas con una letra W, X, Y, y Z segn el uso, y por ultimo varios nmeros entre 100 y 9999. Ejemplos BC108, BAW68, BF239, BFY51.

Algunos fabricantes como Motorola utilizan los sufijos MJ, MJE, MPS, MRF y varios nmeros, por ejemplo MJE1002. Texas instruments tiene su propio sistema utilizando las letras TIP, TIPS. Ejemplos TIP31, TIP 32.

Transistores unipolares
Los transistores unipolares tienen una impedancia extremadamente alta, y un bajo consumo de potencia tal como el transistor bipolar son hoy da la columna vertebral de la tecnologa moderna. Los transistores unipolares son dispositivos de tres terminales controlados por tensin, lo que significa que en ellos una pequea variacin de voltaje aplicado al electrodo de control llamado GATE (G) o compuerta produce una gran variacin de la corriente a travs de los electrodos de salida SOURCE(S) o fuente y DRAIN (D) o drenador.

Al igual que el transistor bipolar existen dos tipos de FET, el de canal N sealado con la flecha hacia dentro y el tipo P sealado con la flecha hacia afuera.

Transistor de efecto de campo

El transistor FET o de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el

drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Transistor JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de juntura o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.

Transistor Mosfet
El uso habitual de Mosfet de canal N obedece a su alto rendimiento en el control de fuentes conmutadas por su alta fidelidad de conmutacin. Este componente en vez de traer una juntura de B C E trae las inciales G D S que corresponde a Gate, o compuerta Drain o drenaje y Sourse o fuente.

El Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn); Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado. El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = IB, es decir, ganancia de corriente cuando >1. Para transistores normales de seal, vara entre 100 y 300. Fuente: http://en.wikipedia.org
Material recopilado de diversas fuentes de internet, en su gran mayoria fue ligeramente adaptado pensando en las necesidades actuales.

Manual elaborado por: Iader Salgado

Especialista en software y hardware de equipos electrnicos

http://laboratoriodeelectronika.es.tl