Transitores BJT

Martínez Soliz José Ignacio – ing. mecatrónica

Mendoza Reyes Carlos Mauricio – ing. electrónica
 HISTORIA

En 1951 William Shockley invento el primer transistor de

unión, un dispositivo semiconductor que permite
amplificar señales electrónicas tales como señales de
radio y de televisión. El transistor ha llevado a muchas
otras invenciones basadas en semiconductores,
incluyendo el circuito integrado (CI), un pequeño
dispositivo que contiene miles de transistores
miniaturizados. Gracias a los CI son posibles los
ordenadores modernos y otros milagros electrónicos. Este
capítulo introduce el transistor bipolar, aquel que usa
electrones libres y huecos. La palabra bipolar es una
abreviatura de “dos polaridades”
 Función de los transistores

1. Interruptor
2. Amplificador de una señal

Partes de un transistor

• Emisor
• Base
• colector
Funcionamiento y Funciones Del Transistor
● El funcionamiento del transistor es muy sencillo: Si no hay corriente de base Ib, no hay corriente entre el colector y el emisor
(Ic-e).

Cuando le llega una corriente muy pequeña por la base Ib, tenemos una corriente entre el colector y el emisor (Ic-e) que será
mayor que la Ib.

Podemos considerar la Ib como una corriente de entrada y la Ic-e como una de salida, entonces, cuando le llega una corriente
muy pequeña de entrada por la base, obtenemos una corriente mucho mayor de salida (entre colector y emisor).

Según este funcionamiento se puede utilizar para 2 cosas básicamente, es decir, tiene dos funciones:

- Función 1. Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de mando.

Es decir, funciona Como Interruptor.

Si no le llega corriente a la base Ib = 0A; es como si hubiera un interruptor abierto entre el colector y el emisor, no pasa
corriente entre ellos (fíjate en la imagen de más abajo).

Si le llega corriente a la base, entonces es como si hubiera un interruptor cerrado entre el colector y el emisor, ya que circula
corriente entre ellos.

De esta forma se utiliza como un componente para electrónica digital.

● Función 2. Funciona como un elemento Amplificador de señales.

Le llega una señal pequeña, intensidad de base (Ib) que se convierte en una más grande entre el
colector y el emisor (Ic-e), que podríamos llamar de salida.

Esta función es con la que trabajará como un componente de electrónica analógica, varios valores
distintos puede tomar de entrada y salida.
 USO DE UN TRANSISTOR
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radio frecuencia)
Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por
anchura de impulsos PWM)
Detección de radiación luminosa (fototransistores)
● Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo
del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas
● El uso de transistores representó un salto adelante respecto a las técnicas de manejo eléctrico acostumbradas, consistentes
en válvulas termoiónicas. No sólo porque permitió maximizar el potencial de los aparatos en tamaños muy inferiores a los
iniciales, sino que además facilitó la construcción de artefactos capaces de soportar mucha más tensión, permitiendo su uso en
condiciones de mucha potencia eléctrica.
● Además, los transistores son relativamente económicos, consumen poca energía, proveen muchas horas de uso y pueden
permanecer en depósito durante largo tiempo sin estropearse
 Tipos de transistores
Transistor de contacto puntual

Llamado también “transistor de punta de contacto”, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John
Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación
cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de banda. En la
actualidad ha desaparecido.
 Transistor de unión bipolar
Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio
o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los
aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales
son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o
Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a
la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría
asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la
unión.
 Transistor BJT Darlington
transistor Darlington. Frecuentemente llamado amplificador
compuesto. Es una conexión muy popular de dos transistores de unión
bipolar para funcionar como un solo transistor “superbeta”.La principal
característica de la conexión Darlington es que el transistor compuesto
actúa como una sola unidad con una ganancia de corriente que es el
producto de las ganancias de corriente de dos transistores por
separados.

Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado,
requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia
de los transistores individuales.
Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias
que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de
ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlington se halla multiplicando las
de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.
 Transistor de efecto de
Canal P
campo
JFET Canal N
Consiste en una barra de material semiconductor en torno al cual se
genera un campo eléctrico, para poder controlar el flujo de la energía
mediante un único polo (por eso se les denomina unipolares).

FET MESFET

Canal N
MOSFET Acumulación

Deplexión

FET: Transistores de efecto de campo.

JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de
metal-oxido-semiconductor.
 Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido
a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido
a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de
iluminación).
introducción
 Dopaje tipo P y N

Dopaje tipo N Dopaje tipo P

Dopado con un elemento Dopado con un elemento
pentavalente como el fosforo trivalente como el aluminio
Hay un electrón libre Hay un espacio libre
EL TRANSISTOR SIN POLARIZACION
Un transistor tiene tres zonas de dopaje, como se muestra en
la Figura. La zona inferior se denomina emisor, la zona central
es la base y la zona superior es el colector. El transistor de la
Figura es un dispositivo npn porque hay una zona p entre dos
zonas n. Recordemos que los portadores mayoritarios son
electrones libres en los materiales tipo n y huecos en los
materiales tipo p
Un transistor sin polarización es similar a dos diodos
contrapuestos
Niveles de dopaje
• El emisor está fuertemente dopado.
• La base esta ligeramente dopada.
• El nivel de dopaje del colector es intermedio,
• entre los dos anteriores.
• Físicamente el colector es la zona mis grande de
las tres
 Diodos de emisor y de colector

El transistor de la Figura tiene dos uniones: una entre el

emisor y la base y otra entre la base y el colector. Por
tanto, un transistor es similar a dos diodos contrapuestos.
El diodo inferior se denomina el diodo emisor-base, o
simplemente el diodo emisor. El diodo superior se
denomina diodo colector-base, o diodo colector.
los electrones libres de la zona n se difunden a través de
la unión y se recombinan con los huecos del lado p. El
resultado son las dos zonas de deflexión mostradas en la
Figura
En cada una de estas zonas la barrera de potencial es
aproximadamente de 0,7 V a 25 "C para un transistor de
silicio
 EL TRANSISTOR POLARIZADO

El emisor está fuertemente dopado; su función

consiste en emitir o inyectar electrones libres a la
base. La base ligeramente dopada también tiene un
propósito bien definido: dejar pasar hacia el colector
la mayor parte de los electrones inyectados por el
emisor. El colector se llama así porque colecta o
recoge la mayoría de los electrones provenientes de
la base.
 Electrones del emisor

La fuente de la izquierda VBB en la Figura polariza

directamente el diodo emisor, mientras que la fuente
de la derecha Vcc polariza inversamente el diodo de
colector. Aunque son posibles otros métodos de
polarizacion, polarizar en directa el diodo emisor y en
inversa el diodo colector produce los resultados más
útiles.
Si VBB es mayor que la barrera de potencial
emisor-base de la Figura circulara una elevada
comente de electrones del emisor hacia la base
 Electrones de la base
Los electrones libres que llegan a la base pueden circular en
cualquiera de las dos direcciones siguientes: por una parte,
pueden circular hacia la izquierda saliendo de la base,
pasando a través de RB en su camino hacia el terminal
positivo de la fuente. Por otra parte, los electrones libres
pueden circular hacia el colector.

Cuál es la trayectoria que siguen la mayor parte de los

electrones libres? La mayoría de ellos seguirán el camino
hacia el colector por dos razones

• la primera es el débil dopaje de la base. Por esta causa, los

electrones libres tienen una larga vida en la zona de la base;
por tanto, tienen tiempo suficiente para llegar al colector.
• La segunda razón es que la base es muy estrecha, lo cual
también permite a los electrones llegar con mayor facilidad
al colector. Por estas dos razones, casi todos los electrones
inyectados por el emisor pasan a través de la base al
colector.
 Electrones del colector

Casi todos los electrones libres van hacia el colector, como se

ve en la Figura. Estando ya en el colector, son atraídos por la
fuente de tensi6n Vcc. Como consecuencia de ello, los
electrones libres circulan a través del colector y a través de Rc
, hasta que alcanzan el terminal positivo de la fuente de
tensión del colector.

Resumiendo lo que sucede, se tiene lo siguiente: en la Figura,

VBB polariza directamente el diodo emisor, obligando a los
electrones libres del emisor a entrar en la base. La estrecha y
apenas dopada base hace que casi todos ellos tengan el
tiempo suficiente para difundirse en el colector. Estos
electrones circulan a través del colector, a través de Rc hacia
el terminal positivo de la fuente de tension Vcc.
polarización
 CORRIENTES EN UN TRANSISTOR

Recuérdese la ley de las comentes de Kirchhoff.

Establece que la suma de todas las comentes que entran
a un nudo o unión es igual a la suma de todas las
comentes que salen de ese nudo o unión.
1.
 Zonas de trabajo
● Transistor en corte: cuando no le llega nada de corriente a la base, no hay paso de corriente entre el colector y el emisor (en corte).

En esta situación, entre el colector y emisor es como si hubiera un interruptor abierto. Ib = 0A, Ic-e = 0A
● OJO el transistor seguirá en corte hasta llegar a la mínima Ib a la que se activa, un poco por encima normalmente de 0A. Podemos llamarla Ib mínima.
Por ejemplo, podemos tener un transistor que hasta que no llega a una Ib de 0,3 miliamperios no se activa, por lo que con 0,2A seguirá en corte.

- Transistor en activa: Entre esa mínima Ib y la Ib máxima a partir de la cual ya no pasa más corriente entre el colector y el emisor, el transistor trabaja en
activa.
En esta franja de intensidades de base, la corriente de salida Ic-e depende de la corriente de entrada o de Ibase.
Para calcular cuanto aumenta en esta zona de trabajo la Ic-e con respecto a la Ib de entrada tenemos la siguiente fórmula:
Ic-e = β x Ib; donde β es lo que se llama la "Ganancia del Transistor".
Imagina un transistor que tiene una ganancia de 10; quiere decir que la Ic será 10 veces mayor que la Ic.
Si β fuera de 100, la Ic será 100 veces mayor que la Ib.

- Transistor en Saturación: A partir de cierta corriente de base máxima, aunque aumentemos la Ibase ya no aumenta la Ic-e.
Es la Ib máxima para que pueda aumentar la corriente de salida entre colector y emisor Ic-e. Ic-e = Imáxima.
Cada transistor tiene su propia Ibmáxima y Ib mínima y por supuesto su propia Ic-e máxima.
Intensidades que deberemos comprobar para el transistor que estemos utilizando y nunca sobrepasarlas, ya que nos cargaríamos el transistor.
1. Zona de corte
 Zona de ACTIVA
1.
 Zona de saturación
1.
CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR
Base común
Emisor común
Colector común
 Punto Q

El transistor bipolar que opera en la región

lineal tiene unas características eléctricas
lineales que son utilizadas para amplificación
En el punto Q el transistor estará en la zona
activa y funcionara como un amplificador

VQ=Vcc/2
IQ= Icmax/2
VQ=Vcc/2
IQ= Icmax/2
 GRACIAS

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