Ip3 Rce

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA , ELECTRÓNICA y TELECOMUNICACIONES
UNIVERSIDAD NACIONAL DE
INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
INFORME DE LABORATORIO DE ELECTRONICA I-EE 428
LABORATORIO N°3: TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS

CARACTERISTICAS
Apellidos y Nombres: Ramirez Candia Eduardo Alexander
Ciclo: 2021-1
Especialidad: Ingeniería Eléctrica
Docente : ING. VIRGINIA ROMERO F.
Junio 21,2021
1
INFORME PREVIO N°3
TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERISTICAS
Docente: Ing. Virginia Romero Fuentes

Alumno: Ramirez Candia Eduardo Alexander
Email alumno: [email protected]
I. OBJETIVO
Esta experiencia tiene como finalidad:
 Obtener las curvas características del transistor bipolar

 Conocer las tres zonas de funcionamiento de un transistor bipolar.
 Conocer las relaciones ente las corrientes de Base, Emisor y Colector
 Enumerar algunas de las limitaciones de trabajo del transistor bipolar
 Familiarizar al alumno en el uso de software de simulación para determinar el
comportamiento ideal de un circuito.
II. INTRODUCCION
A. Marco teórico
El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones
semiconductoras separadas por dos uniones pn, como lo muestra la estructura
plana epitaxial de la figura 2.1(a). Las tres regiones se llaman emisor, base y
colector. En las figuras 2.1(b) y (c) se muestra representaciones físicas de los dos
tipos de BJT. Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p
(npn) y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp). El
término bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como
portadores de corriente en la estructura de transistor.
2
Figura 2.1. construcción básica de un BJT
La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión
base-emisor.La unión pn que une la región de la base y la región del colector se
llama unión base-colector, como la figura 2.2 (b) lo muestra: un conductor
conecta a cada una de estas tres regiones. Estos conductores se designan E, B y
C por emisor, base y colector, respectivamente. La región de la base está
ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del
emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada (la
siguiente sección explica la razón de esto). La figura 2 muestra los símbolos
esquemáticos para los transistores npn y pnp.
Figura 2.2. símbolos de BJT estándar

Operación básica de un BJT
Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn
deben estar correctamente polarizadas con voltajes de cd externos. En esta
sección se utiliza principalmente el transistor npn como ilustración. La operación
del pnp es la misma que para el npn excepto en que los roles de los electrones y
huecos, las polaridades del voltaje de polarización y las direcciones de la
corriente se invierten.
La figura 2.3 muestra los arreglos para polarización tanto de BJT npn como pnp
para que operen como amplificador. Observe que en ambos casos la unión base-
emisor (BE) está polarizada en directa y la unión base-colector (BC) polarizada
en inversa. Esta condición se llama polarización en directa-inversa.
3
Figura 2.3. polarización en directa-inversa de un BJT
Corrientes del transistor

Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y su símbolo esquemático
se muestran en la figura 2.4(a); las correspondientes a un transistor pnp se
muestran en la figura 2.4 (b). Observe que la flecha en el emisor en el interior de
los símbolos de transistor apunta en la dirección de la corriente convencional.
Estos diagramas muestran que la corriente de emisor ( I E ) es la suma de la
corriente de colector ( I C) y la corriente de base ( I B), expresada de la siguiente
manera:
I E =I C + I B
Como ya se mencionó, I B es muy pequeña comparada con I E o ( I C. El subíndice

de letra mayúscula indica valores de cd.
Figura 2.4. Corrientes en el transistor
Características y parámetros de un BJT

Dos parámetros importantes , β CD( ganancia de corriente de cd) y α CD se
introducen y utilizan para analizar un circuito BJT. Además, se presentan las
curvas características de un transistor y usted aprenderá como se puede
determinar la operación de un BJT con estas curvas.
Beta de cd ( β CD ¿
La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de
cd del colector I C entre la corriente de cd de la base I By se expresa como beta de
cd.
IC
β CD =
IB
Los valores típicos de β CDvan desde 20 hasta 200 o mas.
4
El cociente de la corriente de cd del colector I Centre la corriente de cd del

emisor I E es el alfa de cd (α CD ¿. El alfa es un parámetro menos utilizado que la
beta en circuitos con transistores .
IC
α CD =
IE
En general , los valores de α CD van desde 0.95 hasta 0.99 o mas . aunque α CD
siempre es menor que 1. La razón es que I C siempre es un poco menor que I E
en una cantidad de I B .
Análisis del circuito de un BJT

Considere la configuración del circuito de polarización de transistor básico que
aparece en la figura 2.5. Es posible identificar tres corrientes cd y tres voltajes
cd.
I B=corriente de cd de base
I E =corriente de cd de emisor
I C =corriente de cd de colector
V BE =voltaje de cd en la base con respecto al emisor
V CB =voltaje de cd en el colector con respecto a la base
V CE =voltaje de cd en el colector con respecto al emisor
Figura 2.5. corrientes y voltajes en el transistor
La fuente de voltaje, V BB , polariza en directa la unión base-emisor y la fuente de

voltaje, V CC polariza en inversa la unión base-colector. Cuando la unión base-
emisor se polariza en directa, opera como un diodo polarizado en directa y la
caída de voltaje con polarización en directa nominal es
V BE ≅ 0.7 V
Como el emisor está conectado a tierra (0 V), de acuerdo con la ley del voltaje
de Kirchhoff, el voltaje a través de R B es
5
V R =V BB−V BE
B
Asimismo, de acuerdo con la ley de Ohm,

V R =I R R B
B
Sustituyendo y despejando para I B

V BB−V BE
I B=
RB
El voltaje en el colector con respecto al emisor conectado a tierra es
V CE =V CC −V RC
Como la caída de tensión a través de RC es

V R =I c Rc
c
El voltaje en el colector con respecto al emisor se escribe como

V CE =V CC −I c Rc
Donde I c =β CD I B
El voltaje a través de la unión colector-base polarizada en inversa es
V CB =V CE −V BE
Curvas características del colector
Con un circuito como el mostrado en la figura 2.6(a) se puede generar un
conjunto de curvas características del colector que muestren cómo varía la
corriente en el colector, I c, con el voltaje en el colector con respecto al emisor,
V CE, con valores especificados de corriente de base, I B. Observe en el diagrama
del circuito que tanto V BB como V CC son fuentes de voltaje variable.
6
Figura 2.6.curva característica del colector

Codificación de transistores bipolares
Los transistores tienen un código de identificación que en algunos casos
especifica la función que cumple y en otros casos indica su fabricación. Pese a
la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos,
Japoneses y Americanos.
7
8
9
III. RESPUESTAS Y PREGUNTAS
1) Polarizar el dispositivo y midiendo VC y VB ,obtener la siguiente tabla:

TEORICO
EPERIMENTAL (SIMULACION)
10
2) A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida VC

vs V3. Si es necesario, tomar medidas de puntos intermedios.
TEORICO
EXPERIMENTAL( SIMULACION)
Gráfica Vc vs V3
4.5
4
3.5
3
2.5
Vc (v)
2
1.5
1
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
V3 (V)
3) Graficar la curva de transferencia de corrientes ( IC vs IB ) y el beta de las

mismas (BETA vs C I ).
TEORICO
11
EXPERIMENTAL(SIMULACION)
Gráfica Ic vs Ib
4.5
4
3.5
3
2.5
Ib (uA)
2
1.5
1
0.5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Ic (mA)
Gráfica β vs Ic
250
200
150
β
100
50
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Ic (mA)
12
4) Armar el circuito de la figura 2
47 K . R 6 R6
Donde R B= ; V BB = ∗12
47 K + R6 47 K + R6
De la malla M1
V BB −V BE =I B R B + I E R E
De la malla M2
V ce =V cc −I c R c −I E R E
13
5) Medir las tensiones V C , V E y V B para trazar la recta de carga del circuito,

variando R6
R6 V CE =V CC −I c Rc −I E R E
56 K 1.5774 V
47 K 2.4 V
22 K 6.0888 V
15 K 7.7523 V
3.3 K 11.6746 V
R6 56 K 47 K 22 K 15 K 3.3 K
V B (V ) 0.50963 0.47705 0.16783 0.08754 0.001665
V C (V ) 5.2 4.79 2.95 2.12 0.16
V E (V ) 5.2226 4.81 2.9612 2.1277 0.1654
I C (mA ) 5.2 4.79 2.95 2.12 0.16
I B (uA) 22.6 20.3 11.2 7.7 0.54
Zona Activa Activa Activa Activa Activa
6) Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano I C vs V CE del

transistor. Indicar la zona de operación correspondiente.
IC VC Zona
Rc =0 5.2 mA 0 Activa
Rc =1 k 5.2 mA 5.2 Activa
Rc =3.3 k 5.2 mA 17.16 Saturación
7) Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando

las zonas de operación. Adjuntar las fotocopias de los manuales con los datos de
los transistores utilizados.
14
8) Usar el circuito de la figura 1, conectar los diodos LED en serie con las
resistencias R1 y R2, colocar en V3 una fuente DC y reemplazar R1 por un
potenciómetro.
9) Para determinar la región activa varíe el voltaje de entrada V3 y realice las
mediciones necesarias, de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje
(V(min) < V3 < V(max)) que mantiene al transistor operando en la región
activa.
10) Para determinar cuando el transistor está en corte o está en saturación, aumentar
de 1v en 1v el V(max) DC de V3; hasta encontrar un cambio en V0. Luego
repetir el procedimiento disminuyendo V(min) de V3 desde el último valor de v,
hasta cero. En la simulación determinar la resistencia R1 que facilite el corte y
saturación de manera más rápida y usar ese valor en la práctica de laboratorio.
11) Tomar datos y completar la siguiente tabla.
Zona de corte Zona activa Zona de saturacion
VBE(corte) <0 0< VBE <16.7v VBE(sat) =16.7v
IB(corte) =0 0< IB <1.98mA IB(sat) =1.98mA
IC(corte) =0 0< IC <9.47mA IC(sat) =9.47mA
IE(corte) =0 0< IE <207 IE(sat) =207mA
VCE(corte) =12 0.03< VCE <12 VCE(sat) =0.03v
12) Implementar el circuito dela figura 3
Figura 3
15
13) Verifique las conexiones con el multímetro, ajuste la fuente a 12 VDC y

conéctela al circuito. La corriente de base ( Ib ) obtenida en el informe previo, la
puede ajustar con el potenciómetro de 500 KΩ.
La corriente de base ( Ib ) la puede medir indirectamente con la tensión en la
resistencia de 10KΩ. La tensión de colector-emisor (Vce) la puede ajustar con el
potenciómetro de 50KΩ. La corriente de colector ( Ic ) la puede medir
indirectamente con la tensión en la resistencia de 100 Ω si solo cuenta con un
amperímetro.
14) Para determinar las curvas Ic vs Vce, ajuste y mantenga Ib en 40µA y llene la
siguiente tabla:
Vce(V 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

)
Ic(mA) 5.46 7.526 7.564 7.647 7.722 7.79 7.873 7.948 8.024 8.09 8.174 8.25
9 8 9
Ajuste y mantenga Ib en 80µA y llene la siguiente tabla, para obtener la curva Ic
vs Vce
Datos experimentales:
Vce(V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ic(mA) 10.727 15.237 15.314 15.46 15.61 15.77 15.92 16.07 16.22 16.38 16.53 16.68
Curva Ic vs Vce para Ib=40 µA
16
Curva Ic vs Vce para Ib=80 µA

15) Obtener las Curvas Ic vs Ib : ( Ic/Ib) ,  vs Ic . Mantenga Vce = 5V y llene la
siguiente tabla:
IB 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130

Ic 3.86 5.863 7.873 9.88 11.89 15.92 15.93 17.9 19.94 21.9 23.94 25.96
2
β 193 195.4 196.8 197 198.31 227.47 199.21 199 199.41 199.4 199.52 199.72
17
Curva Ic vs Ib
30
Chart Title
25
20
15
10
0
190 195 200 205 210 215 220 225 230
Curva  vs Ic
16) Obtener las curvas B I vs VBE . Mantenga VCE = 5V y llene la siguiente tabla:
30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
5.86 7.873 9.884 11.899 15.923 15.937 17.931 19.941 21.942 23.943
3
195. 196.8 197.68 198.31 227.471 199.21 199.23 199.410 199.47 199.52
433 25 0 7 3 3 3 5
0.70 0.707 0.711 0.715 0.718 0.722 0.726 0.730 0.734 0.738
3
Curva Ib vs Vbe
18
IV. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS

1) Condensadores electrolíticos
Figura 4.1, ficha técnica de un condensador electrolítico
2) Resistores
Se denomina resistencia o resistor al componente electrónico diseñado para
introducir una resistencia eléctrica determinada entre dos puntos de un circuito.
La corriente máxima de una resistencia viene condicionada por la
máxima potencia que puede disipar su cuerpo. Esta potencia se puede identificar
visualmente a partir del diámetro sin que sea necesaria otra indicación. Los valores
más corrientes son 0.25 W, 0.5 W y 1 W.
Características:
 Tolerancia: es el margen de valores que rodean a la resistencia nominal y en el
que se encuentra el valor real de la resistencia. Se expresa en tanto por ciento
sobre el valor nominal.
 Potencia nominal ( Pn): es la potencia (en vatios) que la resistencia puede disipar
sin deteriorarse a la temperatura nominal de funcionamiento.
 Tensión nominal (Vn): es la tensión continua que se corresponde con la
resistencia y potencia nominal.
 Intensidad nominal (In): es la intensidad continua que se corresponde con la
resistencia y potencia nominal.
 Tensión máxima de funcionamiento (Vmax ): es la máxima tensión continua o
alterna eficaz que el dispositivo no puede sobrepasar de forma continua a la
temperatura nominal de funcionamiento.
 Temperatura nominal (Tn): es la temperatura ambiente a la que se define la
potencia nominal.
19
3) Potenciómetro
Figura 4.3. ficha técnica de un potenciómetro
4) Multímetro
Características: (MASTECH MY68N)
 Tipo: Digital
 Capacidad de dígitos:3999
 Voltaje DC: hasta 1000 V
 Voltaje AC: hasta 750V
 Corriente DC: hasta 10A
 Corriente AC: hasta 10A
 Resistencia: hasta 40 MOhm
 Capacitancia: hasta 200 μF
 Frecuencia hasta 200 kHz
20
Figura 4.4.multimetro digital

5) Diodos LED
Un diodo Led es un diodo que cuando está polarizado directamente emite luz. La
figura 1 muestra una hoja de datos parcial de un diodo emisor de luz infrarrojo (IR)
TSMF1000. Observe que el voltaje en inversa máximo es de sólo 5 V, la corriente
máxima de polarización en directa es de 100 mA y la caída de voltaje de
polarización en directa es aproximadamente de 1.3 con IF =20 mA.
(a)
21
Figura 4.5. Hojas de datos de un diodo emisor de luz TSMF1000.

6) Transistor 2N3904
22
Figura 4.6. Hojas de datos parcial del transistor 2N3904
23
V. EQUIPOS Y MATERIALES
 Una computadora
 02 Condensadores electrolíticos de 47µF
 01 Resistor de 180KΩ, 56KΩ, 22KΩ, 15KΩ,3.3KΩ
 02 Resistor de 1KΩ, 4.7 KΩ, 10 KΩ, 100 Ω
 01 potenciómetro lineal de 50KΩ, 500 KΩ
 Software de simulación
 01 Multímetro
 02 Fuentes de Alimentación
 Un transistor 2N2222 o 2N3904
 02 Diodos LED
VI. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

Armar el circuito de la fig.1, tenga cuidado de colocar correctamente los terminales del
transistor, utilice el software Multisim, Proteus u otro de su preferencia
24
1. Polarizar el dispositivo y midiendoV C y V B ,obtener la siguiente tabla:
2. A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida V C vs

V 3. Si es necesario, tomar medidas de puntos intermedios.
3. Graficar la curva de transferencia de corrientes ( I Cvs I B) y el beta de las mismas
(BETA vs I C ).
4. Armar el circuito de la figura 2
5. Medir las tensiones V C , V E y V B para trazar la recta de carga del circuito,

variando R6 .
6. Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano I C vs V CE del

transistor. Indicar la zona de operación correspondiente.
25
7. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando

las zonas de operación. Adjuntar las fotocopias de los manuales con los datos de
los transistores utilizados.
8. Usar el circuito de la figura 1, conectar los diodos LED en serie con las
resistencias R1 y R2, colocar en V 3 una fuente DC y reemplazar R1 por un
potenciómetro.
9. Para determinar la región activa varíe el voltaje de entrada V 3 y realice las
mediciones necesarias, de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje
(V(min) < V 3 < V(max)) que mantiene al transistor operando en la región
activa.
10. Para determinar cuando el transistor está en corte o está en saturación, aumentar
de 1v en 1v el V(max) DC deV 3; hasta encontrar un cambio en V 0. Luego repetir
el procedimiento disminuyendo V(min) de V 3 desde el último valor de v, hasta
cero.
En la simulación determinar la resistencia R1que facilite el corte y saturación de
manera más rápida y usar ese valor en la práctica de laboratorio.
11. Tomar datos y completar la siguiente tabla
12. Implementar el circuito de la figura 3.
26
13. Verifique las conexiones con el multímetro, ajuste la fuente a 12 VDC y

conéctela al circuito. La corriente de base ( I B ) obtenida en el informe previo, la
puede ajustar con el potenciómetro de 500 KΩ.
La corriente de base ( I B) la puede medir indirectamente con la tensión en la
resistencia de 10KΩ. La tensión de colector-emisor (V CE) la puede ajustar con el
potenciómetro de 50KΩ. La corriente de colector ( I C) la puede medir
indirectamente con la tensión en la resistencia de 100 Ω si solo cuenta con un
amperímetro.
14. Para determinar las curvas I C vs V CE , ajuste y mantenga I B en 40µA y llene la
siguiente tabla:
Ajuste y mantenga I B en 80µA y llene la siguiente tabla, para obtener la curva I C

vs V CE
IC
15. Obtener las Curvas I C vs I B: ( ) ,  vs I C .
IB
Mantenga V CE = 5V y llene la siguiente tabla:
16. Obtener las curvas I B vs V BE . Mantenga V CE = 5V y llene la siguiente tabla:
27
VII. SIMULACION
CIRCUITO 1
Medimos las tensiones y las corrientes con el multímetro
28
Para V3= 1V , obtenemos:

Vb = 196.375 mV
Vc = 197.068 mV
Ic = 197.068 uA
Ib = 1.091 uA
Para calcular β dividimos Ic/Ib
β = 180.73
Usar el circuito 1 , conectar los diodos LED en serie con las resistencias R1 y R2,
colocar en V3 una fuente DC y reemplazar R1 por un potenciómetro.
29
Para determinar la región activa varíe el voltaje de entrada V3 y realice las mediciones
necesarias, de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje (V(min) < V3 <
V(max)) que mantiene al transistor operando en la región activa.
Para determinar cuando el transistor está en corte o está en saturación, aumentar de 1v en 1v
30
el V(max) DC de V3; hasta encontrar un cambio en V0. Luego repetir el procedimiento

disminuyendo V(min) de V3 desde el último valor de v, hasta cero.
En la simulación determinar la resistencia R1 que facilite el corte y saturación de manera más
rápida y usar ese valor en la práctica de laboratorio.
CIRCUITO 2
31
CIRCUITO 3
Verifique las conexiones con el multímetro, ajuste la fuente a 12 VDC y conéctela al
circuito. La corriente de base ( Ib ) obtenida en el informe previo, la puede ajustar con el
potenciómetro de 500 KΩ.
La corriente de base ( Ib ) la puede medir indirectamente con la tensión en la resistencia
de 10KΩ. La tensión de colector-emisor (Vce) la puede ajustar con el potenciómetro de
50KΩ. La corriente de colector ( Ic ) la puede medir indirectamente con la tensión en la
resistencia de 100 Ω si solo cuenta con un amperímetro.
32
VIII. BIBLIOGRAFIA
[1] Fuente del navegador:

https://www.mouser.pe/Passive-Components/Potentiometers-Trimmers-
Rheostats/Potentiometers/Datasheets/_/N-9q0yp
[2] Fuente del navegador:
https://aulafiee.edu.pe/moodle/pluginfile.php/136003/mod_resource/content/1/Guia
%23-TR%20Bip.pdf
[3] Floyd. Thomas L., F. T. L. (2008). DISPOSITIVOS ELECTRONICOS (octava
ed.,Vol.1). PEARSON EDUCACIÓN. Transistores Bipolares
IX. FECHA
Lima , 21/06/2021
33

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INFORME DE LABORATORIO DE ELECTRONICA I-EE 428

LABORATORIO N°3: TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS

Apellidos y Nombres: Ramirez Candia Eduardo Alexander

Especialidad: Ingeniería Eléctrica

Docente : ING. VIRGINIA ROMERO F.

INFORME PREVIO N°3

TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERISTICAS

Docente: Ing. Virginia Romero Fuentes

 Obtener las curvas características del transistor bipolar

Figura 2.1. construcción básica de un BJT

Figura 2.2. símbolos de BJT estándar

Figura 2.3. polarización en directa-inversa de un BJT

Corrientes del transistor

Como ya se mencionó, I B es muy pequeña comparada con I E o ( I C. El subíndice

Figura 2.4. Corrientes en el transistor

Características y parámetros de un BJT

El cociente de la corriente de cd del colector I Centre la corriente de cd del

Análisis del circuito de un BJT

Figura 2.5. corrientes y voltajes en el transistor

La fuente de voltaje, V BB , polariza en directa la unión base-emisor y la fuente de

Asimismo, de acuerdo con la ley de Ohm,

Sustituyendo y despejando para I B

Como la caída de tensión a través de RC es

El voltaje en el colector con respecto al emisor se escribe como

Figura 2.6.curva característica del colector

III. RESPUESTAS Y PREGUNTAS

1) Polarizar el dispositivo y midiendo VC y VB ,obtener la siguiente tabla:

2) A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida VC

3) Graficar la curva de transferencia de corrientes ( IC vs IB ) y el beta de las

4) Armar el circuito de la figura 2

5) Medir las tensiones V C , V E y V B para trazar la recta de carga del circuito,

6) Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano I C vs V CE del

7) Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando

Zona de corte Zona activa Zona de saturacion

VBE(corte) <0 0< VBE <16.7v VBE(sat) =16.7v

IB(corte) =0 0< IB <1.98mA IB(sat) =1.98mA

IC(corte) =0 0< IC <9.47mA IC(sat) =9.47mA

IE(corte) =0 0< IE <207 IE(sat) =207mA

VCE(corte) =12 0.03< VCE <12 VCE(sat) =0.03v

12) Implementar el circuito dela figura 3

13) Verifique las conexiones con el multímetro, ajuste la fuente a 12 VDC y

Vce(V 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Vce(V) 0.2 0.5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Curva Ic vs Vce para Ib=40 µA

Curva Ic vs Vce para Ib=80 µA

IB 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130

IV. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS

Figura 4.1, ficha técnica de un condensador electrolítico

Figura 4.3. ficha técnica de un potenciómetro

Características: (MASTECH MY68N)

Figura 4.4.multimetro digital

Figura 4.5. Hojas de datos de un diodo emisor de luz TSMF1000.

Figura 4.6. Hojas de datos parcial del transistor 2N3904

VI. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

1. Polarizar el dispositivo y midiendoV C y V B ,obtener la siguiente tabla:

2. A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida V C vs

5. Medir las tensiones V C , V E y V B para trazar la recta de carga del circuito,