Spray Pirolisis

Fabricacin y Caracterizacin de Pelculas de
xido de Indio-Estao para Aplicaciones

Optoelectrnicas
Por
Mayte Yazmn Torres Padilla
Trabajo de tesis sometido como requisito parcial para obtener el

grado de Maestro en Ciencias en la Especialidad de
Electrnica en el Instituto Nacional de Astrofsica ptica y
Electrnica.
Supervisada por:
Dr. Oleksandr Malik

Dr. Andrey Kosarev
Tonantzintla, Puebla
Noviembre de 2003
INAOE 2003
Derechos Reservados
El autor otorga al INAOE el permiso de reproducir
y distribuir copias de esta tesis en su totalidad o en
partes.
Dedicada a:
Al amor de mi vida
Mi esposo Francisco
y a mis hijitos amados
Paquito y al precioso Ser que viene...
AGRADECIMIENTOS
Al Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa, por su apoyo en la realizacin de mis

estudios de maestra.
Al Instituto Nacional de Astrofsica, ptica y Electrnica, por la oportunidad que me
dio de realizar mis estudios de maestra.
A la Universidad Nacional Autnoma de Mxico, Instituto de Fsica, por su apoyo
con equipo para caracterizar las pelculas fabricadas.
A mi director de tesis Dr. Oleksandr Malik, por su gua, apoyo y paciencia durante el
desarrollo de mi trabajo y a mi coasesor de tesis Dr. Andrey Kosarev, por sus valiosas
sugerencias y comentarios.
Al M.C. Arturo I. Martnez, por compartir su experiencia en la utilizacin del equipo
de caracterizacin de pelculas conductoras.
A todos los doctores, amigos y compaeros del INAOE quienes compartieron
conmigo sus experiencias y conocimientos.
A mis padres Evangelina y Jos Antonio, a mis hermanos Yadira, y Logan, a mis tos
Libertad y Leopoldo, por su apoyo y comprensin.
A mi esposo, Francisco, y a mi hijo Paquito, por su amor, comprensin y sacrificio.
Final y principalmente agradezco a DIOS por toda la felicidad que me ha regalado.
ii
Resumen
El desarrollo de nuevos materiales y tcnicas de fabricacin de pelculas
conductoras transparentes es debido a la creciente demanda de dispositivos fabricados
con ellas, tales como pantallas sensibles al tacto, pantallas planas, ventanas
electrocrmicas, celdas fotovoltaicas y un sin nmero de aplicaciones ms. An
cuando existen diversas tcnicas y materiales para su fabricacin, la tcnica de roco
piroltico utilizada para el depsito de pelculas conductoras transparentes de xido de
indio dopadas con estao (ITO Indium Tin Oxide), ofrece bajo costo de produccin,
facilidad de depsito, aplicabilidad a grandes reas de depsito y gran volumen de
produccin en tiempos relativamente bajos y otras buenas caractersticas que la hacen
una buena opcin para cubrir las demandas actuales y futuras.
En este trabajo, se presenta la fabricacin, caracterizacin y comparacin de
pelculas conductoras transparentes de In2O3 dopadas con estao mediante la tcnica
de roco piroltico a partir de tricloruro de indio (InCl3) en una mezcla de alcoholetlico:agua en proporcin 1:1 y cido clorhdrico (HCl) a distintas cantidades de
cloruro de estao pentahidratado (SnCl4+5H2O) como impurificante. Se analizan las
diferentes propiedades estructurales, morfolgicas elctricas y pticas de las pelculas
en funcin del cambio del porcentaje atmico de Sn/In. Mediante estudios de
microscopa electrnica de barrido, microscopa de fuerza atmica, Rayos X, mtodo
de cuatro puntas, mtodo de van der Pauw-Hall y espectrofotometra, se analizan y
caracterizan las pelculas fabricadas de ITO. Finalmente se realiza una comparacin
de la figura de mrito de las pelculas fabricadas en este trabajo con las reportadas en
otros y se presentan las conclusiones.
iii
ndice General
Captulo 1
1.1 Introduccin
1.2 Motivacin y Objetivos
Captulo 2
xidos conductores transparentes: propiedades bsicas

2.1 Introduccin
2.2 Principales caractersticas de xidos conductores transparentes
2.2.1 Conductividad elctrica
2.2.2 Funcin Trabajo
2.2.3 Estabilidad trmica de xidos conductores transparentes
2.2.4 Mnima temperatura de depsito
2.2.5 Grabado de patrones en xidos conductores transparentes
2.2.6 Durabilidad qumica
2.2.7 Dureza mecnica de xidos conductores transparentes
2.2.8 Costos de produccin
2.2.9 Criterios de seleccin de xidos conductores transparentes
2.3 Algunas aplicaciones de xidos conductores transparentes
10
2.4 Caractersticas del xido de indio
11
2.5 Caractersticas y propiedades de las pelculas de xido de indio

dopadas con estao
13
2.5.1 Conductividad y claridad ptica
16
2.5.2 Morfologa y grabado de superficie
16
2.5.3 Compatibilidad de sustrato
16
Referencias
17
iv
Captulo 3
18
Tcnicas de depsito de pelculas conductoras transparentes

3.1 Introduccin
18
3.2 Mtodos fsicos
18
3.2.1 Mtodo de evaporacin en vaco
18
3.2.1.1 Mtodo de evaporacin en vaco en pelculas de In2O3
19
3.2.1.2 Mtodo de evaporacin en vaco en pelculas de ITO
21
3.2.2 Mtodo de sputtering
22
3.2.2.1 Mtodo de sputtering en pelculas de In2O3
24
3.2.2.2 Mtodo de sputtering en pelculas de ITO
25
3.3. Mtodos Qumicos

3.3.1 Mtodo de depsito por vapor qumico (CVD)
3.3.1.1 Mtodo de depsito por vapor qumico en pelculas de ITO
3.3.2 Mtodo de roco piroltico (Spray pyrolysis)
25
25
27
28
3.3.2.1 Mtodo de roco piroltico en pelculas de In2O3
31
3.3.2.2 Mtodo de roco piroltico en pelculas de ITO
32
Referencias
37
Captulo 4
40
Tcnicas de medicin de los parmetros de las pelculas conductoras

4.1 Introduccin
40
4.2 Tcnica de medicin de grosor de pelculas conductoras usando el

perfilmetro de superficie Alpha Step
40
4.3 Mtodos de caracterizacin de estructura y morfologa de la

superficie de las pelculas conductoras
41
4.3.1 Difraccin de Rayos X (DRX)
41
4.3.2 Microscopio de fuerza atmica (AFM)
43
4.3.3 Microscopio electrnico de barrido (SEM)
44
4.4 Caracterizacin de propiedades elctricas de las pelculas conductoras
45
v
4.4.1 Obtencin de resistividad por el mtodo de cuatro puntas
45
4.4.2 Mtodo de van der Pauw para determinar la resistividad de las

pelculas conductoras
47
4.4.3 Efecto Hall usando la tcnica de van der Pauw para la

obtencin de movilidad y concentracin de portadores
4.5 Caracterizacin de las propiedades pticas de xidos conductores
4.5.1 Espectrofotmetro
49
52
52
Referencias
53
Captulo 5
54
Fabricacin y caracterizacin de las pelculas de ITO

5.1 Introduccin
54
5.2 Desarrollo del equipo para el mtodo de roco piroltico
54
5.3 Preparacin de precursores para el depsito de las pelculas de ITO
56
5.4 Fabricacin de las pelculas de ITO
57
5.5 Caracterizacin de las pelculas de In2O3 e ITO
59
Referencias
59
Captulo 6
60
Resultados de la caracterizacin de las pelculas de In2O3 e ITO

6.1 Introduccin
60
6.2 Espesor de las pelculas de In2O3 e ITO
60
6.3 Propiedades estructurales y morfolgicas de las pelculas de In2O3 e ITO
61
6.4 Propiedades elctricas de las pelculas de In2O3 e ITO
65
6.5 Transmitancia y determinacin de la banda prohibida de energa de las

pelculas de In2O3 e ITO
6.5.1 Determinacin de la banda prohibida ptica
6.6 Figura de mrito para aplicaciones de conductores transparentes
69
71
77
6.6.1 Mtodo de Fzaser y Cook
77
6.6.2 Mtodo de Haacke
78
vi
Referencias
81
Conclusiones
82
Apndice
83
ndice de figuras
88
ndice de tablas
92
vii
Captulo 1
Introduccin
Captulo 1
1.1 Introduccin
La investigacin de las propiedades fsicas de las pelculas conductoras ha
progresado mucho durante los ltimos aos, principalmente debido al gran campo de
aplicaciones que existen y pueden surgir para este tipo de materiales. Las aplicaciones
notables dependientes de estos materiales han continuado avanzando a grandes pasos.
Estas incluyen el surgimiento de televisores de alta definicin de pantalla plana ms
grande (HDTVs), pantallas de ms alta resolucin en computadoras porttiles, el
incremento importante de ventanas electrocrmicas, un notable incremento en la
manufactura de celdas fotovoltaicas de pelcula delgada (PV), y una gran variedad de
nuevos dispositivos porttiles.
Un renacimiento sobre los ltimos dos aos en la ciencia de estos materiales
se debe al incremento importante de materiales de xido conductor transparente (TCO
Transparent Conductor Oxide) a estas aplicaciones tecnolgicas. Esto ha incluido
nuevos materiales tipo n y la sntesis de materiales tipo p. Considerando que entre los
ltimos 20 aos mucho del trabajo en TCOs fue emprico y enfocado al ZnO y
variantes de InxSn1-xO2, es muy notable cmo este campo ha sido explotado. Esto
puede ser una funcin no solamente de la necesidad de lograr niveles ms altos de
rendimiento para estos dispositivos, sino tambin del incremento importante de
xidos basados en metales de transicin en dispositivos electro-pticos.
En la literatura se encuentran artculos que cubren la perspectiva industrial,
nuevos materiales tipo n, nuevos materiales tipo p, novedosos mtodos de depsito y
mtodos para desarrollar un entendimiento bsico mejorado de los propios materiales,
as como tambin modelos capaces de predecir lmites de desempeo.
La industria del TCO actual est dominada por pocos materiales. Los dos
mercados dominantes para TCOs estn en aplicaciones arquitectnicas y pantallas
planas (FPDs).
Captulo 1
Introduccin
El xido de estao depositado mediante la tcnica de roco piroltico se usa

tambin en mdulos PV, pantallas sensibles al tacto y pantallas de plasma. Sin
embargo, el xido de indio dopado con estao es el TCO ms usado en la mayora de
las aplicaciones FPD.
El volumen de FPDs producidos, y por lo tanto el volumen de pelculas ITO
producidas, continua creciendo rpidamente. Los TCOs tambin son depositados
sobre sustratos de plstico y una vez ms el material TCO mayormente producido
para una variedad de estas aplicaciones es el ITO.
En el presente trabajo se realiza una investigacin y caracterizacin de
pelculas de xido de indio dopado con estao. Para ello debemos conocer el estado
del arte en la fabricacin de estos materiales, por lo tanto en el Captulo 2 realizamos
una comparacin de caractersticas principales entre los diferentes materiales
reportados en la literatura. En el Captulo 3 se describen algunas tcnicas de depsito
reportadas y las caractersticas que presentan las pelculas obtenidas en dichos
trabajos, especficamente de xido de indio (In2O3) e ITO. En el Captulo 4 se
presenta el principio de funcionamiento de los equipos ms usados para caracterizar,
as como algunas tcnicas para determinar la resistividad, movilidad y concentracin
de portadores de las pelculas conductoras. En el Captulo 5 se describe el desarrollo
del proceso de fabricacin utilizado en la elaboracin de las pelculas de In2O3 a
diferentes porcentajes de contenido de Sn/In. En el Captulo 6 se presentan los
resultados obtenidos de la caracterizacin y el anlisis de los mismos. Finalmente se
presentan las conclusiones del trabajo realizado y el trabajo futuro.
1.2 Motivacin y objetivos
El estudio de las pelculas transparentes y altamente conductoras de xido de
indio-estao ha atrado la atencin por su amplia variedad de aplicaciones en la
industria y en la investigacin. Sus aplicaciones en dispositivos electrnicos incluyen
celdas solares, colectores de calor solar, sensores de gas, etc. La alta transparencia de
estos materiales en el espectro visible, junto con su alta reflectividad en el infrarrojo,
los hace muy atractivos para usarlos como materiales transparentes reflejantes de
Captulo 1
Introduccin
calor; por lo tanto es de gran inters la investigacin de las propiedades y la

optimizacin de los mtodos de depsito para la fabricacin de pelculas de ITO. En
nuestro caso utilizamos el mtodo de depsito de roco piroltico, debido
principalmente a sus caractersticas tales como bajo costo, aplicabilidad a grandes
reas de depsito y gran volumen de produccin, en tiempos de produccin
relativamente bajos comparado con otros mtodos de depsito de pelculas
conductoras; adems, podemos sealar que las propiedades estructurales, elctricas y
pticas que presentan estas pelculas son comparables a las obtenidas por otros
mtodos de depsito.
Se tiene como objetivo general depositar y caracterizar pelculas conductoras de
xido de indio dopadas con estao en el laboratorio de Microelectrnica del INAOE y
como objetivos particulares:
-
Utilizar la tcnica de roco piroltico para la fabricacin de pelculas de

In2O3:Sn.
Comparar las propiedades de las pelculas de In2O3:Sn fabricadas con las

propiedades de las pelculas que se reportan en diversas publicaciones.
Captulo 2
Propiedades bsicas de los xidos conductores transparentes
Captulo 2
xidos Conductores Transparentes: Propiedades Bsicas
2.1 Introduccin
El estudio de pelculas conductoras y transparentes de xidos metlicos ha atrado
la atencin de muchos investigadores debido a su amplio rango de aplicaciones en la
industria y en la investigacin. Las primeras pelculas delgadas fueron reportadas por
Badeker en 1907, quin oxid trmicamente pelculas de cadmio, mismas que se
caracterizaron por ser tanto conductoras como transparentes. Las pelculas que se
basan en materiales semiconductores tienen un gran nmero de aplicaciones debido a
que su estabilidad y dureza son superiores a las de pelculas delgadas metlicas
(100-200 ), tal como Au, Ag, Cu, Fe, etc.
Su amplio rango de aplicaciones en dispositivos electrnicos incluye celdas
solares, colectores de calor solar, sensores de gas, etc. La alta transparencia de estos
materiales en el espectro visible, junto con su alta reflectividad en el infrarrojo, los
hace muy atractivos para usarlos como materiales transparentes y reflectores de calor.
Las pelculas de xido de indio dopadas con estao se pueden usar como un electrodo
conductor y transparente para dispositivos que trabajan en el rango de longitud de
onda del IR cercano.
Los TCOs son parte esencial de las tecnologas que requieren contacto elctrico
de gran rea. La alta transparencia, combinada con conductividad elctrica (mayor
que 103-1cm-1), se logra seleccionando un xido de banda prohibida ancha que se
degenera a travs de la introduccin de dopantes sustitucionales. Muchas de las
pelculas preparadas con xidos son conductores tipo n que idealmente tienen una
banda prohibida ancha (>3eV).
Existe un inters considerable en el desarrollo de TCOs tipo p debido
principalmente a que el TCO ms estudiado y explotado haba sido el tipo n.
Recientes resultados sobre ZnO muestran que pequeas cantidades de nitrgeno se
Captulo 2
pueden incorporar para formar un semiconductor tipo p. Hasta hace muy poco, slo
algunos trabajos se haban realizado en el desarrollo de TCOs tipo p, pero en los
ltimos aos, se han realizado un nmero significativo de investigaciones. El grupo
de Kawazoe, ha publicado artculos sobre CuAlO2 y Cu2SrO2 como TCOs tipo p [1].
Para poder elegir el mejor material para un determinado conductor transparente
primero se debe saber el tipo de aplicacin para la cual se va a utilizar, ya que las
pelculas son preparadas de diferente forma para cada aplicacin; una aplicacin dada
puede restringir el mtodo de depsito.
2.2 Principales caractersticas de xidos conductores transparentes

Las pelculas deben tener una alta conductividad elctrica combinado con baja
absorcin
de
la
luz
visible,
por
lo
tanto
la
razn
de
(conductividad absorcin) = ( ) es una figura de mrito para clasificar a los

xidos conductores transparentes. Un valor ms grande de indica mejor calidad
del TCO. Las figuras de mrito para algunos TCO se dan en la Tabla 2.1 [2].
Tabla 2.1 Figura de mrito / para algunos conductores transparentes [2].
Material
Resistencia de capa
(
/cuadro)
Coeficiente de
absorcin visible
Figura de mrito
(
-1)
ZnO:F
Cd2SnO4
ZnO:Al
In2O3:Sn
SnO2:F
ZnO:Ga
ZnO:B
SnO2:Sb
ZnO:In
5
7.2
3.8
6
8
3
8
20
0.03
0.02
0.05
0.04
0.04
0.12
0.06
0.12
7
7
5
4
3
3
2
0.4
20
0.20
0.2
2.2.1 Conductividad elctrica

La conductividad es proporcional al producto de la concentracin de
electrones libres (n) y la movilidad (
). Para metales tales como la plata y el nitruro
Captulo 2
de titanio, la concentracin de electrones libres est determinada por la estructura y

las propiedades morfolgicas del material. Para semiconductores de banda prohibida
ancha, la concentracin de electrones libres est determinada por el nmero mximo
de tomos dopantes activos electrnicamente que pueden ser colocados en la red.
Intentar colocar un gran nmero de tomos dopantes en la red produce defectos que
decrecen la movilidad. La mxima concentracin de electrones y la conductividad
mxima en los TCOs generalmente se incrementan en el siguiente orden: ZnO:F <
SnO2:F < Zn:Al < InO3:Sn < TiN < Ag [2].
2.2.2 Funcin trabajo

La funcin trabajo de un TCO al igual que la de un metal o semiconductor,
est definida como la mnima energa requerida para remover un electrn de la banda
de conduccin al vaco. Algunas funciones de trabajo medidas para TCOs se
muestran en la Tabla 2.2 [2].
Tabla 2.2. Funcin trabajo de algunos conductores transparentes [2].
Material
Funcin trabajo (eV)
Concentracin de
electrones (cm-3)
ZnO:F
ZnO
In2O3:Sn
SnO2:F
ZnSnO3
4.2
4.5
4.8
4.9
2X1020
7X1019
>1020
4X1020
5.3
6X1019
2.2.3 Estabilidad trmica de conductores transparentes

Los TCOs generalmente incrementan su resistencia si se mantienen a altas
temperaturas por mucho tiempo. Como prueba, unos TCOs se calentaron con aire por
10 minutos a temperaturas sucesivamente ms altas (700 C) y como resultado se
detect un incremento >10% en la resistencia de capa. En cada caso, el TCO
permaneci estable a temperaturas ligeramente superiores a la temperatura de
depsito optimizada (450-500 C) [2].
Captulo 2
2.2.4 Mnima temperatura de depsito

Cuando los TCOs son depositados sobre un substrato, la temperatura del
substrato generalmente debe
mantenerse suficientemente alta
para obtener las
propiedades requeridas en el TCO. Las temperaturas requeridas usualmente se

incrementan en el siguiente orden: Ag ITO<ZnO<SnO2<Cd2SnO4. As, la plata o el
ITO se prefieren para depsitos en substratos trmicamente sensibles, tal como el
plstico, mientras que el Cd2SnO4 requiere substratos muy refractarios para

desarrollar mejores propiedades [2].
2.2.5 Grabado de patrones en xidos conductores transparentes

Para algunas aplicaciones de TCOs tales como pantallas planas, calefactores o
antenas, parte del TCO debe ser removido. La Tabla 2.3 enlista algunos productos
qumicos que pueden ser usados para el grabado de TCOs [2]. El xido de zinc es el
material ms fcil de grabar, el xido de estao es el ms difcil y el xido de indio
tiene una dificultad intermedia de grabado. En celdas solares de pelculas delgadas
conectadas en serie tambin se necesita remover patrones de lneas a lo largo de los
TCOs, ste se realiza con un LASER.
Tabla 2.3. Productos usados para el grabado de TCOs [2].
Materiales
Grabantes
ZnO
ZnO
TiN
In2O3
SnO2
SnO2
cidos diluidos
Cloruro de amonio
H2O2 + NH3
HCl + HNO3 FeCl3
Zn + HCl
CrCl2
2.2.6 Durabilidad qumica

La capacidad de un TCO para resistir ambientes qumicos corrosivos est
relacionada inversamente con su facilidad de grabado. El xido de estao es el ms
resistente, mientras que el xido de zinc es el menos resistente ya que es grabado
Captulo 2
fcilmente por cidos o bases. La plata es opacada por el aire y la humedad y

puede ser usada solamente en aplicaciones que son selladas hermticamente [2].
2.2.7 Dureza mecnica de xidos conductores transparentes

La durabilidad mecnica de los TCOs est relacionada a la dureza de los
cristales de los cuales estn formados. Los valores de su dureza pueden ser ordenados
usando la escala Mohs, en la cual los valores ms altos representan a los materiales
ms duros. La Tabla 2.4 muestra que el nitruro de titanio y el xido de estao son
aun ms duros que el vidrio y pueden ser usados en aplicaciones de contactos [2]. El
xido de zinc rpidamente se daa, pero puede ser usado con cuidado. Las pelculas
de plata delgadas tambin son frgiles y pueden ser usadas solamente si se cubren con
capas protectoras.
Tabla 2.4. Dureza de algunos conductores transparentes [2].
Material
TiN
SnO2
In2O3
ZnO
Ag
Dureza Mohs
9
6.5
~5
4
Bajo
2.2.8 Costos de produccin

Los costos de produccin del material conductor transparente dependen del
costo de la materia prima y del proceso de fabricacin de la pelcula, generalmente se
incrementan en este orden: Cd<Zn<Ti<Sn<Ag<In. El indio es un elemento raro y
caro pues no hay minas de indio; ste es obtenido como un subproducto de minerales
que contienen otros metales tales como el zinc y el plomo.
El costo de los mtodos de depsito tpicamente se incrementan en el
siguiente orden: roco piroltico < CVD a presin atmosfrica < evaporacin al vaco
< sputtering magnetrn < CVD a baja presin < Sol-Gel < depsito por lser de pulso
[2]. Este orden se obtuvo considerando el proceso de produccin menos costoso para
Captulo 2
cada mtodo. La velocidad de los procesos es muy importante en el costo. Roco

piroltico, CVD a presin atmosfrica, evaporacin al vaco y sputtering magnetrn,
tienen altas razones de depsito. CVD a baja presin tiene costos de equipo ms altos
que CVD a presin atmosfrica. Sol-Gel tiene pasos de proceso desde secado lento
hasta recalentado, mientras que el depsito por pulsos de lser es solamente
conveniente para pequeas reas.
2.2.9 Criterios de seleccin de xidos conductores transparentes

Es clara la diversidad de aplicaciones para los conductores transparentes, as
que no es posible clasificar a un solo TCO como el mejor.
Dependiendo de cual sea la propiedad del material se realiza la seleccin. La
Tabla 2.5 resume algunos de los criterios ms importantes que pueden influir para la
eleccin de un conductor transparente [2].
Tabla 2.5. Eleccin de conductores transparentes [2].
Propiedad
Material
Transparencia ms alta
Conductividad ms alta
Frecuencia plasma ms baja
Frecuencia plasma ms alta
Funcin trabajo mayor, mejor contacto con
silicio tipo p
Funcin trabajo menor, mejor contacto con
silicio tipo n
Mejor estabilidad trmica
Mejor durabilidad mecnica
Mejor durabilidad qumica
Fcil grabado
Mejor resistencia a plasmas H
Menor temperatura de depsito
Mnima toxicidad
Menor costo
ZnO:F, Cd2SnO4
In2O3:Sn
SnO2:F, ZnO:F
Ag, TiN, In2O3:Sn
SnO2:F, ZnSnO3
ZnO:F
SnO2:F, TiN, Cd2SnO4
TiN, SnO2:F
SnO2:F
ZnO:F, TiN
ZnO:F
In2O3:Sn, ZnO:B, Ag
ZnO:F, SnO2:F
SnO2:F
Captulo 2
2.3 Algunas aplicaciones de conductores transparentes

La habilidad de los TCOs para reflejar el calor es aprovechada para construir
ventanas que conserven energa. Las ventanas de hornos emplean TCOs para
conservar energa y mantener temperaturas elevadas. En las ventanas de los
vehculos, una corriente elctrica pasa a travs de un TCO para descongelar el lado
exterior y mantenerlas claras.
El xido de zinc se usa en pelculas fotovoltaicas porque es ms barato. Las
multicapas de Plata/ZnO proveen una mejor proteccin de UV.
El xido de estao dopado con flor, es el TCO ms usado en: cubiertas de
puertas de vidrio para congelador de uso comercial, mdulos fotovoltaicos (PV),
pantallas sensibles al tacto, pantallas de plasma y ventanas eficientes para prevencin
de prdidas de calor radiativo, debido a la baja emisividad del xido de estao. Tales
ventanas de baja emisividad son ideales para climas fros y moderados. El xido de
estao es el material a elegir para disipacin esttica.
El consumo anual (en 1996) de vidrios cubiertos con TCOs (principalmente
para cubiertas de baja emisividad) en los Estados unidos fue de 7.3x107 m2 [2].
Sumada a esta cantidad est el incremento en las cantidades usadas en pantallas y
PVs.
La aplicacin de mayor crecimiento para el ITO actualmente es en tecnologa
FPD, tambin es el material de mayor uso en un gran nmero de industrias,
incluyendo aeroespacial, vidrio arquitectnico, energa solar e iluminacin. Estos
grupos industriales hacen uso de diferentes combinaciones de propiedades del ITO en
sus productos. La funcin bsica del ITO en FPDs, es como un electrodo
transparente. A menudo, el ITO tendr funciones adicionales, por ejemplo, como un
blindaje antiesttico de interferencia electromagntica o un calentador elctrico.
El mercado para FPDs en el 2000 estuvo sobre los 15 billones de dlares y se
predice un crecimiento sobre los 27 billones para el 2005. Adems de estas
aplicaciones, los xidos conductores transparentes ahora estn siendo usados en otras
aplicaciones, tales como electrodos transmisores de luz en el desarrollo de
dispositivos electrnicos [3], guas de onda pticas basadas en moduladores electro-
10
Captulo 2
pticos [4], foto-ctodo en celdas foto- electroqumicas [5], capas de superficie

antiesttica sobre cubiertas con control de temperatura en satlites orbitales [6], y
capas superficiales en aplicaciones electro-luminiscentes.
Un gran nmero de materiales, como In2O3, SnO2, Cd2SnO4, CdIn2O4 y ZnO,
se pueden usar en estas aplicaciones. Algunas de las propiedades de estos materiales
se muestran en la Tabla 2.6 [3-6]. Algunos estudios han revelado que dopando
GaInO3 con Ge o Sn resultan propiedades comparables a las de ITO [7]. Sin embargo,
se requieren ms investigaciones para establecer sus utilidades en aplicaciones de
dispositivos. Para conocer ms detalles sobre pelculas de xido indio-estao revisar
Hamberg y Granqvist [8].
Tabla 2.6. Algunas propiedades de xidos conductores transparentes a temperatura ambiente [3,4,5,6].
Compuesto
Tipo de
estructura
Dimensiones de las celdas

()
a
B
C
Resistividad
(-cm)
Banda
prohibida
(eV)
Cte.
dielctrica
ndice de
refraccin
SnO2
Rutilo
4.7371
---
3.1861
10-2 - 10-4
3.7 - 4.6
In2O3
Tierra rara
C
10.117
---
---
10-2 - 10-4
3.5 3.75 8.9
2.0 2.1
ITO
Tierra rara C
10.117--10.31
---
10-3 - 10-4
3.5 4.6
---
1.8 2.1
Cd2SnO4
Sr2PbO4
5.5684
9.8871
3.1933
10-3 - 10-4
2.7 3.0
---
2.05 2.1
ZnO
Wurtzita
3.2426
---
5.1948
10-1 - 10-4
3.1 3.6
8.5
1.85 1.90
12 (E||a) 9.4
(E||c)
1.8 2.2
2.4 Caractersticas del xido de indio

El In2O3 es un cristal simple que tiene la estructura cbica de bixebita
(tambin llamada estructura de xido de tierra rara tipo c). El parmetro de red de
In2O3 es 10.117 . Se puede suponer que hay 2 sitios en In cristalogrficamente noequivalentes. Uno de stos est asociado con una separacin de 2.18 de In-O y
tomos de oxgeno que estn cerca de las esquinas de un cubo con 2 diagonales en el
cuerpo opuestas a las esquinas no ocupadas. El otro est asociado con diferentes
separaciones de 2.13, 2.19 y 2.23 de In-O y tomos de oxgeno que quedan
11
Captulo 2
cercanos a las esquinas de un cubo con 2 diagonales en la cara opuestas a las esquinas
no ocupadas [9].
La celda unitaria contiene 80 tomos y como tal la estructura es altamente
complicada. In2O3 es un compuesto no estequiomtrico bajo ciertas condiciones, con
una razn In/O mayor de 2/3. Esta desviacin de la estequiometra resulta en un
semiconductor tipo n o incluso en un semi-metal con una concentracin alta de
electrones. Durante el crecimiento del cristal, un gran nmero de donadores es
producido debido a las vacancias de oxgeno.
Los defectos de la estructura del In2O3 han sido estudiados por De Wit y
colaboradores [10]. Las vacancias de oxgeno se consideran el punto predominante de
los defectos en el In2O3 de acuerdo a la siguiente reaccin:
2 In Inx + 3OOx 2 In Inx + 3VO + 6e ' +
3
O2 ( g ).
2
(2.1)
Frank y Kostlin [11] han sugerido que en el caso de que algn tomo de
oxgeno est fuera de In2O3, el material puede ser representado mediante la ecuacin:
( )
In 2 O3 x V O x e 2 x .
(2.2)
Donde x es normalmente menor de 0.01. VO denota vacancias de oxgeno

doblemente cargadas y e denota electrones los cuales son necesarios para la
neutralidad de carga en la escala macroscpica. El nivel de donadores introducido por
defectos estequiomtricos est generalmente en el rango de 0.008-0.03 eV de la
banda de conduccin, dependiendo de la concentracin de donadores. Weither y
colaboradores [12,13] han observado experimentalmente la dependencia de la energa
de ionizacin de los donadores sobre la concentracin de donadores como se muestra
en el Figura 2.1.
12
Captulo 2
Figura 2.1 Energa de ionizacin de donadores

contra concentracin de portadores para In2O3 [14].
2.5 Caractersticas y propiedades de las pelculas de xido de indio

dopadas con estao
Desde 1960, el TCO ms ampliamente usado para aplicaciones de dispositivos
optoelectrnicos ha sido el xido de indio dopado con estao. En el presente, y
probablemente tambin en el futuro, este material ofrece el mejor rendimiento
disponible en trminos de conductividad y transmitancia, combinado con excelente
estabilidad ambiental, reproduccin, y buena morfologa de superficie.
Las principales caractersticas de las pelculas de ITO son las siguientes:
1.- Las condiciones de oxidacin influyen en la concentracin de portadores, a
cualquier contenido de estao. Se considera que la introduccin de estao en In2O3
facilita la migracin de oxgenos intersticiales dentro de la sub-red aninica. Para
pelculas ITO de bajo dopado preparadas por una tcnica de roco, Frank y Kostlin
[11] sugirieron la presencia de agrupamientos o clusters neutros (Sn2+Oi), los
cuales atrapan a los portadores libres. Estos agrupamientos pueden ser eliminados por
tratamientos trmicos en una atmsfera de reduccin.
2.- La mxima concentracin de portadores generalmente se encuentra del 5 al 8 %
atmico de Sn [11,15,16] y decrece ms all de este lmite. La neutralizacin del
13
Captulo 2
efecto donador del estao se encuentra a cualquier presin parcial de oxgeno, pero se
mejora por condiciones de alta oxidacin. Frank y Kostlin [11] sugirieron que un
incremento en el contenido de estao o en la presin parcial de oxgeno lleva a la
formacin de agrupamientos Sn2O4 del tipo fluorita no reducible. En contraste, Parent
y colaboradores [15] mostraron por espectroscopa de absorcin de rayos X sobre
pelculas ITO preparadas por una tcnica de pirlisis, que la presencia de estao
desorganiza la red y relaja el ambiente de oxgeno hacia una configuracin que es
similar a la de romboedro In2O3 (para cationes de indio) y SnO2 (para cationes de
estao). Shigesato y colaboradores [17] mostraron que el estao puede segregarse
cerca de la superficie de la pelcula o a lo largo de las fronteras de grano para formar
una fase aislante [18].
Las pelculas de xido de indio dopado con estao pueden ser preparadas por
varias tcnicas. Siempre son policristalinas y mantienen una estructura de cristal
cbica tipo bixebita. Sin embargo, las constantes de red son usualmente mayores que
las del In2O3. El incremento en la constante de red se reporta que depende de los
parmetros de depsito. Por ejemplo, este valor depende fuertemente de la presin
parcial de oxgeno p(O2) en el proceso de sputtering [13]. Para el valor ms bajo de
p(O2), a0 = 10.15 ; mientras que para p(O2)>5x10-5 Torr, a0 10.23 . Los patrones
de difraccin de rayos X para pelculas depositadas a presiones intermedias consisten

de lneas correspondientes a estos dos valores de a0, indicando la presencia de 2 fases
cbicas. Para pelculas depositadas por roco, Kulaszewicz [19] observ un
incremento lineal en la constante de red con temperaturas de depsito en el rango de
823-973 K. El incremento en el valor de la constante de red superior de 10.31 , ha
sido observado por muchos investigadores [19-21]. Este incremento en la constante
de red es debido a la incorporacin de iones de Sn4+ que sustituyen sitios In3+ o la
incorporacin de iones de estao en posiciones intersticiales.
ITO es un semiconductor degenerado donde los electrones son los portadores
de carga mayoritarios, debido a la diferencia de valencia entre In3+ y Sn4+ se tiene

como resultado la donacin de un electrn libre a la red.
14
Captulo 2
Como ya se mencion, la estructura cristalina del In2O3 es altamente

complicada, por lo tanto los clculos de la estructura de banda del ITO no se han
realizado con precisin. Como en el In2O3, Hamberg y Granqvist [8] supusieron una
estructura de bandas del xido de Indio dopado con Estao. La Figura 2.2 muestra la
estructura de banda parablica del In2O3 y de ITO, en el caso de ITO, se muestra una
banda de conduccin parcialmente llena. Como un resultado del dopado, existe un
bloqueo de los estados ms bajos en la banda de conduccin y por lo tanto un
incremento de Eg, es decir cuando el xido est degenerado, al incrementar la
densidad de portadores hay un ensanchamiento de la banda prohibida y al mismo
tiempo la dispersin electrn-electrn y electrn-impureza tienden a decrecer la
banda prohibida. Esto se ilustra fijando Eg0>W en la Figura 2.2, donde W es la
diferencia de energa entre la parte superior de la banda de valencia y la inferior de la
banda de conduccin en el ITO.
Figura 2.2. Estructuras de bandas de (a) In2O3, y (b) In2O3 dopado

con estao, las reas sombreadas denotan los estados ocupados [10].
La ventana de transparencia en ITO se extiende desde la banda prohibida en el

extremo UV hasta la frecuencia de absorcin plasma en el extremo IR.
Las propiedades de transporte del ITO son altamente dependientes de las
condiciones de depsito y post-depsito. Las condiciones de oxidacin o reduccin,
por ejemplo, modificarn la concentracin de vacantes de oxgeno y por lo tanto la
concentracin de portadores. Las temperaturas de sustrato bajas y presiones parciales
de oxgeno bajas durante depsito sputtering a baja potencia (u otro proceso de
15
Captulo 2
depsito de vapor fsico) dar como resultado un material amorfo o parcialmente

amorfo. Notablemente, el xido de indio amorfo se cristaliza rpidamente a
temperaturas tan bajas como 150 C teniendo un cambio drstico en la estructura
electrnica.
2.5.1 Conductividad y claridad ptica

El estado del arte en TCOs es aproximadamente 1.1x10-4 -cm en resistividad
con una transmisividad > 85% cuando est en el promedio de 400 nm a 1100 nm y
medido en el espectro visible. En general, para lograr la transmisividad requerida, el
grosor de la pelcula tiene que ser menor a 150 nm. Las resistencias tpicas de hoja
son > 15/cuadro para aplicaciones FPD y arriba de 100 /cuadro para aplicaciones
de pantallas sensibles al tacto.
2.5.2 Morfologa y grabado de superficie

Las caractersticas de morfologa de superficie de las pelculas de ITO
dependen de la aplicacin, por ejemplo en aplicaciones FPD la morfologa de
superficie tiene que ser lisa para prevenir efectos de campo locales y dispersin
superficial; y en aplicaciones optoelectrnicas se prefiere que sta sea rugosa para
aprovechar las mltiples reflexiones de la superficie.
En el caso del grabado, se tiene mayor facilidad de grabado en pelculas de
ITO amorfo que en pelculas de ITO cristalino.
2.5.3 Compatibilidad de sustrato

El ITO puede ser depositado a temperatura ambiente, y en general, su
adhesin a muchos sustratos es excelente. El depsito de ITO sobre silicio para uso
en aplicaciones de celdas solares, por ejemplo, puede llevar a la formacin de una
capa interfacial de SiO2, de esta forma el xido de indio es reducido por el silicio. La
capacidad para depositar ITO de alta calidad sobre sustratos sensibles a la
16
Captulo 2
temperatura, es una consideracin importante en la seleccin de ITO sobre otros

TCOs.
Referencias
[1]
David S. Ginley and Clark Bright, MRS Bulletin, August 2000, p. 15.
[2]
Roy Gordon, MRS Bulletin, August 2000, p. 52.
[3]
Latz R, Michael K and Scherer M, J. Appl. Phys., 1991, Vol. 30 p. L149.
[4]
Chen RT and Robinson D, Appl. Phys. Lett., 1992, Vol. 60 p. 1541.
[5]
Tien HT and Higgins J, J. Electrochem. Soc., 1980, Vol. 127 p. 1427.
[6]
Hass G, Heaney JB and Toft AR, Appl. Opt., 1979, Vol. 18 p. 1488.
[7]
Cava RJ, Hou SY, Pack WF, Van Dover RB, Appl. Phys. Leet., 1994, Vol. 65 p. 115.
[8]
Hamberg I and Granqvist CG, J. Appl. Phys., 1986, Vol. 60 R p. 123.
[9]
De Wit JHW, J. Solid State Chem., 1977, Vol. 20 p. 143.
[10]
De Wit JHW, Van Unen G. and Lahey M., J. Phys. Chem. Solids, 1977, Vol. 38 p. 819.
[11]
Frank G and Kostlin H, Appl. Phys., 1982, Vol. A 27 p. 197.
[12]
Weiher RL and Ley RP, J. Appl. Phys., 1966, Vol. 37 p. 299.
[13]
Fan JCC, Bachner and Foley GH, Appl. Phys. Lett., 1977, Vol. 31 p. 773.
[14]
Weiher RL, J. Appl. Phys., 1962, Vol. 33 p. 2834.
[15]
Ph. Parent, H, Dexpert, G. Tourillon, and J.M. Grimal, J. Electrochem. Soc., 1992, Vol. 139
(1), p. 276.
[16]
A. E. Soloveva and V. A. Zhadnov, Izv. Akad Nauk SSR, Neorg. Mater., 1960, Vol. 21 (6) p.
957.
[17]
Y. Shigesato, S. Takaki, and T. Haranou, Appl. Surf. Sci., 1991, Vol. 48-49 p. 269.
[18]
N. Nadaud, N. Lequeux, and M. Nanot, J. Jov and T. Roisnel, Journal of Solid State
Chemistry., 1998, Vol. 135, p. 140-148.
[19]
Kulaszewicz S, Thin Solid Films, 1981, Vol. 76 p. 89.
[20]
Lehmann HW and Widmer R, Thin Solid Films, 1975, Vol. 27 p. 359.
[21]
Vossen Jl, RCA Rev., 1971, Vol. 32 p. 269.
17
Captulo 3
Tcnicas de depsito
Captulo 3
Tcnicas de depsito de pelculas conductoras transparentes
3.1 Introduccin
Las pelculas de xido transparentes con banda prohibida grande presentan
alta conductividad elctrica, alta transmitancia ptica en la regin visible y
reflectancia en la regin IR. Estas propiedades nicas de las pelculas de xido
conductoras transparentes las hacen apropiadas para muchas aplicaciones.
La tcnica de depsito juega un papel importante pues gobierna las
propiedades de las pelculas, ya que los mismos materiales depositados por dos
tcnicas diferentes usualmente tienen diferentes propiedades fsicas. Esto se debe al
hecho de que las propiedades pticas y elctricas de las pelculas dependen
fuertemente de la estructura, la morfologa y la naturaleza de las impurezas presentes.
Las propiedades, sin embargo, se pueden manejar controlando los parmetros
de depsito. Por lo tanto, es importante hacer una investigacin detallada de la
relacin entre las propiedades de las pelculas y el mtodo de depsito.
Cada uno de los depsitos tiene ventajas y desventajas. Por ejemplo, la tcnica
de sputtering permite la fabricacin de pelculas de alta calidad pero el equipo es de
muy alto costo y tiene relativamente baja razn de produccin. Por otro lado, la
tcnica de roco es muy barata pero las pelculas obtenidas son de menor calidad.
3.2 Mtodos fsicos

3.2.1 Mtodo de evaporacin en vaco
La evaporacin en vaco, a pesar de ser una de las tcnicas ms usadas para el
depsito de pelculas semiconductoras delgadas, no se ha usado ampliamente para el
crecimiento de conductores transparentes.
18
Captulo 3
Tcnicas de depsito
Parmetros de control importantes:

! Temperatura del sustrato.
! Razn de evaporacin.
! Distancia entre fuente y sustrato.
! Presin parcial del oxgeno.
El material que forma las pelculas de xido conductoras se puede obtener de tres
maneras: (i) por evaporacin directa de materiales oxidados, por ejemplo, SnO2,
In2O3, Cd2SnO4; (ii) por evaporacin reactiva del metal en presencia de oxgeno, o
(iii) post oxidacin de la pelcula de metal. Cuando se evaporan materiales oxidados
siempre hay una deficiencia de oxgeno en las pelculas. En cualquier pelcula
evaporada a presin parcial de oxgeno es esencial algn tratamiento trmico post
depsito a presin ambiente para alcanzar una buena calidad de pelculas. En la
evaporacin reactiva, el metal correspondiente o aleacin es evaporada a razn de
100 - 300 min-1 en atmsfera de oxgeno sobre los sustratos calentados
aproximadamente a 400 C . La presin parcial de oxgeno se alcanza creando
primero un vaco de ~10-6 Torr, despus se introduce oxgeno hasta que la presin se
incremente a 10-4 Torr. La evaporacin de reactivos se ha empleado para el
crecimiento de pelculas conductoras transparentes de mejor calidad a altas razones
de crecimiento (500 min-1) [1]. En este mtodo, la reaccin entre la especie
evaporada y el gas es activada por un plasma.
En el caso de post-oxidacin de pelculas de metal, la conductividad y
transparencia de las pelculas son controladas principalmente por la temperatura de
oxidacin, la cual usualmente est en el rango de 350-500 C.
3.2.1.1 Mtodo de evaporacin en vaco en pelculas de In2O3

Evaporacin en vaco es la tcnica comnmente ms usada para el depsito de
pelculas de xido de indio [2-10]. Las pelculas se depositan desde una fuente de
Indio por evaporacin reactiva o por recocido en oxgeno de una pelcula de indio
depositada al vaco. Pan y Ma [2-3] fabricaron pelculas conductoras transparentes de
In2O3 usando evaporacin trmica de 90% In2O3 y 10% In colocado en un crisol de
19
Captulo 3
Tcnicas de depsito
almina. Se observ que incorporando indio metlico en la fuente de evaporacin no

slo mejor significantemente la razn de evaporacin, sino que tambin mejoraron
significativamente las propiedades elctricas y pticas de las pelculas. Inicialmente
la cmara de vaco se llev a una presin base de 1x10-6 Torr. Despus se suministr
oxgeno puro (O2) en la cmara a una presin de 2x10-4 Torr. Los sustratos se
mantuvieron a una temperatura entre 320-350 C. Los datos de difraccin de rayos X
determinan que las pelculas son policristalinas. El efecto importante en este
experimento es que cuando las pelculas son depositadas en un crisol y un calentador
de tntalo (Ta) o wolframio (W), la conductividad de las pelculas resulta de un orden
de magnitud menor, lo cual posiblemente se deba a la reaccin qumica entre el vapor
de xido de indio y el calentador de Ta o W. Por esta razn se sugiere una
combinacin apropiada de crisol y del elemento calentador o un crisol ms alto, as la
orilla superior del calentador evitara este problema. La resistividad y transmisin de
las pelculas crecidas bajo condiciones ptimas fueron 1.8x10-4 -cm y >90%,
respectivamente.
Una tcnica de evaporacin diferente se emple para mejorar la reactividad
del vapor de indio con oxgeno [1,4]. Tal incremento de reactividad se alcanza
generando un plasma denso con un emisor de Tungsteno y bajo voltaje. Nath y
Bunshan [1] utilizaron esta tcnica evaporando indio con una fuente de
tugsteno/tntalo calentada resistivamente. Los sustratos se mantuvieron a una
temperatura de 350 C. Usaron como gas reactivo una mezcla de Ar 15% O2 y la
presin durante el depsito fue de 1x10-4 Torr. Las mediciones del difractmetro de
rayos X sobre el In2O3 mostraron una orientacin preferencial (1 0 0). Los valores
tpicos de resistividad y transmisin observados en estas pelculas fueron 3.2x10-4 cm y >96%, respectivamente. Lau y Fonash [4], sin embargo, observaron que la
temperatura de sustrato debera ser menor a 200 C y a temperaturas ms altas
resultan pelculas con resistividades altas. Las pelculas de xido de indio preparadas
por ellos fueron, sin embargo, estables a temperatura ambiente pero se degradaron
despus del vaco o recocido con hidrgeno a altas temperaturas.
20
Captulo 3
Tcnicas de depsito
Sundaram y Bhagavat [5] depositaron pelculas de In2O3 por evaporacin de

indio, seguido de un recocido en atmsfera de oxgeno a 300 y 400 C por un periodo
de 0.5 a 4 horas, dependiendo del grosor de la pelcula. La oxidacin completa de la
pelcula gruesa (5000 ) nunca se alcanz incluso despus de calentarla a 400 C por
un periodo de 6 horas. Esto se debe a que decrece el coeficiente de difusin del
oxgeno a travs de las capas de xido a esa temperatura. Los estudios de difraccin
de rayos X revelan que las pelculas oxidadas a 300 C son policristalinas y la
cristalinidad y tamao de grano mejoran con la temperatura de oxidacin.
3.2.1.2 Mtodo de evaporacin en vaco en pelculas de ITO

Christian y Shatynski [11] depositaron pelculas de ITO usando la tcnica de
evaporacin reactiva de aleaciones de In-5% Sn. La temperatura de sustrato se vari
en el rango de 25 a 300 C. El anlisis con microscopa Auger indic la presencia de
indio, estao y oxgeno con pequeas cantidades de otras impurezas tales como
carbono, sodio, azufre, etc. En la composicin tpica de pelculas de ITO de 700 de
grosor evaporadas a una presin parcial de oxgeno de 5x10-4 Torr se encontr 42%
In, 30% Sn, 9% O2, 0.04% carbono, 0.007% azufre, 0.003% Sodio y 0.008% Cl.
Estudios indican que pelculas de ITO depositadas en un vaco de 1x10-7 Torr (sin
oxgeno) fueron discontinuas y presentaron pobres propiedades elctricas y pticas.
Las pelculas crecidas en un vaco de 5x10-4 Torr (con oxgeno) se encontraron
continuas y con buenas propiedades elctricas y pticas. Noguchi y Sakata [12]
depositaron pelculas de ITO por co-evaporacin de In y Sn en 2 crisoles de berilio, la
razn de crecimiento se mantuvo a 3 s-1. Yao y colaboradores [13] usaron
evaporacin reactiva secuencial de indio y estao seguido por un recocido a presin
ambiente. La ventaja de este mtodo es que la composicin de las pelculas se puede
controlar exactamente. Se ha alcanzado una resistividad elctrica de 4x10-3 -cm y
una transparencia > 90%.
Las pelculas de ITO depositadas por evaporacin en vaco usando mezclas de
xidos generalmente son deficientes en oxgeno. Con una presin parcial de oxgeno
de 10-4 Torr se obtienen pelculas transparentes. Mizuhashi [7] deposit pelculas de
21
Captulo 3
Tcnicas de depsito
ITO en 2 crisoles de berilio controlados independientemente que contienen SnO2 y

In2O3. La evaporacin se realiz sin y en presencia de oxgeno, la presin parcial de
oxgeno fue 10-4 Torr. Estos crisoles controlados independientemente fueron usados
para depositar pelculas de ITO de composicin controlada. Una lmina de tntalo
calentadora se us para evitar la contaminacin de las pelculas de xido de indio
debido a que el xido de tntalo tiene muy baja presin de vapor comparada con el
xido de tugsteno y el xido de molibdeno. La mejor pelcula de ITO se puede
producir bajo condiciones de evaporacin: Ts, 400 C ; p(O2), 3x10-4 Torr; razn de
depsito , 0.8 s-1; Sn, 5%.
Agnihotri y colaboradores [14] usaron un crisol simple con una paleta de ITO
con diferentes concentraciones de SnO2 (3-7 mol%). Deposit pelculas de ITO a
temperaturas de sustrato tan bajas como 200 C. Los estudios con rayos X no revelan
seal de fase de cualquier xido de estao, incluso para pelculas altamente dopadas
[1,14]. La orientacin preferencial fue (1 1 1) en pelculas de ITO. Las pelculas de
ITO con ms alto contenido de estao (>8-10%), tienen menor tendencia a la
orientacin preferencial.
3.2.2 Mtodo de Sputtering

Sputtering es una de las tcnicas ms verstiles usadas para el depsito de
conductores transparentes cuando se requieren pelculas para dispositivos de calidad.
Comparada con otras tcnicas de depsito, el proceso de sputtering produce pelculas
con ms alta pureza y mejor composicin, provee pelculas homogneas, con mayor
fuerza adhesiva y permite buen control del grosor de pelculas. Este proceso involucra
la creacin de un plasma (usualmente gas inerte como argn) aplicando voltaje entre
el ctodo y el nodo. El ctodo es usado como un objetivo calentador y el nodo es
usado como un sustrato calentador. El material fuente se expone a un bombardeo
intenso por iones. Por transferencia de impulso, las partculas son expulsadas de la
superficie del ctodo y se difunden lejos de l, depositando una pelcula delgada
sobre un sustrato. El sputtering se realiza normalmente a presiones de 10-2 a 10-3
Torr.
22
Captulo 3
Tcnicas de depsito
La tcnica sputtering que usa objetivos de xido para formar xidos conductores
transparentes es significativamente diferente a la tcnica de sputtering reactivo de
objetivos de metal. El control de la estequiometra de la pelcula es ms fcil con
objetivos de xido. En sputtering DC de objetivos de mezclas de xido, el control de
estequiometra es casi automtico, mientras que el material de pelculas depositadas
en sputtering RF usualmente requiere que la composicin de los objetivos sea
adecuadamente adaptado para compensar la prdida de material en el sustrato. En el
caso de sputtering reactivo de objetivos metlicos, la razn de depsito y las
propiedades estructurales de las pelculas dependen fuertemente del contenido de
oxgeno en la cmara sputtering. La Figura 3.1 muestra una grfica tpica de la razn
de sputtering contra la presin parcial del gas reactivo, es decir oxgeno, para un nivel
de potencia constante. A una baja presin parcial, el metal es sometido a sputtering
desde el objetivo y la reaccin de oxidacin toma lugar slo en el sustrato. A
presiones parciales ms altas, ocurre la oxidacin de la cara del objetivo y la razn de
sputtering cae rpidamente debido a que el proceso de sputtering de xidos
generalmente es mucho ms lento que para metales puros.
Figura 3.1 Grfica de la razn

de sputtering vs la presin
parcial del gas reactivo [15]
La Figura 3.2 muestra la relacin entre la presin parcial del oxgeno y la

razn del flujo de oxgeno para un nivel de potencia fijo. La lnea recta indica la
posicin antes de la ignicin plasma. El efecto de histresis es completamente
evidente en la curva de sputtering. As como el flujo de O2 inicialmente se
incrementa, gran parte del gas es consumido por la pelcula obtenida por sputtering.
La curva inferior (de A a B) resulta en una pelcula rica en metal la cual requiere
recocido en la presencia de oxgeno para llegar a ser transparente. La curva superior
23
Captulo 3
Tcnicas de depsito
(de D a C) resulta en una pelcula oxidada la cual llega a ser conductora en el

recocido en una atmsfera reducida. Para asegurar reproducibilidad, es importante
evitar la operacin cerca de los puntos de transicin.
Figura 3.2 Respuesta de la presin parcial

de oxgeno y la razn del flujo de oxgeno
antes y durante el sputtering de ITO [15].
Usualmente las pelculas obtenidas por la tcnica de sputtering a temperatura

ambiente son amorfas, pero un incremento en la temperatura del sustrato o
tratamiento de calor post depsito mejora la cristalinidad y el tamao de grano. La
calidad de las pelculas dependen de varios parmetros de depsito tales como:
! Razn de sputering.
! Temperatura de sustrato.
! Mezcla de gas sputtering.
! Presin sputtering.
Los sistemas de sputtering usualmente tienen pequeos objetivos y bajas razones
de produccin.
3.2.2.1 Mtodo de Sputtering en pelculas de In2O3

Usando la tcnica de sputtering [15-18,28] se obtuvo el crecimiento de
pelculas de xido de indio conductoras, las cuales se depositaron en un objetivo
indio metlico o un objetivo xido de indio en presencia de oxgeno. La
estequiometra y la razn de sputtering son fuertemente dependientes del contenido
de oxgeno en el sistema. En sputtering reactivo de un objetivo metlico, la superficie
del objetivo es fuertemente oxidada. Los tomos de oxgeno extrados de la superficie
pueden ser sustituidos por otros del ambiente. Por esta causa la razn de sputtering de
objetivo decrece significativamente.
24
Captulo 3
Tcnicas de depsito
3.2.2.2 Mtodo de Sputtering en pelculas de ITO

Pelculas de ITO altamente transparentes y conductivas se han preparado con
este proceso [15,22,24,26-28,29-51]. Objetivos de aleaciones de In-Sn y In2O3-SnO2
se usaron para depositar estas pelculas. Usualmente la concentracin de estao en el
objetivo es de 10-15 %. En las pelculas de xido de indio dopadas con estao
generalmente se deterioran las propiedades cristalinas. Tpicamente el tamao de
grano decrece desde 1500 hasta 800 cuando pelculas de xido de indio son
dopadas con estao [24]. Cuando las pelculas son crecidas usando objetivos de
aleaciones metlicas, la razn de depsito es una funcin fuerte de la presin parcial
del oxgeno y de la potencia con que se realiza el sputtering, mientras que es una
funcin dbil de la presin total de sputtering [52,53]. La insensibilidad de la razn
de depsito a la presin total de sputtering es una propiedad inherente de este
proceso, donde la intensidad de plasma es determinada por el campo
electromagntico en el sistema. Para niveles de potencia baja de sputtering P, la
superficie del objetivo se oxida no estequiomtricamente. Las partculas procedentes
del sputtering pueden oxidarse fuertemente durante su transporte o durante el
depsito de la pelcula. Si la potencia P se incrementa, el nmero de especies
obtenidas por sputtering tambin incrementa.
3.3
Mtodos Qumicos
3.3.1 Mtodo de depsito por vapor qumico (CVD)

El depsito por vapor qumico (CVD) es una de las tcnicas ms importantes
para producir pelculas delgadas de materiales semiconductores. Esta tcnica
involucra una reaccin de una o ms especies reactivas gaseosas sobre una superficie
slida (sustrato). En este proceso, xidos metlicos son generalmente depositados por
evaporacin de un compuesto rgano-metlico apropiado. El vapor que contiene los
elementos a depositar son transportados a la superficie del sustrato, donde reaccionan,
usualmente por un proceso heterogneo. La naturaleza del proceso de
25
Captulo 3
Tcnicas de depsito
descomposicin vara de acuerdo a la composicin de las especies transportadoras

voltiles. La condicin de descomposicin deber ser tal que la reaccin ocurra
solamente en/o cerca de la superficie del sustrato y no en la fase gaseosa, para evitar
formacin de depsitos pulverizados los cuales pueden ocasionar nebulosidad en las
pelculas.
Un sistema CVD tpico [54] se muestra en la Figura 3.3. Los vapores de un
compuesto voltil son llevados por un gas portador, por ejemplo, O2, N2, Ar, desde un
burbujeador caliente a travs de una lnea calentada hacia una cmara de reaccin a la
cual se le introduce oxgeno o vapor de agua. En esta cmara de depsito los vapores
se descomponen y las pelculas de xido homogneas se forman en la superficie
caliente del sustrato. La calidad de las pelculas dependen de varios parmetros, tales
como:
! Temperatura del sustrato.
! Razn de flujo del gas.
! Geometra del sistema.
Figura 3.3 Diagrama

esquemtico de un horno
CVD en lnea para
depsito de xido de
estao y capas similares
[54].
Para obtener la mejor calidad de pelculas, todos estos parmetros deben ser
optimizados y controlados. La temperatura del sustrato y la razn del flujo de gas en
gran parte determinan la razn de depsito. Si la temperatura del sustrato es baja,
oclusiones de carbono son encontradas en las pelculas como resultado de una
oxidacin incompleta del material orgnico. Si la temperatura del sustrato es muy
alta, puede ocurrir difusin excesiva de impurezas de superficie durante el depsito
de la pelcula. Adems, las radiaciones desde el calentador del sustrato pueden
26
Captulo 3
Tcnicas de depsito
precalentar el gas en la cmara de reaccin. Habr descomposicin de compuestos

organometlicos en la fase gas y no en la superficie del sustrato, y por lo tanto se
producir un depsito irregular en vez de una pelcula suave o lisa. El flujo de gas y
la geometra del sistema determinan la uniformidad de las pelculas depositadas sobre
reas grandes. As que, es importante introducir el gas dentro de la cmara de
reaccin de una manera controlada en trminos de ubicacin de entrada de gas y
razn de flujo.
Las ventajas principales de usar el proceso CVD son:
1. Simplicidad.
2. Reproducibilidad.
3. Facilidad para produccin a gran escala sin necesitar vaco como un requisito
esencial para el depsito.
4. El costo de produccin de pelculas delgadas por esta tcnica es
razonablemente baja, debido al bajo costo del equipo.
5. Se obtienen pelculas de alta pureza, estequiometra, y perfeccin estructural.
Sin embargo, la morfologa de las pelculas depositadas por CVD est
fuertemente influenciada por la naturaleza de la reaccin qumica y el mecanismo de
activacin.
3.3.1.1 Mtodo de depsito por vapor qumico en pelculas de ITO

Ryabova y colaboradores [55] reportaron baja resistencia (10-4 -cm) para
pelculas de ITO depositadas usando la tcnica CVD. Las pelculas depositadas bajo
condiciones ptimas tiene un razn atmica de estao-indio de 0.08. La razn de
crecimiento se mantiene de 10-15 min-1. Las pelculas se depositaron sobre vidrio,
mica y zafiro; las depositadas sobre zafiro presentan mejor calidad, con resistividad
de 1.6 x10-4 a 1.8x10-4 -cm y transparencia de 90-95 %. Las pelculas recocidas en
un vaco de ~10-2 Torr a 400 C por 30-45 min. presentan una conductividad de 2 a 3
veces mayor a las de pelculas no recocidas.
Maruyama y Fukui [53,56] prepararon pelculas de ITO por CVD usando
hexanoato de 2-etil y cloruro de estao como materiales fuente. La razn de estao-
27
Captulo 3
Tcnicas de depsito
indio cambi al variar la razn de proporcin del flujo. La Figura 3.4 muestra la
variacin de la razn atmica de Sn/In en la pelcula como una funcin de la razn de
velocidad de flujo del gas portador. Se observa de esta figura que la razn atmica
Sn/In incrementa de 0 a 0.1 con el incremento de la razn de velocidad de flujo desde
0 hasta 3. As el contenido de estao en la pelcula se puede ajustar al cambiar la
razn de velocidad de flujo.
Figura 3.4 Razn atmica de

estao/indio como funcin de la
razn de velocidad de flujo del
gas portador [56].
Al igual que las pelculas de xido de indio, las de ITO crecidas por la tcnica
CVD son siempre policristalinas en naturaleza.
3.3.2 Mtodo de roco piroltico (Spray pyrolysis)

El roco piroltico es uno de los mtodos relativamente simple y barato el cual
puede ser fcilmente adoptado para produccin en masa de pelculas de gran rea
para aplicaciones industriales. El roco piroltico est basado en la descomposicin
piroltica de un compuesto metlico disuelto en una mezcla lquida cuando se roca
sobre un sustrato precalentado. El mtodo depende de la hidrlisis de superficie del
cloruro metlico sobre una superficie de sustrato calentado de acuerdo con la
reaccin.
MClx+yH2O MOy+xHCl
En la cual M es cualquier metal fuente tal como Sn, In, Zn, etc., de las pelculas
de xido. La tcnica de roco piroltico convencional [57] se muestra en la Figura 3.5.
La atomizacin de la solucin qumica se realiza por la boquilla del rociador con la
ayuda de un gas portador limpio obteniendo un roco fino. El gas portador y la
solucin son alimentados dentro de la boquilla del rociador a presiones y razones de
28
Captulo 3
Tcnicas de depsito
flujo predeterminadas. La temperatura del sustrato se mantiene constante usando un

circuito retroalimentador el cual controla la fuente de potencia del calentador. La
geometra de las boquillas del gas y el lquido determinan fuertemente el patrn o
molde del roco, el tamao de la distribucin de las gotas y la razn de roco, el cual a
su vez determina la cintica de crecimiento y por lo tanto la calidad de las pelculas
obtenidas. Otros importantes parmetros de control que afectan la calidad de las
pelculas son:
! Naturaleza y temperatura del sustrato.
! Composicin de la solucin.
! Razn de flujo del gas y solucin.
! Tiempo de depsito.
! Distancia entre boquilla y sustrato.
Figura 3.5 Sistema de

roco piroltico [57].
En general, las pelculas depositadas a temperaturas de sustrato menores a

300 C son amorfas por naturaleza, mientras que a temperaturas de sustrato ms altas,
se obtienen pelculas policristalinas. Para obtener pelculas con buena conductividad,
es esencial normalmente que se evite una oxidacin completa del metal. Esto
generalmente se logra agregando un agente reductor tal como propanol, alcohol
29
Captulo 3
Tcnicas de depsito
etlico o pirogalol. La descomposicin de estos materiales orgnicos llevan a la

reduccin de la pelcula de xido, creando vacantes aniones. Altas temperaturas de
sustrato incrementan la razn de depsito y favorecen la reduccin qumica (vacantes
aniones). El tipo y cantidad de material orgnico mezclado con los cloruros metlicos
iniciales determinan la cantidad de reduccin.
Una tcnica de roco modificada, que se utiliza para cubrir sustratos de gran
rea [58,59], se muestra en la Figura 3.6. Consiste de una placa caliente, la
temperatura puede ser estabilizada entre 200 y 650 C, y una plataforma X-Y permite
que el roco cubra la superficie de trabajo completa por medio de movimientos
sucesivos de la boquilla. La boquilla se mueve a tal rapidez que la temperatura
permanece constante (+ 2.5 C de variacin) sobre el sustrato y permite el depsito
homogneo de reas grandes (10cm x 10cm). Las razones del lquido y del flujo de
gas son controladas por medidores de flujo. Para cubrir grandes reas, la baja
eficiencia de depsito del roco piroltico tiene un efecto adverso en el costo del
material. Solamente una pequea fraccin de material suministrado es depositado en
el sustrato.
Figura 3.6
Sistema rociador para
aplicaciones de rea
grande [58].
El roco piroltico Corona, usa transporte electrofortico, mejora la

eficiencia a ms del 80% haciendo posible usar roco piroltico econmicamente. El
diagrama esquemtico de este proceso se muestra en la Figura 3.7. La atomizacin de
la solucin se logra con un transductor piezoelctrico, usando aire comprimido como
30
Captulo 3
Tcnicas de depsito
gas portador. Las gotas son cargadas en el campo elctrico entre los electrodos de
descarga y el sustrato y son transportadas al sustrato por fuerzas elctricas [60,61].
Figura 3.7.
Diagrama esquemtico de roco
piroltico corona [60].
3.3.2.1 Mtodo de roco piroltico en pelculas de In2O3

Pelculas conductoras transparentes de xido de indio se pueden depositar
rociando una solucin preparada. Esta se obtiene al disolver InCl3, InCl2 o acetonato
acetil de indio en un solvente tal como acetato butil, butanol, acetil acetona o agua
metanol. Las pelculas generalmente se preparan a temperaturas de sustrato en el
rango de 400-500 C. Groth [62] prepar pelculas In2O3 usando soluciones de InCl3
en acetato butil y en butano. Se observ que las pelculas son opacas si la reaccin
piroltica toma lugar en la capa de aire caliente arriba del sustrato. Raza y
colaboradores [63] prepararon pelculas delgadas de xido de indio usando un aerosol
que contiene una solucin atmica de InCl3 en acetato butil (293.3 g de InCl3:4H2O
disueltas en un litro de acetato butil). La solucin fue rociada sobre sustratos de vidrio
precalentado a una temperatura de alrededor de 500 C. El gas portador usado fue
aire y la razn de flujo del roco 30 cm3 / min. Pommier y colaboradores [58] usaron
una solucin de InCl3 disuelta en agua y metanol para crecer pelculas In2O3. Incluso
an cuando InCl3 se disuelve completamente en metanol, se agrega agua para
completar el proceso de hidrlisis. La composicin optimizada de la solucin para
producir mejores pelculas de calidad fue 4 g de InCl3 disuelto en 100 cm3 de
31
Captulo 3
Tcnicas de depsito
metanol. Un sistema de niebla [64] como se muestra en la Figura 3.8 tambin se ha

usado para crecer pelculas de xido de indio.
Figura 3.8 Diagrama esquemtico del

equipo para depsito con roco
qumico [64].
La ventaja principal de este sistema es que las pelculas pueden ser

depositadas a temperaturas relativamente ms bajas. Los sistemas de niebla, como se
muestran en la figura, pueden ser de diferentes tipos: (i) el flujo del gas portador
puede ser de muy bajo valor, de esta manera minimiza el efecto de enfriamiento en el
sustrato; y (ii) a una frecuencia de 1 MHz, el dimetro de la gotita es muy pequeo,
tpicamente en 2 y 8 micras. Con el sistema de niebla (que cuenta con estas
caractersticas) se obtienen pelculas de buena calidad y homogneas.
3.3.2.2 Mtodo de roco piroltico en pelculas de ITO

En el caso de pelculas de ITO depositadas con la tcnica de roco piroltico, el
dopado de estao se realiza agregando cloruro estnico hidratado en una solucin de
InCl3. La composicin tpica de la solucin [65] es InCl3:0.0817; H2O:0.4204; CH3CH2OH:0.4204; SnCl4:5H2O:0.0024;HCl:0.0751. La razn de flujo de gas es del
orden de 3 litros-min-1.
En la Figura 3.9 se puede observar que en pelculas depositadas sobre
sustratos de silicio la concentracin de estao es casi idntica a la de la solucin, sin
32
Captulo 3
Tcnicas de depsito
embargo, la concentracin de estao en pelculas depositadas sobre pirex es

significantemente mayor que en la solucin.
Figura 3.9.
Razn atmica de Sn/In en
las capas de In2O3:Sn vs
razn atmica de Sn/In en la
solucin [65].
Estudios SIMS sobre pelculas crecidas en vidrio borosilicato indican la

presencia de varios xidos adems de In2O3, tales como InSiO3, AlO, SiO3 y SiO2.
Los iones alcalinos y de silicio se acumulan en la interfase de la pelcula y el sustrato.
La temperatura del sustrato y el grosor afectan las propiedades estructurales de las
pelculas ITO notablemente. Pommier y colaboradores [58] y Saxena y colaboradores
[66] estudiaron las propiedades estructurales de pelculas In2O3:Sn como una funcin
del grosor y la temperatura del sustrato. Una solucin de 4g de InCl3 en 100 cm3 de
metanol en la cual se agreg estao en la forma de SnCl4, tal que la razn Sn/In fue
del orden del 2.5%, se us por Pommier y colaboradores [58] para depositar pelculas
In2O3:Sn. Saxena y colaboradores [66] tambin usaron una solucin con alcohol de
InCl3 con SnCl4 tal que la concentracin de estao fue de 10%. El rociado se hizo por
un perodo de 8 segundos, seguido por una pausa de 1 min. para evitar excesivo
enfriamiento de los sustratos calientes. Estudios de XRD y estudios de examen con
microscopio electrnico [58, 66] indican que el tamao de grano y por lo tanto la
cristalinidad de las pelculas mejoran con el incremento del grosor. Tpicamente las
pelculas delgadas (500 ) son amorfas por naturaleza mientras que pelculas mas
gruesas (4000 ) crecidas bajo condiciones similares son policristalinas [66].
Estudios XRD [58, 66-73] tambin revelan que un incremento en la temperatura del
sustrato mejora la cristalinidad significantemente. La Figura 3.10 muestra patrones
tpicos XRD para pelculas ITO crecidas en diferentes temperaturas de sustrato.
33
Captulo 3
Tcnicas de depsito
Figura 3.10. Patrones XRD para pelculas de ITO

depositadas con roco piroltico [70].
Kulaszewicz y colaboradores [67-69,71] reportaron que las constantes de red

incrementan linealmente con la temperatura de depsito. Estos resultados son
mostrados en la Figura 3.11 sobre el rango de temperatura de 823-973 K.
Figura 3.11. Dependencia de la

constantes de red de pelculas de
In2O3:Sn sobre la temperatura de roco
[71].
En las Tablas 3.1 y 3.2 se listan las propiedades de pelculas de In2O3 y de

ITO respectivamente, depositadas con diferentes tcnicas.
34
Captulo 3
Tcnicas de depsito
Tabla 3.1. Propiedades de pelculas de In2O3 depositadas con diferentes tcnicas

Proceso
CVD
CVD
Evaporacin
Evaporacin
reactiva
Evaporacin
reactiva
Evaporacin
reactiva
Temp. de
sustrato
(C)
Razn
( min-1)
Resistividad
(-cm)
Transmisin
(%)
Comentario
Referencia
450
~10-3
~85
[53]
-4
527
400
7980
-
9.3x10
4x10-4
89
>80
O2 = 5x10-5 Torr
[74]
[7]
350
400
3.2x10-3
96
Ar 15% O2
[1]
350
60
4x10-4
>80
O2 = 10-4 Torr
[6]
250
3x10-4
>90
O2 = 5x10-4 Torr
[8]
Evaporacin
reactiva
60
2.5x10-3
85
Evaporacin con
rayo electrnico
320-350
15-30
2x10-4
>90
300
3x10-3
80
O2 = 10-4 Torr
[10]
77
Sputteing en Ar
O2 = 2x10-4 Torr
amorfo
[22]
Evaporacin con
rayo electrnico
Sputtering
Sputtering con
rayo electrnico
1.3x10
60
5x10
-3
-4
Depositado sobre
una pelcula de
Indio de 10
In2O3+In
O2=0.5-2x10-4
Torr
90
[75]
[2]
[76]
Tabla 3.2. Propiedades de pelculas de ITO depositadas con diferentes tcnicas
Temperatura
de sustrato
(C)
2
CVD
350-450
1.5-1.8x10-4
90-95
CVD
Roco
Roco
Roco
Roco
Roco
Roco
Sputtering
Sputtering
Sputtering
450
400-500
400
450
677
420
450
460
800
1.8x10-4
1.3x10-1
2x10-4
2.6x10-2
10-4
3x10-3
2.2x10-4
1.17x10-4
1.8x10-4
1.2x10-4
90
84
92
86
82
90
88
95
95
>85
Sputtering
130
4x10-4
85
Sputtering
450
3x10-4
90
Sputtering
(ambiente)
5.46x10-4
>80
Proceso
Razn
(-min-1)
Resistividad
(-cm)
Transmisin
(%)
Comentario
Referencia
6
Recocido en
vaco a 400
C
Sn/In=0.031
Sn/In=0.025
Ultrasnico
10 wt% Sn
O2=5x10-5
Torr
O2=3-4x10-5
Torr
O2/H2O/Ar
7
55
53
77
58
66
69
70
78
24
43
45
38
40
33
35
Captulo 3
Tcnicas de depsito
Sputtering
(ambiente)
1.6x10-2
>70
Sputtering
(ambiente)
250
3x10-4
90
Sputtering
(ambiente)
3x10-4
>90
Sputtering
con
magnetrn
5x10-4
~90
Sputtering
con
magnetrn
300
1200
1.4x10-4
~87
100
5.5x10-4
>80
O2=2-3x10-5
Torr
79
450
3x10-4
>80
Vidrio
80
100
2x10-3
>80
300-350
660-1000
10-3
>85
81
Aplicaciones
en rea
grande
82
>80
83
Sputtering
con rayo de
iones
Sputtering
con rayo de
iones
Implantador
de iones
reactivo
Implantador
de iones
reactivo
Implantador
de iones
reactivo
Implantador
de iones
reactivo
Sol-gel
Sol-gel
400
/cuadro
resistencia
de capa
10 /cuadro
resistencia
de capa
6
O2=2.6x10-3
Torr recocido
en O2
Ar/O2=50/50
recocido en
vaco
Ar-50% O2
recocido en
vaco
Recocido en
10% H2-N2 a
485 C
O2=6x10-5
Torr
aplicaciones
en rea
grande
7
46
41
41
29
36
(ambiente)
(ambiente)
(ambiente)
500
5x10-3
80
16
500
4.23x10-4
90
84
10-2
~90
Temperatura
de cocido,
500 C
85
36
Captulo 3
Tcnicas de depsito
Referencias
[1]
Nath P y BunshahnRF 1980. Thin Solid Films Vol. 69 p. 63.
[2]
Pan CA and Ma TP, J Electron. Mater., 1981, Vol. 10 p. 43.
[3]
Pan CA and Ma TP, Appl Phys. Lett., 1981, Vol. 37 p. 163.
[4]
Lau WS and Fonash SJ, J. Electron. Mater., 1986, Vol. 15 p. 117.
[5]
Sundaram KB and Bhagawat GK, Phys. Status Solidi., 1981, Vol. a63 p. K15.
[6]
Laser D, Thin Solid Films., 1982, Vol. 90 p. 317.
[7]
Mizuhashi M, Thin Solid Films, 1980, Vol. 70 p. 91.
[8]
Golan A, Bregman J, Shapira Y and Eizenberg M, Appl. Phys. Lett., 1990, Vol. 57 p. 2205.
[9]
Muranaka S, Japan. J. Appl. Phys., 1991, Vol. 30 p. L2062.
[10]
Lee CH, Kuo CV and Lee CL, Thin Solid Films, 1989, Vol. 173 p. 59.
[11]
Christian KDJ and Shatynski SR, Thin Solid Films, 1983, Vol. 108 p. 319.
[12]
Noguchi S and Sakata H, J. Phys. D: Appl. Phys., Vol. 13 p. 1129.
[13]
Yao JL, Hao S and Wilkinson JS, Thin Solid Films, 1990, Vol. 189 p. 227.
[14]
Agnihotri SA, Saini KK, Saxena TK, Nagpal KC and Chandra S, J. Phys. D: Appl. Phys.,
1985, Vol. 18 p. 2087.
[15]
Smith JF, Aronson AJ, Chen D y Class WH, Thin Solid Films, 1980, Vol. 72 p. 469.
[16]
Howson RP y Ridge MI, Thin Solid Films, 1981, Vol. 77 p. 119.
[17]
Howson RP, Avaritsiotis JN, Ridge MI y Bishop CA, Thin Solid Films, 1979, Vol. 58 p. 379.
[18]
Kagenovich KB, Ovsjannikov VD an Svevhnikov SV, Thin Solid Films, 1979, Vol. 60 p. 335.
[19]
Wickersham CE and greene J, Phys. Status Solidi, 1978, Vol. a47 p. 329.
[20]
Morris JE Bishop CA, Ridge MI and Howson RP, Thin Solid Films, 1979, Vol. 62 p. 19.
[21]
Howson RP, Avaritsiotis JN, Ridge MI and Bishop CA, Appl. Phys. Lett., 1979, Vol. 35 p.
163.
[22]
Frasaer DB and Cook HD, J. Electrochem. Soc., 1972, Vol. 119 p. 1368.
[23]
Mukherjee A, Vacuum, 1989, Vol. 39 p. 537.
[24]
Bawa SS. Sharma, SS, Agnihotri SA, Biradar AN and Chandra S, Proc. SPIE, 1983, Vol. 428
p. 22.
[25]
Sczyrbowski J. Dietrich A and Hoffmann, Phys. Status solidi 1982, Vol. a69 p. 217.
[26]
Itoyama K, Japan. J. Appl. Phys., 1978, Vol.17 p. 1191.
[27]
Jachimowski M. Brudnik A and Czternastex H, J. Phys. D: appl. Phys., 1985, Vol. 18 p.

L145.
[28]
Fujinaka M and Berezin AA, Thin Solid Films, 1983, Vol. 101 p. 10.
[29]
Theuwissen AJ and Declerck GJ, Thin Solid Films, 1984, Vol. 121 p. 109.
[30]
Kawada A, Thin Solid Films, 1990, Vol. 191 p. 297.
37
Captulo 3
Tcnicas de depsito
[31]
Larsson T, Blom HO, Nender C and Berg S, J. Vac. Sci. Technol., 1988, Vol. A6 p. 1832.
[32]
Naseem S and Coutts TJ, Thin Solid Films, 1986, Vol. 138 p. 65.
[33]
Ishibashi S, Higuchi Y, Ota Y and Nakamura K, J. Vac. Sci. Technol., 1990, Vol. A8 p. 1399.
[34]
Harding GL and Window B, Solar Energy Mater., 1990, Vol. 20 p. 367.
[35]
Shigesato Y, Hayashi Y, Masui A and Haranoh T, Japan. J. Appl. Phys., 1991, Vol. 30 p. 814.
[36]
Latz R, Michael K and Scherer M, Japan. J. Appl. Phys., 1991, Vol. 30 p. L149.
[37]
Shigesato Y, Takaki S and Haranoh T, J. Appl. Phys., 1992, Vol. 71 p. 3356.
[38]
Buchanan M, Webb JB and Williams DF, Thin Solid Films, 1981, Vol. 80 p. 373.
[39]
Echigoya J, Kato S and Enoki H, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 1992, Vol. 3 p. 168.
[40]
Fan JCC, Bachner FJ and Poley GH, Appl. Phys. Lett., 1977, Vol. 31 p. 773.
[41]
Tueta R and Braguier M, Thin Solid Films, 1981, Vol. 80 p. 143.
[42]
Dutta J and Ray S, Thin Solid Films, 1988, Vol. 162 p. 119.
[43]
Ray S, Dutta J and Barua AK, Thin Solid Films, 1991, Vol. 199 p. 201.
[44]
Sberveglieri G, Benussi P, Coccoli G, Groppelli S and Nelli P, Thin Solid Films, 1990, Vol.
186 p. 349.
[45]
Ishibashi S, Higuchi Y, Ota Y and Nakamura K, J. Sci. Technol., 1990, Vol. A8 p. 1403.
[46]
Hoheisel M, Heller S, Mrotzek C and Mitwalsky A, Solid State Commun., 1990, Vol. 76 p.1.
[47]
Heoffroy C, Campet G, Portier J, Salardenne J, Couturier G, Bourrel M, Chabagno JM, Ferry

D and Quet C, Thin Solid Films, 1991, Vol. 202 p. 77.
[48]
Howson RP and Jafar HA, J. Vac. Sci. Technol., 1992, Vol. A10 p. 1784.
[49]
Martnez MA, Herrero J and Gutirrez MT, Solar Energy Mater. Solar Cells, 1992, Vol. 26
p.309.
[50]
Zhang HW and Xu WY, Vacuum, 1992, Vol. 43 p.835.
[51]
Karasawa T and Miyata Y, Thin Solid Films, 1993, Vol. 223 p. 135.
[52]
Arfsten NJ, J. Non-cryst. Solids, 1984, Vol. 63 p. 243.
[53]
Maruyama T and Fakui K, J. Appl. Phys., 1991, Vol. 70 p. 3848.
[54]
Sundaram KB y Bhagavat GK, Thin Solid Films, 1981, Vol. 78 p. 35.
[56]
Maruyama T and Fukui K, Thin Solid Films, 1991, Vol. 203 p. 297.
[57]
MooneyJB y Reading SB, Ann. Rev. Mater. Sci., 1982, Vol. 12 p. 81.
[58]
Pommier R, Gril C y Maruchhi J, Thin Solid Films, 1981, Vol. 77 p. 91.
[59]
Grosse P, Schmitte FJ, Frank G y Kostlin H, Thin Solid Films, 1982, Vol. 90 p. 309.
[60]
Siefert W, Thin Solid Films, 1984, Vol. 121 p. 275.
[61]
[62]
Groth R, Phys. Status Solid, 1966, Vol. 14 p. 69.
[63]
Raza A. Agnihotri OP and Gupta BK, J. Phys. D: Appl. Phys., 1977, Vol. 10 p. 1871.
[64]
Viguie JC and Spitz J, J. Electrochem. Soc., 1975, Vol. 122 p. 585.
38
Captulo 3
[65]
Tcnicas de depsito
Manifacier JC, Szepessy L, Bresse JP, Perotin M y Stuck R, Mater. Res. Bull., 1979, Vol. 14
p. 109, 163.
[66]
Saxena AK, Singh SP, Thangaraj R and Agnihotri OP, Thin Solid Films, 1984, Vol. 117 p. 95.
[67]
Kulaszewicz S, Lasocka I and Michalski Cz, Thin Solid Films, 1978, Vol. 55 p. 283.
[68]
[69]
Kulaszewicz S, Jarmoc W and Turowska K, Thin Solid Films, 1984, Vol. 112 p. 313.
[70]
Vasu V and Subrahmanyam A, Thin Solid Films, 1990, Vol. 193/194 p. 696.
[71]
[72]
Haitjema H and Elich JJP, Thin Solid Films, 1991, Vol. 205 p. 93.
[73]
Mirzapour S, Rozati SM, Takwale MG, Marathe BR and Bhide VG, Mater. Lett., 1992, Vol.
13 p. 275.
[74]
B Mayer, Thin solid films, 1992, Vol. 221 p. 166.
[75]
Muranaka S, Thin Solid Films, 1992, Vol. 221 p. 1.
[76]
Bellingham JR. Phillips WA and Adkins CJ, Thin Solid Films, 1991, Vol. 195 p. 23.
[77]
Demichellis F, Mezzetti EM, Smurro V, Tagliaferro A y Terso E, J. Appl. Phys., 1985, Vol.
18 p. 1825.
[78]
Blandenet G, Court M y Lagarde Y, Thin Solid Films, 1981, Vol. 77 p. 81.
[79]
Fan JCC, Appl. Phys. Lett., 1979, Vol. 34 p. 515.
[80]
Fan JCC, Thin Solid Films., 1981, Vol. 80 p. 125.
[81]
Machet J, Guille J, Saulnier P y Roberts, Thin Solid Films., 1981, Vol. 80 p. 149.
[82]
Ridge MI, Stentake M, Howson RP y Bishop CA, Thin Solid Films, 1981, Vol. 80 p. 31.
[83]
Howson RP, Ridge MI y Bishop CA, Thin Solid Films, 1981, Vol. 80 p. 137.
[84]
Maruyama T y Kojima A, Japan J. Appl. Phys., 1988, Vol. 27 p. L1829.
[85]
Mattox DM, Thin Solid Films, 1991, Vol. 204 p. 25.
39
Captulo 4
Captulo 4
Tcnicas de medicin de los parmetros de las pelculas
conductoras
4.1 Introduccin
Debido al desarrollo notable de las aplicaciones de las pelculas conductoras,
sus propiedades morfolgicas, estructurales, elctricas y pticas son de gran inters,
por lo cual es necesario hacer un anlisis cuidadoso de ellas. Algunas veces las
propiedades de las pelculas son sensibles a algunos factores de los instrumentos de
medicin, de aqu que sea importante que se especifique bajo que condiciones se
realizaron tales mediciones.
A continuacin se describe el principio bsico de las tcnicas y el
funcionamiento de los equipos usados para la caracterizacin de las pelculas que se
fabricaron.
4.2 Tcnica de medicin de grosor de pelculas conductoras usando el

perfilmetro de superficie Alpha Step
El Alpha Step es una poderosa herramienta, fcil de operar, este
equipo mide la topografa de la superficie, examinando mecnicamente la oblea
mientras est en contacto con un tipo de aguja. Realiza un anlisis de la superficie de
la muestra, desplegando en la pantalla la altura del perfil promedio, la diferencia entre
el mximo y mnimo de la altura del perfil promedio, la rugosidad promedio y el rea
de seccin transversal. Esto requiere de un escaln en el xido; el cual tpicamente se
realiza con una mscara seguido de un grabado para obtener un escaln semejante al
grosor de xido. Esta tcnica tiene la ventaja de que no hace suposiciones, ya que
parte del xido tiene que ser grabado para determinar el grosor. La prueba es
destructiva y generalmente requiere el uso de un piloto especfico.
40
Captulo 4
El equipo proporciona resultados a travs de la pantalla, la cual muestra la

grfica del perfil de superficie obtenida del microscopio, la pantalla puede realizar un
auto-rango para proveer la mxima amplificacin sin perder caractersticas del perfil.
Los rangos de las mediciones pueden ser de dos modos en kiloangstrom y en micras,
la resolucin del equipo es de 2 .
Los datos obtenidos durante el barrido permanecern almacenados en la
memoria del instrumento hasta no ser apagado o iniciado otro barrido. Cuando el
perfil se grafica despus de un barrido, un programa de nivelado alinea el trazo a los
dos ejes para facilitar medidas precisas.
4.3 Mtodos de caracterizacin de estructura y morfologa de las

El progreso en la microscopa electrnica represent una de las condiciones
para el desarrollo de la fsica y tecnologa de las pelculas conductoras. El uso de
estos equipos hacen posible que se observen las propiedades de cuerpo y estructura de
la superficie las pelculas delgadas. Combinando varias tcnicas de observacin por
microscopio electrnico, se puede obtener una informacin completa sobre una
pelcula dada, especialmente en combinacin con mtodos de difraccin electrnica.
4.3.1 Difraccin de Rayos X (DRX)

Esta tcnica proporciona informacin sobre la estructura atmica de una red
cristalina y permite hallar la posicin de los tomos, por lo que es posible encontrar
su estructura molar. La difraccin de Rayos X, ocurre cuando una radiacin
electromagntica interacta con una estructura peridica de un slido cuya distacia
interatmica es cercana o igual que la logitud de onda de radiacin.
La DRX es una tcnica no destructiva utilizada para estudiar materiales
cristalinos y policristalinos. En esta tcnica se incide un haz de rayos X (RX)
monocromtico sobre una muestra y se detecta la onda de dispersin total. Si el haz
de RX monocromtico incide sobre un tomo, ste dispersa la radiacin interfiriendo
41
Captulo 4
de manera constructiva o destructiva con la radiacin proveniente de los tomos

circundantes, como se observa en la Figura 4.1. Si se considera un cristal perfecto y
un haz monocromtico, se origina una dispersin de lnea intensa. Las condiciones de
mxima difraccin estn descritas por la ley de Bragg, que considera la diferencia de
trayectoria que recorren dos haces que interfieren constructivamente como 2d sin ,
donde es el ngulo de incidencia, d es la distancia interplanar, es la longitud de
onda de los RX y n es el orden de difraccin.
2d sin = n .
(4.1)
Figura 4.1 (a) Rayos reflejados de

los planos paralelos de los tomos
interfiriendo constructivamente y
(b) Derivacin de la Ley de Bragg.
Como las condiciones ideales no se presentan, se deben considerar los factores

que nos alejan de la idealidad para aprovechar los resultados obtenidos. Por ejemplo,
cuando se tienen cristales pequeos (< 0.1 m) se presenta un ensanchamiento de la
seal y el ancho del pico a la mitad de su mxima intensidad es una medida del
tamao del cristal. Esto se debe a que una mayor cantidad de planos paralelos
contribuyen a una interferencia destructiva en planos que no cumplen la ley de Bragg,
dando como resultado un pico de Bragg ms ancho, como lo describe la funcin de
Scherrer:
42
Captulo 4
l=
0.9
.
cos
(4.2)
Donde l es el tamao de grano.

La difraccin de rayos X se usa donde se requieren resultados precisos, los
RX logran una penetracin ms profunda en el espesor de la muestra.
4.3.2 Microscopio atmico (AFM)

El microscopio de fuerza atmica barre la superficie de la muestra utilizando
una micropunta que permite observar con muy buena ampliacin y en forma
tridimensional la topografa de la superficie. Sus principales caractersticas son:
-
Fcil observacin con gran amplificacin.
Observacin directa de muestras no conductoras.
Medicin precisa en direccin Z (altura).
Se pueden lograr imgenes topogrficas de la superficie de las muestras, con

ampliaciones a partir de miles de veces, hasta millones de veces. El principio bsico
de funcionamiento se muestra en la Figura 4.2. En el AFM se detecta una fuerza entre
el sensor y la muestra.
Figura 4.2.
microscopio
atmica [1].
Principio del
de
fuerza
43
Captulo 4
Se realiza un control preciso del barrido en las tres direcciones (X, Y y Z), a
travs de un sistema piezoelctrico. Normalmente, el sistema piezoelctrico desplaza
la muestra en el plano X y Y, utilizando un mtodo previamente programado, siendo
que la superficie de la muestra es trazada por la distancia del sensor con relacin a la
muestra, registrndose segn la interaccin antes descrita. La seal generada por el
eje Z durante el anlisis es enviada a una computadora y corresponde a cada punto de
los ejes X y Y.
Esta combinacin genera una imagen topogrfica (tridimensional) de la
superficie de la muestra.
4.3.3 Microscopio electrnico de barrido (SEM)

La imagen entregada por el SEM se genera por la interaccin de un haz de
electrones que "barre" un rea determinada sobre la superficie de la muestra. La
trayectoria del haz pasa por una serie de lentes electromagnticos que lo magnifican y
focalizan.
El bombardeo de electrones sobre la muestra produce varias formas
simultneas de radiacin, entre ellas, la emisin de electrones secundarios. La
deteccin de esa seal en un gran nmero de puntos sobre el rea barrida (mediante
procesamiento electrnico) genera la imagen que se visualiza en una pantalla de TV o
es fotografiada mediante una cmara.
El principio del microscopio electrnico de barrido se basa en un anlisis
peridico de la superficie por medio de un haz enfocado y barrido con la ayuda de un
rastreador similar a los de televisin. La imagen tiene que ser mostrada en una
pantalla. Una ilustracin esquemtica est dada en la figura 4.3. Un haz de electrones
emitidos desde un can electrnico es enfocado por tres lentes electrnicas. Entre la
segunda y tercera lente, el haz es peridicamente desviado por un sistema de bobinas
de deflexin, as que se mueve sobre la superficie bajo inspeccin. Cuando el haz
choca sobre la superficie, electrones secundarios son emitidos, los cuales son
extrados por un campo elctrico al colector K. La intensidad de corriente registrada
por el colector est determinada en cada instante por las propiedades de emisin del
44
Captulo 4
rea bajo anlisis. La seal es usualmente magnificada por un multiplicador

electrnico y amplificador conectados en serie. La seal determina el brillo del punto
en la pantalla del tubo de rayos catdicos cuyo rastreador est sincronizado con el del
microscopio. En la pantalla del tubo se forma una imagen de la superficie de la
muestra la cual corresponde sustancialmente a la distribucin del coeficiente de
emisin secundaria y la forma geomtrica de la superficie, la cual a su vez modifica
la forma del campo elctrico cercano a la superficie. El contraste puede ser afectado
por micro-campos elctricos o magnticos.
Figura 4.3. Esquema de un microscopio

electrnico de barrido [2].
A mayor densidad de corriente del haz y ms corto tiempo de prueba (es decir, el
tiempo durante el cual el haz es enfocado sobre un punto dado), se puede observar
con mejor detalle.
4.4 Caracterizacin de propiedades elctricas de las pelculas

conductoras
4.4.1 Obtencin de resistividad por el mtodo de cuatro puntas
El mtodo de cuatro puntas es ampliamente utilizado para obtener la
resistividad de una oblea de silicio. Consiste bsicamente en dos puntas de prueba
para inyectar corriente a la muestra, y utilizar otras dos puntas para medir la cada de
potencial. Existe el problema de la resistencia de contacto entre las puntas y la oblea,
45
Captulo 4
pero este es despreciable debido a que en las puntas de prueba que sensan el voltaje
no fluye corriente, debido a su alta resistencia de entrada.
Si se considera que la muestra tiene una geometra fcil de determinar y las
dimensiones de la oblea son mucho ms grandes, comparadas con el espaciamiento
entre las puntas de prueba (ver Figura 4.4), entonces el potencial medido a una
distancia r cuando circula una corriente I en un material de resistividad es :
V=
I
.
2 r
(4.3)
Si consideramos la configuracin de la figura 4.4, esta ecuacin se reduce a :
= 2 s
V
.
I
(4.4)
Donde tiene unidades de -cm, I es la corriente entre las puntas externas y

V es el potencial medido entre las puntas centrales. Se acostumbra tomar un valor de s
(distancia entre puntas) entre 0.5 y 1.5 mm. Una aproximacin para calcular la
resistencia superficial (/cuadro) se indica en la siguiente ecuacin:
Rs =
V
=
= 4.532
x j ln(s ) I
I
(4.5)
I
V
s
s
t
Figura 4.4. Diagrama de la

tcnica de cuatro puntas .
46
Captulo 4
4.4.2 Mtodo de van der Pauw para determinar la resistividad de las

En la tcnica de medicin de cuatro puntas se supone que la muestra del
material tiene una forma geomtrica fcil de determinar. Existe una tcnica de
medicin de resistividad ms general que permite mediciones en muestras de forma
arbitraria, sin necesidad de medir todas las dimensiones fsicas de la muestra. Esta es
la tcnica Van der Pauw. Existen cuatro condiciones que tienen que ser satisfechas
para usarla:
1.- La muestra tiene que tener una forma plana de grosor uniforme.
2.- La muestra no debe tener algunos huecos aislados.
3.- La muestra tiene que ser homognea e isotrpica.
4.- Los cuatro contactos tienen que estar localizados en los bordes de la muestra.
Adems de estas cuatro condiciones, el rea de contacto debe ser al menos un
orden de magnitud ms pequea que el rea de la muestra completa. Para muestras
pequeas, esta tcnica no es posible o prctica. An si no se cuenta con contactos lo
suficientemente pequeos, es posible hacer mediciones de resistividad Van der Pauw
precisas, siempre y cuando se usen factores de correccin geomtricos para
considerar la medida finita de los contactos.
Las ventajas que presenta la tcnica Van der Pauw se listan a continuacin:
1. Permite medir muestras de forma arbitraria.
2. No es necesario medir las dimensiones de la muestra, para hallar su
resistividad.
3. La resistividad no depende de la distancia entre las puntas como en el mtodo
de cuatro puntas.
4. Es ms pequea el rea requerida para la medicin que la usada en el mtodo
de cuatro puntas.
5. Esta tcnica es til cuando se presentan problemas de regin carga espacial,
rectificacin de contactos y resistividad de volumen.
6. Por medio de geometras de contacto diferentes se puede reducir la corriente
superficial.
47
Captulo 4
La Figura 4.5 ilustra una posible geometra de medicin de muestra. El procedimiento

para hacer una medicin Van der Pauw es como sigue:
4
-
I12
V34
+
3
Figura 4.5. Forma arbitraria para contactos.
Se considera una muestra plana de un material conductivo de forma arbitraria,

con contactos 1, 2, 3, y 4 a lo largo de la periferia como se muestra en la Figura 4.5,
para satisfacer las condiciones discutidas. La resistencia R12,34 est definida como:
R12,34 =
V34
I 12
(4.6)
donde la corriente I12 entra a la muestra a travs del contacto 1 y sale a travs del
contacto 2 y V34=V3-V4 es la diferencia de voltaje a travs de los contactos 3 y 4;
R23,41 se define de manera similar. La resistividad est dada por:
t (R12,34 + R 23, 41 )
F
ln (2 )
2
(4.7)
donde F es una funcin slo de la razn Rr=R12,34/R23,41, que satisface la relacin:

Rr 1
F
exp[ln (2) / F ]
=
arc cosh
2
Rr + 1 ln (2)
(4.8)
para una muestra simtrica tal como un crculo o un cuadrado Rr=1 y F=1. La
ecuacin anterior se reduce a:
tR12,34
= 4.532tR12,34
ln (2)
(4.9)
la resistencia de capa est dada por:

Rs =
R12,34
= 4.532 R12,34
ln (2)
(4.10)
48
Captulo 4
El error debido a contactos no ideales se puede eliminar si se usa la

configuracin hoja de trbol Figura 4.6(b). Una de las ventajas de la estructura Van
der Pauw
es que el tamao de la muestra es pequeo comparado con el rea
requerida para mediciones de la tcnica de cuatro puntas. Por lo tanto la estructura

Van der Pauw es preferida para usar en tecnologa de circuitos integrados. Para un
proceso simple es preferible usar las formas geomtricas usadas en la Figura 4.6, para
tales estructuras no siempre es posible alinear los contactos exactamente. Los lugares
de mejor contacto para muestras cuadradas es a la mitad de las orillas que en las
esquinas como se muestra en la Figura 4.6(c).
Figura 4.6. Formas geomtricas tpicas, (a)

Circular, (b) Hoja de trbol y (c) Cuadrada.
4.4.3 Efecto Hall usando la tcnica de van der Pauw para la

obtencin de movilidad y concentracin de portadores
1. Primero se mide la resistencia de hoja Rs (/cuadro), el cual se obtiene por el
mtodo de 4 puntas; y de la ecuacin 4.5 obtenemos la resistividad (-cm).
= Rs t
(4.11)
donde t es el grosor de la pelcula.

2. El esquema que describe la tcnica de Van der Pauw-Hall donde se usa la
geometra ms general se muestra en la Figura 4.7. El fundamento terico de
la medicin Hall para muestras de forma irregular se basa en el desarrollo de
la tcnica Van der Pauw.
49
Captulo 4
En el caso de la Figura 4.7(a) la corriente entra en 2 y sale en 4, se mide el voltaje

entre 1 y 3. La resistencia R24,13 est definida como (V1-V3)/I24. En el caso de la
Figura 4.7(b) la corriente entra en 1, sale de 3 y se mide el voltaje entre 4 y 2 . Estas
mediciones se repiten aplicando un campo magntico perpendicular al plano de la
muestra, como se muestra en las Figuras 4.7(c) y 4.7(d).
La movilidad Hall est dada por:
(R
24,13
+ R13, 42 ) t
2
B
(4.12)
donde R24,13 y R13,42 son los cambios en R24,13 y R13,42 respectivamente, con el
campo magntico B aplicado. La resistividad se determina por la tcnica de cuatro
puntas, el campo magntico B es conocido.
+
V13
I24
_
3
I13
3
V42
2 _
V13
I24
(c)
2 _
(b)
(a)
_
3
I13
3
V42
(d)
Figura 4.7 Obtencin de: (a) R24,13 sin campo magntico B, (b) R13,42 sin campo
magntico B, (c) R24,13 con campo magntico B y (d) R13,42 con campo magntico B.
Debe advertirse que la movilidad Hall no es idntica a la movilidad.
50
Captulo 4
H = r p
H = r n
(4.13)
Para semiconductores extrnsecos tipo p y tipo n, respectivamente. La movilidad Hall

puede diferir significativamente de la movilidad ya que r (factor de dispersin Hall, el
cual se debe al tipo mecanismos de dispersin, est en funcin del campo magntico
y la temperatura) es generalmente ms grande que la unidad. Para muchas
movilidades determinadas con el efecto Hall, r se toma como la unidad, pero esta
suposicin se debe especificar cuidadosamente.
3. Para determinar la concentracin de portadores se realizan las siguientes
sustituciones:
La movilidad Hall es igual a la siguiente ecuacin
H =
donde
RH =
1
qp
RH
= RH
RH =
1
qn
(4.14)
(4.15)
sustituyendo la ecuacin (4.15) en la ecuacin (4.14), se tiene:
H =
1
qp
H =
1
qn
(4.16)
despejando la concentracin de portadores en la ecuacin (4.16)

p=
1
q H
n=
1
q H
(4.17)
Cabe mencionar que r se est igualando a la unidad, por lo que no se estn

considerando los mecanismos de dispersin.
51
Captulo 4
4.5 Caracterizacin de propiedades pticas de los TCOs

4.5.1 Espectrofotmetro
La operacin de un espectrofotmetro consiste bsicamente en iluminar la
muestra con una luz policromtica procedente de una fuente que se enfoca en la
abertura de un monocromador, el cual transmite selectivamente una banda de luz
estrecha. Esta luz pasa a travs de la muestra al detector, Figura 4.8. La transmitancia
de la muestra se determina midiendo la intensidad de luz que alcanza el detector sin la
muestra (vaco) y comparando con la intensidad de luz que alcanza el detector
despus de que pasa a travs de la muestra. Tpicamente se miden datos para 31
intervalos de longitud de onda centrados a 400 nm, 410 nm, 420nm, ..., 700nm. La
transmitancia de la muestra se expresa entre 0 y 1 (como una fraccin) o entre 0 y 100
(como un porcentaje). Es importante comprender que los valores de transmitancia
obtenidos son valores relativos y, para muestras no fluorescentes, son independientes
de la calidad y cantidad de luz usada para iluminar la muestra.
Figura 4.8. Diagrama ptico del espectrofotmetro
52
Captulo 4
Referencias bibliogrficas
[1]
www.che.utoledo.edu/nadarajah/webpages/whatsafm.html.
[2]
Eckertov Ludmila, Physics of Thin Films, Plenum Press, 1977, p. 130.
[3]
Schroder Dieter K., Semiconductor Material and Device Characterizacin, John Wiley and
sons, inc., 1998.
53
Captulo 5
Depsito y caracterizacin de pelculas de ITO
Captulo 5
Depsito y caracterizacin de las pelculas de xido de indio
dopadas con estao
5.1 Introduccin
En este captulo se describe el montaje del equipo utilizado para el depsito
(tcnica de roco piroltico), el proceso de depsito de las pelculas de In2O3 y de ITO,
condiciones bajo las cuales se realiz el depsito y las caractersticas de operacin
del equipo usado para la caracterizacin de las pelculas.
5.2 Desarrollo del equipo para el mtodo de roco piroltico

Debido que para el mtodo de roco piroltico no se cuenta con el equipo
disponible, se trabaj con un sistema montado que utiliza una configuracin sencilla,
el cual se muestra en la Figura 5.1; ste consta de los siguientes elementos:
1. Solucin para el depsito: In2O3:Sn.
2. Gas de arrastre N2.
3. Boquilla para la circulacin de la solucin.
4. Boquilla para la circulacin del gas de arrastre.
5. Sensor de temperatura.
6. Parrilla para mantener al sustrato a la temperatura deseada.
7. Vlvula para el control de rociado.
El sistema en conjunto permite obtener un rociado uniforme sobre nuestros
sustratos. Los puntos de importancia de la solucin a depositar y del sistema de
depsito para tener buenos resultados son los siguientes:
a.- Concentracin de la solucin. Para disolver la sal metlica se suele emplear
alcohol como solvente, el cual puede evaporarse ms fcilmente antes de llegar al
sustrato caliente. Se recomienda el empleo de sales altamente solubles, ya que con
ello se pueden obtener soluciones ms homogneas, y as favorecer un crecimiento
ms uniforme de la pelcula. Razones de crecimiento demasiado lentas propician la
54
Captulo 5
reaccin en fase homognea de la fase vapor dando como consecuencia pelculas con
aspecto granulado; as como razones de crecimiento demasiado rpidas afectan la
cintica de crecimiento y provoca que las pelculas no sean compactas, esto es, se
obtienen pelculas de carcter amorfo.
b.- Impurificante. La adicin de otros elementos a la solucin inicial hace que las
propiedades de las pelculas se vean fuertemente afectadas. La facilidad de agregar
impurificantes a travs de la solucin es una de las caractersticas importantes del
roco piroltico. Las solubilidad del impurificante es un factor que asegura una
distribucin uniforme del mismo en la pelcula que se deposita.
4
3
1
7
2
Figura 5.1. Esquema del sistema usado para el depsito de

pelculas de In2O3 e In2O3:Sn (ITO).
c.- Temperatura del sustrato. Este es un factor importante ya que es la fuente de

activacin de la reaccin de pirlisis. Se debe garantizar una temperatura cuya
magnitud sea conocida a fin de tener un control sobre las propiedades fsicas de las
pelculas. La transferencia de calor es un factor que se puede maximizar empleando
como calefactor un bao de metal fundido, como por ejemplo, estao.
d.- Velocidad del flujo del gas de arrastre y de la solucin a rociar. La influencia de
esta variable es decisiva en el resultado final ya que, si las velocidades son bajas se
favorece la formacin del xido antes de que lleguen los reactantes al sustrato
(reaccin en la fase homognea), dando como consecuencia pelculas con aspecto
55
Captulo 5
granuloso, en tanto que, si las velocidades son altas el sustrato se enfra

disminuyendo la energa disponible para la reaccin qumica, teniendo as una
formacin incompleta del xido, o la obtencin de pelculas de carcter amorfo.
e.- Geometra del sistema. Este incluye el diseo del sistema de roco, as como la
separacin boquilla-sustrato. Para la boquilla de roco puede emplearse un diseo en
vidrio de cuarzo, que garantiza la ausencia de impurezas al transportar la solucin
hacia el sustrato [1]. La separacin entre el sustrato y la boquilla determina las
condiciones para que la reaccin se efecte en la fase de vapor ptima, de modo que
se obtengan pelculas uniformes.
5.3 Preparacin de precursores para el depsito de las pelculas ITO

La solucin base fue preparada disolviendo 13.5g de tricloruro de indio
(InCl3) en 170ml de una mezcla de alcohol-etlico:agua en proporcin 1:1 y 5 ml de
cido clorhdrico (HCl). Para realizar el anlisis de las pelculas en funcin del
cambio del porcentaje atmico de Sn/In se prepararon pelculas con distintas
cantidades de cloruro de estao pentahidratado (SnCl4+5H2O) como impurificante.
En la Tabla 5.1 se muestran las especificaciones de los precursores usados. La
solucin obtenida se fraccion en 7 partes a las cuales se les adicion en forma
separada el impurificante a diferentes porcentajes de razn atmica de Sn/In. En la
Tabla 5.2 se muestran las cantidades de Sn utilizada para cada muestra. La
concentracin total de la solucin inicial utilizada fue de 0.35 Molar de InCl3.
Tabla 5.1. Especificaciones de los precursores
Precursores
Pureza
Cloruro
de
estao
99.4%
pentahidratado.
Peso frmula (FW)
mg
mmol
mg
221.18
mmol
350.58
Fabricante
Aldrich Chemical
Company Inc.
Aldrich Chemical
Company Inc.
Tricloruro de indio
99.9%
Alcohol etlico
Absoluto anhidro
98 %
J. T. Baker
cido clorhdrico
36.5-38%
concentrado
J. T. Baker
56
Captulo 5
Las pelculas delgadas de ITO fueron depositadas sobre substratos de vidrio

(soda calcio), silicio y zafiro. Durante el depsito, el sustrato se mantuvo a una
temperatura de 480 C, debido a que la temperatura ptima en el mtodo de roco
est en el rango de 450 a 500 C [2].
Se prepararon 7 muestras de 25ml de In2O3 cada una y con diferente dopado
de estao. Los porcentajes de razn atmica de Sn/In que se usaron fueron: 0%, 2%,
3%, 5%, 7%, 9% y 11%.
Tabla 5.2. Cantidad de estao para el dopado de las pelculas
Sn/In
0.0
0.02
0.03
0.05
0.07
0.09
0.11
Sn (mg)
61.2
92.0
153.3
214.7
276.0
337.4
+ 0.16
+ 0.10
+ 0.06
+ 0.04
+ 0.03
+ 0.029
Error aprox.
de dopado1
(%)
5.4 Depsito de las pelculas de ITO

La tcnica consiste en rociar sobre un sustrato caliente una solucin de una sal
que contiene el metal que se desea depositar. El modo de descomposicin de la sal
depende de la temperatura del sustrato y de las caractersticas del sistema de roco.
Para obtener una pelcula adherente sobre la superficie que se va a recubrir se
requiere que, antes de que las gotas lleguen al sustrato el solvente se evapore y la sal
se funda y vaporice (o se sublime), de manera que se obtenga un vapor sobre la
superficie del sustrato, a partir del cual se difundan las especies reaccionantes hacia el
sustrato, en la superficie del cual se producir entonces una reaccin en fase
heterognea (obtencin de un compuesto adherido a la superficie de un sustrato).
Cualquier otro esquema de descomposicin produce una reaccin en fase homognea,
produciendo un depsito polvoriento sobre el sustrato. La reaccin qumica va
acompaada de otros productos, usualmente voltiles, que se forman en la fase de
vapor. En este caso el sustrato proporciona la energa necesaria para la
1
Error debido a la resolucin de la bscula que es de 0.1 mg.
57
Captulo 5
descomposicin trmica y la recombinacin posterior de las especies qumicas

constituyentes, seguido por el sinterizado y recristalizacin de los aglomerados.
El crecimiento de una pelcula delgada est constituido por la formacin de
ncleos y su condensacin sobre la superficie del sustrato. Se forman islas donde el
crecimiento es tridimensional. Estas islas se desarrollan hasta que se unen con sus
vecinas. El crecimiento posterior de la pelcula depende del punto de fusin del
material y de la temperatura de depsito. Para fines prcticos es suficiente decir que
el crecimiento toma lugar a partir de puntos de nucleacin tanto en la direccin lateral
como perpendicular a la pelcula. El nmero y tamao de granos estn determinados
principalmente por la densidad de los centros de nucleacin y los procesos de
sinterizado y recristalizacin. El crecimiento en direccin perpendicular se lleva a
cabo en una forma columnar.
El procedimiento del depsito fue el siguiente:
-
Antes del depsito se limpiaron los sustratos con agua desionizada y acetona
para eliminar la grasa, en el caso de las obleas de silicio se realiz RCA I y II.
Se activ el equipo para el sensado de la temperatura, se espera a que la

parrilla alcance la temperatura deseada y que el sistema de extraccin de gases
est en condiciones de operacin.
El substrato se ubic a una distancia de aproximadamente 25 cm de la

boquilla del sistema de roco.
Se mantuvo la presin de gas de arrastre (Nitrgeno grado industrial) a 1.4

Kg/cm2.
Se realiz el depsito de pelculas de ITO con los diferentes dopados de

estao.
Se usaron sustratos de silicio para determinar el espesor de la pelcula,

sustratos de zafiro para determinar la banda prohibida ptica y sustratos de
vidrio para medir la transparencia ptica.
Se utiliz un tiempo de roco de aproximadamente 2 segundos y sin roco de 5

segundos para evitar el enfriamiento de los sustratos.
58
Captulo 5
5.5 Caracterizacin de las pelculas de In2O3 e ITO

La caracterizacin de las pelculas se realiz de la siguiente manera:
El espesor de las pelculas se determin con el equipo Alpha Step 200. Las
propiedades morfolgicas se determinaron por medio de un microscopio electrnico
de barrido (SEM) marca Jeol ABS200 y con un microscopio de fuerza atmica
(AFM) marca Nanoscope III. La estructura cristalogrfica se obtuvo a travs de un
difractmetro de Rayos X marca Brucker AXS D8 Advance con radiacin de Cu K
(= 0.15405 nm). Las propiedades elctricas se determinaron por medio de un equipo
de MMR Technologies mismo que utiliza el mtodo de Van der Pauw para obtener
resistividad, movilidad y concentracin de portadores. La transmitancia se midi con
un espectrofotmetro UV-visible Agilent 8453. Las caractersticas de cada equipo se
pueden observar en el apndice A.
Referencia
[1]
Flores Gracia J. Francisco Javier, Estudio de Pelculas SRO y su Potencial uso como Sensores
de Radiacin, INAOE, Tesis Doctoral en Electrnica, 2001, p. 88.
[2]
J. C. Manifacier and J. P. Fillard, Thin Solid Film, 1981, Vol. 77 p. 167.
59
Captulo 6
Captulo 6
Resultados de la caracterizacin de las pelculas de In3O2 e
ITO
6.1 Introduccin
En este captulo se presentan los resultados obtenidos de la caracterizacin de
las pelculas fabricadas de In2O3 y de ITO, el anlisis de los resultados y en algunos
casos una comparacin de lo obtenido con lo reportado en otros trabajos. Como ya se
mencion en el captulo anterior, la caracterizacin se realiz para determinar sus
propiedades estructurales, morfolgicas, elctricas y pticas de las pelculas.
6.2 Espesor de las pelculas de In2O3 e ITO

El espesor de las pelculas de ITO con diferente porcentaje de Sn/In
determinado con el equipo Alpha Step 200 se muestra en la grfica de la Figura 6.1.
230
220
Espesor (nm)
210
200
190
180
170
160
150
0
10
12
% (Sn/In)
Figura 6.1. Grfica del espesor de las pelculas de In2O3 depositadas a 480 C
con diferente porcentaje de Sn/In.
60
Captulo 6
El control del espesor de las pelculas se realiz por medio de la interferencia del
color de las pelculas depositadas en sustratos de silicio, hasta alcanzar un espesor
cercano a 200 nm (primera formacin del color amarillo). La razn de crecimiento de
las pelculas conductoras fue de 300 /s.
6.3 Propiedades estructurales y morfolgicas de las pelculas de ITO

Las imgenes de superficie de las pelculas de ITO y xido de indio a distintas
proporciones Sn/In obtenidas con el microscopio de barrido electrnico marca ABS
200 se muestran en la Figura 6.2.
a)
b)
En las imgenes se observa que las
dimensiones de los grnulos son mayor a
100 nm.
c)
Figura 6.2. Imgenes de la superficie de las pelculas de a) In2O3 b) ITO al 5% Sn/In c) ITO al
11% Sn/In a 480 C, determinadas con el SEM.
61
Captulo 6
La informacin sobre la morfologa de superficie de las pelculas de xido de

indio y de ITO con el 5% de Sn/In, se obtiene de los resultados del AFM NanoScope
III mostrados en la Figura 6.3.
a)
62
Captulo 6
b)
Figura 6.3. Imgenes de la superficie de las pelculas obtenidas con el microscopio

de fuerza atmica de a) In2O3 y b) ITO (5 % Sn/In), depositadas por roco piroltico
a 480 C.
63
Captulo 6
Las imgenes muestran que las pelculas tiene una rugosidad significante
(~300 ). Las pelculas que presentan este tipo de rugosidad son usadas en
dispositivos optoelectrnicos (por ejemplo celdas solares), lo cual incrementa la
absorcin de la luz incidente en las capas amorfas.
Los difractogramas de las pelculas de ITO y xido de indio a distintas
proporciones Sn/In se muestran en la grfica de la Figura 6.4.
Aqu se observan 6 picos en 2 igual a 30, 35, 38, 51, 56, 61 los cuales corresponden
a los planos (222), (400), (411), (440), (611) y (622) de In2O3 respectivamente [1]. Se
puede observar en la Figura 6.4 que el plano (400) es el plano preferencial con
respecto a la intensidad de los otros planos cristalogrficos.
As que (400) es la direccin de la orientacin de granos. La amplitud del pico
en (400) est relacionado con el valor del grosor de las pelculas; la pelcula que tiene
mayor grosor es la que tiene la proporcin de Sn/In = 11% ( ver Figura 6.1) y en la
Intensidad (U. A.)
misma se observa mayor amplitud de pico (ver Figura 6.4).
(400)
8000
7500
7000
6500
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
(222)
a ([Sn]/[In])=0 %
b ([Sn]/[In])=5 %
c ([Sn]/[In])=11 %
(411)
(440) (611) (622)
b
a
10
20
30
40
50
60
70
2 (grados)
Figura 6.4. Difractogramas de las pelculas de ITO y xido de indio
preparadas por roco piroltico a 480 C a distintas proporciones
Sn/In.
64
Captulo 6
Para el pico (400) se puede determinar el tamao de grano usando la ecuacin de

Scherrer-Bragg:
l=
0 .9
nm .
B cos
(6.1)
donde B en radianes es el ancho a la mitad del mximo pico de difraccin (FWHM),

=0.15405 nm es la longitud de onda de los rayos X y =17.5 es el ngulo de
difraccin. Para el pico en (400), el valor de B para diferentes pelculas se muestra
abajo.
Sn/In
0%
5%
11%
0.004
0.0039
0.0034
El tamao de grano l determinado para las pelculas de ITO con diferente porcentaje
de dopado es mostrado a continuacin:
Sn/In
0%
5%
11%
l (nm)
155.75
161
182.75
Estos resultados concuerdan con lo presentado en la Figura 6.2.
6.4 Propiedades elctricas de las pelculas de ITO

La grfica de la resistencia superficial de las pelculas de ITO determinada con
el mtodo de cuatro puntas se muestra en la Figura 6.5; se observa que la mnima
resistencia de hoja es para el 5% de Sn/In y la mxima para la pelcula no dopada
(In2O3).
65
Resistencia de hoja ( /cuadro )
Captulo 6
1000
100
10
10
12
% (Sn/In)
Figura 6.5. Grfica de la resistencia de hoja en funcin del nivel

de dopado con Sn, para pelculas de ITO depositadas a 480 C.
La grfica de resistividad () de las pelculas de ITO (calculada para los datos

de las grficas de las Figuras 6.1 y 6.5 y con la ecuacin 4.5) se muestra en la Figura
6.6, al igual que en la resistencia de hoja se presenta el mnimo en el 5% de Sn/In y
Resistividad (-cm)
el mximo en la pelcula de In2O3.
0.01
1E-3
1E-4
0
10
12
% (Sn/In)
Figura 6.6. Grfica de resistividad en funcin del nivel de dopado

con Sn, para pelculas de ITO depositadas a 480 C.
En la Figura 6.7 se muestra la grfica de la movilidad () de las pelculas de

ITO determinadas por el mtodo de Van der Pauw Hall, se observa que la pelcula de
66
Captulo 6
ITO con el porcentaje de Sn/In =5% tiene el mximo valor de la movilidad. Si el

porcentaje de Sn/In es ms grande que el 5%, la movilidad decrece.
La movilidad de portadores, se supone que est determinada por los efectos
del tamao de grano y la trayectoria libre media, la cual se puede calcular de:
L=
h 3n
2e
1/ 3
H .
(6.2)
donde n es la concentracin de portadores y H es la movilidad Hall [2].

32
30
Movilidad [cm /(V s)]
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
10
12
% (Sn/In)
Figura 6.7. Grfica de la movilidad en funcin del nivel de

dopado con Sn, para pelculas de ITO depositadas a 480 C.
Los valores de la trayectoria libre media de las pelculas de ITO, se presentan en la

Tabla 6.1:
Tabla 6.1 Tamao de grano y trayectoria libre media de las pelculas de ITO.
Sn/In
l (nm)
(tamao de grano)
L (nm)
(trayectoria libre madia)
(cm2/V-s)
(movilidad)
0%
5%
11%
155.75
161
182.75
85.4
595.8
201.8
26.42
28.45
11.16
De la Tabla 6.1 observamos que la pelcula del 5% de Sn/In que tiene una
trayectoria libre media mayor que el tamao de grano presenta mejor movilidad; as
67
Captulo 6
que, es posible suponer que el efecto de dispersin de portadores en la frontera de

grano no influye significantemente sobre el transporte de portadores.
La grfica de la concentracin de electrones libres de las pelculas de ITO
determinada con el equipo H50 de MMR Technogies se muestra en la Figura 6.8. Al
adicionar estao en In2O3 incrementa la concentracin de portadores. La pelcula de
ITO con el porcentaje de Sn/In = 5% tiene el mximo valor de la concentracin de
electrones. A una razn ms grande de Sn/In la concentracin de electrones decrece.
-3
Concentracin de electrones (cm )
1E21
1E20
1E19
10
12
% (Sn/In)
Figura 6.8. Grfica de la concentracin de portadores en funcin del nivel

de dopado con Sn, para pelculas de ITO depositadas a 480 C.
La dependencia de la concentracin de portadores en las pelculas delgadas de

In2O3 sobre la concentracin de tomos de estao incorporados en la pelcula (ver
Figura 6.8) puede ser explicada basados en el siguiente argumento. Cuando la
pelcula no est dopada o est ligeramente dopada con estao, la concentracin de
portadores est determinada por el nmero de vacancias de oxgeno debido a la falta
de estequiometra en la pelcula. El incrementar el contenido de estao en la pelcula
causa aumento en la concentracin de portadores debido a que los iones de Sn+4
sustituyen a los iones de In+3 en la red cristalina. Este efecto es observado hasta una
razn atmica de Sn/In del 5%. Posteriormente al incrementar estao en la pelcula se
observa un decremento en la concentracin de portadores esto es debido al lmite de
solubilidad Sn en la pelcula In2O3 [3]. As que, los tomos de estao incorporados
68
Captulo 6
ocupan un sitio intersticial en la red cristalina de In2O3, y actan como centros de

dispersin que causan disminucin en la movilidad de portadores () (ver Figura 6.7)
e incrementa la resistividad de la pelcula () (ver Figura 6.6). Como resultado, la
concentracin de portadores calculados como 1/(e) decrece ligeramente cuando la
razn atmica de Sn/In es mayor del 5%.
Hacemos notar que todas las pelculas depositadas llegan a ser un
semiconductor degenerado cuando el nivel de Fermi est localizado por encima del
mnimo de la banda de conduccin. Esta circunstancia determina las propiedades
pticas especficas en pelculas de xido de indio y ser discutida en el siguiente
prrafo.
6.5 Transmitancia y determinacin de la banda prohibida de energa

de las pelculas de ITO
Se reportan los resultados de mediciones espectrofotomtricas realizadas con el
espectrofotmetro Agilent 8453.
Se realizaron dos diferentes anlisis: la medicin del espectro de transparencia desde
la regin espectral UV al IR cercano y la determinacin de la banda prohibida de
energa de ITO, slo en la regin espectral UV.
La Figura 6.9 muestra el espectro de transmisin ptica de las pelculas de ITO,
preparadas a diferentes concentraciones de dopado y depositadas sobre sustratos de
vidrio. La transmisin de todas las pelculas es de ms del 80% en el rango del
espectro visible y en el IR cercano.
Las pelculas de ITO con porcentaje de
Sn
= 7% y de 11%, tienen mayor
In
transparencia, cerca del 90%. Las oscilaciones en el espectro estn relacionadas con
la interferencia de la luz. En las pelculas delgadas de ITO la posicin de los extremos
de la interferencia difieren debido al espesor de las pelculas.
La limitacin de transparencia de las pelculas en la regin espectral UV est
relacionada con las propiedades opacas del sustrato de vidrio en esta regin.
69
Captulo 6
Ts=480C
100
Transmitancia (%)
80
(Sn/In)= 0%
(Sn/In)= 2%
(Sn/In)= 3%
(Sn/In)= 5%
(Sn/In)= 7%
(Sn/In)= 9%
(Sn/In)= 11%
60
40
20
0
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
Longitud de onda (nm)
Figura 6.9. Espectro de transmisin ptica de pelculas de ITO con

diferentes concentraciones de dopado, depositadas sobre sustratos de
vidrio a 480 C.
Para obtener informacin acerca de los lmites de absorcin de las pelculas,

stas fueron depositadas sobre sustratos de zafiro los cuales son transparentes a
radiaciones UV. En la Figura 6.10 se muestra un ejemplo del espectro de transmisin
ptica de las pelculas de ITO, preparadas a diferentes concentraciones de dopado y
depositadas sobre sustratos de zafiro.
100
90
80
% Transmitancia
70
60
50
Sn/In= 0 %
Sn/In= 5 %
40
30
20
10
0
200
400
600
800
(nm)
Figura 6.10. Espectro de transmisin ptica de pelculas de ITO en la regin

UV a diferentes concentraciones de dopado, depositadas sobre sustratos de
zafiro a 480 C.
70
Captulo 6
Los resultados presentados en la Figura 6.10 son usados para la determinacin

de la banda prohibida ptica en pelculas depositadas por roco piroltico.
6.5.1 Determinacin de la banda prohibida ptica

La determinacin de la banda prohibida ptica usando datos de transmisin en
la regin espectral UV en pelculas delgadas depositadas sobre sustratos transparentes
es diferente de la bien conocida tcnica para monocristales.
En la Figura 6.11 se muestra el caso cuando una luz monocromtica con intensidad I0
incide a un ngulo sobre la superficie de un monocristal con el coeficiente de
absorcin , e ndice de refraccin n1.
I0

aire
n0=1
RI0
I0(1-R)e-d
cristal
n11
k0
R I0(1-R)e-d
Figura 6.11 Transmisin de

la luz en un monocristal que
absorbe.
I= I0(1-R)e-d- I0R(1-R)e-d
n0=1
aire
En la Figura 6.11 se observa que una parte de la luz incidente es reflejada (R

es el coeficiente de reflexin). Otra parte penetra en el cristal, parcialmente absorbida,
y parcialmente reflejada sobre la frontera del cristal-aire.
Estamos interesados sobre la parte de la luz incidente que sale del cristal. El
coeficiente de transmisin T, que es T=I/I0 puede ser calculado del balance de
intensidades de la luz, que se muestra en la Figura 6.11
Se tiene:
T=
I (1 R )e d I 0 R(1 R )e d
I
= 0
I0
I0
2
I (1 R ) e d
I
2
= 0
= (1 R ) e d
T=
I0
I0
(6.3)
71
Captulo 6
de esta ecuacin el coeficiente de absorcin es: =
1 (1 R )
.
ln
d
T
(6.4)
As, si conocemos la dependencia espectral de T y R, y tambin el valor de d,

podemos calcular la dependencia espectral de .
A continuacin consideramos el caso cuando la luz monocromtica incide
sobre la superficie de una pelcula absorbente depositada sobre un sustrato
transparente, como se muestra en la Figura 6.12. Se caracteriza a la pelcula y el
sustrato con las constantes pticas k1, n1 y k2, n2, respectivamente, ( k es el
coeficiente de extincin, k=/4).
Interferencia
I0
aire
n0=1
k10
n1
k2=0, n2
R1
Pelcula
R2
R3
Sustrato
Figura 6.12 Transmisin de la luz

en una pelcula depositada sobre
sustrato de zafiro.
n0=1, aire
Debido a que el sustrato es transparente, k2=0. Si los valores de n1 y n2 son

diferentes, una parte de la luz no slo es reflejada en la frontera aire/pelcula, sino
tambin en la frontera pelcula/sustrato. Estas reflexiones adicionales dan lugar a la
interferencia de luz y los clculos del coeficiente de absorcin , usando una
ecuacin simple para el caso de monocristal, no es posible. Tales clculos requieren
una tcnica por computadora.
Sin embargo, si la pelcula es depositada sobre un sustrato con ndice de
refraccin n2n1 (n1 es el ndice de refraccin de la pelcula), la reflexin adicional de
la frontera pelcula/sustrato es eliminada (ver Figura 6.13). En este caso usando el
balance de reflexin, entre la luz absorbida y transmitida, el coeficiente de absorcin
T puede ser calculado por el mismo mtodo que para el caso del monocristal:
72
Captulo 6
T=
I (1 R )e d I 0 R(1 R )e d
I
2
= 0
= (1 R ) e d .
I0
I0
En nuestros experimentos, se realizaron depsitos de pelculas sobre sustratos

de zafiro, los cuales son transparentes en la regin espectral UV y tienen el ndice de
refraccin muy cercano al de las pelculas de ITO.
I0
aire n0=1
Pelcula
n1
k1
I0(1-R)
I0(1-R)e-d
Sustrato n2
k2=0
I0(1-R)e-d
n0=1
aire
I0R(1-R)e-d
I=I0(1-R)e-d- I0R(1-R)e-d
Figura 6.13. Transmisin de la

luz dentro de una pelcula
depositada sobre un sustrato
transparente con ndice refractivo
n1n2.
Por lo mencionado arriba, para determinar es posible usar la misma

ecuacin que en el caso del monocristal.
La banda prohibida de energa Eg para una transicin directa ptica de las
pelculas depositadas sobre zafiro se puede determinar de la dependencia de sobre
h (energa del fotn), de acuerdo la relacin [4]:
= A(h E g )
(6.5)
dnde A es una constante.

El valor de se puede obtener de los datos de transparencia para T<10%.
2
1 (1 R )
.
ln
d
T
(6.6)
R puede ser estimada de la relacin

2
n 1
.
R = 1
n1 + 1
(6.7)
donde n1 es el ndice de refraccin de la pelcula.
73
Captulo 6
Para nuestro caso el promedio del valor de n1 es 1.9 [5], as que R0.1. Usualmente
para monocristales, la banda prohibida de energa Eg puede ser determinada de la
dependencia de 2 (h) como interseccin de (h) en =0.
En pelculas TCO altamente dopadas, se consideran dos diferentes efectos. El primer
efecto es la influencia de la concentracin de portadores sobre la posicin del nivel de
Fermi. La expresin que relaciona la concentracin de portadores (n) y el nivel de
Fermi (EF), es la aproximacin de Joyce-Dixon [6]:
n
1 n
E F = E c + k B T ln
+
.
8 NC
NC
(6.8)
Dnde EC es la energa de la parte inferior de la banda de conduccin, kB es la

constante de Boltzmann y T es la temperatura.
En esta ecuacin NC es la densidad efectiva de estados en la orilla de la banda de
conduccin:
3
m*k T 2
N C = 2 e B 2 .
2 !
(6.9)
Dnde me* es la masa efectiva del electrn y es la constante de Plank.

La concentracin de portadores a la cual ya se tiene degeneracin del semiconductor
se puede calcular de la ecuacin (6.8) cuando EF=EC.
Tomando en consideracin el valor de NC=4.1X1018 cm-3, obtenido para las
pelculas de ITO con me* =0.3m0 [7], el valor de esta concentracin es 3.1X1018 cm-3.
A una concentracin de portadores n>3.1X1018 cm-3, el nivel de Fermi supera el
lmite inferior de la banda de conduccin, mismo que es conocido como la variacin
Burstein-Moss ( E gBM ). Todos los estrados abajo del nivel de Fermi estn ocupados,
y las transiciones de electrones entre bandas, desde la banda de valencia hasta la
banda de conduccin, son posibles a una energa Eg+ E gBM [8].
En el segundo efecto la alta concentracin de portadores est relacionada con el
dispersin electrn-electrn y electrn-impureza [9], lo cual puede llevar al
ensanchamiento de la banda de impurezas, hasta unir la banda de impurezas con la
74
Captulo 6
banda de conduccin. Como resultado, el cambio en la banda prohibida predicha por

el modelo BM no se puede observar por mucho tiempo. Si los mecanismos de
dispersin electrn-electrn y electrn-impureza son despreciados, los datos
experimentales no pueden ser explicados satisfactoriamente. Un modelo que incluye
un parmetro de ensanchamiento tipo Lorentziano, (), en el coeficiente de absorcin
para una transicin directa ha sido propuesto en [4]:
(h E g ) 2 + 2 + (h E g ) .
(6.10)
El mximo de esta funcin con respecto a h ocurre en:

h 1 = E g + / 3 .
(6.11)
Adems, la tangente de (h ) a la energa h 1 intersecta el eje en:
h 2 = E g 3 .
Tambin se tiene que
= 3 ( h 1 h 2 ) / 4
y que por ello, la banda prohibida es:
E g = (3h 1 + h 2 ) / 4
(6.12)
(6.13)
(6.14)
En nuestro caso, estas consideraciones son vlidas pues nuestra concentracin de

electrones es muy grande, as que podemos determinar la banda prohibida de las
pelculas de ITO.
En la Figura 6.14 se muestra la grfica del coeficiente de absorcin en funcin
de la energa del fotn, de la cual se determina h2. En la grfica de la Figura 6.15 se
muestra d / d(h) en funcin de la energa del fotn para determinar h1; a partir de
estos valores se calcula la banda prohibida de la energa Eg para el parmetro
Lorentziano ().
75
Captulo 6
3.0
2.0
10
-2
-1
coef. absorcin (10 cm )
(coef. absorcin) (10 cm )
2.5
1.5
h2 = 3.9 eV
1.0
2
0.5
Eg=4.2 eV
0.0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
6.0
h [eV]
2
Figura 6.14 Coeficiente de absorcin y en funcin de la energa del fotn,

para pelculas de ITO al 5% de Sn/In.
h = 4.41 eV
d / d(h)
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
h [eV]
Figura 6.15. Derivada del coeficiente de absorcin () con respecto a la
energa del fotn (h).
76
Captulo 6
Los valores determinados a partir de las grficas son: h 2 = 3.9eV y h 1 = 4.41eV .
Los valores Eg y obtenidos, a partir de las ecuaciones 6.13 y 6.14, son

E g = 4.28eV y = 0.22eV . El valor de Eg para pelculas no dopadas In2O3 es 3.8 eV
[10]. De los resultados obtenidos se puede ver un incremento de la banda prohibida

ptica en pelculas dopadas de In2O3 debido al efecto Burstein-Moss (EgBM=0.48
eV).
Podemos notar que el valor de la banda prohibida de energa de las pelculas de ITO
es cercano al rango reportado en la literatura, [11,12].
6.6 Figura de mrito para aplicaciones de conductores Transparentes

La transmisin ptica y la conductividad elctrica de estas pelculas debe exceder un
cierto valor mnimo. Idealmente, los dos parmetros deben ser tan grandes como sea
posible. Sin embargo, la realizacin simultnea de una transmisin y conduccin
mxima no son posibles en la mayora de los casos.
6.6.1 Mtodo de Fzaser y Cook

Fzaser y Cook [13] definen la figura de mrito, FTC, para comparar el
comportamiento de diferentes materiales conductores transparentes. Esta figura de
mrito FTC est dada por
FTC = T / Rs
(6.15)
donde T es la transmisin ptica y Rs la resistencia de hoja. La transmisin ptica

est dada por la expresin
T = I I 0 = e ( t )
(6.16)
donde I0 es la radiacin incidente en la superficie e I es la radiacin que sale de la

superficie posterior; es el coeficiente de absorcin ptica y t es el grosor de la
pelcula.
La resistencia de hoja, Rs, est dada por:
Rs =
1
t
(6.17)
77
Captulo 6
donde es la conductividad elctrica.

Sustituyendo los valores de T y Rs de las ecuaciones (6.16) y (6.17), respectivamente,
en la ecuacin (6.15), obtenemos
FTC = t e ( t )
(6.18)
Resulta evidente de esta ecuacin que la figura de mrito de una pelcula est en
funcin de su grosor. El mximo valor de FTC correspondiente a tmx, es calculado a
partir de:
FTC e ( t ) t e ( t )
=
=0
t
e (2 t )
t max =
(6.19)
Sustituyendo este valor en la ecuacin (6.16), la transmisin ptica al mximo FTC

est dado por:
T = 1 e = 0.37
(6.20)
Esto muestra que la transmisin se reduce a 37% para pelculas conductoras

transparentes con espesores correspondientes a la mxima figura de mrito. Este
valor de transmisin es demasiado bajo para la mayora de las aplicaciones de
conductores transparentes.
En la evaluacin de pelculas conductoras transparentes basadas en FTC, una pelcula
particular se podra considerar superior a otras, aunque su transmisin ptica sea
demasiado baja: esta figura de mrito FTC, favorece mucho a la resistencia de hoja.
6.6.2 Mtodo de Haacke

Un mejor balance entre transmisin ptica y resistencia de hoja se ha logrado por
Haacke [14], quin redefini la figura de mrito como
TC =
T 10
= t e (10 t )
Rs
(6.21)
El valor mximo del espesor que corresponde al valor mximo de la figura de mrito,
TC, est dada por:
t mx =
1
10
(6.22)
78
Captulo 6
La diferencia entre TC y FTC es que el mximo de TC ocurre en el 90% de la

transmisin ptica, mientras que el mximo de FTC ocurre en tan slo el 37% de la
transmisin ptica. La figura de mrito, TC, es ampliamente usada para comparar el
desempeo de varios conductores transparentes sobre un amplio rango de espesores.
En la Tabla 6.2 se comparan valores de TC para pelculas preparadas por diferentes
tcnicas.
Tabla 6.2 Comparacin de valores de la figura de mrito para diferentes pelculas de ITO.
Material
Proceso
ITO
ITO
ITO
ITO
ITO
ITO
ITO
Roco
Roco
Roco
Roco
Roco
Sputtering
Sputtering
Evaporacin
reactiva
ITO
Resistencia de
hoja /cuadro
Transmisin
T(%)
26
9.34
10
4.4
5.6
12.5
10
90
85
90
85
88
95
95
Figura de
mrito
TC(-1)x10-3
13.4
21
34.9
44.7
49.7
47.9
59.8
25
98
32.6
Referencia
15
16
17
18
19
20
21
22
En la Tabla 6.3 se muestra la figura de mrito para las pelculas de ITO analizadas en
el presente trabajo.
Tabla 6.3 Figura de mrito de las pelculas de ITO fabricadas.
Material
Proceso
In2O3
ITO 2% Sn/In
ITO 3% Sn/In
ITO 5% Sn/In
ITO 7% Sn/In
ITO 9% Sn/In
ITO 11% Sn/In
Roco
Roco
Roco
Roco
Roco
Roco
Roco
Resistencia de hoja
/cuadro
3212
98
20
12
28.6
31
36
Transmisin T(%)
89
89
94
93.7
97.9
90.5
98.5
Figura de mrito
TC(-1)x10-3
0.097
3.18
26.9
43.5
28.3
11.9
23.9
Es posible observar de las Tablas 6.2 y 6.3, que el valor de la figura de mrito
de la pelcula de ITO fabricada al 5% de Sn/In est muy cercano al valor obtenido en
otros trabajos.
79
Captulo 6
En la Figura 6.16 se muestra la figura de mrito de las pelculas de ITO en

funcin al porcentaje de dopado.
40
Figura de mrito TC( )x10
-3
50
30
20
10
0
0
10
% Sn/In
Figura 6.16 Figura de mrito para las pelculas de In2O3 a

diferentes concentraciones de Estao.
Este resultado concuerda con lo obtenido en las grficas anteriores, donde la

pelcula de ITO con 5% de Sn/In present las mejores caractersticas estructurales,
elctricas y pticas, as que esta figura de mrito es la que mejor evala el
comportamiento de las pelculas conductoras.
80
Captulo 6
Referencias
[1]
Zhongchun Wang, Xingfang Hu, Thin Solid Films, Abril de 2001, p. 22.
[2]
J. Joseph Prince, S. Ramamurthy, B. Subramanian, C. Sanjeeviraja and M. Jayachandran, J. of

Crystal Growth, October 2001, p. 142.
[3]
J. L. Bates, C. W. Griffin, D. D. Marchant, and J. E. Garnier, Am. Ceram. Soc. Bull., 1986,
Vol. 65(4) p. 673.
[4]
Roth, A. P., Keeler, W. J., Fortin, E., Can. J. Phys., 1980, Vol. 58 p. 560.
[5]
W. W. Mobzen, J. Vac. Sci. Technol., 1975, Vol. 12 p. 99.
[6]
J. Sing, Optoelectronics, Mc Graw-Hill, N. Y., 1996, p.162.
[7]
S. Noguchi, M. Mizuhashi and H. Sakata, Rep. Res. Lab. Asahi Glass, 1978, Vol. 28 p. 25.
[8]
Burstein, E., Phys. Rev., 1954, Vol. 93 p. 632.
[9]
Hamberg, I., Granqvist, C. G., Phys. Rev. B, 1984, Vol. 30 p. 3240.
[10]
K. F. Berggren, B. E. Sernelius, and L. Engstrm, Phys. Rev. B, 1984, Vol. 30-6 p. 3240.
[11]
A. K. Kulkarni, S. A. Knickerbocker, J. Vac. Sci. Technol., 1996, Vol. A 14 p. 1706.
[12]
M. Buchanan, J. B. Webb, D. F. Williams, Appl. Phys., 1980, Vol. 37 p. 213.
[13]
Fraser DB and Cook HD, J. Electrochem. Soc., 1972, Vol. 119 p. 1368.
[14]
Haacke G, J. Appl. Phys., 1976, Vol. 47 p. 4086.
[15]
Gouskov L, Saurel JM, Gril C, Boustani M and Oemry A, Thin Solid Films, 1973, Vol. 99 p.
365.
[16]
Vasu V and Subrahmanyam A, Thin solid Films, 1990, Vol. 193/194 p. 696.
[17]
Manifacier JC, Fillard JP and Bind JM, Thin Solid Films, 1981, Vol. 77 p 67.
[18]
Saxena AK, Singh SP, Thangaraj R and Agnihotri OP, Thin Solid Films, 1984, Vol. 117 p. 95.
[19]
[20]
Theuwissen AJP and Declerck GJ, Thin Solid Films, 1984, Vol. 121 p. 109.
[21]
Bawa SS, Sharma SS, Agnihotry SA, Biradar AM and Chandra S, Proc. SPIE, 1983, Vol. 428
p. 22.
[22]
Nath P and Bunshah RF, Thin Solid Films, 1980, Vol. 69 p. 63.
81
Conclusiones
Conclusiones
1. Como resultado de este trabajo, la tcnica de roco piroltico, que es
simple y de bajo costo para la fabricacin de pelculas conductoras
transparentes delgadas, ha sido dominada en el laboratorio de
microelectrnica del INAOE.
2. Las propiedades de las pelculas de xido de indio depositadas con la
tcnica roco piroltico han sido optimizadas por su dopaje con estao.
3. Todas las pelculas depositadas tienen la propiedad de un semiconductor
degenerado con una concentracin de portadores mayor a 1018 cm-3.
4. La cantidad de estao en las pelculas de xido de indio influye
significativamente en sus propiedades elctricas y pticas. En las
investigaciones experimentales se muestra que las propiedades ptimas de
mxima transparencia, de 93.7%, y mnima resistividad de 2.02x10-4 cm, las tiene la pelcula de xido de indio dopada al 5% atmico de
estao.
5. La figura de mrito de la pelcula de xido de indio dopada al 5% atmico
de estao fabricada en este trabajo, muestra propiedades pticas y
elctricas comparables con lo reportado en otros trabajos; esta pelcula
puede ser usada en aplicaciones optoelectrnicas.
82
Apndice
Equipo utilizado para la caracterizacin de pelculas de ITO
Apndice
Equipo del Instituto de Fsica de la UNAM, utilizado para la
caracterizacin de pelculas de ITO
Mediciones del espesor de las pelculas de ITO con Alpha Step
El equipo utilizado para determinar el espesor de las pelculas conductoras fue
el Alpha Step 200 que tiene una resolucin vertical de 5 en el rango de +160K y
de 5nm en el rango de +160m.
Microcopio electrnico de barrido ABS 200 para la caracterizacin

morfolgica de las pelculas de ITO
El microscopio electrnico de barrido -SEM- en el que se caracterizaron
morfolgicamente las pelculas de ITO se muestra en la Figura A.1. Cabe mencionar
que es el mejor mtodo adaptado al estudio de la morfologa de las superficies.
Figura A.1. Microcopio electrnico de barrido

ABS 200.
Este microscopio electrnico permite obtener imgenes topogrficas de la

superficie de las muestras ya que cuenta con detectores de electrones
83
Apndice
retrodispersados. El hecho que sea un equipo que trabaja a bajo vaco (1 a 270 Pa)
permite observar las muestras no conductoras sin necesidad de recubrirlas con una
pelcula delgada conductora, lo que facilita su preparacin .
El voltaje de aceleracin mximo es de 30 KV, resolucin de 3.0 nm en modo de alto
vaco y 5 nm en modo de bajo vaco (1 a 270 Pa), consta de un controlador de platina
fra y la muestra se puede enfriar a 180 C o calentar a 100 C, tiene capacidad de
amplificacin de la imagen de 100 a 300,000 veces con una resolucin de 3 nm y con
un tamao mximo del espcimen de 150 mm.
Caracterizacin morfolgica de las pelculas de ITO con el

microscopio de fuerza atmica (AFM) NanoScope III
Las mediciones de microscopa de fuerza atmica (AFM) se realizaron con un
Instrumento NanoScope III equipado con una aguja de silicio que tiene un radio de 10
nm en un ngulo de 35 de la vertical. Las mediciones se realizaron en condiciones
ambientales sobre una superficie de 2x2 m.
5.5.3 Caracterizacin estructural de las pelculas de ITO con el

difractmetro de rayos X (XRD) Brucker AXS D8 Advance
El equipo de Rayos X utilizado para la caracterizacin estructural de la
superficie de las pelculas se muestra en la Figura A.2. Para generar RX, se emplean
nodos de diferentes metales; este sistema cuenta con radiacin de Cu K (=
0.15405 nm). La longitud de onda de los RX es de 0.7-2.3 , la cual est dentro del
rango de la distrancia intraatmica (0.8-3 ) en slidos cristalinos.
84
Apndice
Figura A.2. Sistema de Rayos X.
Mediciones de resistividad, movilidad y concentracin de portadores

de las pelculas ITO con el equipo H-50 usando la tcnica Van der
Pauw Hall
Este equipo mostrado en la Figura A.3, permite al usuario hacer mediciones
completamente automticas de resistividad y coeficiente Hall de muestras delgadas
conductivas uniformes de forma arbitraria, sobre un amplio rango de temperatura. El
sistema usa el mtodo Van der Pauw para medir resistividad y coeficiente Hall. El
equipo H-50 se conecta a una computadora que realiza la funcin de panel de control.
Figura A.3. Equipo H-50 para realizar mediciones de resistividad, movilidad y

concentracin de portadores usando el mtodo Van der Pauw Hall.
85
Apndice
Caractersticas principales del equipo:

-
Temperatura de Operacin: 80 K a 400 K.
Estabilidad de Temperatura: 0.05 K con K-20 Controlador Programable.
Respuesta de Temperatura: 1 K/sec.
Mxima Corriente: 8 amps.
Campo magntico: +3500 a -3500 gauss.
Tiempo de Inversin: 2 segundos.
Software completo que proporciona todas las mediciones.
Caracterizacin ptica de las pelculas de ITO con Espectroscopa

UV-Visible Agilent 8453.
El espectrofotmetro Agilent 8453 (ver Figura A.4), est equipado con un
arreglo de diodos de rpido rastreo, excelente sensibilidad, reproducibilidad de
longitud de onda virtualmente absoluta, el rea de la muestra es abierta, y un
mejoramiento en el funcionamiento ptico. Ms de 2 nm de resolucin. Dos fuentes
de radiacin, una lmpara de deuterio y otra lmpara de tungsteno cubren el rango de
longitud de onda del espectrofotmetro. Mide la muestra, estndar y vaca. Es fcil
cambiar las fuentes de luz prealineadas de deuterio y tungsteno.
Figura A.4. Espectrofotmetro Ultravioleta-Visible Agilent 8453
Caractersticas principales:
-
Espectrgrafo cermico trmicamente estable con longitud de onda 190 a

1100 nm.
86
Apndice
Exactitud de longitud de onda: <+0.5nm.
Ancho de abertura: 1nm.
Reproducibilidad de longitud de onda: <+0.02nm; ruido fotomtrico: <0.0002

A.
Estabilidad fotomtrica: <0.001 A a 0 A, 340nm.
Luz perdida: <0.03 % a 340nm,<0.05 % a 220nm, <1 % a 200nm.
87
ndice de Figuras
Captulo 2
Figura 2.1. Energa de ionizacin de donadores contra concentracin para
In2O3 [4].
13
Figura 2.2. Estructuras de bandas de (a) In2O3 y (b) In2O3 dopado con estao,
las reas sombreadas denotan los estados ocupados [10].
15
Captulo 3
Figura 3.1. Grfica de la razn de sputtering contra la presin parcial del gas
23
reactivo [15].
Figura 3.2. Respuesta de la presin parcial de oxgeno y la razn del flujo de
24
oxgeno antes y durante el sputtering de ITO [15].

Figura 3.3. Diagrama esquemtico de un horno CVD en lnea para depsito de
26
xido de estao y capas similares [54].

Figura 3.4. Razn atmica de estao/indio como funcin de la razn de
velocidad de flujo del gas portador [56].
28
Figura 3.5. Sistema de roco piroltico [57].
29
Figura 3.6. Sistema rociador para aplicaciones de rea grande [58].
30
Figura 3.7. Diagrama esquemtico de roco piroltico corona [60].
31
Figura 3.8. Diagrama esquemtico del equipo para depsito con roco qumico
32
[64].
Figura 3.9.Razn atmica de Sn/In en las capas de In2O3:Sn vs razn atmica
33
de Sn/In en la solucin [65].

Figura 3.10. Patrones XRD para pelculas de ITO depositadas con roco
34
piroltico [70].
Figura 3.11. Dependencia de la constantes de red de pelculas de In2O3:Sn
34
sobre la temperatura de roco [71].
88
Captulo 4
Figura 4.1 (a) Rayos reflejados de los planos paralelos de los tomos
interfiriendo constructivamente y (b) Derivacin de la Ley de Bragg.
42
Figura 4.2. Principio del microscopio de fuerza atmica [1].
43
Figura 4.3. Esquema de un microscopio electrnico de barrido [2].
45
Figura 4.4. Diagrama de la tcnica de cuatro puntas .
46
Figura 4.5. Forma arbitraria para contactos.
48
Figura 4.6. Formas geomtricas tpicas, (a) Circular, (b) Hoja de trbol y (c)
Cuadrada.
49
Figura 4.7 Obtencin de: (a) R24,13 sin campo magntico B, (b) R13,42 sin
campo magntico B, (c) R24,13 con campo magntico B y (d) R13,42 con campo
magntico B.
50
Figura 4.8. Diagrama ptico del espectrofotmetro.
52
Captulo 5
Figura 5.1. Esquema del sistema usado para el depsito de pelculas de In2O3 e
55
In2O3:Sn (ITO).
Captulo 6
Figura 6.1. Grfica del espesor de las pelculas de ITO depositadas a 480 C
con diferente porcentaje de Sn/In.
60
Figura 6.2. Imgenes de la superficie de las pelculas de a) In2O3 b) ITO al 5%

Sn/In c) ITO al 11% Sn/In a 480 C, determinadas con el SEM.
61
Figura 6.3. Imgenes de la superficie de las pelculas obtenidas con el

microscopio de fuerza atmica de a) In2O3 y b) ITO (5 % Sn/In), depositadas
por roco piroltico a 480 C.
62
Figura 6.4. Difractogramas de las pelculas de ITO y oxido de indio preparadas

por roco piroltico a 480 C a distintas proporciones Sn/In.
64
89
Figura 6.5. Grfica de la resistencia de hoja en funcin del grado de dopado

con Sn, para pelculas de ITO depositadas a 480 C.
66
Figura 6.6. Grfica de resistividad en funcin del grado de dopado con Sn, para
pelculas de ITO depositadas a 480 C.
66
Figura 6.7. Grfica de la movilidad en funcin del grado de dopado con Sn,
para pelculas de ITO depositadas a 480 C.
67
Figura 6.8. Grfica de la concentracin de portadores en funcin del grado de

dopado con Sn, para pelculas de ITO depositadas a 480 C.
68
Figura 6.9. Espectro de transmisin ptica de pelculas de ITO con diferentes

concentraciones de dopado, depositadas sobre sustratos de vidrio a 480 C.
70
Figura 6.10. Espectro de transmisin ptica de pelculas de ITO en la regin

UV a diferentes concentraciones de dopado, depositadas sobre sustratos de
zafiro a 480 C.
70
Figura 6.11. Transmisin de la luz en un monocristal que absorbe.
71
Figura 6.12. Transmisin de la luz en una pelcula depositada sobre sustrato de

zafiro.
72
Figura 6.13. Transmisin de la luz dentro de una pelcula depositada sobre un

73
sustrato transparente con ndice refractivo n1n2.

Figura 6.14. Coeficiente de absorcin y 2 en funcin de la energa del fotn,
76
para pelculas de ITO al 5% de Sn/In.

Figura 6.15. Derivada del coeficiente de absorcin () con respecto a la
76
energa del fotn (h).

Figura 6.16. Figura de mrito para las pelculas de ITO a diferentes
80
concentraciones de Estao.
90
Apndice
Figura A.1. Microcopio electrnico de barrido ABS 200.
83
Figura A.2. Sistema de Rayos X.
85
Figura A.3. Equipo H-50 para realizar mediciones de resistividad, movilidad y

concentracin de portadores usando el mtodo Van der Pauw Hall.
85
Figura A.4. Espectrofotmetro Ultravioleta-Visible Agilent 8453.
86
91
ndice de Tablas
Captulo 2
Tabla 2.1 Figura de mrito / para algunos conductores transparentes [2].
Tabla 2.2. Funcin trabajo de algunos conductores transparentes [2].
Tabla 2.3. Productos usados para el grabado de TCOs [2].
Tabla 2.4. Dureza de algunos conductores transparentes [2].
Tabla 2.5. Eleccin de conductores transparentes [2].
Tabla 2.6. Algunas propiedades de xidos conductores transparentes a

temperatura ambiente [3,4,5,6].
11
Captulo 3
Tabla 3.1.
Propiedades de pelculas de In2O3 depositadas con diferentes
tcnicas.
Tabla 3.2.
35
Propiedades de pelculas de ITO depositadas con diferentes
tcnicas.
35
Captulo 5
Tabla 5.1. Especificaciones de los precursores.
56
Tabla 5.2. Cantidad de estao para el dopado de las pelculas.
57
Captulo 6
67
Tabla 6.1 Tamao de grano y trayectoria libre media de las pelculas de ITO.
Tabla 6.2 Comparacin de valores de la figura de mrito para diferentes
pelculas de ITO.
79
Tabla 6.3 Figura de mrito de las pelculas de ITO fabricadas.
79
92

Spray Pirolisis

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Spray Pirolisis

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Spray Pirolisis

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Fabricacin y Caracterizacin de Pelculas de

xido de Indio-Estao para Aplicaciones

Mayte Yazmn Torres Padilla

Trabajo de tesis sometido como requisito parcial para obtener el

Dr. Oleksandr Malik

Paquito y al precioso Ser que viene...

Al Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa, por su apoyo en la realizacin de mis

1.2 Motivacin y Objetivos

xidos conductores transparentes: propiedades bsicas

2.2 Principales caractersticas de xidos conductores transparentes

2.2.1 Conductividad elctrica

2.2.2 Funcin Trabajo

2.2.3 Estabilidad trmica de xidos conductores transparentes

2.2.4 Mnima temperatura de depsito

2.2.5 Grabado de patrones en xidos conductores transparentes

2.2.6 Durabilidad qumica

2.2.7 Dureza mecnica de xidos conductores transparentes

2.2.8 Costos de produccin

2.2.9 Criterios de seleccin de xidos conductores transparentes

2.3 Algunas aplicaciones de xidos conductores transparentes

2.4 Caractersticas del xido de indio

2.5 Caractersticas y propiedades de las pelculas de xido de indio

2.5.1 Conductividad y claridad ptica

2.5.2 Morfologa y grabado de superficie

2.5.3 Compatibilidad de sustrato

Tcnicas de depsito de pelculas conductoras transparentes

3.2 Mtodos fsicos

3.2.1 Mtodo de evaporacin en vaco

3.2.1.1 Mtodo de evaporacin en vaco en pelculas de In2O3

3.2.1.2 Mtodo de evaporacin en vaco en pelculas de ITO

3.2.2 Mtodo de sputtering

3.2.2.1 Mtodo de sputtering en pelculas de In2O3

3.2.2.2 Mtodo de sputtering en pelculas de ITO

3.3. Mtodos Qumicos

3.3.2.1 Mtodo de roco piroltico en pelculas de In2O3

3.3.2.2 Mtodo de roco piroltico en pelculas de ITO

Tcnicas de medicin de los parmetros de las pelculas conductoras

4.2 Tcnica de medicin de grosor de pelculas conductoras usando el

4.3 Mtodos de caracterizacin de estructura y morfologa de la

4.3.1 Difraccin de Rayos X (DRX)

4.3.2 Microscopio de fuerza atmica (AFM)

4.3.3 Microscopio electrnico de barrido (SEM)

4.4 Caracterizacin de propiedades elctricas de las pelculas conductoras

4.4.1 Obtencin de resistividad por el mtodo de cuatro puntas

4.4.2 Mtodo de van der Pauw para determinar la resistividad de las

4.4.3 Efecto Hall usando la tcnica de van der Pauw para la

Fabricacin y caracterizacin de las pelculas de ITO

5.2 Desarrollo del equipo para el mtodo de roco piroltico

5.3 Preparacin de precursores para el depsito de las pelculas de ITO

5.4 Fabricacin de las pelculas de ITO

5.5 Caracterizacin de las pelculas de In2O3 e ITO

Resultados de la caracterizacin de las pelculas de In2O3 e ITO

6.2 Espesor de las pelculas de In2O3 e ITO

6.3 Propiedades estructurales y morfolgicas de las pelculas de In2O3 e ITO

6.4 Propiedades elctricas de las pelculas de In2O3 e ITO

6.5 Transmitancia y determinacin de la banda prohibida de energa de las

6.6.1 Mtodo de Fzaser y Cook

6.6.2 Mtodo de Haacke

El xido de estao depositado mediante la tcnica de roco piroltico se usa