POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA W KIELCACH

Wy dz ia ł Ele ktro tec hniki, Auto ma ty ki i Infor maty ki

Zakład Fotoniki i Sieci Teleinformatycznych

LABORATORIUM FIZYKI

Instrukcja do ćwiczenia nr 3

WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYKI

WIDMOWEJ FOTODETEKTORÓW
 Wyznaczanie charakterystyki widmowej fotodetektorów

I. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest:

zapoznanie się z budową i zasadą działania fotodetektorów różnego typy
wyznaczenie charakterystyk widmowych wybranych fotodetektorów (fotoogniwo,
fotodioda, fotorezystor, transoptor szczelinowy, transoptor scalony).

II. Zagadnienia do powtórzenia

1. Zjawiska: fotoemisji, fotoprzewodnictwa, absorpcji termicznej

2. Budowa i zasada działania wybranych fotodetektorów
3. Charakterystyka widmowa wybranych fotodetektorów

III. Proponowana literatura uzupełniająca

1. B.M. Jaworski, A.A. Dietław, Fizyka. Poradnik encyklopedyczny, PWN 1995

2. J. Petykiewicz, Podstawy fizyczne optyki scalonej, PWN, Warszawa 1989
3. J. Cieślak, Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne, WMON 1981
4. J. Pankove, Zjawiska optyczne w półprzewodnikach, WNT ,Warszawa 1974
5. K. Booth, S. Hill, Optoelektronika, WKŁ 2001
6. U. Tietze, Ch. Schenk, Układy półprzewodnikowe, WNT, Warszawa 2009
7. M. Rusek, J. Pasierbiński, Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach,
WNT, Warszawa 1997

Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą

urządzeń elektrycznych
 Materiały pomocnicze:

1. Wprowadzenie

Pod pojęciem elementy optoelektroniczne czy przyrządy optoelektroniczne definiowana jest

grupa urządzeń pracujących w zakresie widma promieniowania elektromagnetycznego,
przypadającego na obszar tzw. promieniowania optycznego. Widmo to zgodnie z definicją
obejmuje swym zakresem fale o długości od 10nm (0,01m) do 1mm (1000m) i składa się z
podzakresów: ultrafioletu (UV), promieniowania widzialnego (λ=400 ÷750 nm) i podczerwieni
(IR). Do grupy elementów optoelektronicznych zaliczane są dwie podstawowe grupy przyrządów
półprzewodnikowych: źródła światła (tzw. emitery) oraz fotodetektory. Podstawą ich działania jest
wykorzystanie dwóch fundamentalnych procesów optycznych: rekombinacji promienistej
nadmiarowych nośników w półprzewodniku (w źródłach światła), która prowadzi do emisji
fotonów oraz absorpcji fotonów w oświetlonym półprzewodniku (w fotodetektorach).
Celem zajęć jest wyznaczanie charakterystyki widmowe wybranych fotodetektorów.
Fotodetektorem, według definicji stosowanej w optoelektronice, jest każde urządzenie mogące
wytwarzać lub modyfikować sygnał elektryczny proporcjonalnie do ilości światła padającego na
obszar czynny tego urządzenia. Fotodetektory różnego typu buduje się w oparciu o trzy
podstawowe zjawiska: fotoemisję, fotoprzewodnictwo i absorpcję termiczną.

1.1. Fotoemisja

Fotoemisji (efekt fotoelektryczny zewnętrzny) -zjawisko fizyczne polegające na opuszczeniu

materiału przez elektron pod wpływem padającego promieniowania elektromagnetycznego. W
metalach energia elektronu wybijanego przez foton jest określona wzorem:
E=h·ν-W
gdzie: W - praca wyjścia (różnica energii odpowiadającej poziomowi Fermiego oraz energii
elektronu w przestrzeni swobodnej), h- stała Plancka, ν - częstotliwość fali
elektromagnetycznej

Rys. 1. Zjawisko fotoemisji z metalu

W półprzewodnikach poziom Fermiego znajduje się zwykle w obszarze przerwy energetycznej, w
której nie mogą znajdować się elektrony (czyli nie mogą mieć one energii równej poziomowi
Fermiego). Większość elektronów w półprzewodnikach najpierw musi pokonać przerwę
energetyczną między pasmami walencyjnym i przewodnictwa, a następnie uwolnić się z dna pasma
przewodnictwa. Energia konieczna do tego, aby elektron opuścił materiał po pokonaniu przerwy
energetycznej, określana jest mianem powinowactwa elektronowego (oznaczana jako χ).
Powinowactwo elektronowe to różnica energii między szczytem i dnem pasma przewodnictwa.
Energia potrzebna do uwolnienia elektronu do przestrzeni swobodnej dla większości elektronów w
półprzewodniku wynosi Eg+ χ, (Eg jest
to wielkość przerwy energetycznej). Jeśli atom nie znajduje się wewnątrz materiału, rozkład stanów
energetycznych może ulec zmianie. Prowadzi to do zjawiska zwanego „zagięciem pasma”. Polega
ono na tym, że tworzą się poziomy energetyczne o energii, która w materiale zwartym znalazłaby
się w przerwie energetycznej. Te poziomy zapełniają się dziurami, dlatego powstają obszary
zubożone w dziury, co powoduje spadek potencjału i prowadzi do zagięcia pasma.

Rys. 2. Zagięcie pasma energetycznego

Elektrony znajdujące się wewnątrz materiału półprzewodnikowego mają znacznie zredukowaną
barierę energetyczną w kierunku powierzchni półprzewodnika, co jest spowodowane zagięciem
pasma i zmniejszeniem się powinowactwa elektronowego. Efektywne powinowactwo elektronowe
jest więc równe:
χeff = χ-Vs/q
gdzie: Vs – spadek potencjału na obszarze zubożonym
W oparciu o zjawisko fotoemisji działa fotopowielacz.

1.2. Fotoprzewodnictwo

Fotoprzewodnictwo – zjawisko polegające na zmianie przewodnictwa elektrycznego danego

materiału na skutek oddziaływania promieniowania elektromagnetycznego, zwykle zachodzi na
skutek zjawiska fotoelektrycznego (wewnętrznego) i związane jest ze zwiększeniem koncentracji
elektronów w pasmie przewodnictwa i dziur w pasmie walencyjnym. Do wyjaśnienia tego zjawiska
niezbędna jest więc znajomość struktury poziomów energetycznych w ciałach stałych. Najniższe
pasmo energetyczne, które jest zapełnione w temperaturze zera bezwzględnego (0 K) nazywane jest
pasmem walencyjnym. Wyżej znajduje się pasmo przewodnictwa. Elektrony w paśmie
walencyjnym są związane z atomem i nie mogą przemieszczać się w półprzewodniku. Natomiast
elektrony w paśmie przewodnictwa są w tzw. stanie „wolnym” i mogą poruszać się w materiale
półprzewodnikowym, pod wpływem przyłożonego napięcia. Między pasmami walencyjnym i
przewodnictwa istnieje przerwa energetyczna, lecz różnica energii jest na tyle mała, że fotony o
odpowiednio dużej energii powodują przejście elektronów z pasma walencyjnego do
przewodnictwa. Następuje więc wzrost przewodnictwa materiału proporcjonalny do liczby
padających na niego fotonów. Zjawisko to wykorzystano w konstrukcji fotodetektorów różnego
typu, między innymi: fotorezystorów, fotodiod.

1.3. Absorpcja termiczna

Zjawisko absorpcji termicznej zachodzi gdy fotony, o długościach fali leżących w dalekiej
podczerwieni, wzbudzają w materii przez którą zostały pochłonięte stany oscylacyjne i rotacyjne w
cząsteczkach lub siatce krystalicznej. Zgodnie z prawem zachowania energii absorpcja fotonu w
materiale wywołuje wzrost temperatury (w efekcie może to spowodować zmiany właściwości
fizycznych materiału). Poprzez analizę tych zmian można stwierdzić, ile światła padło na detektor.
Za absorpcję promieniowania w półprzewodniku są odpowiedzialne dwa mechanizmy. Jeden z nich
związany jest z absorpcją fotonów na swobodnych nośnikach ładunku, natomiast drugi z absorpcją
międzypasmową w półprzewodniku (tzw. absorpcja podstawowa). Pasmo absorpcji związane z
przejściem międzypasmowym jest ograniczone od strony długofalowej przez tzw. główną krawędź
absorpcji. Energia fotonów, odpowiadająca głównej krawędzi absorpcji, wystarcza do przeniesienia
elektronu z wierzchołka pasma walencyjnego do dna pasma przewodnictwa, tzn. hv = Eg, (Eg -
szerokość przerwy wzbronionej). Jeżeli temperatura półprzewodnika lub izolatora jest wyższa, to
zwykle absorpcja międzypasmowa zachodzi z udziałem fononu, który dostarcza lub zabiera pewną
wartość energii (przy spełnieniu zasady zachowania energii). Możliwa jest również absorpcja do
stanów leżących poniżej przerwy energetycznej w półprzewodniku lub izolatorze. Stany
wzbudzone, leżące poniżej przerwy energetycznej, nie prowadzą do bezpośredniej generacji
ładunku.
Działanie termopary, bolometru oraz detektorów piroelektrycznych jest oparte na absorpcji
termicznej.

2. Pomiary światła
W pomiarach światła w zależności od przyjętych założenie, stosuje się rożne jednostki dla
określenia tych samych wielkości. Ustalono jednostki fotometrii wizualnej (uwzględniające
odpowiedzi ludzkiego oka na światło, czyli zależne od długości fali) oraz jednostki fotometrii
energetycznej (które są miarą bezwzględnej jaskrawości i wyrażają ilość energii emitowanej przez
źródło w jednostce czasu, niezależnie od długości fali). Podstawowe wielkości określane przy
pomiarach światła to:
a) Strumień świetlny jest to ilość światła przechodzącego przez określoną powierzchnię w danym
czasie. Wartość ta może być opisywana w kategoriach ilości energii, w postaci fotonów
przechodzących przez określoną powierzchnię w danym czasie. W fotometrii fizycznej
energetyczny strumień świetlny (moc światła jest wyrażany w watach (dżul/s). Zaś w fotometrii
wizualnej jednostką strumienia świetlnego jest lumen (lm). Lumen jest to strumień świetlny
wysyłany w kącie bryłowym 1 steradiana przez punktowe źródło światła o światłości 1 kandeli:
1 lm= 1 cd·sr.
b) Natężenie oświetlenia - ilość światła odbieranego przez obszar o określonej powierzchni (jest to
ilość światła padającego na powierzchnię a nie odbijanego bądź emitowanego przez określony
obszar). W kategoriach fotometrii wizualnej natężenie oświetlenia jest wyrażane w luksach (lx).
 1 luks to natężenie oświetlenia wytworzone przez strumień 1 lm na powierzchni 1 m2, 1 lx = 1
lm·m-2. W fotometrii fizycznej jednostką energetycznego natężenia oświetlenia jest W·m-2.
c) Natężenie źródła światła (światłość) - strumień świetlny emitowany w określonym kącie
bryłowym. Charakterystyczne jest to że natężenie będzie jednakowe niezależnie od odległości od
źródła. Natężenie źródła światła jest mierzone w kandelach (1 cd = lumen /steradian). Kandela
(cd) jest definiowana jako natężenie źródła światła, jakie daje w określonym kierunku źródło
emitujące promieniowanie monochromatyczne o częstotliwości 5,4 ·1014 Hz i o światłości
energetycznej w tym kierunku równej 1/683 [W/sr]. W fotometrii fizycznej natężenie źródła
światła (światłość energetyczna) jest wyrażana w watach na steradian.
d) Luminancja (jaskrawość)-wielkość określająca emisję strumienia świetlnego z jednostkowej
powierzchni. W fotometrii wizualnej, a jednostką luminancji jest cd·m-2. W fotometrii fizycznej
występuje luminancja energetyczna, którą wyraża się w W·sr-1 ·m-2.

3. Ogólna Charakterystyka wybranych fotodetektorów

3.1. Fotorezystor
Jest to element półprzewodnikowy bezzłączowy, w którym pod wpływem padającego
promieniowania świetlnego następuje zmiana rezystancji. Część roboczą (światłoczułą)
fotorezystora stanowi cienka warstwa półprzewodnika osadzona na podłożu dielektrycznym wraz z
elektrodami metalowymi doprowadzającymi prąd ze źródła zewnętrznego. Całość umieszczona jest
w obudowie z okienkiem, służącym do przepuszczania promieniowania świetlnego (rys. 3).
Strumień światła o odpowiedniej długości fali wywołuje generację par elektron dziura, w efekcie
dodatkowa liczba elektronów i dziur zwiększa konduktywność półprzewodnika powodując tym
samym zmniejszenie rezystancji fotorezystora. Najczęściej fotorezystory produkowane są z takich
materiałów jak: siarczek ołowiowy (PbS), tellurek ołowiowy (PbTe), samoistny albo odpowiednio
aktywowany german (Ge), antymonek indu (InSb), oraz siarczek kadmu (CdS).

Rys. 3. Schemat budowy fotorezystora (a) i jego symbol (b)

Podstawowe parametry fotorezystora to:

prąd fotoelektryczny –różnica całkowitego prądu płynącego przez fotorezystor i prądu
ciemnego (prądu płynącego przez fotorezystor przy braku oświetlenia):
Ip = G ·Evγ
gdzie: Ev –natężenie oświetlenia, G, γ –parametry stałe (zależne od zastosowanego materiału
półprzewodnikowego i rodzaju domieszek)
czułość widmowa –zależności rezystancji od natężenia oświetlenia
rezystancja fotorezystora –zależy od jego wymiarów:
RE = ρ·d/l
 gdzie: d – odstęp między elektrodami, l – szerokość elektrod, ρ –rezystywność
półprzewodnika
współczynnik η –stosunek rezystancji ciemniej do rezystancji przy zadanej wartości
natężenia oświetlenia
η =RD /R50
gdzie: RD –rezystancja ciemna, R50 –rezystancja przy natężeniu oświetlenia 50 lx

Rys. 4. Charakterystyka fotorezystora CdS a) widmowa (przedstawia zależność czułości widmowej od długości
fali); b) prądowo –napięciowa przy różnym oświetleniu

3.2. Fotodioda

Fotodioda - półprzewodnikowy element fotoelektryczny z warstwą zaporową, jest to

najogólniej ujmując złącze p-n, w którym zakłócenia koncentracji nośników mniejszościowych
dokonywane jest za pomocą energii fotonów docierających do złącza przez odpowiednie okienko
wykonane w obudowie fotodiody. Złącze p-n fotodiody może być wykonane z różnych materiałów
półprzewodnikowych, najczęściej stosuje się german (Ge), krzem (Si), arsenek galu (GaAs) i
tellurek kadmu (CdTe). W obszarze warstwy zaporowej złącza p-n zachodzą wskutek oświetlenia
dwa zjawiska: powstaje siła elektromotoryczna (zjawisko fotowoltaiczne) oraz rośnie
proporcjonalnie do padającego strumienia fotonów prąd płynący przez złącze p-n w przypadku gdy
złącze spolaryzowane jest w kierunku zaporowym (fotodioda). Fotodioda pracuje przy polaryzacji
złącza w kierunku zaporowym. W stanie ciemnym (przy braku oświetlenia) przez fotodiodę płynie
tylko niewielki prąd ciemny, będący prądem wstecznym złącza określonym przez termiczną
generację nośników. Oświetlenie złącza powoduje generację dodatkowych nośników i wzrost prądu
wstecznego złącza, proporcjonalny do natężenia padającego promieniowania.
 Rys. 5. Schemat działania (a), budowy (b), symbol (c) fotodiody

Charakterystykę prądowo –napięciową fotodiody przedstawiono na ryc. 6. Prąd fotodiody

wzrasta proporcjonalnie do mocy promieniowania Pe, a czułość elementu na moc promieniowania
(stosunek zmiany prądu do mocy padającego promieniowania) jest stała w szerokim zakresie.

Rys. 6. Charakterystyka prądowo –napięciowa fotodiody

Charakterystyka widmowa fotodiody zależy od rodzaju wykorzystanego materiału
półprzewodnikowego.
Fotodiody stosowane są m.in. w fotometrii, przy odtwarzaniu zapisu dźwiękowego z taśmy
filmowej, w urządzeniach automatyki przemysłowej.

3.3. Fotoogniwo

Fotoogniwo –to element o stosunkowo dużej powierzchni oświetlonej. Złącze p-n znajduje
się w bezpośrednim sąsiedztwie (na głębokości rzędu 1μm) oświetlanej powierzchni. Padające na
złącze fotony o energii większej od szerokości przerwy energetycznej półprzewodnika powodują
powstanie par elektron dziura. Pole elektryczne wewnątrz półprzewodnika związane z obecnością
złącza p-n, przesuwa nośniki rożnych rodzajów w rożne strony. Elektrony trafiają do obszaru n,
dziury do obszaru p. Rozdzielenie nośników ładunku w złączu powoduje powstanie na nim
zewnętrznego napięcia elektrycznego. Ponieważ rozdzielone nośniki są nośnikami nadmiarowymi
(mają nieskończony czas życia), a napięcie na złączu p-n jest stałe, oświetlone złącze działa jako
ogniwo elektryczne. Polaryzacja zaporowa złącza odpowiada pracy fotodiody, polaryzacja w
kierunku przewodzenia – pracy fotoogniwa.

Rys. 7. Charakterystyki prądowo napięciowe oświetlonego złącza p-n

3.4. Fototranzystor

Fototranzystory - to tranzystory bipolarne (najczęściej typu n-p-n), w których obudowie

wykonano okno umożliwiające oświetlenie obszaru bazy tranzystora. Fototranzystor polaryzujemy
tak jak zwykły tranzystor tj. złącze baza emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a
złącze baza kolektor w kierunku zaporowym. Powszechnie fototranzystory wykonywane są jako
elementy o dwóch wyprowadzeniach tj. wyprowadzone są kontakty emitera i kolektora, baza
zazwyczaj pozostaje nie wyprowadzona na zewnątrz. Przy braku oświetlenia przez fototranzystor
płynie prąd zerowy, związany z termiczną generacją nośników, jest to prąd zaporowo
spolaryzowanego złącza p-n na granicy obszarów bazy i kolektora. Oświetlenie obszaru bazy
promieniowaniem o odpowiedniej długości fali powoduje w wyniku fotoefektu wewnętrznego
pojawienie się w bazie fototranzystora dodatnich i ujemnych nośników prądu: dziur i elektronów.
Zaporowa polaryzacja złącza baza kolektor powoduje rozdzielenie nośników (analogicznie jak ma
to miejsce w zaporowo spolaryzowanej fotodiodzie). Nośniki mniejszościowe pod wpływem pola
elektrycznego na granicy baza kolektor zostają „przerzucone” do kolektora. Nośniki większościowe
gromadzą się w bazie, co powoduje obniżenie bariery potencjału na złączu baza emiter, a to z kolei
umożliwia przejście nośników większościowych z obszaru emitera do obszaru bazy. Nośniki te w
obszarze bazy stają się nośnikami mniejszościowymi, zaporowa polaryzacja złącza baza kolektor
powoduje ich przejście do obszaru kolektora i zwiększenie prądu kolektora.
Charakterystyki wyjściowe IC = f(UCE) są analogiczne jak dla zwykłych tranzystorów bipolarnych,
parametrem jednak nie jest prąd bazy, ale natężenie oświetlenia obszaru bazy.
 Rys. 8. Rodzina charakterystyk wyjściowych fototranzystora dla rożnych wartości oświetlenia (E1<E2<E3<E4)

3.5. Transoptor

Transoptor -stanowi izolowaną elektrycznie parę: źródło promieniowania – fotodetektor,

sprzężoną optycznie i umieszczoną we wspólnej obudowie. W transoptorach jako źródło
promieniowania stosuje się diody elektroluminescencyjne, natomiast jako fotodetektory
wykorzystuje się krzemowe fotodiody, fototranzystory, fototyrystory, fotodarlingtony oraz
specjalne struktury, takie jak: foto-FET, fotodiak, fototriak. Transoptor przenosi sygnały zarówno
stałoprądowe, jak i zmiennoprądowe (analogowe i cyfrowe), przy czym pasmo przenoszenia zależy
przede wszystkim od rodzaju użytych elementów. Transoptory stosuje się w aparaturze pomiarowej
i medycznej, w układach automatyki przemysłowej, głownie w celu eliminacji zakłóceń
wprowadzanych przez układy współpracujące ze sobą, bądź do sprzęgania układów o rożnych
potencjałach, a także w charakterze wyłączników optoelektronicznych.
Transoptor może być zamknięty, monolityczny (scalony) i wtedy promieniowanie wysyłane
przez źródło światła przenika przez warstwę materiału elektroizolacyjnego (np. szkło, żywica
epoksydowa). W transoptorze otwartym, szczelinowym (tzw. transmisyjnym) oraz odbiciowym
(refleksyjnym) – światło transmitowane jest przez warstwę powietrza, w której znajduje się
ruchomy element przerywający lub ustanawiający sprzężenie optyczne między źródłem
promieniowania i fotodetektorem. Transoptory mogą przenosić sygnały stałoprądowe i
zmiennoprądowe. Pasmo przenoszenia transoptora zależy od rodzaju wykorzystanego źródła
promieniowania oraz fotodetektora. Ponieważ źródło promieniowania i fotodetektor są elektrycznie
izolowane, co przedstawiono na rys. 8, więc dopuszczalna różnica potencjałów pomiędzy wejściem
a wyjściem, zależnie od wykonania, wynosi od kilkuset woltów do kilkudziesięciu kilowoltów.
 Rys. 8. Schemat budowy transoptora

Transoptory można scharakteryzować zespołem parametrów wejściowych, wyjściowych,

transmisyjnych oraz statycznych i dynamicznych. Do parametrów wejściowych transoptora należy
zaliczyć moc strat, typowe napięcie przewodzenia, maksymalne napięcie wsteczne, maksymalną
wartość prądu przewodzenia oraz szczytową wartość impulsu prądowego dla danej długości
impulsu i częstotliwości powtarzania, a także parametry dynamiczne –charakterystyka
amplitudowa, charakterystyka fazowa, czas narastania oraz czas opadania impulsu.

Rys. 9. Charakterystyka wejściowa transoptora

Przykładowa charakterystyka wejściowa UF = f(IF) transoptora przedstawiona została na rys. 9.
Przebieg tej charakterystyki zależy od temperatury otoczenia.

4. Przebieg ćwiczenia

4.1. Budowa stanowiska laboratoryjnego

Stanowiska laboratoryjne służy do wyznaczania charakterystyki statycznej, dynamicznej i

widmowej fotodetektorów. Jego obsługa jest maksymalnie uproszczona. Osoba obsługująca
stanowisko nie musi składać układu pomiarowego od podstaw, a jedynie podłączyć przyrządy
pomiarowe, wybrać fotodetektor i rodzaj wyznaczanej charakterystyki. Do wyboru rodzaju
charakterystyki, która będzie badana służy przełącznik „Charakterystyka”. Aktualny rodzaj
charakterystyki sygnalizują diody powyżej przełącznika.
 Rys. 10. Panel sterowania (widok ścianki przedniej)

Rys. 11. Stanowisko laboratoryjne –widok ścianki tylnej, gdzie: 1- wyjście na oscyloskop 1 mierzący sygnał na źródle
światła, 2 –wyjście na oscyloskop 2 mierzący sygnał na fotodetektorze, 3 –wejście generatora zewnętrznego. 4, 5
–zaciski „-” i „+”woltomierza V2, 6 –zacisk „+” woltomierza V1, 7 –zacisk „+” woltomierza Vz2, 8, 9, 10 –
zaciski „+” woltomierzy VR, VG, VB, 11 –odpowiednie zaciski „-”, 12 –gniazdo WE/WY z modułu
fotodetektora

Blok do wyznaczania charakterystyki widmowej

Wyznaczanie charakterystyki widmowej polega na pokazaniu zależności fotodetektora od barwy

źródła światła. Jak źródło światła na stanowisku pomiarowym zastosowano diodę RGB (składającą
się z trzech układów diodowych: czerwonej, zielonej i niebieskiej). Rozwiązanie to eliminuje
konieczność stosowania skomplikowanych urządzeń z układami pryzmatowymi do wyznaczania
charakterystyki spektralnej. Barwę źródła światła ustala się poprzez odpowiedni stosunek
potencjałów na diodzie RGB (rys. 13). Skala światłości jest wprost proporcjonalna do napięcia
zasilania diody RGB.
 Rys. 12. Rozkład spektralny emisji trzech przykładowych punktowych źródeł światła w systemie RGB

Rys. 13. Blok do wyznaczania charakterystyki widmowej fotodetektorów, gdzie:

1 –potencjometr regulujący potencjał na części diody RGB odpowiadającej za kolor czerwony,
2 - potencjometr regulujący potencjał na części diody RGB odpowiadającej za kolor zielony,
3 - potencjometr regulujący potencjał na części diody RGB odpowiadającej za kolor niebieski,
4 – pasek z widmem barw, 5 –dioda RGB sygnalizująca aktualną barwę

4.2. Wyznaczanie charakterystyki widmowej

W celu wyznaczenia charakterystyki widmowej fotodetektorów należy postępować następująco:

1. Podłączyć przyrządy pomiarowe (woltomierze –V1, V2, Vz2, VR, VG, VB),
2. Podłączyć moduł fotodetektora (kolejno: fotoogniwo, fotorezystor, fototranzystor, fotodioda)
3. Wybrać tryb pomiaru –charakterystyka widmowa (na panelu sterowania)
4. Ustawiać odpowiednie wartości napięcia na diodzie RGB (według kolejnych punktów
pomiarowych –Tabela 1.1 a lub 1.1b –w zależności od wybranego stanowiska pomiarowego),
Napięcie zasilające fotodetektor (VZ2) musi mieć stałą wartość podaną przez prowadzącego.
5. Zanotować wartości napięcia dla wybranego fotodetektora
6. Pomiary powtórzyć dla wszystkich 4 fotodetektorów
 Tabela 1.1 a Charakterystyka diody RGB (stanowisko pomiarowe nr 1)
Foto- KFo Foto- KFo Foto- KFo Fotodioda KFo
λ VR VG VB ogniowo rezystor tranzystor
[nm] [V] [V] [V]
V1 Vz2 V1 Vz2 V1 Vz2 V1 Vz2
400 2,31 3,05 5,2
425 2,31 3,22 5,93
450 2,31 3,42 6,08
475 2,48 3,72 5,93
500 2,56 4,02 5,29
525 2,7 4,16 4,69
550 2,9 4,09 4,07
575 3,17 3,87 3,76
600 3,44 3,58 3,6
625 3,57 3,27 3,48
650 3,5 3,08 3,14
675 3,3 2,98 3,14

Tabela 1.1. b. Charakterystyka diody RGB (stanowisko pomiarowe nr 2)

Foto- KFo Foto- KFo Foto- KFo Fotodioda KFo

λ VR VG VB ogniowo rezystor tranzystor
[nm] [V] [V] [V]
V1 Vz2 V1 Vz2 V1 Vz2 V1 Vz2
400 2,56 3,63 4,88
425 2,56 3,94 5,48
450 2,56 4,40 5,63
475 2,61 5,02 5,48
500 2,72 5,64 4,88
525 2,93 5,95 4,29
550 3,21 5,8 3,69
575 3,59 5,33 3,39
600 3,97 4,71 3,24
625 4,15 4,09 3,12
650 4,06 3,69 3,09
675 3,78 3,47 3,09

5. Opracowanie wyników

Wyznaczyć charakterystykę KFo w funkcji długości fali dla każdego z fotodetektorów. Wyznaczone
charakterystyki nanieść na jeden wykres i omówić różnicę pomiędzy nimi.