Universidade Federal da Bahia - DEE Dispositivos Semicondutores ENG C41 Lista de Exerccios no.

.3 1) Dimensione o resistor RB para que a porta inversora da Fig.1 funcione satisfatoriamente: +VCC = 5 V Tabela Verdade RC = 12 K IB + VI Fig.1 Caractersticas do TBJ NPN utilizado: = 80, IC0 desprezvel, VBE = 0,6 V, VBEsat = 0,8 V, VCEsat = 0,2 V. 3) Dimensione RC e RE de um circuito de polarizao automtica com VCC = 15 V, RB1 = 64 K e RB2 = 36 K, de modo que S(IC0) < 10 e o TBJ NPN opere na regio ativa com VCE = 5,0 V. As caractersticas do dispositivo so as mesmas da questo anterior. 4) Projete um circuito de polarizao coletor-base, para que o TBJ NPN opere na regio ativa com VCE = 2,5 V e IC = 1mA. Os parmetros do dispositivo so: = 125, VBE = 0,65 V e IC0 desprezvel. Assuma uma fonte DC de 12 V. 5) Calcule o ponto de polarizao num circuito de polarizao automtica com RB1 = 150 K, RB2 = 50 K, RC = 2,5 K, RE = 1 K e VCC = 15 V, sabendo que o TBJ opera na regio ativa e idntico ao da questo anterior. 6) Supondo T2 na regio ativa no circuito da Fig.6, determine o mximo valor de vIN para o qual T1 est na regio de saturao. ATENO: A queda de tenso atravs da fonte de corrente no nula! Adote 1 = 200, 2 = 500, VBE = 0,6 V na regio ativa, VBESAT = 0,8 V, VCESAT = 0,2 V e IC0 desprezvel nos dois transistores. RB1 = 480 K, RB2 = 1,25 M, RC = 2,6 K, IE = 5 mA e VCC = 12 V. RB B E IE IC C + VO VI 0 5V VO 5 + 0,5 V 0 + 0,5 V

RB1

RC RB2 T1 VE IE T2 vIN

Fig.6 7) Dimensione RE, RB1 e RB2 no circuito da Fig.7 para que o TBJ NPN esteja polarizado com VCE = 7 V e IC = 5 mA, com fator de estabilidade S(IC0) < 10. O transistor possui os seguintes valores tpicos de parmetros: = 500, VBE = 0,6 V na regio ativa, IC0 desprezvel. VCC = 12 V e RC = 700 .

RB1

RC

RB2

RE

Fig.7 8) No circuito da Fig.8.(a), os transistores T1 e T2 so idnticos e apresentam as caractersticas de sada na configurao emissor comum ilustradas na Fig.8.(b). Determine o mnimo valor de R4 para que T2 esteja operando no regime de saturao quando vIN for menor ou igual a 5,6 V. Sabe-se que na regio ativa VBE 0,6 V e na regio de saturao VBE 0,8 V. Adote VCESAT = 0,4 V. VCC = 12,3 V, R1 = 250 K, R2 = 12,5 K e R3 = 50 K.

R2 R3

R4

T2 R1 vIN T1

(a) IC (mA)

IB =52 A

44 A

28 A 20 A 15 A 11 A 5 A 2 A

1,0 V 0,1 mA

VCE (V) (b)

Fig.8

9) Nos circuitos de polarizao fixa e automtica das Figs.9.(a) e 9.(b), respectivamente, o transistor TBJ NPN deve operar no ponto de polarizao indicado sobre sua caracterstica na Fig.9.(c). Assuma que VBE na regio ativa igual a 0,6 V e que VCC = 12 V. a) Dimensione os resistores RC e RB do circuito de polarizao fixa. b) Adote RC = 1 K no circuito de polarizao automtica e dimensione RE, RB1 e RB2 de modo a ter um fator de estabilidade S(IC0) menor que 20. Despreze IC0.

RB1 RB RC

RC

RB2

RE

(a)
IC (mA)

(b)

IB = 10 A

(c)

VCE (V)

Fig.9 10) Determine o mximo valor de VIN que ainda permite que o transistor T2 da Fig.10 opere no regime de saturao, sabendo que T1 e T2 so idnticos, com os seguintes valores tpicos de parmetros: = 50, VBE = 0,6 V na regio ativa, IC0 desprezvel, VBESAT = 0,8 V e VCESAT = 0,2 V. VCC = 12 V, RB1 = 100 K, RC1 = 20,4 K, RB2 = 50 K e RC2 = 11,8 K. Assuma T1 na regio ativa.

RC1 RB2 VIN RB1 T1

RC2

T2

Fig.10 11) Dimensione RC, RE, RB1 e RB2 do circuito de polarizao automtica da Fig.11, para que o transistor TBJ NPN opere com IC = 5 mA e VCE = 2 V e com S(IC0) menor ou igual a 20. Faa VC = VCC/2. Assuma que VBE na regio ativa igual a 0,6 V, que = 200, que IC0 desprezvel e que VCC = 12 V.

RB1

RC VIN

RB T1

RC

T2

RB2

RE

RE

Fig.11

Fig.12

12) Com relao ao circuito da Fig.12: a) Determine o mnimo valor de VIN para que o transistor T2 opere no regime de saturao. b) Determine o valor de VCE2, se VIN = -1 V. Sabe-se que VBE = 0,6 V na regio ativa, IC0 desprezvel, VBESAT = 0,8 V e VCESAT = 0,2 V para ambos transistores, e que 1 = 100, 2 = 50, VCC = 10 V, RB = 50 K, RC = 500 , RE = 1 K.

13) No circuito da Fig.13 o transistor T1 deve operar na regio ativa, com IC = 2 mA e VCE = 5 V sempre que a chave constituda pelo transistor T2 estiver fechada. Determine os valores de RE e RC e dimensione RB3 para o funcionamento adequado do circuito. A tenso de controle da chave, vCONT, pode assumir os valores 5 V ou -5 V. Admita que IC2 IE2 e que em saturao a tenso VCE de T2 aproximadamente nula. Sabe-se que: VCC = 10 V, RB1 = 20 K, RB2 = 5 K, 1 = 100, 2 = 50, VBE (regio ativa) = 0,6 V, VBESAT = 0,8 V. Despreze a corrente de saturao reversa da juno coletor-base.
VCC 10V
VCC

VCONT RB1

RB3
4

RC
7

6 3

T2
8

T1

RB2
0

RE

Fig.13

14) No circuito da Fig.14, vCONT = 5 V ou -5 V e v CONT uma tenso com valor simtrico ao de vCONT. Sabe-se que VCC = 12 V, IE = 1 mA, RC1 = 9 K, RB2 = 500 K, 1 = 99, 2 = 249, VBESAT = 0,8 V, VCESAT = 0,2 V. Despreze a corrente de saturao reversa da juno coletor-base nos dois transistores. Dimensione RB1 e RC2 para que T1 entre em saturao quando T2 entrar no corte e vice-versa. 15) No circuito da Fig.15(a), VCC = 12 V, RE = 800 , RC = 2200 , RB = 299,2 K, = 100, IC0 desprezvel, VBE = 0,6 na regio ativa. Utilizando o mesmo valor de RC, determine os valores de RB1, RB2 e RE do circuito de polarizao automtica (Fig.15(b)), afim de obter o mesmo ponto de polarizao (VCE, IC) e tais que as variaes em IC devidas exclusivamente a variaes em IC0 sofram uma reduo de 3 vezes em relao ao circuito da Fig.15(a).

VCC 12V
VCC

VCC

VCC 12V
VCC

vCONT
9

v CONT
RC1 RC2
7 10 6

VCC

12V

RB1
4

RB2
5

RB

RC
15

RB1
14

RC
11

T1

T2

19
2

18

RB2 RE

16

IE
0

RE
0

(a)

(b)

Fig.14

Fig.15

16) No circuito da Fig.16, determine o valor de vOUT quando vCONT = 5 V e o valor mnimo de RC2 para que T2 esteja em saturao quando vCONT = -5 V. Sabe-se que VCC = 5 V, VEE = -5 V, RC1 = 20 K, RE = 1 K, RB = 400 K, 1 = 50, 2 = 59, VBESAT = 0,8 V, VCESAT = 0,2 V. Despreze a corrente de saturao reversa da juno coletor-base nos dois transistores. 17) No circuito de polarizao automtica da Fig.17, a variao em IC causada por uma variao de 100 nA em IC0 no pode ultrapassar 1 A. Determine os valores de RB1, RB2 e RC = 2RE para que o ponto de polarizao seja VCE = 5,98 V e IC = 2 mA. Sabese que VCC = 12 V,VBE = 0,6 V na regio ativa, = 100 e IC0 desprezvel.
VCC 5V
VCC

VCC
VCC

12V

RC2 RC1
1 4

RC RB1
8 2

T2 vCONT 7 RB
6

vOUT T1 RE
VEE 3

10

RB2

RE
0

VEE -5V

Fig.16

Fig.17

18) No circuito da Fig.18, sabe-se que: VCC = 10 V, = 100, IC0 desprezvel, VBE = 0,6 V na regio ativa, RB3 = 100 K e o potencimetro de 100 K. Sabe-se que com o cursor do potencimetro na posio central, o ponto de polarizao IC = 2 mA e VCE = 5 V. Determine a nova posio do potencimetro (valores de RB1 e RB2) para IC cair metade e determine a tenso VCE nestas condies.
VCC 10V
VCC

VCC 10V
VCC

RC
11

RC1
3 2

RC2

RB1
50%
15

RB3
16

T2
13

RB2 RE
0

RB1 vIN
5 1

T1
0

Fig.18

Fig.19

19) Determinar a menor resistncia a ser ligada em srie com RC2 no circuito da Fig.19, para que T2 entre no regime de saturao quando vIN = -1 V. Adote 2 = 100, VBE VBESAT = 0,8 V, VCESAT = 0,2 V e IC0 desprezvel. RB1 = 6,8 M, RC1 = 460 K, RC2 = 900 e VCC = 10 V. 20) Dimensione RB1 e RB2 no circuito de polarizao automtica da Fig.20(a) de tal forma que o ponto de polarizao (IC, VCE) seja o mesmo que no circuito de polarizao coletor-base da Fig.20(b) e que a variao de IC devida a uma mesma variao de IC0 seja 5 vezes menor. Assuma que o mesmo transistor utilizado nos dois circuitos. = 100, VBE = 0,7 V na regio ativa, VCC1 = 10 V, VCC2 = 7 V, RCX = 2 K, RBX = 113 K, RC = 2510 . (Valor: 3,5)
VCC1
VCC VCC

VCC2

RB1
1 2

RC RBX

RCX
3

RB2
0

RE
0

Fig.20

Respostas lista de exerccios no 3: 1) 3) 4) 5) 6) 7) 8) 9) 10) 11) 12) 13) 14) 15) 16) 17) 18) 19) 20) RB < 938.667 K RE > 2,244 K. Ex: para RE = 2,7 K, ento RC = 3,563 K RC = 9,425 K, RB = 231,25 K IB = 18,96 mA, IC = 2,370 mA, VCE = 6,686 V vINmx = 9,515 V. RE = 299,4 , RB < 2,750 K. R4min = 10,625 K. a) RB = 1,14 M, RC = 2 K, b) RE = 995,025 , RB < 20,995 K. vINmx = 1,56 V. RC = 1200 , RC = 796,02 e RB < 16,796 K. vINmin = 1,99 V. RE = 653,47 , RC = 1840 , RB3 < 5,7 M. RB1mx = 131 k, RC2min = 5,622 k. RE = 800 , RB1 = 88,339 k, RB2 = 42,229 k. vOUT = -5 V, RC2min = 427,4 . RE = 1 k, RC = 2 k, RB < 9989 ; para RB = 8 k: RB1 = 34,532 k, RB2 = 10,412 k. RB1 = 75,132 k, RB2 = 25,868 k. RC2Xmin = 4 k. RE = 1 k, RB1 = 24,066 k, RB2 = 9,628 k.

ATENO: As questes de projeto admitem infinitas solues. Nas respostas pode aparecer uma sugesto. Sugestes: Do livro: "Introduo ao Estudo de Dispositivos Semicondutores", Ana Isabela Arajo Cunha, captulo 12: seo 12.8, questes 1 a 7.