T926 – Eletrônica Básica

Polarização de Transistor

Prof. Wellington Brito

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Polarização de transistores
Objetivos deste capítulo
• Ser capaz de determinar os valores de corrente contínua para as
diversas configurações de transistores.
• Conhecer as condições de saturação e de corte de um circuito
com transistor e os níveis de tensão e corrente estabelecidos para
cada condição.
• Ser capaz de realizar uma análise por reta de carga das
configurações mais comuns de circuitos com transistores.
• Familiarizar-se com o processo de concepção de amplificadores
com transistor.
• Compreender o funcionamento básico de circuitos de
chaveamento com transistores.
• Começar a entender o processo de solução de problemas em
circuitos transistorizados.
• Desenvolver um sentido para os fatores de estabilidade de uma
configuração com transistor e para o modo como eles afetam sua
operação devido a mudanças em características específicas e
alterações ambientais.
Polarização

• Aplicar tensões CC a um transistor no intuito de

ligá-lo de modo que ele amplifique sinais CA.
Ponto de operação

•A saída CC
estabelece um ponto
de operação ou
ponto quiescente
chamado ponto Q.
As três regiões de operação
• Operação em região ativa ou linear
o A junção base-emissor é polarizada diretamente.
o A junção base-coletor é polarizada reversamente.

• Operação na região de corte

o A junção base-emissor é polarizada reversamente.

• Operação na região de saturação

o A junção base-emissor é polarizada diretamente.
o A junção base-coletor é polarizada diretamente.
O transistor como uma torneira
Circuitos de polarização CC

• Circuitos de polarização fixa

• Circuito de polarização estável do emissor
• Malha coletor-emissor
• Circuito de polarização por divisor de tensão
• CC com realimentação de tensão
Polarização fixa
A malha base-emissor

• Da Lei das Tensões de

Kirchhof:

+VCC – IBRB – VBE = 0

• Resolvendo a equação para

corrente base:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Malha coletor-emissor
Corrente de coletor:

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

IE = IC + IB
IE =  IB + I B
IE = ( + 1)IB
Da Lei das Tensões de Kirchhof:
VCC – ICRC – VCE = 0

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
Saturação

• Quando o transistor está operando em saturação, a

corrente ao longo dele está em seu máximo valor
possível.

• VCC = ICRC

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 =
𝑅𝐶
Análise de reta de carga
• Os pontos finais das
retas de carga são:
ICsat
IC = VCC / RC
VCE = 0 V
VCEcutoff
VCE = VCC
IC = 0 mA

• O ponto Q é o ponto de operação onde o valor de RB

ajusta o valor de IB que controla os valores de VCE e IC .
O efeito da VCC sobre o ponto Q
O efeito da RC sobre o ponto Q
O efeito da IB sobre o ponto Q
Circuito de polarização estável do emissor
• Adicionar um resistor
(RE) ao circuito emissor
estabiliza o circuito de
polarização.
Malha base-emissor
• Da Lei das Tensões de Kirchhof:

VCC – IBRB –VBE - IERE = 0

• Se IE = ( + 1)IB:
•VCC – VBE – IBRB – ( + 1)IBRE = 0
•VCC – VBE = IB [RB + ( + 1)RE]

• Resolvendo a equação para IB:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
Malha coletor-emissor
• Da Lei das Tensões de Kirchhof:
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
• Se IE  IC:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
•IC = IB

•Também pode-se calcular:

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝐶 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵
Nível de saturação

• Os pontos finais podem ser determinados a partir da

reta de carga.
VCEcorte: ICsat:
𝑽𝑪𝑬 = 𝟎𝑽
𝑽𝑪𝑬𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝑪𝑪 𝑽𝑪𝑪
ICC = 0A 𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 =
𝑹 𝑪 + 𝑹𝑬
Exemplo de polarização com
estabilidade de resistor de emissor

Para o circuito de polarização

do emissor mostrado na figura,
determine:
a) IB
b) IC
c) VCE
d) VC
e) VE
f) VB
g) VBC
Resolução do exercício polarização com resistor de emissor
IB; IC; VCE; VC; VE; VB; VBC
Solução:
Malha de entrada
VCC – IBRB – VBE – IERE = 0
IE = (β + 1)IB
IB = (20V – 0,7V)/(430kΩ + 51x1kΩ) = 40,1 µA
IC = βIB = 50x40,1 µA = 2,01 mA
Malha de saída
VCC – ICRC – VCE – IERE = 0 Equações importantes:
IE ≈ IC
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
VCE = 20V – (2,01mA)(2kΩ +1kΩ) = 13,97 V 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
I C = I B
VE = IERE = (2,01mA)(1kΩ) = 2,01 V
VC = 13,97V + 2,01V = 15,98V 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
VC = 20V – (2,01mA)(2kΩ) = 20V – 4,02V = 15,98V
𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸
VB = VBE + VE = 0,7V + 2,01V = 2,71V 𝑉𝐶 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
VBC = VB – VC = 2,71V – 15,98V = - 13,27V 𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵
Estabilidade de polarização melhorada

• O termo estabilidade se refere à condição na qual as

correntes e as tensões permanecem razoavelmente
constantes em uma ampla faixa de temperaturas e
valores de transistor Beta ().

• Adicionar RE ao emissor melhora a estabilidade do

transistor.
Exemplo de polarização SEM estabilidade
de resistor de emissor
Para o circuito da figura, calcule: IB; IC; VCE

Solução:
Malha de entrada
VCC – IBRB – VBE = 0
IB = (12V – 0,7V)/240kΩ
IB = 47,08 µA Equações importantes:
IC = βIB = 50x47,08 µA = 2,35 mA 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝑅𝐵
Malha de saída
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
VCC – ICRC – VCE = 0
VCE = 12V – (2,35mA)(2,2 kΩ) = 6,82V 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
Análise do efeito de RE na estabilidade da
polarização do transistor
Recalcular os valores de IB; IC; VCE para
β = 100
Solução:

VCC – IBRB – VBE = 0

IB = (12V – 0,7V)/240kΩ
IB = 47,08 µA

IC = βIB = 100x47,08µA = 4,71 mA Equações importantes:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
Malha de saída 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝑅𝐵

VCC – ICRC – VCE = 0

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

VCE = 12V – (4,71mA)(2,2kΩ) = 1,64 V 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸

𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
Resolução do exercício polarização com
resistor de emissor
Refazer os cálculos de de IB;IC; e VCE
para β = 100

Solução:
Malha de entrada
VCC – IBRB – VBE – IERE = 0
IE = (β + 1)IB

IB = (20V – 0,7V)/(430kΩ + 101x1kΩ )

IB = 36,34 µA Equações importantes:
IC = βIB = 100x36,34 µA = 3,63 mA 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = IC = IB
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
Malha de saída
VCC – ICRC – VCE – IERE = 0 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
IE ≈ IC
VCE = 20V – (3,63mA)(2 kΩ + 1 kΩ) 𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸
VCE = 9,1 V 𝑉𝐶 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵
Comparação do efeito do resistor RE
Polarização de circuito SEM resistor de emissor
β IB (µA) IC (mA) VCE (V)
50 47,08 2,35 6,82
100 47,08 4,71 1,64

Polarização de circuito COM resistor de emissor

β IB (µA) IC (mA) VCE (V)
50 40,1 2,01 13,97
100 36,34 3,63 9,1
Análise dos resultados:
Sem RE – A corrente de coletor (IC) aumentou 100% com a variação do β o
valor da corrente de base (IB) permaneceu o mesmo e VCE diminuiu 76% se
aproximando tanto da região de corte como da região de saturação.
Com RE – A corrente de coletor (IC) aumenta 81% devido ao aumento de β.
A corrente IB diminuiu ajudando a reduzir o aumento de IC devido ao
aumento de β. Já VCE diminuiu somente 35% fazendo com que o transistor
ainda tenha seu ponto de operação na região linear.
Polarização por divisor de tensão

• Este é um circuito
de polarização muito
estável.

• As correntes e as voltagens são quase

independentes de quaisquer variações em .
Análise aproximada

• Onde IB << I1 e I1  I2 :
𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶

• Onde RE > 10R2:

Ri = (β+1)RE = βRE
VBE = VB – VE
VE = VB - VBE

• Da Lei das Tensões de Kirchhof:

IE = VE/RE VCC – ICRC – VCE – IERE = 0

I C  IE VCE = VCC – IC(RC + RE)

Análise da polarização por divisor de tensão

• Nível de saturação do transistor:

VCC – ICRC – VCE – IERE = 0
IE ≈ I C
VCE = VCC – IC(RC + RE)

• Análise da reta de carga

Corte: Saturação:
IC = 0A VCE = 0V

VCEmax = VCC ICmax = VCC/(RC + RE)

Polarização por divisão de tensão: análise exata

1 2

2–Redesenho entrada 3–Fonte de tensão

circuito substituída por um
1–Redesenhar circuito
curto-circuito

4
5

4–VCC volta ao circuito com 5–Circuito de Thevenin é

indicação de VTh redesenhado
Exemplo de polarização por divisão
de tensão
Para o circuito de polarização por divisão de
tensão, determine IC e VCE
Solução:
Verificar se posso utlizar o método aproximado
βRE>10R2 -> 100x1.5kΩ >10x3,9kΩ - Ok
𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
VB = (3,9kΩx22V)/(39kΩ + 3,9kΩ) = 2V
VE = VB – VBE = 2V – 0,7V = 1,3 V
IE = VE/RE = 1,3V/1,5kΩ = 0,867 mA
IC = IE = 0,867 mA
VC=VCC – ICRC= 22V–(0,867mA)(10kΩ)=13,33 V
VCE = VC – VE = 13,33 V – 1,3V = 12V
Recalculando pelo método exato – Polarização por
divisão de tensão
RTh = R1//R2 = 39kΩ //3,9 kΩ
RTh = 3,54 kΩ

Eth = (R2VCC)/(R1 + R2)

Eth = 2 V

ETh – IBRTh – VBE – IERE = 0

IE = 𝛽 + 1 IB
𝐸𝑇ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇ℎ + 𝛽 + 1 𝑅𝐸

IB = 8,38 µA
Comparação dos 2 métodos
IC (mA) VCE (V)
IC = βIB = 100x8,38 µA = 0,838 mA
Aproximado 0,867 12,00
VCE = VCC – IC(RC + RE) =
Exato 0,838 12,36
VCE = 22V – (0,838mA)(10kΩ+1,5kΩ) Diferença(%) 3,46 3,00
VCE = 12,36 V
Polarização CC com realimentação de tensão
• Outra maneira de melhorar a estabilidade de um circuito de
polarização é adicionar um caminho de realimentação do coletar
à base.
• Neste circuito de polarização o ponto Q está apenas ligeiramente
dependente do transistor beta ().
Malha base-emissor
• Da Lei das Tensões de Kirchhof:
VCC – I´CRC– IBRF – VBE – IERE = 0

• Onde IB << IC: IC  I´C

• Sabendo-se que IC = IB e IE  IC, a

equação da malha é:
VCC – IBRC– IBRF – VBE – IB RE = 0

• Resolvendo a equação
para IB:
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑩 =
𝑹𝑭 + 𝜷(𝑹𝑪 + 𝑹𝑬 )
Malha coletor-emissor
• Aplicando-se a Lei das Tensões de Kirchhof:

VCC - I’CRC - VCE – IERE = 0

• Se IC  IC  IE e IC = IB:

IC(RC + RE) + VCE – VCC =0

• Resolvendo a equação para VCE:

VCE = VCC – IC(RC + RE)

 Análise da polarização base-emissor

• Nível de saturação do transistor:

𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪𝒔𝒂𝒕 = 𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 =
𝑹𝑪 + 𝑹𝑬

• Análise da reta de carga

Corte Saturação
𝑽𝑪𝑬 = 𝟎𝑽
𝑽𝑪𝑬𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝑪𝑪
𝑽𝑪𝑪
IC = 0A 𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 =
𝑹𝑪 + 𝑹𝑬
 Análise o circuito.
Determinar o seguinte:
a) Reta de carga, utilizando a curva
característica mostrada na figura.
b) Para um ponto Q na interseção da
reta de carga com uma corrente de
base de 15 µA, determine os valores
de ICQ e VCEQ.
c) Determine o beta CC no ponto Q
d) Usando o beta calculado no item c),
calcule o valor desejado de RB e
indique um possível valor padrão.
Solução: Determinando o ponto de operação e 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬
Malha de saída respectivos valores de I C e VCE pelo 𝑰𝑩 =
𝑹𝑩 + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝑬
VCC – ICRC – VCE – IERE = 0 gráfico:
IC  IE ICQ = 3,25 mA
𝑽𝑪𝑬 = 𝟎𝑽
VCE = VCC – IC(RC + RE) VCEQ = 7,5 V
Cálculo dos pontos da reta Calcular o β 𝑽𝑪𝑪
de carga: Β = IC/IB = 3,25mA/15 µA = 216,67 𝑰𝑪𝒎𝒂𝒙 =
𝑹𝑪 + 𝑹 𝑬
Quando VCE = 0V, Calcular RB
Icmax = 18V/(2,2kΩ + 1,1kΩ) Malha de entrada
𝑽𝑪𝑬𝒎𝒂𝒙 = 𝑽𝑪𝑪
Icmax = 5,45 mA VCC – IBRB – VBE – IERE = 0
Quando IC = 0A RB = (VCC – VBE – IERE)/IB IC = 0A
VCEmax = VCC = 18V RB = 915 kΩ
 Circuitos de chaveamento com transistor
• Transistores somente com fonte CC aplicada podem ser utilizados
como chaves eletrônicas

VCC – ICRC – VCE = 0

 Cálculos de circuitos de chaveamento
✓ Corrente de saturação:
𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪𝒔𝒂𝒕 =
𝑹𝑪

✓ Para assegurar a saturação:

𝑰𝑪𝒔𝒂𝒕
𝑰𝑩 >
𝜷𝒅𝒄

✓ Resistência emissor-coletor na saturação e no corte:

𝑽𝑪𝑬𝒔𝒂𝒕 𝑽𝑪𝑪
𝑹𝒔𝒂𝒕 = 𝑹𝒄𝒖𝒕𝒐𝒇𝒇 =
𝑰𝑪𝒔𝒂𝒕 𝑰𝑪𝑬𝑶
 Tempo de chaveamento

• Tempos de chaveamento
do transistor:

𝒕𝒐𝒏 = 𝒕𝒓 + 𝒕𝒅

𝒕𝒐𝒇𝒇 = 𝒕𝒔 + 𝒕𝒇
Dicas para análise de defeitos em circuitos
• Tensões aproximadas
• VBE  0,7 V para transistores de silício
• VCE  25% a 75% de VCC (ideal 50%)
• Teste se há circuitos abertos ou curtos com um
ohmímetro.
• Teste os locais de soldagem.
• Teste o transistor com um testador próprio ou um
traçador de curva.
• Observe que a carga ou o próximo estágio afeta a
operação do transistor.
Transistores PNP

• A análise de circuitos de polarização de transistores

pnp é a mesma feita para circuitos de transistores npn.

• A única diferença é que as correntes estão fluindo na

direção oposta.
Bibliografia
BOYLESTAD, Robert;NASHELSKY, Louis. Dispositivos
eletrônicos e teoria de circuitos. Tradução Rafael Monteiro
Simon. 8. ed. São Paulo: Prentice Hall, 2005.
MALVINO, Albert Paul;BATES, David J. Eletrônica. Tradução
Romeu Abdo. 7. ed. São Paulo: AMGH Editora, 2007. v.1.
SEDRA, Adel S;SMITH, Kenneth C. Microeletronica. Tradutor
et al: Antonio Carlos Seabra et al. 4. ed. São Paulo: Makron
Books, 2005.