Experimento 4 X Felipe Carvalho Da Silva

Instituto Federal de Educação
Ciência e Tecnologia da Paraíba

Engenharia de Controle e Automação
Felipe Carvalho da Silva
Laboratório de Eletrônica
Experimento 4
25 de Agosto de 2022
Introdução
Como foi visto, anteriormente, em sala de aula os diodos são componentes
essenciais para a eletrônica em geral, por título de curiosidade e para relembrar
como o mesmo funciona vai ser mostrado um pouco da parte teórica que é de
extrema importância para a execução deste experimento e seu entendimento como
um todo.
A prática dessa semana foi feita com a finalidade de conhecer os transistores
bipolar de junção, visto em sala de aula teoricamente, agora será de forma prática.
Um transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor de três terminais que
consiste em duas junções pn que são capazes de amplificar ou ampliar um sinal. É
um dispositivo controlado por corrente. Os três terminais do BJT são a base, o
coletor e o emissor. Um sinal de pequena amplitude aplicado à base está disponível
na forma amplificada no coletor do transistor. Esta é a amplificação fornecida pelo
TBJ. Observe que ele requer uma fonte externa de fonte de alimentação CC para
realizar o processo de amplificação.
Figura de como é o símbolo de um transistor:
TBJ é um dispositivo semicondutor que é construído com 3 regiões semicondutoras

dopadas, ou seja, Base, Coletor e Emissor separados por 2 junções pn.Os
transistores bipolares são fabricados em dois tipos, PNP e NPN , e estão
disponíveis como componentes separados, geralmente em grandes quantidades. O
principal uso ou função deste tipo de transistor é amplificar a corrente. Isso os torna
úteis como interruptores ou amplificadores. Eles têm uma ampla aplicação em
dispositivos eletrônicos como telefones celulares, televisores, transmissores de
rádio e controle industrial.
Tipo PNP:
No PNP TBJ, o semicondutor tipo n é colocado entre os dois semicondutores tipo p.
Os dois semicondutores do tipo p atuam como emissor e coletor, respectivamente,
enquanto o semicondutor do tipo n atua como base. Isso é mostrado na figura
abaixo.
A corrente entra no transistor através do emissor de tal forma que a junção

emissor-base é polarizada diretamente e a junção coletor-base é polarizada reversa.
Tipo NPN:
No NPN TBJ, o semicondutor do tipo p é colocado entre os dois semicondutores do
tipo n. Os dois semicondutores do tipo n atuam como emissor e coletor,
respectivamente, enquanto o semicondutor do tipo p atua como base. A corrente
que entra no emissor, na base e no coletor tem a convenção de sinal positiva,
enquanto a corrente que sai do transistor tem a convenção de sinal negativa. a
figura do npn já foi mostrada como exemplo da formação de um transistor.
Configuração de transistores de junção bipolar
Como um transistor de junção bipolar é um dispositivo de três terminais, existem
três maneiras de conectá-lo dentro de um circuito elétrico, enquanto um terminal é o
mesmo para saída e entrada. Cada método de conexão responde de forma
diferente aos sinais de entrada dentro de um circuito.
● Configuração de emissor comum - tem ganho de tensão e corrente
● A configuração do coletor comum – não tem ganho de tensão, mas tem
ganho de corrente
● A configuração de base comum – não tem ganho de corrente, mas tem
ganho de tensão
Desenvolvimento
Primeiro Experimento: Identificação dos terminais Base, Coletor e Emissor com o
ohmímetro.
Conforme foi pedido foi pego um transistor de modelo BC 548, utilizando um dos
métodos ensinados no guia foi definido os terminais e o tipo de junção do transistor,
a forma de fazer esse procedimento ocorreu da seguinte forma, utilizando um
multímetro na função de ohmímetro e ajustado na escala correta foi feita a aferição
dos terminais em busca de identificá los, ao verificar os valores medidos de
resistência já é possível, observar que se tratava de um transistor de junção NPN e
identificando os terminais também, sendo o base emissor de maior resistência e o
base coletor de menor valor de resistência, logo abaixo os valores encontrados das
junções.
Resistência Base-Emissor: 8,73384 MΩ
Resistência Base-Coletor: 8,43838 MΩ
Segundo Experimento: Variação de β na região ativa e na saturada.
Foi montado um circuito que demonstrou no guia, de forma prática utilizando o
mesmo transistor da questão anterior, resistores e uma fonte de tensão foi feito o
circuito abaixo. Sendo Vcc = 12V, RC = 1kΩ, Rb = 100kΩ
Em seguida, como ficou o circuito acima em montagem prática.

Com a fonte de tensão (Vin) inicialmente em 0V, aumente gradualmente esta
tensão e realize as medições das tensões no Coletor (Vo) e na Base (VB). ficou da
seguinte forma o comportamento do circuito com o aumento de 2 em 2 na tensão
Vin. Observe a tabela abaixo:
Vin(V) V0(V) Vb(V) Ic(mA) Ib(mA) β
0 11,888 0,2554 0,00004 0,0026 0,0154
2 10,342 0,7005 1,4540 0,01 145,4
4 8,746 0,7567 3,4450 0,03 114,8
6 6,667 0,7687 5,5630 0,05 111,34
8 4,768 0,7833 7,2379 0,07 103,39

10 3,394 0,7934 8,6065 0,09 95,63
12 2,443 0,8004 9,6244 0,11 86,706
Tabela 1
No laboratório foi possível a medição das tensões Vo e Vb e a partir daí foi utilizada
fórmulas para encontrar os valores de Ic, Ib e β, fórmulas essas que estão
expressas a seguir.
fórmula para encontrar Ic:
𝑉𝑐𝑐
𝐼𝑐 = 𝑅𝑐
fórmula para encontrar Ib:
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑏𝑒
𝐼𝑏 = 𝑅𝑏
fórmula para encontrar β:
𝐼𝑐
β = 𝐼𝑏
Dessa forma utilizando essas fórmulas e suas derivações foi possível obter esses
resultados e também observar como o transistor funciona.
Terceiro Experimento: Portas lógicas com o TBJ
Foi feita a montagem de dois circuitos para se observar o seu comportamento e foi
identificado que se tratava de portas lógicas, respectivamente a NAND e a NOR.
estás com um comportamento distinto uma da outra por conta da sua configuração
de componentes o primeiro circuito montado foi o da porta NAND, a seguir o
esquema do circuito utilizado.
.
Após a montagem do circuito, foram feitas medições variando as entradas em 0V e

5V para assim termos a tabela verdade e descobrir qual é a porta logico que foi
montada, logo a abaixo a tabela para a porta lógica NAND.
V1 V2 Vo
0V 0V 4,9921 V
0V 5V 4,9576 V
5V 0V 4,9435 V
5V 5V 0,094 V
Tabela 2
Uma porta NAND de duas entradas é um circuito lógico de combinação digital que
executa o inverso lógico de uma porta AND. Enquanto uma porta AND gera um “1”
lógico apenas se ambas as entradas forem “1” lógicas, uma porta NAND gera um
“0” lógico para esta mesma combinação de entradas. Dessa forma, após obter os
valores expressos na tabela 2 foi possível a constatação que a porta é a NAND, pois
como foi visto ela expressa a mesma tabela verdade que foi representada.
O segundo circuito montado foi o representado pelo esquema abaixo.

O mesmo procedimento foi utilizado para obter a tabela verdade, dessa forma foi
notado que se tratava de uma porta lógica NOR
V1 V2 Vo
0V 0V 5,0384 V
0V 5V 0,092 V
5V 0V 0,094 V
5V 5V 0,0875 V
Tabela 3
A função lógica NOR é uma combinação de duas funções lógicas separadas, a
função Not e a função OR conectadas juntas para formar uma única função lógica
que é a mesma que a função OR, exceto que a saída é invertida. Ou seja, a sua
tabela é a oposta da OR se necessita que pelo menos um dos sinais seja “1” para
sair com 1 a NOR é o oposto todos saem com valor de 1 exceto o que apresenta
dois sinais “1”.
Conclusão
A forma como foi conduzido os experimentos e a possibilidade de observar em
diferentes meios, o que foi estudado em sala de aula foi de grande proveito. O
guia experimental e a aula teórica têm por objetivo principal, reforçar tudo que os
alunos veem em sala de aula só que de forma prática e em ambientes simulados.
Ao fazer tais prática é observado o funcionamento real de como realmente o
correr tudo que é passado em teoria, por exemplo com os experimentos é
possível observar como um capacitor descarregar e da forma que ele ajudar
quando se precisar corrigir irregularidades em um sinal.
Os resultados calculados, simulados e prático foram quase sempre diferentes,
pois cada forma dessa tem sua finalidade específica, imagine um projeto elétrico
de uma casa, o engenheiro faz todos os cálculos e simular, caso de errado ou
esteja muito fora do que foi calculado volta e faz novamente e só assim vai para
pratica que vai mostrar outros erros ou até mesmo desvio de ideias. Com isso a
pratica aliada com teórica torna mais didático a forma de aprender, portanto
facilitando o aprendizado.

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Felipe Carvalho da Silva

TBJ é um dispositivo semicondutor que é construído com 3 regiões semicondutoras

A corrente entra no transistor através do emissor de tal forma que a junção

Em seguida, como ficou o circuito acima em montagem prática.

Vin(V) V0(V) Vb(V) Ic(mA) Ib(mA) β

0 11,888 0,2554 0,00004 0,0026 0,0154

2 10,342 0,7005 1,4540 0,01 145,4

4 8,746 0,7567 3,4450 0,03 114,8

6 6,667 0,7687 5,5630 0,05 111,34

8 4,768 0,7833 7,2379 0,07 103,39

12 2,443 0,8004 9,6244 0,11 86,706

fórmula para encontrar Ic:

fórmula para encontrar Ib:

fórmula para encontrar β:

Terceiro Experimento: Portas lógicas com o TBJ

Em seguida, como ficou o circuito acima em montagem prática.

Após a montagem do circuito, foram feitas medições variando as entradas em 0V e

Em seguida, como ficou o circuito acima em montagem prática.

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