Relatório 5 Experiência Polarização de Transistores

FUNDAO EDSON QUEIROZ
UNIVERSIDADE DE FORTALEZA UNIFOR

CENTRO DE CINCIAS TECNOGICAS CCT
CURSO ENGENHARIA DE CONTR. E AUTOMAO.
Relatrio 5 Experincia: Polarizao de Transistores

Disciplina: Eletrnica Bsica
Professor: Gabriel Ribeiro
JOS UEBER DE CASTRO VALRIO
Fortaleza Cear
2016
Relatrio
1. Objetivo:
Analisar algumas configuraes para polarizao de transistores e avaliar
vantagens e desvantagens de cada uma.
2. Materiais e Mtodos:
* Osciloscpio no Acoplamento CA
* Protoboard
* Fonte DC de 0 a 30 volts
* Multmetro
* Resistores: 1 de 1k; 1 de 1,5k; 1 de 3,3k;1 de 8,2k; 1 de 10k
* Transistores: 1 BC337 e 1 BC548 (transistores NPN)
* Diodo emissor de luz (LED): 1 da cor verde
3. Procedimentos
Parte I - Polarizao da base
Imagem 1 - Circuito 1 Polarizao da base e posicionamento na regio de saturao;
Parte II - Polarizao por divisor de tenso
Imagem 2 - Circuito 2 Transistor posicionado na regio ativa por divisor de tenso;
Parte III - Polarizao do emissor
Imagem 3 - Circuito 3 Polarizao do emissor;
4.
Resultados:
Parte I: Polarizao da base

O circuito foi montado conforme instrues e foi verificado como o transistor
passa do regime de saturao para o regime de corte, e assim sendo usado no
chaveamento de fontes de tenso por exemplo.
VCE
VCB
VBE
IB
IC
IE
0,001 0 0,70V 0,71V 1,45mA 12, 93mA 14,5mA

Quadro 1: Valores Obtidos Com Multmetro
Nesse tipo de configurao o VCE vai ser aproximadamente 0 pois o transistor

entra em saturao, ao se tirar a corrente de Base (Ib 0), a corrente do
coletor tambm tendera a 0, segundo a relao do cc*Ib = Ic.
Parte II: Polarizao por divisor de tenso

No circuito da figura 2 foi verificado o comportamento dos transistores na
regio ativa por divisor de tenso.
Medio BC 337
BC548
VCE
7,50 V
7,72 V
VCB
6,91 V
7,07 V
VBE
0,59 V
0,63 V
IE
1,75 mA 1,72 mA
LTK: BC337
VCE = 6,91 + 0,59 = 7,5 V
LTK: BC548
VCE = 7,07 + 0,63 = 7,7 V
Como os transistores esto na regio ativa a corrente do coletor equivalente
a corrente do emissor, obedecendo a relao cc=IC/IE.
Parte III: polarizao do emissor
No circuito da figura 3 os transistores foram polarizados com duas fonte de
tenso e foram colocados na regio ativa .
Medio BC 337 BC548
VCE
9,85 V
9,91 V
VCB
9,26 V
9,27 V
VBE
0,59 V
0,63 V
IE
1,76mA 1,75 mA
LTK: BC337
VCE = 9,85 + 0,59 = 9,85 V
LTK: BC548
VCE = 9,27 + 0,63 = 9,9 V
5. Concluso
Utilizando os valores obtidos atravs das medies como o multmetro foi
verificado as trs formas de polarizao do transistor.
Na Polarizao de Base o transistor posicionado na regio de saturao e
suas principais caractersticas so:
Vce aproximadamente 0 v;
Ib relativamente alto;
muito baixo
necessrio o uso de corrente de base ib alta para manter ic
aprecivel;
Possibilidade de estabelecer maior nvel de corrente de saturao no
coletor emissor;
O varivel provoca alta estabilidade trmica.
Na polarizao do por divisor de tenso o transistor posiciona se na regio
ativa sendo utilizado principalmente como fonte de corrente.
A Polarizao do emissor posiciona o transistor na sua regio ativa e seu Ib
desprezvel em relao as correntes do coletor e do emissor pois o
elevado, sendo assim muito usado como amplificador.
Conclumos assim que os valores tericos se aproximam muito dos valores
prticos confirmando a teoria vista em sala de aula, o que foi comprovada
atravs dos clculos de LKT, o resultado obtido foi muito satisfatrio o erro em
relao o aos valores medidos foram baixos chegando a ser desprezveis.

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Parte II - Polarizao por divisor de tenso

Imagem 2 - Circuito 2 Transistor posicionado na regio ativa por divisor de tenso;

Parte III - Polarizao do emissor

Imagem 3 - Circuito 3 Polarizao do emissor;

Parte I: Polarizao da base

0,001 0 0,70V 0,71V 1,45mA 12, 93mA 14,5mA

Nesse tipo de configurao o VCE vai ser aproximadamente 0 pois o transistor

Parte II: Polarizao por divisor de tenso

Quadro 2: Valores Obtidos Com Multmetro

Quadro 3: Valores Obtidos Com Multmetro

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