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Ahmed  Report DMCA / Copyright

CAPITULO

1.1
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–

01

que

ELETRÔNICA
 Author /
Uploaded
é
Bianca Farias
DE

 Categories Eletrônica

Diodo POTÊNCIA
Eletricidade
de
Engenharia Recommend Stories
Elétrica Potencia?

Força respostas É a área da eletrônica que se preocupa no

processamento da energia elétrica visando obter
 972  24  503KB
Engenharia Read more maior e ciência, menores perdas no processo de
Eletrônica
conversão de energia; baseando se na utilização
de semicondutores operados regime de
  chaveamento, para realizar o controle do uxo de
respostas energia entre fontes e cargas.
Like 0
 115  3  2MB
0 Comments
Read more 1.2 Qual o Método mais e ciente para controle da
potencia elétrica? É aquele com uso de
Sort by Newest
chaveamento como dispositivos de controle.

Add a comment... 1.3 Qual a desvantagem do uso de um Reostato

respostas
para controle de Potencia Elétrica
 45  4  88KB
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entregue
Facebook Comments plugin

RESPOSTAS uma
 281  3  282KB
Read more
carga?

É a baixa e ciência, aumentando as perdas de

energia devida o aquecimento do reostato.
 g q
respostas SIMULADO
 63  2  395KB
1.4 Explique porque uma chave é superior a um
Read more reostato para controle de potencia

elétrica

Respostas Boldrini entregue

 66  6  444KB
Read more
a

uma

respostas entregar
carga?
 47  4  338KB
Read more
É devido a perda de potencia na chave ser menor
que no reostato, não havendo dissipação

de
respostas gujarati.pdf
 80  10  3MB potência,
Read more
não

ocorrendo
101-respostas
 41  0  6MB perdas.
Read more
1.5 Um Reostato de 20 Ω está ligado a uma carga
resistiva de 30 Ω. Se a fonte de tensão for de 120 V.
Determine a potencia dissipada pelo reostato?

dados: =

reostato resistencia

20

de

carga=

vcc=

30

(rt) Ω

120

potencia

dissipada

cálculo

da

corrente

do

(p.r)?
circuito

x=

(rl) v

reostato

v=r I

(i) i

2,4

RT

2,

4²

20

5,

76

x20

115,

20

Watts.

Uma chave controla um aquecedor de 20

Ωconectado a uma fonte AC de 208 V. Se a chave
estiver ligada. Determine a potência consumida
pelo aquecedor e pela

chave?

VL=

208

RL

Pot.Aquecedor

Pot.Chave

1.6

Repita

W,

problema

Pois

20

Kw

2,163

1.6

2,163

se

tensão
a

chave

na

Kw

estiver

carga

desligada?

L=0

V.

1.7 Uma chave ideal controla uma carga de 20 Ω

conectada a uma fonte AC de 120 V. Se a chave
estiver ligada por 20% do tempo, Determine a
potencia consumida

pela

carga?

Calculo

com

chave

VL=

fechada

20%

do

tempo.

120

20%

de

VL

RL

0,2x120

=
PL

v=

24

20 =

=28,80

1.8 A gura 1.8 mostra uma chave ideal sem perdas

por chaveamento. Se a queda de tensão no estado
ligado for de 2,0 v e a corrente de fuga for de 1mA.
Calcule

perda

de

potencia

na

chave

quando

ela

estiver:

A)

LIGADA

IC=

9,8

Calculo

da

perda
()=

2,0

(corrente

de

de

potencia

condução

durante

9,8

do

estado

circuito)

ligado

19,6

B)

()

DESLIGADA

CALCULO DA PERDA DE POTENCIA DURANTE O

ESTADO DESLIGADO ()

() = 2,0 V x 1mA = 2 V x 10-³A = 0,002w=2 mW

(Desprezível)

1.9

Enumere

A) B)

as

características
LIGA QUANDO

ESTÁ

de

uma

DESLIGA

DELSIGADA,

chave

ideal.

INSTANTANEAMENTE

QUEDA

DETENSÃO

NULA.

C) QUANDO ESTÁ ABERTA, A CORRENTE QUE

ATRAVESSA É NULA. D)

NÃO

DISSIPA

POTÊNCIA

E) QUANDO ESTÁ FECHADA, DEVE SUPORTAR

CORRENTES ALTAS. F) QUANDO ESTÁ ABERTA,
DEVE SUPORTAR TENSÕES ELEVADAS. G) QUE
UTILIZE POUCA POTÊNCIA PARA CONTROLE DE
OPERAÇÃO. H)

QUE

I)

SEJA

QUE

J)

SEJA

QUE

K)

QUE
ALTAMENTE LEVE

TENHA NÃO

PRECISE

CONFIÁVEL. E

PEQUENA.

BAIXO

CUSTO.

DE

MANUTENÇÃO.

1.10 Enumere algumas aplicações comuns da

eletrônica de potencia nas seguintes A)

áreas.

RESIDENCIAL:

ACIONAMENTO

DE

ILUMINAÇÃO

B) INDUSTRIAL: AQUECIMENTO INDUTIVO,

ACIONAMENTO DE BOMBAS E MOTORES. C)

COMERCIAL:

ACIONAMENTO

DE

ELEVADORES,

NOBREAK.

D) SISTEMA DE ENERGIA ELETRICA:

TRANSMISSÃO EM ALTAS TENSÕES CC; FONTES
DE ENERGIA ALTERNATIVA (VENTO, SOLAR, ETC..).
E ARMAZENAMENTO E)

DE

TELECOMUNICAÇÕES:

ENERGIA.

FONTES

DE

ALIMENTAÇÃO
CC

F) AEROESPACIAL: SISTEMA DE ALIMENTAÇÃO

DE SATÉLITES E SISTEMA DE

ALIMENTAÇÃO

G)

TRANSPORTE:

DE

METRÔ,

NAVES.

CARGAS

DE

BATERIAIS...

1.11 Se a fonte de tensão, na gura 1.8, for de 150 V e

a resistência de carga for de 1Ω. Calcule a perda na
condução, a perda por chaveamento e as perdas
totais para os ciclos de trabalhos e para as
frequências dadas na tabela 1.2. Considere

a)

VCE

(sat)=1,1

Para

V,

(On)=

F=1

µS

KHz

Perdas

VCE

1,0

(Off)

=
20

por

(sat)=

1,5

% condução

1,1

VS=150

ICmax=

()

µS

Imaxx

Perdas

150

1,1

150

por

0,2

=
33

chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150

A x (2,5 x )x 1x= 9,375w

Perda

Total

(Pt)

b)

33

Para

9,375

F=1

()

42,375

KHz

Imax

Perdas =
1,86

34,62

50

por 1,1

condução

150

Perdas

0,5

por

82,5

chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150

A x (2,5 x )x 1x= 9,375w

Perda

c)

82,5

Para

9,375

F=1
-

()

Total

KHz

ICxd

1,1

Perdas

91,875

75

por

150

Perdas

condução

0,75

por

123,75

w
chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150

A x (2,5 x )x 1x= 9,375w

Perda +

d)

Para

()

123,75

F=2

Total 9,375

KHz

Perdas =

ICxd

1,1

133,125

20

por v

Perdas

150
por

condução x

0,2

33

chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150

A x (2,5 x )x 2x= 18,75w

Perda

Total.

e)

33w

Para

18,75w

F=2

KHz

Perdas

()

ICxd

e
51,75

50

por

1,1

150A

Perdas

condução x

0,5

por

82,5

chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150

A x (2,5 x )x 2x= 18,75w

Perda +

82,5

()

+18,75

=101,25

Total. wf)

Perdas =

ICxd

-
=

1,1

Para

F=2

KHz

por v

150A

Perdas

75

condução 0,75

por

123,75

chaveamento

= x VCE max x Imax x ((On) + (off)). F= x 150 v x 150

A x (2,5 x )x 2x= 18,75w -

Perda

123,5

Total.

18,75

=
142,5

1.12 Se a fonte de tensão, na gura 1.6, for de 120 v e

a resistência de carga for de 10Ω. Calcule a perda
por chaveamento quando = 1,0 µS e quando o

transistor passar de desligado para ligado e vice-

versa com uma frequência de 5,0 KHZ.

CALCULO

DA

CALCULO

DA

VCEsat

CORRENTE

DO

12

POTENCIA

CIRCUITO

1,1

POR

CONDUÇÃO

12

=13.2

CALCULO DA PERDA DE ENERGIA DURANTE O

ACIONAMENTO
=

VCE

max

Imax

120

12x1,0

480

.J

CALCULO DA PERDA DE ENERGIA DURANTE O

DESLIGAMENTO

VCE

max

CALCULO =

DA +

Imax

120

PERDA

TOTAL

x
480

=2

12x1,0x

480

DE

.J

ENERGIA

.J=960

.J

CALCULO DA PERDA MÉDIA DE POTÊNCIA

DURANTE O CHAVEAMENTO = x VCE max x Imax x
. F= x 120 v x 12 x (1,0 x )x 5x= 2,4 w

CAPITULO

02

DIODOS

DE

POTÊNCIA

2.1 Que tipo de semicondutor é utilizado em

diodos de potência? R-

São

2.2

Quais

feitos as

normalmente vantagens

de principais

germânio do

de

silício.

diodo
de

silício?

R – Suportam maiores correntes e temperaturas

tendo uma resistência reversa maior. 2.3

Qual

condiçãoque

polariza

diretamente

um

diodo?

R – Quando a tensão no anodo é mais positiva que

no catodo, nesta condição o diodo está
diretamente polarizado, podendo conduzir
corrente com pequena queda 2.4

Qual

de é

tensão condição

em

que

polariza

seus inversamente

terminais. um

diodo?

R – Quando a tensão no catodo é mais positiva

que no anodo, diz que o diodo está inversamente
polarizado, bloqueando assim o uxo de corrente.
2.5 Qual é a tensão nos terminais de um diodo
ideal diretamente polarizado? R

Zero.

2.6 Desenhe um circuito chave equivalente para

um diodo diretamente polarizado.

2.7 Desenhe um circuito chave equivalentes para

um diodo inversamente polarizado.

2.8

De na

valor

da

PIV

de

um

diodo.

E a tensão máxima inversa que pode ser ligada

nos terminais de um diodo sem ruptura, se for
excedido o diodo conduz inversamente e será
dani cado.

2.9

Como

testar

um

diodo

com

um

ohmimetro?

R – Ligando o ohmimetro de tal modo que

polarize o diodo diretamente havendo leitura de
baixa resistência, invertendo a polaridade do
ohmimetro deverá haver leitura in nita de
resistência ou circuito aberto. (DIODO OK). Para os
casos de resistência in nita de ambos os lados
medidos (DIODO ABERTO OU DEFEITUOSO), para
os casos de leitura de baixa resistência em ambos
os lados do

diodo

(DIODO

EM

CURTO

CIRCUITO

OU
DEFEITUOSO)

2.10 No circuito mostrado na gura 2.19determine

Id. Qual a tensão inversa máxima

Tensão

nos

máxima

terminais

inversa

15

do

(tensão

diodo?

da

fonte).

CAPITULO

03

TRANSISTORES

DE

POTÊNCIA

3.1 Faça uma lista dos terminais de um transistor

bipolar de junção. Coletor

(C),

Base

(B)

Emissor

(E).

3.2 Descreva como as junções base-emissor e

coletor-base devem ser polarizadas
para

um

BJT

passar

ao

estado

ligado.

A junção base- emissor está diretamente

polarizado, enquanto a junção coletorbase

ca

polarizada

inversamente.

3.3 Descreva como as junções base-emissor e

coletor-base devem ser polarizada

para

um

BjT

passar

ao

estado

deligado.

Tanto a junção base-emissor quanto enquanto a

junção coletor-base ca polarizada

inversamente.

3.4 Qual terminal ca com a tensão mais negativa

em um transmissor PNP? Emissor(E) 3.5 Dentre os
terminais de um BJT, quais os dois que atuam
como um contato de

uma

chave?

Emissor(E)

Base(B)

3.6 Dentre os terminais de um MOSFET, quais os

dois que atuam como contato de
uma

Porta

(G)

chave?

Fonte

(-S)

3.7 Dentres os terminais de um UjT, quais os dois

que atuam como terminais de controle

Emissor 3.8

(E)

Para

que

Para

e usado

Base

terminal

polarização

B2

em

(B) um

do

UJT

dispositivo

3.9 Na gura 3.4 , Vcc = 200 v, RC = 20 Ω, β=20,

Vce(sat) = 1,0 v e Vbe(sat) = 1,2

determine:
a) O valor mínimo de Ib necessáriopara assegurar
o estado ligado saturado. IC= b)

=A

perda

de

= potencia

no

9,95 estado

ligado

A do

transistor.

Pon

VCE

IC

1,0

9,95

9,95

3.10 Na gura 3.4 , Vcc = 200 v e Rc = 20 Ω. O BJT

passa para o estado ligado e para o desligado com
frequência de 5 khz, tsw(on) = 1µs e tsw(off) = 1,5
µs. Determine

as

perdas

ICmax

Perdas
=

Ima

x200

333,3

d=

chaveamento.

x200

por 10

por

potencia

ICma

de

x
j

10

833,3

chaveamento

10

1,5

500

5000

=333,3

0=500

=833,3

Hz

j
4,16

3.11 Uma chave BJT controla potencia DC para

uma carga resistiva de 5 Ω. A fonte de tensão DC
Vs = 120 V, Vce (sat) = 1,2 V, Vbe(sat) = 1,5 V, a

resistência de base é de 1,5 Ω e tensão de

polarização de base Vbb = 5 v. Se a frequência for
de 5 khz com tsw(on) = 1 µs tsw(off) = 1,5 µs,
determine: a)

β?

IC=

23,76 =

b)

perda

Ima

ICma

480

d=

=
75,66

no

BJT.

24

de x120

x120

1200

10

720

A 0,314

potencia

Perdas

==

de

-
=

IB= =

ICmax

Potencia 24

1,5

5000

=480

0=

720

=1200

Hz

6,0

3.12 Uma chave BJT controla potencia DC para

uma carga resistiva de 5 Ω. Se a fonte de tensão
DC Vs = 120 V, Vce (sat) =1,2 V, e o tempo de ligação
for de 1

µs,
a)

As

perdas

IC

dp

Pon

determine: BJT

no

VCE(sat)

estado

IC

ligado.

24

1,2

24

28,8

b) A perda de energia no BJT durante o tempo de

ligação da chave. =

Perdas x

ICma

de
=

x120

Potencia 24

0=480

3.13 Na gura 3.4, Vcc = 200 V , Rc = 20 Ω, Rb = 5 Ω, β

= 30 e Vbe = 0,6 V quando a chave esta ligada.
Determine a tensão mínima de entrada necessária
para

ligar

chave.

3.14 Na gura 3.4, Vcc = 300 V , Rc = 20 Ω. O BJT é

passado para estado ligado e desligado com uma
frequência de 2 khz, sendo tsw(on) = 10 µs, tsw(off)
= 1,2 µs e Vce(sat) = 1,6 V. Determine as perdas
totais de potencia por chaveamento. ICmax

Perdas

Ima

Ima

x
=

de

x300

15

x300

15

Potencia x

15x1,2

10x

0=7,5

=0,9

7,5

x
d=

8,4

0,9

j=

8,4

2000

Hz

16,8

3.15 Uma chave MOSFET controla a potencia para

uma carga de 5 Ω. A fonte de tensão DC Vs = 120 v,
RDs(on) = 0,1 Ω, a frequência de chaveamento é de
25 Khz ton=150 ns e o ciclo de trabalho é igual a 0,6
. Determine:

a)

Perda

ID

energia

de

durante
=

RDs(on)

b)

Perda

de

estado

de =

(23,53)²

potencia

8,3

x0,1

na

ligado

23,53

Perdas ID²

Energia x

150x

chaveno

25000
=

8,3

estado

Hz

=0,2

ligado

3.16 Uma chave IGBT controla a potencia para uma

carga de 15 Ω. A fonte de tensão DC Vs = 440 v,
VCE(sat) = 1,5 v, a frequência de chaveamento é de
2 Khz, ton=20 ns e o ciclo de trabalho é igual a 0,6 .
Determine:

a)

ICmax

Valor

nominal

mínimo

de

corrente

29,2

do

IGBT

IC(avg)

b)

A
=

VCE

c)

IC(max)

Perda

de

IC(avg)

Perda

de

29,2

potencia

1,5

0,6

no

potencia

estado

17,54

na

17,54

ligado

26,31
ligação

da

chave

= VCC x IC(max) x ton x fsw = 440 x 29,2 x 20 x j x

2000 Hz =0,08 w

CAPITULO 4.1

Qual

04 a

principal

DISPOSITIVOS

diferença

entre

um

diodo

TIRITORES e

um

SCR?

É que o SCR possui um terceiro terminal

denominado de Gatilho, que é usado para
controle, é através do qual se aplica um pulso que
provoca o "disparo" do dispositivo. 4.2 duas
condições devem ser atendidas para fazer com
que um SCR passe para

um

estado

ligado.

Quais

são

elas?

São elas: Que o SCR esteja polarizado diretamente

e que a sua porta (Gatilho) receba

uma
corrente

positiva

4.3 Que efeito tem a corrente de porta no SCR

depois que o dispositivo passa ao

estado

ligado?

Depois que o SCR recebe a corrente na porta, a

mesma não terá mais nenhuma nalidade.

4.4

Como

varia

tensão

de

disparo

com a

corrente

de

porta?

Quando o SCR estiver polarizadodiretamente,

uma pequena corrente direta denominada de
corrente no estado desligado ui pelo dispositivo.
Essa região da curva, conhecida como região de
bloqueio direto. Entretanto, se a polarização direta
for aumentada até que a tensão do anodo alcance
um limite crítico denominado de tensão de
disparo direta (Vfbo), o SCR passa para o estado
ligado. A Tensão do SCR cai então para um valor
baixo entre 1 a 3 v e a corrente aumenta no
mesmo instante limitada apenas pelos
componentes em série ao SCR. 4.5 Como passar
um SCR ao estado ligado quando o terminal da
porta estiver aberto? Quando a Junção Porta-
Catodo estiver polarizada diretamente, o SCR
passará para

estado

ligado.

4.6 Que requisitos devem ser atendidos pelo

circuito de acionamento de porta? Que o SCR
esteja polarizado diretamente e sua corrente
positiva da porta não ultrapasse

os

limites

de

sua

região

de

operação.

4.7 Explique a operação de um SCR usando o

modelo de dois transistores. Pode-se

representa

um

SCR

como

dois

transistores

separados

complementares, um NPN (Q1) e Outro PNP (Q2).

O coletor de Q1 é a base do Q2 e a base de Q1é o
coletor de Q2. Uma tensão positiva na porta
polariza diretamente a junção base-emissor do
transistor Q1, passando-o para o estado ligado. Isso
possibilita a passagem de corrente através do
coletor do NPN. Se o Anodo do SCR estiver
positivo, a junção emissor-base do PNPestará
diretamente polarizada, passando para o estado
ligado. Na prática o PNP suprirá o NPN com sua
corrente de base para que ambos os transistores
entrem em processo de saturação. A retirada da
tensão da porta, não fará com que o SCR passe
para o estado desligado até que a corrente
principal (anodo para catodo) seja

interrompida.

4.8 Determine os valores médios e RMS na forma

de onda de corrente mostrada na gura 4.6
usando o método de aproximação Im = 80 A, To =
4ms e T = 20 ms. Calculo IRMS Cálculo

dos

valores
=

dos

Valores

RMS

da

35,77

Médio

da

corrente A Corrente

Iavg

16

4.9 Determine a corrente RMS de um SCR quando

a corrente media DC for de 80

A,

com

um

ângulo

de

condução

de

20°.

Usando a tabela 4.2, Para Ѳ = 20°, temos que fo=

5,0 Fator de Forma Irms

fo
x

Iavg

80

400

4.10 Determine a corrente RMS de um SCR

quando a corrente media DC for de 120

A,

com

um

ângulo

de

condução

de

40°.

Usando a tabela 4.2, Para Ѳ = 40°, temos que fo=

1,8 Fator de Forma Irms

fo

Iavg

1,8

120

216
A

4.11 Faça um esboço da forma de onda da corrente

de saída de um SCR que controla uma carga
quando VDRM for ligeiramente excedido, o que
provocará o disparo

sem

qualquer

acionamento

na

porta.

4.12 Quando a corrente sustentação de um SCR é

maior, a -30°C ou a +30°C? É

Maior

em

+30°C

4.13 De na IH. Quando acorrente de sustentação

cria um problema? É a corrente mínima de Anodo
para manter o SCR em condução, denominada de
corrente de sustentação. Ocorrerá um problema
se esta corrente sofrer uma redução

para

valores

abaixo

do

valor

crítico.

4.14 Explique o signi cado do valor nominal di/dt

de um SCR. O que deverá ocorrer com um SCR
quando (di/dt)max for ultrapassado? Como esses
efeitos podem

ser

reduzidos?

É a taxa de subida crítica da corrente no estado

ligado em um determinado

intervalo de tempo, bastante pequeno, que o

fabricante estabele para que o SCR trabalhe em
um valor seguro. Se este valor for ultrapassado o
SCR será dani cado. E para evitar esse problema
devemos colocar uma indutância em série com o
dispositivo para se opor as variações de correntes,
amortecendo a corrente

de

subida

do

anodo.

4.15 Explique o signi cado do valor nominal dv/dt

de um SCR. O que deverá ocorrer com um SCR
quando (du/dt)MAX for ultrapassado? Como esses
efeitos podem

ser

reduzidos?

É a taxa de subida crítica da tensão no estado

desligado em um determinado intervalo de
tempo. Se este valor for ultrapassado, poderá vir a
queimar o dispositivo SCR. Para evitar estes
problemas, usamos um circuito RC (SNUBBER)
que irá se opor a variação de tensão no dispositivo,
evitando a sua queima. 4.16 Determine o valor
mínimo da indutância L em serie necessária para
proteger m SCR contra um di/dtexcessivo. O
dispositivo tem um valor nominal di/dt de 10 A

/us

fonte

de

tensão

AC

de

220

V. 22uF

4.17 Por que um snubber é necessário em um

Tiristor? Esboce um circuito snubber

explique

como

ele

funciona:

O circuito snubber é necessário para evitar

disparos não programados devido às valores altos
de dv/dt. Quando o SCR estive no estado
desligado, o capacitor carregara positivamente.
Quando o SCR passar para o estado ligado, o
capacitor descarregará e se somará ao dv/dt.
Portanto, uma pequena resistência( Rs) é
acrescida em série com o capacitor para
amortecer a descarga e para limitar a corrente

transitória

de

passagem

para

estado

ligado.

4.18 Determine os valores de um circuito snubber

RC quando o SCR tiver os seguintes VDRM

valores –

nominais: 200

(dv/dt)max

200

V/µs

(di/dt)max

100

A/µs

RL
-

T=

C=

1us

Rs

10 =

1x

0,1

s uF

1,414

mΩ

4.19 Qual a diferença entre um SCR do tipo

inversor e um SCR do tipo controle de

fase?

4.20 Desenhe quatro SCRs em série o circuito

externo para equalizar as tensões.

4.21 Descreva os vários métodos usados para o

SCR passar ao estado ligado. -

Por

Pulso

no

Por

-
Por

Gate

(Gatilho)

sobre Aumento

tensão da

Por

disparo

Por

luz

temperatura de

dv/dt

ou

Radiação

4.22 Descreva os vários métodos usados para o

SCR passar ao estado desligado em circuito DC.-
Desviando a corrente de anodo por um caminho
alternativo -

Curto-circuitando Aplicando

uma

tensão

anodo inversa

catodo

(polarizando

do

SCR

SCR inversamente)

- Forçando a corrente de anodo a cair a zero por

um período breve - Abrindo o caminho externo
proveniente da tensão de alimentação do anodo -
reduzindo

azero,

por

um

momento,

tensão

de

alimentação.

4.23 Desenhe os símbolos de um Triac e

identi que seus terminais.

MT1 – Terminal Principal 1; MT2 - – Terminal

Principal 2 G- Gate

4.24

Esboce

curva

característica

4.25

Enumere

os

quatro

modos

Modo Tensão Tensão Primeiro Positivo Positivo

Segundo Positivo Negativo Terceiro

V-I

de

operacionais

de

de entre entre

Triac

um
Triac.

Operação MT2

um

e Porta

MT1 e

MT1

Negativo Positivo Quatro Negativo Negativo

4.26 Desenhe o símbolo de um Diac e identi que

seus terminais. A1=

4.27

4.28

Anodo

Esboce

Descreva

A2

curva

característica

V-I

operação

de

Anodo

um

Diac.

de

um
GTO.

R- O Tiristor de desligamento por Porta (GTO) é

uma chave semicondutora de potencia que passa
para o estado ligado como um SCR normal, isto é,
com um sinal positivo na porta, sendo que este
permanecerá ligado mesmo que o sinal da porta

for removido. Além disso, pode passar para um

estado desligado por meio de uma corrente de
portanegativa, sendo que este permanecerá
desligado até que um sinal positivo for aplicado a
sua porta novamente. Ou seja, tanto em
operações em estado ligado com em estado
desligado são controlados pela corrente

da

Porta.

4.29 Qual a vantagem principal do GTO sobre o

SCR convencional? A principal vantagem de um
GTO é a sua característica de chaveamento, pois o
tempo de ligação é semelhante ao SCR, mas o
desligamento é muito menor. Isso permite o uso
desses dispositivos em aplicações de altas
velocidades. 4.30 Desenhe o símbolo de um MCT e
identi que seus terminais.

4.31

Descreva

operação

de

um

MCT.

Um SCR é combinado com dois Mosfet para

formar o MCT, onde os dois MOSFET tem o
mesmo terminal de porta, que é a porta do MCT,
além do mesmo terminal da fonte que é o anodo
do MCT. O Mosfet Qoff, canal N, passa o SCR para o
estado desligado, enquanto que o Mosfet Qon,
canal P, passa o SCR para o estado ligado. Quando
a tensão porta-anodo é de -5V, Qon passa para o
estado ligado e fornece corrente de porta para o
SCR. Isso faz com que o dispositivo passe para o
estado ligado. O MCT passa para o estado
desligado com aplicação de tensão porta–anodo
de aproximadamente de +10 v, a qual passa Qoff
para o estado ligado. Isso desvia a corrente do SCR
e o faz passar para

estado
 4.32 Esboce a curva característica V-I de um MCT.

desligado.

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