Resumo Diodos Semicondutores
Resumo Diodos Semicondutores
Resumo Diodos Semicondutores
Modelo de Bohr
Tipos de semicondutores industriais:
- Silício;
- Germânio;
- Arsenieto de gálio;
- Os elétrons da última camada eletrônica, são chamados de elétrons de valência
- Gálio é trivalente
- Silício e germânio são tetravalentes
- Arsênio é pentavalente
● Ligação covalente
Tipo de ligação onde há o compartilhamento de elétrons;
● Níveis de energia
Dizemos que um elétron tem um alto estado de energia, cujo é maior que
todos os outros elétrons da estrutura, quando ele está mais distante do
núcleo.
● Bandas
Semicondutores possuem comportamento simultâneo de isolante e condutor,
devido à distância relativamente curta entre sua banda de valência e banda
de condução, de modo que haja elétrons livres para interação de ambas as
partes.
● Material intrínseco
Aquele que possui tal refinamento que torne sua composição com alto nível
de pureza.
● Material extrínseco
Material semicondutor que possui suas características alteradas devido à
adição/bombardeio de átomos carregados de impureza, acarretando na
mudança de estrutura de banda e propriedades elétricas.
● Material tipo n
Conjunto de átomos pentavalentes para adição de impurezas, são
chamados de átomos doadores. São eletricamente neutros.
Dentre eles, temos: Antimônio, arsênio e fósforo.
● Material tipo p
Conjunto de átomos trivalentes para adição de impurezas, são chamados de
átomos aceitadores. Dentre eles, temo: Boro, gálio e índio
● Junção PN
Quando “colamos” um cristal semicondutor tipo P a um tipo N, temos uma
junção PN, também chamado de diodo.
● Fluxo
A direção do fluxo de elétrons e de lacunas é sempre oposta
● Portadores:
- Tipo n: São os átomos doadores, logo necessitam de poucos elétrons para
ficarem estáveis. Sendo assim, seu elétron é portador majoritário (mais
elétrons presentes) e a lacuna é portador minoritário (poucas lacunas
presentes)
- Tipo p: São átomos aceitadores, necessitam de muitos elétrons para se
estabilizarem. Portanto, seu elétron é portador minoritário (poucos elétrons
presentes) e sua lacuna é portadora majoritária (muitas lacunas presentes)
● Polarização reversa
- Tensão positiva aplicada em material n e tensão negativa aplicada em p
resultará no alargamento da região de depleção. Ou seja, dificultando a
passagem de eletricidade.
● Polarização direta
- Tensão positiva aplicada em material p e tensão negativa aplicada em n
resultará na interação dos átomos em cada extremidade/fronteira do diodo,
ocasionando uma diminuição na região de depleção. Ou seja, facilitando a
passagem de eletricidade.
DIODO