Carga Eletrônica Ativa Trifásica PDF

Tese de Doutorado
CARGA ELETRÔNICA ATIVA TRIFÁSICA
Joselito Anastácio Heerdt
Universidade Federal de Santa Catarina

Programa de Pós-Graduação em
Engenharia Elétrica
UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
Florianópolis
2013
Tese submetida ao Programa de

Pós-Graduação em Engenharia
Elétrica da Universidade Federal
de Santa Catarina para a obtenção
do Grau de Doutor em Engenharia
Elétrica.
Orientador: Prof. Marcelo Lobo
Heldwein, Dr. sc. ETH
Coorientador: Prof. Samir Ahmad
Mussa, Dr.
Florianópolis
2013
À minha esposa e filhos.
AGRADECIMENTOS
Uma Tese de doutorado é construída com muitas e muitas horas

de estudo e trabalho árduo. Exige dedicação, perseverança e altas doses
de criatividade. Mas uma Tese não é desenvolvida e finalizada somente
por seu autor e não somente nestes anos na academia. Ela começa lá na
infância, no seio familiar, com a educação, o exemplo e o apoio dos
pais, irmãos, tios e avós.
Quero agradecer aos meus amados pais, Benvenuto (Nuti) Heerdt
e Laura Michels Heerdt, que não tiveram as oportunidades de formação
escolar tradicional que tive, mas que plantaram nos seus filhos a
semente da vontade, e sei que se sentem tão orgulhosos e realizados
quanto eu.
Agradeço aos meus queridos irmãos e irmã, Liane Maristela,
Leonardo Estevão, Frank Weiner e Hary Fernando Heerdt, por serem o
que são e contribuírem para que eu fosse o que me tornei.
Quero agradecer ao meu avô José Leonardo Heerdt, estudioso
leitor das madrugadas iluminadas com lamparina a querosene e usando
seu chapéu de palha, homem de destaque cultural em sua época, pela sua
herança deixada, da sede por conhecimento.
Mas há também aquela família que você constrói, escolhendo
alguém para amar e conviver pela grande maioria dos seus anos de vida,
gerando filhos e tentando plantar neles as mesmas coisas boas que se
aprendeu anteriormente. Assim, agradeço muitíssimamente a minha
amada esposa Lenir Figueredo Heerdt, que me apoiou
incondicionalmente, mesmo carregando um fardo de igual peso por estes
anos e sabendo que ao final os ganhos não são divididos
igualitariamente.
Quero pedir perdão aos meus amados filhos, Igor e Ana Heerdt,
que sofreram com a minha ausência diária e em muitos momentos
importantes dos primeiros anos de suas vidas. Espero ter deixado em
troca pelo menos aquela semente, a semente da vontade, da vontade de
perseguir os seus sonhos, com determinação.
Em especial, agradeço enormemente aos meus orientadores
Marcelo Lobo Heldwein e Samir Ahmad Mussa que, além da amizade,
acolheram o tema proposto, confiaram na minha capacidade e
conduziram o desenvolvimento deste trabalho com dedicação e
sabedoria.
Por fim, quero agradecer a todos os professores e colegas do
INEP, pela amizade, pelas incontáveis horas de estudo e discussões
científicas, e pelas poucas, mas divertidas, horas de lazer, jogando um
futsal, um basquete ou brindando uma cerveja por conta de um colega
por sua defesa recém ocorrida.
“A alegria que se tem em pensar e aprender faz-
nos pensar e aprender ainda mais."
Aristótoles
“As pessoas raramente reconhecem a oportu-
nidade porque ela surge disfarçada em trabalho
árduo."
H. L. Mencken
RESUMO
Neste trabalho estão apresentados os estudos efetuados do conversor

trifásico bidirecional de três níveis (NPCm), aplicado a operação como
Carga Eletrônica Ativa de corrente alternada. Os esforços de corrente e
de tensão são analisados, modelados e comparados com o conversor
NPC, bem como as perdas dos seus dispositivos semicondutores, para
variações da defasagem da corrente e do índice de modulação.
Semicondutores estado da arte foram ensaiados em laboratório e
utilizados nos dois conversores, tais como os modernos diodos e
transistores de Carboneto de Silício (SiC), visando a análise comparativa
das perdas e a obtenção de conversores de alta eficiência. São obtidos
modelos para o sistema quando composto por filtros de primeira ou de
terceira ordem, apresentando os problemas inerentes de cada topologia.
No caso do filtro de primeira ordem, composto por um indutor, são
apresentados vários resultados de simulação com o controle da corrente
drenada, para diferentes frequências harmônicas, mostrando a
possibilidade de ocorrência de saturação do controlador e como
contorná-la. Para o caso de utilização de um filtro de terceira ordem
(LCL), é proposto um sistema de controle formado por um controlador
clássico, a Realimentação dos Estados (RE) e um Observador de
Estados (OE). O observador é usado para obter o valor da variável a ser
controlada, sem o uso de sensores, e a RE é usada para se obter uma
amortização ativa das oscilações na frequência de ressonância do filtro.
Neste caso, primeiro são apresentados resultados de simulação com o
sistema de controle analógico, depois são analisados os problemas
causados pela discretização e implementação com controladores digitais,
mostrando qual a ação foi tomada para contornar tais problemas. Por
fim, vários resultados experimentais com o controlador digital são
apresentados, mostrando que o protótipo construído foi capaz de emular
correntes com conteúdo harmônico amplo e genérico, com boa rejeição
às perturbações causadas pelas alterações da tensão ou da indutância do
equipamento sob teste (EST).
Palavras-chave: Conversor bidirecional de três níveis, inversor NPC,

Carga Eletrônica Ativa, emulação de carga, interruptor de Carboneto de
Silício, alta eficiência, Realimentação de Estados, Observador de
Estados, filtro LCL.
ABSTRACT
This work presents a study of a modified Neutral Point Clamped (here

called NPCm), a bi-directional three-phase three-levels inverter,
operating as an AC Active Electronic Load. First, the current and
voltage stresses are analyzed, modelled and compared with the standard
Neutral Point Clamped (NPC) inverter. State-of-the-art semiconductors
were selected and tested in different controlled temperature of operation,
in order to obtain their energy losses characteristics, like the modern
silicon carbide (SiC) diodes and transistors. Later, this devices were
used as main power semiconductors for both inverter topologies and
their losses were compared as function of load current and modulation
index variations, in order to achieve best performance on efficiency and
same time establishing know how on its usage and power losses
qualification. Models are obtained for the system when with first or third
order filters were used, showing inherent characteristics of each
topology. In the case of the first order filter with an inductor, several
simulation results are presented with current control for various
harmonic frequencies, showing the possible occurrence of controller
saturation and how to avoid it. In the case of utilization of a third order
filter (LCL type), this work proposes a digitally implemented control
strategy comprising state feedback, robust observer, phase-locked loop
and a linear current controller to cope with AC AEL applications. The
observer is used to obtain the value of variable to be controlled, without
the utilization of sensors and the state feedback is used to obtain an
active damping of oscillations at the resonance frequency. First the
simulations results are presented with an analog control, later is the
problems caused by the digital controllers discretization and
implementation are analysed, showing how the build prototype was able
to control currents with broad and generic harmonic content showing
good rejection of the perturbations caused by changes on voltage or
inductance of the equipment under test (EUT).
Keywords: AC active load, three-level bi-directional converters, NPC

inverter, current control techniques, state feedback, state observer,
Silicon Carbide switches, high efficiency, LCL filter.
LISTA DE FIGURAS
Figura 1.1 - Diagrama de blocos de um sistema de ensaio de carga em

corrente alternada, mostrando o Equipamento Sob Teste (EST), o conversor
CEA com capacidade de emulação de cargas genéricas, foco deste trabalho
(bloco sombreado), e o inversor responsável pela regeneração da energia à
rede. ....................................................................................................................... 5
Figura 2.1 - Classificação das CEA quanto aos tipos de carga emuladas:
destaque para o tipo desenvolvido neste trabalho. ............................................... 13
Figura 2.2 - Classificação das CEA quanto às topologias dos circuitos de
potência: destaque para a topologia utilizada neste trabalho. .............................. 14
Figura 3.1 - Topologias de retificador regenerativo de três níveis, candidatas
a uso como CEA-CA : (a) Neutral Point Clamped (NPC); (b) NPC
Modificado (NPCm). ........................................................................................... 19
Figura 3.2 - Quatro quadrantes de operação no plano VA x I A . ........................ 20

Figura 3.3 - Etapas de operação do conversor NPCm para o primeiro e
segundo quadrantes. ............................................................................................. 22
Figura 3.4 - Formas de onda para operação do NPCm no 1º Quadrante. ............. 23
Figura 3.5 - Etapas de operação do conversor NPC para o primeiro e
segundo quadrantes. ............................................................................................. 24
Figura 3.6 - Modulação tipo POD: (a) moduladora senoidal e portadoras ;
(b) tensão de saída VA. ......................................................................................... 25
Figura 3.7 - Modulação tipo IPD: moduladora senoidal, portadoras e tensão
VA. ....................................................................................................................... 26
Figura 3.8 - Modulação tipo PSD: moduladora senoidal, portadoras e tensão
VA. ....................................................................................................................... 26
Figura 3.9 - Espectro harmônico da tensão VA , percentual da tensão de pico
(311 V), para as modulações: (a) POD; (b) IPD e; (c) PSD. ................................ 27
Figura 3.10 - Detalhe do espectro harmônico da tensão VA , percentual da
tensão de pico (311 V), para a modulação POD. ................................................. 28
Figura 3.11 - Intervalos de comutação do interruptor S p ................................... 33
Figura 3.12 - Intervalos de comutação do interruptor Sn . .................................. 34
Figura 3.13 - Correntes média e eficaz de S p e Sn , parametrizadas por

I A, pk , com M 0,778 . ...................................................................................... 36
Figura 3.14 - Intervalos de comutação do interruptor S01 e do diodo D02 . ...... 36
Figura 3.15 - Intervalos de comutação do interruptor S02 e do diodo D01 . ...... 38
Figura 3.16 - Correntes média e eficaz de S 01 , S 02 , D01 e D02 ,
parametrizadas por I A, pk , com M 0,778 . ........................................................ 40
Figura 3.17 - Intervalos de comutação dos diodos D p e Dn . ............................. 40
Figura 3.18 - Correntes média e eficaz de D p e Dn , parametrizadas por
I A, pk , com M 0,778 . ....................................................................................... 43
Figura 3.19 - Corrente média de Sp e Sn em função de M e  : (a)

representação tridimensional e; (b) em curvas de nível. ...................................... 44
Figura 3.20 - Corrente média de S01, S02 , D01 e D02 em função de M e  : (a)
representação tridimensional e; (b) em curvas de nível.. ..................................... 44
Figura 3.21 - Corrente média de Dp e Dn em função de M e  : (a)
representação tridimensional e (b) em curvas de nível. ....................................... 44
Figura 3.22 - Corrente eficaz de Sp e Sn em função de M e  : (a)
Figura 3.23 - Corrente eficaz de S01, S02 , D01 e D02 em função de M e  : (a)
Figura 3.24 - Corrente eficaz de Dp e Dn em função de M e  : (a)
Figura 3.25 - Intervalos de comutação do interruptor S1 . ................................... 46
Figura 3.26 - Intervalos de comutação do interruptor S 4 . .................................. 47

Figura 3.27 - Correntes média e eficaz de S1 e S 4 , parametrizadas por
I A, pk , com M 0,778 . ........................................................................................ 49
Figura 3.28 - Intervalos de comutação do interruptor S2 . .................................. 50
Figura 3.29 - Intervalos de comutação do interruptor S3 . .................................. 51

Figura 3.30 - Correntes média e eficaz de S 2 e S 3 , parametrizadas por
I A, pk , com M 0,778 . ....................................................................................... 53
Figura 3.31 - Intervalos de comutação dos diodos D1 e D2 . ............................ 54

Figura 3.32 - Intervalos de comutação dos diodos D3 e D4 . ............................ 55
Figura 3.33 - Correntes média e eficaz de D1 , D2 , D3 e D4 ,
parametrizadas por I A, pk , com M 0,778 . ........................................................ 56
Figura 3.34 - Intervalos de comutação do diodo D5 . ......................................... 57

Figura 3.35 - Correntes média e eficaz de D5 e D6 , parametrizadas por
I A, pk , com M 0,778 . ....................................................................................... 59
Figura 3.36 - Corrente média de S1 e S4 em função de M e  : (a)

Figura 3.37 - Corrente média de S2 e S3 em função de M e  : (a)
Figura 3.38 - Corrente média de D1 a D4 em função de M e  : (a)
Figura 3.39 - Corrente média de D5 e D6 em função de M e  : (a)
Figura 3.40 - Corrente eficaz de S1 e S4 em função de M e  : (a)
Figura 3.41 - Corrente eficaz de S2 e S3 em função de M e  : (a)
Figura 3.42 - Corrente eficaz de D1 a D4 em função de M e  : (a)
Figura 3.43 - Corrente eficaz de D5 e D6 em função de M e  : (a)
Figura 3.44 - Valores de correntes (a) eficaz, e (b) média nos dispositivos
semicondutores para ambas as topologias, com índice de modulação
M 0,778 . ............................................................................................................ 64
Figura 4.1 - Característica típica de saída do transistor SJEP120R063,
extraída do catálogo do fabricante, em função de VGS , para a temperatura
de junção de 125 ºC. ............................................................................................ 70
Figura 4.2 - Potências de perdas de condução nos JFET para os diferentes
parâmetros obtidos............................................................................................... 72
Figura 4.3 - Características típicas de condução do diodo SDP30S120,
segundo o fabricante (Anexo A), para diferentes temperaturas da junção
semicondutora. .................................................................................................... 73
Figura 4.4 - Retas de linearização das características de condução dos
componentes semicondutores utilizados. Temperatura de teste: SiC – 125
ºC; outros – 150 ºC. ............................................................................................. 76
Figura 4.5 - Energias de perdas de comutação do SiC JFET SJEP120R063,
fornecidas pelo fabricante. ................................................................................... 80
Figura 4.6 - Medições de tensão e corrente durante as comutações com: (a)
Si IGBT e diodo SiC; (b) SiC JFET e diodo SiC, e (c) SiC JFET e diodo
Stealth®. ............................................................................................................... 81
Figura 4.7 - Funções das energias de perda nos transistores por ciclo de
comutação, para a entrada em condução, o bloqueio e a recuperação reversa,
sob temperatura de 100 ºC, da associação de transistor e diodo: (a) Si IGBT
e diodo SiC; (b) SiC JFET e diodo Stealth®; (c) SiC JFET e diodo SiC.............. 82
Figura 4.8 - Energias de comutação (eon + eoff ): (a) teórica, (b) ensaio do
JFET com diodo SiC e (c) ensaio do JFET com diodo Stealth ®. ......................... 83
Figura 4.9 - Energias de perdas no SiC JFET, associada à recuperação do
diodo Stealth®: (a) teórico; (b) ensaio.................................................................. 86
Figura 4.10 - Energia total de perdas de comutação no SiC JFET: (a) teórico,
com diodo Stealth®; (b) ensaio, com diodo SiC; (c) ensaio, com diodo
Stealth®. ............................................................................................................... 86
Figura 4.11 - Valores de rendimento calculados, relativos aos conversores:
(a) NPCm; (b) NPC. ............................................................................................ 92
Figura 4.12 - Perdas de potência nos semicondutores, separadas por
condução e comutação, para ambos os conversores e para três ângulos de
defasagem da corrente. Condições de operação: Po=3,5 kVA; IA=22,5 A;
M=0,778; fs=40 kHz. ........................................................................................... 94
Figura 4.13 - Perdas totais de condução sobre os semicondutores de
potência: (a) NPCm ; (b) NPC. ............................................................................ 94
Figura 4.14 - Perdas totais de comutação sobre os semicondutores de
potência: (a) NPCm ; (b) NPC ............................................................................. 95
Figura 5.1 - Estrutura do sistema de controle da CEA, por fase. ......................... 99
Figura 5.2 - Circuito monofásico do retificador NPCm, conectado a uma
fonte CA através de um filtro de primeira-ordem tipo L. .................................. 100
Figura 5.3 - Forma de onda no ponto A do conversor NPCm, para operação
no 1º e 2º quadrantes. ......................................................................................... 100
Figura 5.4 - Circuito equivalente de entrada do retificador. .............................. 101
Figura 5.5 - Conversor NPCm Trifásico com filtros LCL e rede de
amortecimento RC série..................................................................................... 103
Figura 5.6 - Conversor NPCm com os interruptores de cada fase modelados
por interruptores unipolares de três terminais. ................................................... 103
Figura 5.7 - Diagrama de simulação do modelo contínuo no Espaço de
Estados, usando o Simulink. .............................................................................. 109
Figura 5.8 - Diagrama de simulação no PSIM® para o modelo comutado,
mostrando apenas uma das fases do conversor NPCm: (1) circuito de
potência, (2) filtro LCL com rede RC, (3) referência de corrente, (4)
controlador com saturação e (5) modulação POD. ............................................ 109
Figura 5.9 - Resultados de simulação das correntes de entrada IA , IB e IC do
conversor NPCm conectado a três fios, através do Simulink (curvas em
preto) e através do PSIM® (curvas coloridas), para degraus de corrente de 15
A à 20 A de pico. ............................................................................................... 111
Figura 5.10 - Resultados de simulação das correntes de entrada I a , Ib e Ic do
conversor NPCm conectado a três fios, através do Simulink (curvas em
preto) e através do PSIM® (curvas coloridas), para degraus de corrente de 15
A à 20 A de pico. ............................................................................................... 111
Figura 5.11 - Resultados de simulação da corrente de entrada IA do
conversor NPCm conectado a quatro fios, através do Simulink (preto) e
através do PSIM® (azul), para degrau de corrente de 15 A à 20 A de pico. ....... 112
Figura 5.12 - Controle por realimentação de estados (RE), com medição da
corrente controlada. ........................................................................................... 113
Figura 5.13 - Bloco RE de realimentação dos estados, formado pela
combinação linear das variáveis de estado......................................................... 113
Figura 5.14 - Respostas em frequência dos filtros, indicando uma forte
ressonância próximo a 10 kHz, para o filtro LCL sem a rede RC, e
apresentando um amortecimento moderado com a rede RC: (a) filtro LCL
com a rede RC em destaque; (b) comportamento do filtro (módulo) em
função da frequência, com e sem a rede RC; (c) detalhe na frequência de
ressonância......................................................................................................... 114
Figura 5.15 - Sistema com realimentação linear dos estados............................. 115
Figura 5.16 - Sistema de controle proposto com Realimentação de Estados e
Observador da corrente controlada. ................................................................... 118
Figura 5.17 - Diagrama de blocos do modelo da planta (conversor com filtro
LCL). ................................................................................................................. 121
Figura 5.18 - Diagrama de blocos do modelo do observador dos estados da
planta. ................................................................................................................ 122
Figura 5.19 - Posição original dos pólos da planta. ........................................... 124
Figura 5.20 - Representação do sistema com as duas malhas de controle. ........ 125
Figura 5.21 - Regiões de posicionamento do sistema controlado. ..................... 125
Figura 5.22 - Módulo e fase da planta com filtro LCL em função da
frequência: comportamentos com/sem realimentação de estados (RE). ............ 126
Figura 5.23 - Lugar das Raízes da planta com RE e o controlador proposto. .... 128
Figura 5.24 - Diagrama de módulo e fase, em malha aberta, do controlador
proposto e a planta com realimentação de estados. ........................................... 128
Figura 5.25 - Diagrama de módulo e fase, em malha fechada, do controlador
proposto e a planta com realimentação de estados. ........................................... 129
Figura 6.1 - Circuito de simulação no PSIM® para o controle da corrente de
saída................................................................................................................... 133
Figura 6.2 - Formas de onda do conversor NPCm com controle da corrente,
considerando nula a indutância La : (a) tensão da fonte CA e corrente
nominal de saída em 60 Hz e em fase; (b) sinal de referência de corrente. ....... 134
Figura 6.3 - Diagramas de resposta em frequência e DHT do sistema
completo controlado, considerando La  0 H , para o modelo de valores
quase-instantâneos em malha fechada (modelo teórico) da corrente I A e
simulação com corrente nominal (simulação 1): (a) diagrama do módulo, em
dB; (b) diagrama da fase, em graus; (c) DHT, em percentagem. ....................... 135
Figura 6.4 - Exemplo de saturação do sinal de modulação do conversor, para
corrente nominal e frequência de 2340 Hz (39ª harmônica). Formas de onda:
(a) corrente ia do EST; (b) sinal saturado de modulação do inversor três
níveis; e (c) tensão comutada do inversor, v A . ................................................. 136
Figura 6.5 - Diagramas de resposta em frequência e DHT do sistema
completo controlado, considerando La  500  H , para o modelo de valores
quase-instantâneos em malha fechada (modelo teórico) da corrente I A ,
simulação com corrente nominal (simulação 2) e simulação com a corrente
no limiar da saturação (simulação 3): (a) diagrama do módulo, em dB; (b)
diagrama da fase, em graus; (c) DHT, em percentagem. ................................... 139
Figura 6.6 - Formas de onda do conversor NPCm com controle da corrente:
(a) tensão da fonte CA e corrente controlada I A ; (b) sinal de referência de
corrente, típica de retificadores monofásicos com filtro L e C, considerando
até a 15ª harmônica. ........................................................................................... 141
Figura 6.7 - Espectros harmônicos da: (a) corrente de controlada, IA e ; (b)

corrente de referência, I ref . .............................................................................. 141
Figura 6.8 - Diagrama de simulação do sistema completo analógico, com
RE, OE e controlador linear: (a) sistema de potência, (b) sistema de controle
e modulação e, (c) Observador de Estados. ....................................................... 144
Figura 6.9 - Simulação da resposta à variação ao degrau na corrente de
referência ia* , de 10 A para 20 A e de 20 A para 10 A, nos instantes de pico
da tensão Va 110 2 sent  . A amplitude da corrente está multiplicada por
um fator 5 para melhor visualização. ................................................................. 144
Figura 6.10 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* senoidal,

operando como inversor à 20 A de pico, para uma tensão do EST com
deformação de 5% de 5ª harmônica. .................................................................. 145
Figura 6.11 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* senoidal,

operando como retificador e com 20 A de pico, para uma tensão do EST
com deformação de 5% de 5ª harmônica. .......................................................... 145
Figura 6.12 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* triangular e

operando como retificador, para uma tensão senoidal do EST. ......................... 147
Figura 6.13 - Simulação da resposta do sistema à referência triangular e
operando como retificador, para uma tensão do EST senoidal: (a) corrente
*
controlada do EST ( ia ) e de referência ( ia ), em função do tempo, e (b)
espectros harmônicos das correntes ia e ia* . ..................................................... 147
Figura 6.14 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* com o

formato típico da corrente de um retificador monofásico com filtro indutivo
na entrada e capacitivo na saída, para uma tensão senoidal do EST. ................. 149
Figura 6.15 - Simulação da resposta do sistema à referência com o formato
típico da corrente de um retificador monofásico, para uma tensão do EST
*
senoidal: (a) corrente controlada do EST ( ia ) e de referência ( ia ), em
função do tempo, e (b) espectros harmônicos das correntes ia e ia* . ................ 149
Figura 6.16 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* com o

formato típico da corrente de um retificador trifásico com filtro indutivo na
entrada e capacitivo na saída, para uma tensão senoidal do EST. ..................... 151
Figura 6.17 - Simulação da resposta do sistema à referência com o formato
típico da corrente de um retificador trifásico, para uma tensão do EST
*
senoidal: (a) corrente controlada do EST ( ia ) e de referência ( ia ), em
função do tempo, e (b) espectros harmônicos das correntes ia e ia* . ................ 151
Figura 7.1 - Protótipo da CEA-CA Trifásica utilizada para obter os
resultados experimentais (lado superior), cujas partes principais são: placa-
filha com o microcontrolador de ponto-flutuante (DSC) e circuitos
auxiliares, capacitores do link-CC, sensores Hall para medição das
correntes, drivers comerciais isolados adaptados para o comando dos
interruptores de potência, indutores do filtro de entrada e indutor do filtro de
modo comum. .................................................................................................... 154
Figura 7.2 - Protótipo da CEA-CA Trifásica utilizada para obter os
resultados experimentais (lado inferior). ........................................................... 155
Figura 7.3 - Fluxogramas das sub-rotinas de: (a) Inicialização e; (b)
Construção do Sinal de Referência. ................................................................... 157
Figura 7.4 - Fluxograma da sub-rotina de Interface........................................... 158
Figura 7.5 - Fluxograma da sub-rotina principal: Proteção e Controle. ............. 159
Figura 7.6 - Controle discreto: circuito de potência de uma fase. ...................... 164
Figura 7.7 - Controle discreto: circuito de medição da tensão de fase
Va (superior) e da corrente no indutor L A (inferior). ......................................... 165
Figura 7.8 - Controle discreto: circuito de (a) controle digital e (b) de

modulação POD-PWM com tempo-morto. ....................................................... 166
Figura 7.9 - Diagrama de Bode de malha fechada do sistema completo
controlado digitalmente, incluindo o circuito de potência e a estrutura
completa de controle, com os atrasos e erros de quantização inerentes,
considerando a dupla atualização do PWM. Parâmetros do circuito:
E400 V LA 420 H ; La 300; 500; 700 H; Ca C A 1 F; RA 33  . É
importante citar que as amplitudes de referência foram reduzidas
linearmente com o aumento das frequências harmônicas, evitando a
saturação do controlador conforme analisado na seção 6.2.3, iniciando em
15 A de pico com 60 Hz e chegando a 1 A de pico para 30 kHz ................... 167
Figura 7.10 - Resultados de simulação do sistema completo controlado
digitalmente, sendo ia* as referências de corrente triangulares, iâ as
correntes estimadas do EST e ia as correntes controladas do EST, sob as
seguintes condições: (a), (b) e (c) com fo  60 Hz e (d), (e) e (f) com
fo  660 Hz , para três diferentes indutâncias EST: (a) e (d) La  1  H ;
(b) e (e) La  500  H ; e (c) e (f) La  3000  H . Parâmetros do circuito:
E  400 V; LA 420 H;
L  (1, 500, 3000)  H; Ca C A 1 F; R  33  . ......................................... 168
a A
Figura 7.11 - Formas de onda experimentais mostrando a resposta dinâmica
de uma CEA para degraus de referência da corrente de pico. A corrente ia
da EST é mostrada com a tensão senoidal va para degraus de referência da
corrente de (a) 4 A para 8 A e de (b) 8 A para 4 A. Escalas: corrente ia com
5 A/div; tensão va com 50 V/div. ..................................................................... 170
Figura 7.12 - Operação como inversor: (a) formas de onda experimentais da

corrente ia do EST, tensão va do EST, corrente iA do conversor e tensão
vC ,a no capacitor de filtro; (b) Espectro e DHT da fonte de tensão AC; (c)
espectro e DHT da corrente EST. Escalas: corrente ia com 5 A/div; tensão

va com 50 V/div. .............................................................................................. 171
Figura 7.13 - Operação como retificador: (a) formas de onda experimentais

da corrente ia e tensão va do EST, corrente iA do conversor e tensão vC ,a
no capacitor de filtro; (b) Espectro e DHT da fonte de tensão AC; (c)
espectro e DHT da corrente EST. Escalas: corrente ia com 5 A/div; tensão
va com 50 V/div. .............................................................................................. 173
Figura 7.14 - CEA-CA operando com espectro programado da corrente para

uma referência de corrente com as harmônicas de uma onda triangular: (a)
forma da corrente ia e tensão alternada va do EST, tensão vC ,a no
capacitor do filtro e a corrente iA no indutor da CEA; (b) amplitudes
harmônicas das correntes programadas e medidas; (c) ganho do espectro de
corrente. Escalas: correntes ia e iA com 5 A/div; tensão va e vA com 50
V/div. ................................................................................................................. 174
uma referência de corrente emulando um retificador monofásico típico: (a)
formas de onda no tempo para ia , va , vC ,a e iA ; (b) amplitudes
harmônicas das correntes programadas e medidas; (c) ganho do espectro de
corrente. Escalas: correntes ia e iA com 5 A/div; tensão va e vA com 50
V/div. ................................................................................................................. 175
uma referência emulando um retificador trifásico típico: (a) formas de onda
no tempo para ia , va , vC ,a e i A ; (b) amplitudes harmônicas das correntes
programadas e medidas; (c) ganho do espectro de corrente. Escalas:
correntes ia e iA com 5 A/div; tensão va e vA com 50 V/div. ...................... 176
LISTA DE TABELAS
Tabela 3.1- Sequência dos pulsos de comando das duas topologias .................... 21
Tabela 3.2- Especificações de projeto da carga eletrônica ativa .......................... 28
Tabela 3.3 - Expressões de razão cíclica dos interruptores. ................................. 30
Tabela 3.4 - Equações das correntes parametrizadas nos interruptores dos
conversores NPC e NPCm. .................................................................................. 63
Tabela 3.5 - Valores teóricos e simulados dos esforços de corrente nos
interruptores dos conversores NPCm e NPC, para um índice de modulação
M 0,778 . ............................................................................................................ 67
Tabela 3.6 - Semicondutores empregados nos retificadores NPC e NPCm. ........ 68

Tabela 4.1 - Característica teórica de saída do SJEP120R063 ............................. 70
Tabela 4.2 - Ensaio em câmara térmica da característica de saída do
SJEP120R063. ..................................................................................................... 71
Tabela 4.3 - Coeficientes de perdas de energia por comutação, para valores
teóricos e obtidos sob ensaio do SiC JFET. ......................................................... 85
teóricos e obtidos sob ensaio do Si IGBT com diodo SiC. .................................. 89
teóricos e obtidos sob ensaio do Si IGBT com diodo Stealth ®. ........................... 91
Tabela 4.6 - Perdas relacionadas aos semicondutores e rendimento, para a
potência nominal de 3,5kVA e frequência de comutação de 40 kHz. .................. 92
Tabela 5.1 - Parâmetros de simulação utilizados, para o conversor NPCm. ...... 110
Tabela 5.2 - Parâmetros do conversor NPCm. ................................................... 123
Tabela 6.1 - Impedâncias típicas dos transformadores trifásicos ....................... 132
Tabela 6.2 - Valores limite da amplitude da corrente controlada, para cada
frequência harmônica simulada. ........................................................................ 140
Tabela 6.3 - Amplitude e fase das harmônicas de referência usadas na
simulação da Figura 6.6, típicas de retificadores monofásicos com filtro L e
C, considerando até a 15ª harmônica. ................................................................ 140
Tabela 6.4 - Amplitude e fase das harmônicas impostas à referência ia* ,

correspondentes a uma forma de onda aproximadamente triangular. ................ 146
correspondentes a uma forma de onda típica de retificador monofásico. .......... 148

correspondentes a uma forma de onda típica de retificador trifásico. ................ 150
Tabela 7.1 - Perdas do NPCm relacionadas aos semicondutores e
rendimento, para um aumento da frequência de comutação de 40 kHz para
66 kHz. .............................................................................................................. 161
Tabela 7.2 - Parâmetros finais usados nos experimentos. .................................. 169
LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
Abrev/Siglas Descrição
ABNT Associação Brasileira de Normas Técnicas
ADC Analog to Digital Converter
ADC Analog to Digital Converter
APOD Alternative Opposition Disposition
CA Corrente Alternada
CAD Computer Aided Design
CC Corrente Contínua
CEA Carga Eletrônica Ativa
CEA-CA Carga Eletrônica Ativa de Corrente Alternada
DELS Dynamic Electronic Load Simulator
DHT Distorção Harmônica Total
DLL Dynamic Link Library
DSC Digital Signal Controller
EST Equipamento Sob Teste
EUT Equipment Under Test
FC Flying Capacitor
FC Fator de Crista
FFT Fast Fourier Transform
IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
INEP Instituto de Eletrônica de Potência
IPD In-Phase Disposition
JFET Junction Field Effect Transistor
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect
NPC Neutral Point Clamped
NPCm Modified Neutral Point Clamped
OE Observador de Estados
PI Proporcional-Integral
PLL Phase Locked Loop
POD Phase Opposition Disposition
POD-PWM Phase Opposition Disposition Pulse Width Modulation
PSD Phase Shifted Disposition
PWM Pulse Width Modulation
RE Realimentação de Estados
SCR Silicon Controlled Rectifier
SiC Silicon Carbide
SMD Surface Mounting Device
SPTT Single Pole Triple Throw
UFSC Universidade Federal de Santa Catarina
UPS Uninterruptible Power Supply
VSC Voltage Source Converter
ZOH Zero Order Hold
LISTA DE SÍMBOLOS
Símbolos adotados nos equacionamentos

Descrição Símbolo Unidade
Amplitude do sinal da moduladora Am V
Amplitude do sinal da portadora Ap V
Ângulo de defasagem da corrente  rad
Ângulo de defasagem da referência  rad
Capacitância equivalente Ceq F
Capacitores do filtro das fases Cabc F
Coeficiente da função energia de comutação
kcom,m -
de ordem m
Coeficiente de ordem m do elemento “X” k X ,m -
Constante kx -
Corrente de pico da fase A I A, pk A
Corrente de pico da harmônica de ordem h I pk ,( h ) A
Corrente de recuperação reversa I rr A
*
Corrente de referência da fase a i a A
Corrente eficaz no elemento “X’ I X ,rms A
Corrente eficaz parametrizada no elemento
“X’
I X ,rms pu
Corrente eficaz quase-instantânea do
iX ,avg A
elemento “X”
Corrente estimada da fase a iâ A
Corrente média no elemento “X’ I X ,avg A
Corrente média parametrizada no elemento
“X’
I X ,avg pu
Corrente média quase-instantânea do
iX ,avg A
elemento “X”
Corrente no diodo x iDx A
Corrente no instante da comutação icom A
Corrente no transistor x iSx A
Corrente senoidal genérica i(t ) A
Correntes das fases A, B, C iA , iB , iC A
Distorção Harmônica Total DHT -
Energia de recuperação reversa do elemento
E X ,rr J
“X”
Energia durante o bloqueio do elemento “X” E X ,off J
Energia na comutação Ecom J
Energia na entrada em condução do elemento
E X ,on J
“X”
Energia total média de perdas de comutação
no elemento “X”
E X ,com J
Frequência angular da referência  rad/s
Frequência da portadora fp Hz
Frequência de comutação fc Hz
Frequência de ressonância f res Hz
Frequência fundamental fo Hz
Função de duas variáveis f  x, y  -
Função de erro no domínio da frequência  s -

Função de razão cíclica do elemento “X” X -
Função do sinal da moduladora um V
Função polinomial no domínio da frequência  c ( s) -
Ganho da Realimentação de Estados k sf -
Ganho do controlador kc -
Índice de modulação de amplitude M -
Indutância de carga L H
Indutância entre a e A LaA H
Indutância equivalente Leq H
Matriz de ganhos do Observador de Estados M -
Matriz Identidade I -
Matrizes das equações de estado A, B,C,D -
Ordem das harmônicas com relação à
n -
frequência fundamental
Período da portadora Tp s
Por unidade pu -
Potência Aparente da fase A SA VA
Potência dissipada durante a comutação do
PX ,com W
elemento “X”
Potência dissipada durante a condução do PX ,con W
elemento “X”
Resistência de carga R Ω
Resistência de gate RG Ω
Resistores do filtro das fases RABC Ω
Temperatura da junção semicondutora Tj ºC
Tempo de recuperação reversa trr s
Tensão das fases A, B, C vA , vB , vC V
Tensão de condução do elemento “X” vX ,on V
Tensão eficaz da fundamental da fase A VA1,rms V
Tensão entre os pontos 0 e n v0n V
Tensão entre os pontos p e 0 vp0 V
Tensão média quase-instantânea da fase A vA V
Tensão total do barramento CC E V
Valor de razão cíclica d -
Variação da grandeza “X” X -
Vetor das correntes de fase iabc A
Vetor das correntes dos capacitores do filtro
das fases
iC ,abc A
Vetor das indutâncias de fase da fonte CA
Labc H
trifásica
Vetor das razões cíclicas de fase d abc -
Vetor das tensões de fase da fonte CA
trifásica
vabc V
Vetor das tensões de fase sobre os capacitores vC ,abc V
Vetor das tensões entre os pontos N e 0
devido a razão cíclica de cada fase vN 0 V
Vetor das tensões sobre os interruptores
unipolares de cada fase
vS ,abc V
Vetor derivada das correntes de fase

diabc -
dt
Vetor derivada dos estados do Observador  -
Vetor dos estados do Observador  -

Vetor dos ganhos da Realimentação de
K -
Estados
Símbolos usados para referenciar elementos de circuitos

Símbolo Descrição Unidade
C Capacitor F
D Diodo -
L Indutor H
R Resistor Ω
S Interruptor -
SUMÁRIO
1 INTRODUÇÃO GERAL....................................................................1
1.1 MOTIVAÇÃO PARA O TEMA ..........................................................1
1.2 O CONCEITO DE CARGA ELETRÔNICA ATIVA ..........................2
1.3 APLICAÇÕES DE CARGAS ELETRÔNICAS ATIVAS ...................3
1.4 OBJETIVOS E CONTRIBUIÇÕES DESTE TRABALHO .................4
1.5 ESTRUTURA DA TESE......................................................................7
2 CARGAS ELETRONICAS ATIVAS: UMA REVISÃO.................9
2.1 INTRODUÇÃO ....................................................................................9
2.2 CLASSIFICAÇÃO DAS CARGAS ELETRÔNICAS ATIVAS .......10
2.3 CARGAS ELETRÔNICAS ATIVAS COMERCIAIS .......................14
2.4 CONCLUSÕES ..................................................................................15
3 RETIFICADORES REGENERATIVOS DE TRÊS NÍVEIS
COM GRAMPEAMENTO DO NEUTRO .....................................17
3.1 INTRODUÇÃO ..................................................................................17
3.2 ESFORÇOS DE TENSÃO E CORRENTE NOS CONVERSO-
RES CANDIDATOS À CARGA ELETRÔNICA ATIVA CA .........18
3.3 ANÁLISE COMPARATIVA DOS ESFORÇOS DE
CORRENTE TEÓRICOS VERSUS SIMULADOS ..........................65
3.4 CONCLUSÕES ..................................................................................66
4 CÁLCULO DAS POTÊNCIAS DISSIPADAS NOS SEMI-
CONDUTORES DE POTÊNCIA ....................................................69
4.1 INTRODUÇÃO ..................................................................................69
4.2 PERDAS POR CONDUÇÃO .............................................................69
4.3 PERDAS POR COMUTAÇÃO ..........................................................78
4.4 CONCLUSÕES ..................................................................................95
5 MODELAGEM E SISTEMA DE CONTROLE ............................97
5.1 INTRODUÇÃO ..................................................................................97
5.2 SISTEMAS DE CONTROLE DAS CARGAS ELETRONICAS
ENCONTRADAS NA LITERATURA ..............................................97
5.3 ESTRUTURA DO SISTEMA DE CONTROLE DA CEA ................98
5.4 MODELAGEM ORIENTADA AO CONTROLE DO CONVER-
SOR NPCm MONOFÁSICO COM FILTRO DE PRIMEIRA
ORDEM ..............................................................................................99
5.5 MODELAGEM NO ESPAÇO DE ESTADOS PARA O CON-
VERSOR NPCm TRIFÁSICO COM FILTROS DE ORDEM
SUPERIOR .......................................................................................102
5.6 COMPROVAÇÃO DO MODELO TRIFÁSICO NO ESPAÇO
DE ESTADOS ..................................................................................108
5.7 SISTEMA DE CONTROLE POR REALIMENTAÇÃO DE
ESTADOS ........................................................................................ 112
5.8 OBSERVADOR DE ESTADOS ...................................................... 117
5.9 PROJETO DO SISTEMA DE CONTROLE DA CEA .................... 122
5.10 CONCLUSÕES ................................................................................ 129
6 ESTUDO DE CASOS E RESULTADOS DE SIMULAÇÃO ..... 131
6.1 INTRODUÇÃO ................................................................................ 131
6.2 SISTEMA EM MALHA FECHADA COM FILTRO INDUTIVO . 131
6.3 SISTEMA EM MALHA FECHADA COM FILTRO LCL,
OBSERVADOR E REALIMENTAÇÃO DE ESTADOS ............... 142
6.4 CONCLUSÕES ................................................................................ 152
7 RESULTADOS EXPERIMENTAIS ............................................ 153
7.1 INTRODUÇÃO ................................................................................ 153
7.2 HARDWARE DA CEA-CA COM CONTROLE DIGITAL ........... 153
7.3 PROGRAMAÇÃO DA CEA-CA COM CONTROLE DIGITAL ... 155
7.4 IMPLEMENTAÇÃO DO CONTROLE DIGITAL ......................... 160
7.5 RESULTADOS EXPERIMENTAIS OBTIDOS ............................. 168
7.6 CONCLUSÕES ................................................................................ 177
8 CONCLUSÕES GERAIS .............................................................. 179
8.1 ANÁLISE FINAL DOS RESULTADOS......................................... 179
8.2 SUGESTÕES DE INVESTIGAÇÃO............................................... 181
REFERÊNCIAS ........................................................................................ 183
APÊNDICE A - PROJETO DO CONVERSOR NPCm ........................ 195
APÊNDICE B - MODELAGEM DA CORRENTE DE ENTRADA
DE UM RETIFICADOR MONOFASICO À DIODO ................ 237
APÊNDICE C - DISCRETIZAÇÃO DE EQUAÇÕES DE ESTADO
PELOS MÉTODOS DE TUSTIN E DE EULER ........................ 243
ANEXO A - CATÁLOGOS DOS SEMICONDUTORES DE PO-
TÊNCIA........................................................................................... 247
1
1 INTRODUÇÃO GERAL
Nos tempos atuais, a otimização do consumo de energia elétrica

não é mais somente uma questão econômica, crucial para o aumento da
competitividade da indústria, tornou-se, juntamente com o desenvol-
vimento e uso das fontes de energia renovável, de grande importância à
sustentabilidade do planeta. É neste cenário que o interesse para o
desenvolvimento e a aplicação de recicladores de energia deve receber
um novo impulso nos próximos anos.
Há uma nítida e crescente utilização, em todos os campos da
sociedade, de equipamentos ou subsistemas, elétricos ou eletrônicos,
que operam na condição de alimentadores ou fornecedores de energia.
Dentre muitos, podemos destacar os transformadores, os geradores, as
fontes internas a todos os produtos eletrônicos, fontes ajustáveis de uso
geral, carregadores de baterias, fontes ininterruptas de energia, reatores
eletrônicos de iluminação, acionamentos eletrônicos de motores, etc.
Nos processos de desenvolvimento ou de fabricação destes
equipamentos alimentadores são necessários longos testes de operação
ou testes de falha prematura, conhecidos como Burn-in tests, onde os
equipamentos devem ficar operando nas condições nominais durante
horas ou dias. E para se obter as condições nominais de carga dos
equipamentos são normalmente instaladas cargas dissipativas, compos-
tas por resistências ou reostatos, podendo ser adicionadas cargas
reativas, ocupando um grande espaço físico e dissipando muito calor,
tanto maior quanto maior for a potência total dos equipamentos em teste.
1.1 MOTIVAÇÃO PARA O TEMA
Durante os ensaios de carga de equipamentos elétricos ou

eletrônicos, a utilização de sistemas capazes de drenar a corrente
necessária, absorvendo a potência fornecida e transferindo-a para a rede
de energia com baixas perdas, conhecidos por “Recicladores de
Energia” ou “Cargas Regenerativas”, podem trazer grandes benefícios
(GUPTA; RANGASWAMY; RUTH, 1990):
 Grande redução dos custos no consumo de energia elétrica,
tipicamente maior que 80%;
 Redução dos custos de instalação e de consumo de energia dos
sistemas de refrigeração do ambiente usado para os testes;
2
 Redução do espaço ocupado pelos equipamentos de aplicação

dos testes sob carga;
 Redução dos picos de demanda de potência da rede.
Se acrescentarmos aos benefícios citados acima, a capacidade do
equipamento de alterar os níveis de carga para qualquer valor entre a
condição em vazio e a nominal, bem como alterar de forma dinâmica o
ângulo e o formato da corrente drenada, então se têm o que pode ser
designado por “Carga Eletrônica Ativa Regenerativa”.
1.2 O CONCEITO DE CARGA ELETRÔNICA ATIVA
As Cargas Eletrônicas Ativas (CEA) podem ser encontradas na

literatura com uma grande variedade de nomeações, tais como:
 Carga Eletrônica Ativa (Active Electronic Load) (SHE et al.,
2008), (RAO; CHANDORKAR, 2008);
 Carga Ativa de Potência (Active Power Load);
 Carga Programável (Programmable Load) (NH RESEARCH,
2010);
 Simulador de Carga (Load Simulator, Active Load Simulator)
(GUAN-CHYUN; JUNG-CHIEN, 1993);
 Emulador de Carga (Load Emulator);
 Reciclador de Energia (Energy Recycler) (TSAI, 2000)
(MING-TSUNG; TSAI, 2000);
 Reciclador de Potência (Power Recycler, Power Recycling);
 Carga Regenerativa (Regenerative Load) (JU-WON et al.,
2007);
 Resistor sem Perdas (Loss-Free Resistor) (VAZQUEZ et al.,
1998);
 Carga Dinâmica (Dynamic Load);
 Simulador Eletrônico Dinâmico de Carga (Dynamic
Electronic Load Simulator) (MENG-YUEH et al., 1997).
Talvez esta variedade de nomeações justifique o fato de não ser
encontrado na literatura uma definição para o termo “Carga Eletrônica
Ativa”. Mas de uma forma geral, observando as propriedades dos
sistemas com capacidade de emulação de carga, concebidos pela
indústria ou pela comunidade cientifica, podemos afirmar que: “Carga
Eletrônica Ativa” é um equipamento eletrônico capaz de se comportar
de forma equivalente a uma carga passiva, em termos de amplitude,
3
formato e defasagem da corrente drenada do equipamento que está sob

ensaio. O termo “ativo” significa que possui um sistema de controle que
o permite emular tal condição de carga, em regime permanente ou com
alterações dinâmicas de defasagem, de amplitude e de espectro
harmônico (formato da corrente).
1.3 APLICAÇÕES DE CARGAS ELETRÔNICAS ATIVAS
As Cargas Eletrônicas Ativas possuem enorme aplicação

industrial, podendo ser usadas para ensaios ou testes de inúmeros tipos
de equipamentos, sejam eles com propriedades de fonte de alimentação
ou não. Entre a gama de aplicações podemos destacar o ensaio de:
 Fontes ininterruptas de energia;
 Inversores;
 Gradadores;
 Fontes de tensão;
 Fontes de corrente;
 Chaves eletrônicas ou eletromecânicas;
 Circuitos de proteção;
 Fusíveis;
 Disjuntores;
 Conectores;
 Fornos de indução;
 Linhas de transmissão;
 Transformadores;
 Geradores;
 Medidores de energia.
Estes equipamentos podem ser testados nas diferentes fases da

sua vida útil, ou seja:
 Ensaios durante o seu desenvolvimento: as CEA podem ser
utilizadas na fase de protótipo para efetuar ensaios que
possibilitem a medição de algumas grandezas, tais como:
consumo de energia (perdas), elevação de temperatura,
vibração, ruído, etc. Também podem ser usadas na análise da
ocorrência de falhas de operação, na redefinição de
parâmetros de projeto, entre outros;
4
 Ensaios para o envelhecimento acelerado de equipamentos,

com o objetivo de identificar os pontos de maior índice de
falha;
 Ensaios durante a sua fabricação: utilizadas no controle de
qualidade de fabricação, com a identificação de defeitos
prematuros (Burn-in) ou da vida útil (“Teste de Vida”) e na
calibração ou ajuste dos mesmos durante ou na finalização da
sua montagem;
 Ensaios de funcionamento: nestes ensaios as CEA podem ser
utilizadas para testes de manutenção, podendo identificar o
estado de funcionamento de fontes de alimentação, baterias,
geradores ou transformadores.
1.4 OBJETIVOS E CONTRIBUIÇÕES DESTE TRABALHO
A partir dos estudos efetuados o foco deste trabalho foi

direcionado para o estudo de Cargas Eletrônicas Ativas para Corrente
Alternada (CEA-CA) e no desenvolvimento de um protótipo de uma
carga eletrônica ativa trifásica, com a capacidade de controlar correntes
com conteúdo harmônico genérico e/ou desequilibradas, para aplicação
em ensaios de perdas em transformadores de distribuição (ABNT,
1993a;1993b; IEEE, 1998). O protótipo desenvolvido possui a
topologia NPCm três níveis trifásica, potência nominal de 10,5 kW,
tensão alternada nominal de entrada de 380 V eficaz e tensão contínua
nominal do barramento de 800 V, podendo operar conectado a redes
trifásicas com/sem neutro (três ou quatro fios).
Estas escolhas foram motivadas pela observação de que poucos
trabalhos foram encontrados na literatura técnica especializada tratando
de CEA-CA, portanto um campo pouco explorado, havendo
oportunidades de investigação.
Já a aplicação da CEA em transformadores foi motivada pela
necessidade de estudos de perdas em transformadores de distribuição
sob a ação de correntes harmônicas, cada vez mais intensas devido à
crescente demanda da população por equipamentos eletrônicos
(TROVÃO; PEREIRINHA; JORGE, 2007). Segundo a norma IEEE Std
C57-100 (IEEE, 1998), os transformadores devem ser ensaiados
analisando as perdas e seguindo um fator de redução da potência em
função do conteúdo harmônico das cargas. Outro fator que contribuiu
para a escolha desta aplicação é devido ao comportamento bastante
estável e passivo dos transformadores, frente a variações de carga,
5
quando isentos de saturação. Desta forma procurou-se isolar o problema

do controle da carga, evitando possíveis interações de controle caso a
aplicação escolhida fosse um equipamento eletrônico com controle
ativo.
A Figura 1.1 mostra o diagrama de blocos de um sistema de
ensaio de carga para um equipamento genérico de fornecimento de
energia em corrente alternada, aqui chamado de Equipamento Sob Teste
– EST (em inglês, Equipment Under Test – EUT). O bloco sombreado
destaca o conversor com capacidade de emulação de cargas genéricas,
denominada de Carga Eletrônica Ativa de Corrente Alternada (CEA-
CA), foco principal deste trabalho. A CEA deve drenar as correntes
desejadas do EST e entregar esta energia no seu barramento de saída em
corrente contínua. Por sua vez o inversor, conectado a este mesmo
barramento no modo back-to-back, deverá ser capaz de controlar as
tensões simétricas deste barramento, mantendo-as reguladas dentro de
limites pré-estabelecidos, transferindo a energia necessária à rede de
energia, isto é, regenerando a energia absorvida pela CEA.
Figura 1.1 – Diagrama de blocos de um sistema de ensaio de carga em corrente

alternada, mostrando o Equipamento Sob Teste (EST), o conversor CEA com
capacidade de emulação de cargas genéricas, foco deste trabalho (bloco sombreado),
e o inversor responsável pela regeneração da energia à rede.
6
As principais contribuições desta Tese de Doutorado são:

 Estudo e aplicação de novos dispositivos semicondutores, em
especial os transistores (JFET) e os diodos, ambos de
carboneto de silício (SiC – Silicon Carbide), para montagem
de conversor com alta frequência de comutação;
 Ensaios em laboratório, com levantamento das características
de condução e de comutação dos novos dispositivos de SiC;
 Estudo da topologia de conversor NPC três níveis modificada,
aqui nomeada de NPCm, pouco explorada na literatura,
principalmente em sua configuração trifásica;
 Estudo comparativo dos esforços de corrente e de tensão entre
os conversores NPC tradicional e NPCm;
 Estudo comparativo do comportamento das perdas de
condução e de comutação dos conversores NPC e NPCm,
diante das variações de amplitude e do ângulo de defasagem
da corrente;
 Modelagem orientada ao controle da CEA-CA que inclui um
filtro de entrada do tipo LCL, que aparece naturalmente com a
utilização da CEA em teste de inversores ou UPS;
 Proposta de utilização da técnica de controle por
Realimentação de Estados (RE) para se obter o amortecimento
ativo do efeito de ressonância causado pelo filtro LCL;
 Controle de correntes com conteúdo harmônico genérico
programável, o qual não foi encontrado na literatura;
 Controle de correntes desequilibradas em um sistema de testes
trifásico;
 Aplicação de técnicas de controle clássico e moderno em uma
CEA;
 Publicação de artigo no congresso internacional ISIE2010,
Bari – Itália, julho 2010 (publicado) (HEERDT, J.A.;
MUSSA; HELDWEIN, 2010);
 Publicação de artigo em periódico internacional IEEE (aceito)
(HEERDT, J. A. et al., 2013).
7
1.5 ESTRUTURA DA TESE
No Capítulo 2 é apresentada uma revisão da literatura sobre

cargas eletrônicas ativas, mostrando algumas classificações quanto suas
características elétricas, de controle ou topologia.
O Capítulo 0 trata do estudo comparativo entre dois conversores
regenerativos de três níveis, candidatos a utilização como carga
eletrônica ativa, mostrando as etapas de operação, cálculos dos esforços
de tensão e das correntes dos semicondutores.
Estudos sobre perdas de comutação e condução são apresentados
no Capítulo 4, após serem efetuados ensaios dos semicondutores sob
temperatura controlada da cápsula.
No Capítulo 5 são apresentados estudos de modelagem do
conversor NPCm, propondo um sistema de controle que utiliza
realimentação de estados e observador das correntes controladas.
Um estudo de casos com vários resultados de simulação são
mostrados no Capítulo 6, para as situações de uso dos filtros de primeira
ordem (L) e de terceira ordem (LCL). São mostrados os desafios de
tentar controlar correntes de ordem harmônica elevada, mostrando que o
controle de correntes com fator de crista elevado é possível de ser
implementado, devido ao derating de amplitude com o aumento da
frequência que normalmente ocorre nos espectros harmônicos das
formas de onda desejadas. São também apresentados vários resultados
de simulação com o uso do sistema de controle proposto, tanto para
transitórios com variação ao degrau, controle de correntes senoidais com
tensões alternadas distorcidas e correntes com diferentes espectros
harmônicos.
No Capítulo 7 é inicialmente apresentado o protótipo desenvol-
vido, descrevendo suas partes construtivas. São descritas as rotinas do
programa de controle digital implementado e os desafios impostos por
este tipo de controle. Ao final, são apresentados e analisados os
resultados experimentais obtidos, com a apresentação das formas de
onda da corrente controlada sob variações dinâmicas e sob referências
com espectros harmônicos variados.
Por fim, no Capítulo 8 é feita uma reflexão sobre os resultados
obtidos em cada um dos capítulos deste trabalho, apresentando suges-
tões para a continuidade dos estudos aqui tratados.
8
9
2 CARGAS ELETRONICAS ATIVAS: UMA REVISÃO
2.1 INTRODUÇÃO
As utilizações de cargas ativas com regeneração de energia

permitem uma economia de energia bastante significativa. Em (GUPTA
et al., 1990) é apresentado uma análise financeira demonstrando que,
para as condições apresentadas, uma unidade CEA poderá dar um
retorno financeiro (payback) a partir de 0,4 anos, ou seja, o investimento
feito em um reciclador de energia ficará pago no quinto mês de sua
utilização. Considerando que os setores administrativos das empresas
privadas consideram atrativos os investimentos que apresentem um
payback de até dois anos, esse resultado é surpreendente.
Além disso, todos os que trabalham em desenvolvimento ou
manutenção de fontes de alimentação sabem como é difícil testar esses
equipamentos em condições de potência máxima ou em condições
específicas de carga. Esta dificuldade reside no fato de a maioria das
cargas utilizadas serem resistivas. Usando-se resistores fixos ou
reostatos de potência podem ser montados arranjos que atendam as
necessidades para testes estáticos, mas testes dinâmicos são complexos
de serem realizados com esse tipo de carga. Caso sejam utilizados
interruptores ou relés para a comutação dos resistores, os resultados não
serão satisfatórios já que alguns efeitos indesejáveis serão introduzidos
como, por exemplo, transientes e centelhamentos durante a comutação,
assim como a limitação da frequência máxima de comutação.
As cargas resistivas são robustas e baratas, mas não permitem
realmente avaliar o desempenho dinâmico de uma fonte de alimentação.
Como descobrir sua resposta dinâmica frente às perturbações de carga
ou sob o efeito de cargas não lineares? Como aperfeiçoar o circuito de
compensação e controle? Essas características, entre outras, poderão ser
completamente avaliadas com o uso de cargas eletrônicas ativas ou
emuladores dinâmicos de carga.
Muitos trabalhos têm sido publicados nos últimos anos sobre
recicladores de energia aplicados a sistemas ininterruptos de energia
(UPS - Uninterruptible Power Supplies) (AYRES; BARBI, 1997; CHU;
CHEN, 1994; GUPTA et al., 1990; TSAI, 2000), a carregadores de
bateria ou fontes CC (AYRES; BARBI, 1996; DANTAS, 2006; TSAI,
2000) e a reatores eletrônicos (ZIMMERMANN JR., 2004). Entretanto,
todos estes trabalhos sobre recicladores para fontes CA são projetados
10
para absorver correntes somente senoidais do equipamento sob teste,

podendo-se alterar a defasagem entre esta corrente e a tensão do mesmo,
para o controle do fluxo de potência reativa.
Em (MENG-YUEH et al., 1997) é apresentado o projeto e a
implementação de um Emulador Dinâmico de Carga (DELS – Dynamic
Electronic Load Simulator) que segundo os autores é capaz de efetuar
ensaios de funcionamento e teste burn-in de fontes de tensão CC e CA,
podendo emular cargas lineares e não-lineares.
De forma semelhante, (VAZQUEZ et al., 1998) discute e
apresenta a implementação de um DELS para fontes CA. Os autores
apresentam resultados experimentais onde o circuito proposto foi capaz
de se comportar como uma carga R, L, RL e como carga não linear, com
a absorção de correntes de formato poligonal, quadrado e de semi-ciclos
senoidais.
2.2 CLASSIFICAÇÃO DAS CARGAS ELETRÔNICAS ATIVAS
Várias são as aplicações destinadas aos equipamentos CEA, os

quais podem ser classificados segundo suas características do tipo de
energia de entrada e da capacidade de emulação de diferentes tipos de
cargas, como tratado a seguir.
2.2.1 Classificação das CEA quanto ao tipo de energia de entrada
As Cargas Eletrônicas Ativas podem ser classificadas quanto ao

tipo de energia de sua entrada, relacionadas às duas formas de energia
comumente encontradas nos sistemas elétricos:
1. Entrada em Corrente Contínua (CC): aplicadas em ensaios de

fontes com saída em tensão do tipo CC, tais como: baterias,
fontes para computadores, geradores CC, UPS (circuito interno
CC), células foto-voltaica, conversores CC-CC ou CA-CC em
geral;
2. Entrada em Corrente Alternada (CA): aplicada em ensaios de

fontes com saída em tensão do tipo CA, monofásicos e trifásicos,
tais como: geradores, transformadores, UPS, inversores, redes de
alimentação, medidores de energia, fornos de indução,
conversores CA-CA em geral.
11
2.2.2 Classificação das CEA quanto ao tipo de carga emulada
As CEA também podem ser classificadas quanto ao tipo de carga

que são capazes de emular, ou seja, quanto ao formato e ângulo de
defasagem que são capazes de impor a sua corrente de entrada. A seguir
são apresentados os principais tipos encontrados na literatura científica
ou em catálogos de fabricantes:
1. Carga com resistência constante: emulam cargas resistivas de

valor constante, ou seja, ocorre uma variação na corrente da carga
em função das variações da sua tensão de alimentação (tensão de
saída do equipamento sob teste), obedecendo a Lei de Ohm.
Aplicação: Substituir os tradicionais ensaios com cargas
resistivas, mas permitindo a regeneração de energia;
2. Carga com corrente constante: emulam cargas que mantém a sua

corrente constante (CC ou senoidal), independentemente da
variação da tensão de saída do equipamento sob teste.
Aplicação: Permite efetuar ensaios sob corrente nominal e com a
potência crescente em função da tensão de saída do equipamento;
3. Carga com potência constante: emulam cargas que mantém

constante a sua potência ativa absorvida.
Aplicação: Ensaio de fontes e geradores;
4. Carga com tensão constante: emulam cargas que mantém

constante a sua tensão de alimentação.
Aplicação: Ensaio de fontes de corrente ou carregadores de
bateria;
5. Carga linear do tipo RLC: emulam cargas com Fator de Potência

entre 0 e 1, indutivas ou capacitivas.
Aplicação: Ensaio de qualquer equipamento ou sistema sob
variações de potência ativa e reativa;
6. Carga não-linear do tipo RLC retificada: emulam cargas com

Fator de Crista (FC) maior que 1,4142, ou seja,
FC  I pk Ief  2 , indo tipicamente até 4,0.
Aplicação: Ensaios com variação do Fator de Crista e Fator de
Potência;
12
7. Carga com corrente tipo pulso retangular: emulam cargas

compostas por circuitos retificadores e cargas indutivas no lado
CC.
Aplicação: Ensaio do comportamento de qualquer equipamento
ou sistema alimentando um retificador com indutor de saída;
8. Carga com corrente tipo pulso poligonal: emulam cargas com

correntes de formato poligonal.
Aplicação: Ensaio de carga com correntes de fator de crista
elevado (por aproximação);
9. Carga do tipo motor elétrico com carga mecânica: emulam

motores elétricos associados a cargas mecânicas.
Aplicação: Ensaio de acionamentos de motores, tais como os
inversores, substituindo o motor e a carga mecânica acoplada ao
seu eixo;
10. Carga desequilibrada: emulam cargas trifásicas com desequilíbrio

entre as fases.
Aplicação: Ensaio de alimentadores trifásicos, tais como
geradores, linhas de transmissão, transformadores ou fontes, sob
o efeito de cargas desequilibradas;
11. Carga não-linear genérica: emulam cargas com correntes de

formato genérico, podendo emular qualquer dos tipos de carga
anteriores.
Aplicação: Ensaio de equipamentos diversos, tais como
geradores, transformadores, linhas de transmissão, fontes e
medidores de energia, sob efeito de componentes harmônicas de
corrente;
12. Carga estática: emulam as cargas anteriores sob regime (sem

variação durante o ensaio).
Aplicação: Ensaio de funcionamento em regime constante;
13. Carga dinâmica: emulam as cargas anteriores, podendo efetuar

variações de amplitude ou troca de tipo durante o ensaio.
Aplicação: Ensaio de funcionamento em regime e em transitório,
buscando informações do comportamento dinâmico.
13
De acordo com o exposto acima, podemos resumir as aplicações

das cargas eletrônicas ativas, quanto aos tipos de carga que elas são
capazes de emular, conforme mostrado na Figura 2.1.
Normalmente as cargas eletrônicas são destinadas às aplicações
em equipamentos de corrente contínua ou de corrente alternada. Nestas
aplicações elas podem possuir a capacidade de emular cargas lineares ou
não-lineares, podendo efetuar ensaios de regime permanente (carga
estática) ou de transitórios (carga dinâmica). Outro tipo pouco comum
são as CEA com a capacidade de emular cargas genéricas, ou seja,
cargas de conteúdo harmônico com amplitudes e fases quaisquer, dentro
dos limites do conversor, sendo este tipo o objeto de interesse neste
trabalho (destacado em negrito na Figura 2.1), conforme será tratado no
Capítulo 5.
CARGA ELETRÔNICA ATIVA
Corrente Contínua Corrente Alternada Corrente Genérica
Estática Dinâmica Estática Dinâmica Estática Dinâmica
Linear Ñ-Linear Linear Ñ-Linear
Resistência Potência Resistência

Constante Constante Constante Potência
Retificadores Constante
Corrente Corrente
Constante Constante
RLC
Tensão Tensão
Constante Constante
Retangular
RLC
Poligonal
Motor
Desequilibrado
Figura 2.1 – Classificação das CEA quanto aos tipos de carga emuladas: destaque
para o tipo desenvolvido neste trabalho.
2.2.3 Classificação das CEA quanto à topologia do circuito de

potência
Outra característica passível de classificação, para as cargas

eletrônicas ativas até então encontradas na literatura, é quanto à
estrutura ou topologia do circuito de potência utilizado. A Figura 2.2
14
resume quais as estruturas encontradas na literatura, mostrando que são

quatro tipos básicos: amplificador linear, conversor híbrido linear-
comutado, conversor comutado e retificador de comutação pela linha.
A estrutura de potência da CEA-CA desenvolvida durante este
estudo está representada pelo bloco sombreado na Figura 2.2, ou seja,
conforme tratado no Capítulo 0, será utilizado um conversor comutado
em frequência elevada para a implementação do sistema proposto.
Circuitos de potência
Carga Eletrônica Ativa
Amplificador Híbrido Conversor Retificador

Linear Linear+Comutado comutado Linha comutada
Série Paralelo Conversor Carga link-cc

link-cc controlado passiva
Figura 2.2 - Classificação das CEA quanto às topologias dos circuitos de potência:
destaque para a topologia utilizada neste trabalho.
2.3 CARGAS ELETRÔNICAS ATIVAS COMERCIAIS
Existem diversos fabricantes de cargas eletrônicas ativas a nível

mundial, sendo em geral também fabricantes de fontes eletrônicas de
alimentação.
Os catálogos destes fabricantes normalmente não apresentam a
topologia empregada no circuito de potência, atendo-se a informar sobre
suas funcionalidades, características elétricas e modos de operação.
2.3.1 Cargas eletrônicas ativas CC comerciais
A grande maioria das cargas eletrônicas disponíveis atualmente é

destinada a aplicações em corrente contínua. Fabricantes como a BK
Precision, Protek Test and Measurement, Instek, SBS Storage Battery
Systems Inc, Kenwood Test & Measuring Instruments, Itech
Electronics, Agilent, California Instruments, Chroma ATE Inc, Kikusui
Electronics Corp, Sorensen Power Supplies (Elgar Electronics Corp.) e
NH Research Inc (NHR), entre muitos outros, possuem uma grande
variedade de modelos com especificações as mais diversas. As cargas
eletrônicas CC representam um campo da eletrônica de potência com
alto grau de maturidade.
15
2.3.2 Cargas eletrônicas ativas CA comerciais
Ao contrário das CEA em corrente contínua, são poucos os

fabricantes de cargas eletrônicas ativas para aplicação em corrente
alternada (CEA-CA) existentes no mercado mundial, sendo limitadas
(na busca realizada neste trabalho) a cinco empresas: Califórnia
Instruments (AMETEK PROGRAMMABLE POWER, 2010), Chroma
ATE Inc (CHROMA SYSTEMS SOLUTIONS, 2010), Kikusui
Electronics Corp (KIKUSUI ELECTRONICS, 2010), Sorensen Power
Supplies (Elgar Electronics Corp.) (AMETEK PROGRAMMABLE
POWER, 2010) e NH Research Inc (NHR) (NH RESEARCH, 2010).
Além disso, é possível verificar que estes produtos de mercado
possuem características bastante limitadas em relação aos tipos de carga
emuladas, possuindo somente algumas das características listadas a
seguir:
 Emulam cargas do tipo: corrente-constante, resistência-
constante, potência-constante e tensão-constante (alguns só
corrente e resistência-constante);
 Permitem ajuste do fator de crista da corrente de carga de 1,4
até 4,0;
 Emulam cargas do tipo: RLC Retificada;
 Emulam correntes de partida (Inrush);
 Permitem paralelismo de CEA;
 Permitem simulação de curto-circuito (para painéis
fotovoltaicos ou ensaio de proteções).
2.4 CONCLUSÕES
As cargas eletrônicas ativas apresentam várias vantagens em

relação às cargas passivas convencionais, destacando-se principalmente
a redução do consumo de energia elétrica, a possibilidade de efetuar
ensaios sob regime de uma ampla gama de combinações de carga
equivalente passivas, além de efetuar ensaios com variações dinâmicas,
tanto em amplitude como em ângulos de fase.
As CEA podem ser classificadas quanto aos tipos de energia de
entrada (CA ou CC), quanto aos tipos de carga emulada (lineares ou
não-lineares e estáticas ou dinâmicas) e quanto às topologias do circuito
de potência (linear, híbrido ou comutado). Dentre as cargas eletrônicas
16
apresentadas neste capítulo, a CEA para corrente alternada, com

capacidade de emular cargas dinâmicas e genéricas, e de topologia de
conversor comutado, é o objeto de estudo neste trabalho.
17
3 RETIFICADORES REGENERATIVOS DE TRÊS NÍVEIS

COM GRAMPEAMENTO DO NEUTRO
3.1 INTRODUÇÃO
As normas de qualidade de energia e de compatibilidade

eletromagnética estão se tornando cada vez mais severas. Isto tem
exigido que em muitas aplicações sejam utilizados retificadores PWM
trifásicos bidirecionais, para garantir que as correntes absorvidas da rede
CA sejam de alta qualidade. Os conversores regenerativos de alta
potência, destinados ao controle de velocidade de motores, são um
exemplo disto.
Normalmente para estas aplicações é empregada a topologia
boost convencional meia-ponte, de dois níveis. Contudo, os retificadores
trifásicos de três níveis, do tipo boost PWM unidirecionais, apresentam
vantagens de desempenho sobre os retificadores de dois níveis
unidirecionais (GUANGHAI et al., 2005; KOLAR; ERTL, 1999;
KOLAR; ZACH, 1997; LIN; WEI, 2004; LIN; YANG, 2005;
NUSSBAUMER; KOLAR, 2007; OGUCHI; MAKI, 1994; SALMON,
1995; SINGH et al., 2004; ZHAO; LI; LIPO, 1993). Eles se destacam
onde são necessárias correntes de entrada de alta qualidade, alto
rendimento e redução de volume e peso. Da mesma forma, as aplicações
com necessidade de regeneração também se beneficiam com as
topologias de três níveis (TEICHMANN; BERNET, 2005).
Na operação em três níveis as variações rápidas de tensão devido
às comutações são menores do que nas topologias com dois níveis,
levando a reduções do conteúdo harmônico e permitindo que filtros
menores sejam usados para atenuar as emissões conduzidas. Como a
tensão sobre os semicondutores é reduzida à metade, é possível
empregar semicondutores com uma tensão nominal menor. As perdas
podem também ser reduzidas, assim como o sistema de dissipação e os
componentes passivos. No entanto, uma maior complexidade é
esperada, devido ao sistema de modulação mais sofisticado e à
necessidade de uma estratégia de balanceamento das tensões do
barramento CC, possuindo um custo mais elevado nas aplicações
industriais de acionamento de motores elétricos (sem filtro de saída).
As células de comutação dos tradicionais conversores
bidirecionais de três níveis, tais como o Neutral Point Clamped (NPC)
(BAKER, 1981; NABAE, AKIRA; TAKAHASHI; AKAGI, 1981) e o
18
Flying Capacitor (FC) (MEYNARD et al., 2002), são tipicamente

empregadas na construção de inversores. Contudo, estas topologias
podem ser empregadas como retificadores, valendo-se das vantagens
anteriormente discutidas. Estas topologias são também comumente
empregadas para alta potência (centenas de kW à MW), sendo, no
entanto, pouco utilizadas como retificadores bidirecionais na faixa de
potência mais baixa, de poucos kW (TEICHMANN; BERNET, 2005).
O interesse deste trabalho é no estudo de retificador de alto
desempenho para aplicação como Carga Eletrônica Ativa CA (CEA-
CA), tendo como requisitos a capacidade de drenar correntes com alto
conteúdo harmônico e possuir alto rendimento. Sendo assim, duas
topologias NPC de três níveis foram escolhidas como candidatas, as
quais, neste capítulo e no seguinte, são comparadas em termos dos
esforços de corrente e de perdas nos semicondutores, empregando-se o
estado da arte em dispositivos de potência (HEERDT, JOSELITO
ANASTÁCIO; HELDWEIN; MUSSA, 2010).
3.2 ESFORÇOS DE TENSÃO E CORRENTE NOS CONVERSO-

RES CANDIDATOS À CARGA ELETRÔNICA ATIVA CA
3.2.1 Estrutura dos retificadores regenerativos de três níveis
A primeira das topologias candidatas é a estrutura NPC três

níveis convencional (BAKER, 1980;1981; NABAE, AKIRA et al.,
1981), conforme mostrado na Figura 3.1(a). A segunda topologia deste
estudo é outro tipo de NPC três níveis, mostrado na Figura 3.1(b),
tratado pela primeira vez por (HOLTZ, 1977), onde dois interruptores
estão sujeitos à tensão total do barramento CC (ALOLAH; HULLEY;
SHEPHERD, 1988; BHAGWAT; STEFANOVIC, 1983; MEYNARD
et al., 2002). Neste trabalho esta topologia foi nomeada de “NPC
Modificado”, usando-se a sigla NPCm.
19
D1 S1 p p
+ E Sp + E
Dp
2 2
D2 S2 D 02 D 01
D5 LA
LA
a A 0 a A 0
iA S3 iA
D6 S 02 S 01
D3 + +
E Sn E
2 Dn
S4 2
D4
n n
(a) (b)
Figura 3.1 – Topologias de retificador regenerativo de três níveis, candidatas a uso
como CEA-CA : (a) Neutral Point Clamped (NPC); (b) NPC Modificado (NPCm).
Conforme pode ser visto na Figura 3.1, ambas as estruturas

utilizam quatro interruptores, cada qual com um diodo em antiparalelo.
No entanto, a estrutura NPC possui dois diodos adicionais, D5 e D6 ,
usados para a função de grampeamento.
A principal diferença entre os semicondutores das duas estruturas
é que no retificador NPCm os semicondutores S p , S n , D p e Dn estão
sujeitos à tensão total do barramento CC, enquanto que todos os demais
dispositivos, de ambas as estruturas, bloqueiam a metade desta tensão.
Apesar dos diferentes níveis de bloqueio necessários aos
interruptores e das distintas topologias e quantidades de componentes, as
duas estruturas apresentam as mesmas características externas. Isto
significa que se for utilizada a mesma estratégia de modulação em
ambas, as tensões e correntes através de todos os seus terminais ( A , p ,
n , 0 ) serão as mesmas.
Outra diferença que pode ser destacada é de que o conversor
NPCm precisa de somente três fontes isoladas para a alimentação dos
drivers, devido ao potencial comum dos emissores de S01 e S02 ,
enquanto que são necessárias quatro fontes isoladas para o NPC.
20
3.2.2 Etapas de operação das topologias multiníveis
As etapas de operação dos conversores multiníveis considerados

neste estudo estão relacionadas aos quatro quadrantes de operação
possíveis no plano VA x I A , mostrados na Figura 3.2. Neste plano, são
consideradas positivas as correntes que saem pelo terminal a da Figura
3.1.
As sequências de pulsos de comando, necessárias para gerar
tensões médias positivas similares nas duas estruturas (no ponto A ),
estão mostradas na Tabela 3.1.
Pode-se observar pela tabela que, para conectar os pontos A  p
ou os pontos A  0 , são necessários os comandos de dois interruptores,
em ambas as topologias. Um único interruptor permanece comandado
durante as transições entre estados de comutação (“tempo-morto”).
Para se obter tensões médias negativas, basta simplesmente
operar os interruptores dispostos de forma simétrica, em cada uma das
estruturas.
VA
o o
II I
VA  0 ; I A  0 VA  0 ; I A  0
IA
o o
III IV
VA  0 ; I A  0 VA  0 ; I A  0
Figura 3.2 – Quatro quadrantes de operação no plano VA x IA .

21
Tabela 3.1- Sequência dos pulsos de comando das duas topologias
Terminais conectados
A p Atraso A0 Atraso
Topologia NPC S1 , S 2 S2 S 2 , S3 S2
NPCm S p , S01 S01 S01 , S02 S01
A Figura 3.3 mostra as etapas de operação do conversor NPCm,

para o primeiro e segundo quadrantes, onde a tensão média de saída
(ponto A ) é positiva. A sequência de operação dos interruptores, nestes
quadrantes, é a apresentada na Tabela 3.1.
Durante a operação no primeiro quadrante, a corrente é positiva e
circula primeiro pelo interruptor S p (Etapa 1) e depois por S01 e D02
(Etapas 2, 3 e 4). No segundo quadrante a corrente é negativa, então ela
circula pelo diodo D p (Etapa 1) e depois por S02 e D01 (Etapas 2, 3 e
4).
As formas de onda relativas à operação deste conversor no
primeiro quadrante são mostradas na Figura 3.4. Pela figura pode ser
observada a sequência de operação dos interruptores bem como a forma
de onda da tensão e da corrente de saída.
22
PRIMEIRO QUADRANTE SEGUNDO QUADRANTE
Sp Dp Sp Dp
E/2 E/2
D01 D02 D01 D02
VA LA N VA LA a
N a
A iA A iA
S01 S02 S01 S02
E/2 Vr E/2 Vr
Sn Dn Sn Dn
Etapa 1 Etapa 1
Sp Dp Sp Dp
E/2 E/2
D01 D02 D01 D02
VA LA a VA LA
N N a
A iA A iA
S01 S02 S01 S02
E/2 Vr E/2 Vr
Sn Dn Sn Dn
Etapas 2 e 4 Etapas 2 e 4
Sp Dp Sp Dp
E/2 E/2
D01 D02 D01 D02
VA LA a VA LA
N N a
A iA A iA
S01 S02 S01 S02
E/2 Vr E/2 Vr
Sn Dn Sn Dn
Etapa 3 Etapa 3
Figura 3.3 – Etapas de operação do conversor NPCm para o primeiro e segundo

quadrantes.
23
FORMAS DE ONDA PARA O 1° QUADRANTE

Etapas 1 2 3 4 1 2 3 4 1
1
Sp 0
S01 1
0
1
Sn 0
1
S02 0
t
E/2
VS p
0
t
VS 01
0
t
E
VS n E/2
0
t
VS02 E/2
0
t
VA
IA E/2
0
t
IA Sp S 01 ; D 02 Sp S01 ; D 02 Sp
Figura 3.4 – Formas de onda para operação do NPCm no 1º Quadrante.
De forma similar, a Figura 3.5 mostra a operação do conversor

NPC no primeiro e segundo quadrantes, obedecendo à sequência de
comutação dos interruptores da Tabela 3.1.
Durante a operação no primeiro quadrante do NPC, a corrente
circula primeiro pelos interruptores S1 e S 2 (Etapa 1) e depois por D5
e S 2 (Etapas 2, 3 e 4). No segundo quadrante a corrente circula pelos
diodos D1 e D2 (Etapa 1) e depois por S3 e D6 (Etapas 2, 3 e 4).
A operação nos demais quadrantes, para ambos os conversores,
possui etapas similares e utilizam os semicondutores dispostos
simetricamente nas estruturas.
24
PRIMEIRO QUADRANTE SEGUNDO QUADRANTE
S1 D1 S1 D1
E/2 E/2
S2 S2
D5 D2 D5 D2
N VA LA a VA LA
N a
S3 A iA S3 A iA
D6 D6
D3 Vr D3 Vr
E/2 E/2
S4 S4
D4 D4
Etapa 1 Etapa 1
S1 D1 S1 D1
E/2 E/2
S2 S2
D5 D2 D5 D2
N VA LA a N VA LA a
S3 A iA S3 A iA
D6 D6
D3 Vr D3 Vr
E/2 E/2
S4 S4
D4 D4
Etapas 2 e 4 Etapas 2 e 4
S1 D1 S1 D1
E/2 E/2
S2 S2
D5 D2 D5 D2
N VA LA a VA LA
N a
S3 A iA S3 A iA
D6 D6
D3 Vr D3 Vr
E/2 E/2
S4 S4
D4 D4
Etapa 3 Etapa 3
Figura 3.5 - Etapas de operação do conversor NPC para o primeiro e segundo

quadrantes.
3.2.3 Estratégias de modulação PWM e escolha da mais adequada
Existem diversas estratégias de modulação PWM possíveis de

serem aplicadas nas topologias de conversores multiníveis (FAR;
RADAN; FAR, 2007; RECH, 2005), dentre elas podemos destacar: In-
Phase Disposition – IPD, Phase Opposition Disposition – POD,
Alternative Phase Opposition Disposition – APOD e Phase Shifted
Disposition – PSD.
Devido às características desejadas para a carga eletrônica ativa,
de impor correntes com conteúdo harmônico bem definido, neste
trabalho a estratégia de modulação escolhida para ser empregada será a
que, prioritariamente, apresentar o menor conteúdo harmônico na
25
reprodução de uma referência puramente senoidal. No entanto, alguns

aspectos práticos também serão levados em consideração, como a
distribuição de perdas entre os interruptores e as necessidades de
filtragem das harmônicas de saída.
Sendo assim, as estratégias de modulação citadas acima foram
simuladas na ferramenta PSIM® e comparadas suas taxas de Distorção
Harmônica Total (DHT), o espectro harmônico e a simetria de pulsos da
tensão PWM de entrada, conforme é mostrado a seguir.
Cabe lembrar que, para os conversores de três níveis, são
necessárias somente duas portadoras triangulares, fazendo com que,
neste caso, as modulações POD e APOD sejam idênticas. Desta forma, a
partir de agora utilizaremos somente a sigla POD para representar estas
duas formas de modulação.
Outra questão é a de que, como citado anteriormente, os
conversores NPC e NPCm possuem as mesmas características externas.
Portanto, para a análise em questão, serão mostradas apenas as formas
de onda relativas à simulação com o conversor NPCm, por serem
idênticas às do conversor NPC.
As Figura 3.6, Figura 3.7 e Figura 3.8 mostram os sinais das
portadoras e da referência, bem como as formas de onda da tensão de
saída, para as estratégias POD, IPD e PSD, respectivamente.
Devido à forma de disposição das portadoras na modulação PSD,
suas frequências devem ser reduzidas à metade, em relação as demais,
para que os interruptores operem com a mesma frequência de
comutação.
Figura 3.6 – Modulação tipo POD: (a) moduladora senoidal e portadoras ; (b) tensão
de saída VA.
26
Figura 3.7 - Modulação tipo IPD: moduladora senoidal, portadoras e tensão V A.
Figura 3.8 - Modulação tipo PSD: moduladora senoidal, portadoras e tensão V A.
A Figura 3.9 mostra o espectro harmônico percentual da forma de

onda da tensão de saída VA, parametrizada em relação à tensão de pico
de 311 V, para as estratégias de modulação POD, IPD e PSD com
portadoras a uma frequência de 40 kHz. Pode-se observar que não
aparecem conteúdos harmônicos significativos até próximo da
frequência de comutação, ficando sempre abaixo de 0,03%, como pode
ser observado em detalhe na Figura 3.10, para a modulação POD. Esta
característica é necessária quando se deseja reproduzir fielmente formas
de onda com conteúdo harmônico elevado.
27
As taxas de distorção harmônica total (DHT) obtidas por

simulação, considerando todo o espectro harmônico, foram iguais a
83,85% para as modulações POD e PSD, e de 83,86% para a modulação
IPD. No entanto, apesar da modulação do tipo IPD apresentar DHT e
espectro harmônico similares, a Figura 3.7 mostra a existência de
assimetria entre os pulsos do semiciclo positivo e negativo (largura e
quantidade de pulsos). Em frequências de comutação muito baixas, esta
assimetria poderia causar diferenças de distribuição de perdas nos
semicondutores, mas para a frequência aqui considerada este efeito é
desprezível.
Figura 3.9 – Espectro harmônico da tensão VA , percentual da tensão de pico (311

V), para as modulações: (a) POD; (b) IPD e; (c) PSD.
Como as três estratégias de modulação apresentaram resultados

similares de DHT e espectro harmônico da tensão de saída VA, optou-se
pela utilização da modulação POD para o estudo teórico tratado neste
trabalho.
28
Figura 3.10 – Detalhe do espectro harmônico da tensão VA , percentual da tensão de

pico (311 V), para a modulação POD.
3.2.4 Esforços de tensão e corrente para as duas estruturas
Para o cálculo dos esforços de tensão e corrente nos

semicondutores das duas estruturas será considerado que elas estejam
operando como inversores alimentando cargas RLC, com correntes e
tensões senoidais, e que as suas especificações sejam as apresentadas na
Tabela 3.2. Na verdade a tensão de saída do conversor é comutada, mas
é considerado o valor médio durante o período de comutação e que este
varia de forma senoidal, uma vez que a frequência de comutação é
muito maior que a frequência do sinal modulante. Neste trabalho, tal
valor será chamado de “valor médio quase-instantâneo”.
Tabela 3.2- Especificações de projeto da carga eletrônica ativa
Potência Aparente por Fase S A  3,5 kVA

Tensão Eficaz Fundamental de Fase no ponto A VA1,rms  220 V
Frequência Fundamental da Tensão de Saída f A1  60 Hz
Frequência da Portadora para Modulação PWM f p  40 kHz
Tensão Média do Barramento CC E  800 V
Considerando os valores nominais de potência e de tensão de

saída, a corrente nominal de pico por fase pode ser obtida, de forma
aproximada, pela equação (3.1), resultando em 22, 49A .
29
Valor de pico da corrente de saída:
SA  2
I A, pk  . (3.1)
VA1,rms
O índice de modulação M é definido como a razão entre os
valores de pico do sinal da moduladora sobre o valor da portadora, Am e
A p respectivamente, expressa pela equação (3.2). Como o valor eficaz
de tensão da componente fundamental no ponto A , VA1,rms , é dado por
(3.3), resulta que o valor do índice de modulação, para a tensão nominal
de saída VA1,rms 220 V , é igual a 0,778 .
Índice de modulação:
Am
M . (3.2)
Ap
Tensão eficaz fundamental de saída:
E
VA1,rms  M  . (3.3)
2 2
Se considerado o sinal da moduladora como uma referência de
formato senoidal, dada pela equação (3.4), a corrente de saída pode ser
expressa por uma função senoidal com uma defasagem  , como
mostrado pela equação (3.5).
Sinal da moduladora, usada como referência:

um (t )  Am  sen(t ). (3.4)
Corrente de saída:
iA (t )  I A, pk  sen(t   ). (3.5)
Definido o sinal modulador e conhecida a forma de operação das

duas estruturas é possível definir as expressões das razões cíclicas de
todos os interruptores, conforme apresentado nas equações (3.6) a
(3.13).
30
Tabela 3.3 – Expressões de razão cíclica dos interruptores.

Interruptor Equações de Razão Cíclica dos Interruptores
M sen (t ) 
se
 0t 
Sp  s (t , M )  |0  t 2
p se
(3.6)
Sn 0 
se
 0t 
 s (t , M )  |M sen (t  )  t 2
n se
(3.7)
NPCm
S01 1 
se
 0t 
 s (t , M )  |1
01 (t , M ) 
se
 t  2
(3.8)
Sn
S02 1 S p (t , M ) 

se
 0t 
 s (t , M )  |1  t 2
02 se
(3.9)
M sen (t ) 
se
 0t 
S1  s (t , M )  |0  t 2
1 se
(3.10)
S2 1 
se
 0t 
 s (t , M )  |1
2 (t , M ) 
se
 t  2
(3.11)
S4
NPC
S3 1 S1 (t , M ) 
se
 0t 
 s (t , M )  |1  t 2
3 se
(3.12)
S4 0 
se
 0t 
 s (t , M )  |M sen (t  )  t 2
4 se
(3.13)
Com uma corrente de saída senoidal nos conversores, iA (t ) , e

convencionando-se como positiva as correntes que saem pelo terminal
a , os interruptores conduzirão, somente durante os seus respectivos
intervalos de comutação, porções também senoidais. Estas correntes
terão amplitudes iguais a da carga, mas em alguns casos com sinal
contrário, atendendo ao sentido positivo convencionado anteriormente.
As expressões (3.14) a (3.15) mostram estes casos:
31
Corrente nos interruptores S p , S01 , S1 , S 2 , Dn , D02 , D3 , D4 e D5 ,

durante seus intervalos de condução:
iS p (t )  iS01 (t )  iS1 (t )  iS2 (t )  iA (t ),
(3.14)
iDn (t )  iD02 (t )  iD3 (t )  iD4 (t )  iD5 (t )  i A (t ).
Corrente nos interruptores S n , S02 , S3 , S 4 , D p , D01 , D1 , D2 e D6 ,

durante seus intervalos de condução:
iSn (t )  iS02 (t )  iS3 (t )  iS4 (t )  iA (t ),
(3.15)
iDp (t )  iD01 (t )  iD1 (t )  iD2 (t )  iD6 (t )  iA (t ).
Como a frequência da portadora é muito maior do que a
frequência da moduladora, podemos considerar que a corrente é
constante durante todo o intervalo de comutação. Desta forma, como a
razão cíclica muda a cada período de comutação, podem ser definidas as
expressões das correntes média e eficaz quase-instantâneas de cada
componente semicondutor, conforme apresentado nas expressões (3.16)
e (3.17), respectivamente.
Corrente média quase-instantânea:

1 t Tp  S / D (t , M )Tp
Tp t Tp 
iS / D ,avg (t , M )  i(t )dt. (3.16)
Corrente eficaz quase-instantânea:
1 t Tp  S / D (t ,M )Tp

iS / D ,rms (t , M ) 
Tp  t T p 
i(t ) 2 dt . (3.17)
Resolvendo as equações (3.16) e (3.17) se obtém (3.18) e (3.19):
iS / D,avg (t , M )   S / D (t , M )  i(t ), (3.18)
iS / D,rms (t , M )   S / D (t , M )  i(t ). (3.19)

32
A partir das expressões de corrente média e eficaz quase-

instantânea, dadas por (3.18) e (3.19), podem ser calculadas as correntes
média e eficaz para o período completo da moduladora, através das
expressões (3.20) e (3.21).
Corrente média:
2
1
I S / D ,avg 
2 
0
S /D (t , M )  i(t )dt. (3.20)
Corrente eficaz:
2
1
I S / D ,rms 
2 
0
S/D (t , M )  i (t ) 2 dt . (3.21)
Com as expressões acima podem ser calculados os esforços de

corrente média e eficaz de todos os componentes semicondutores,
substituindo adequadamente as expressões de razão cíclica e de corrente,
bem como observando os respectivos intervalos de integração.
Correntes média e eficaz nos semicondutores do conversor NPCm
Correntes no interruptor S p :
Conforme pode ser visto na Figura 3.11, o interruptor S p

comutará a corrente da carga durante a operação no 1º Quadrante, ou
seja, durante os semi-ciclos positivos da moduladora e da corrente da
carga (corrente saindo no ponto a ).
Substituindo-se as expressões (3.6) e (3.14) em (3.20) podemos
obter a expressão para o cálculo da corrente média no interruptor S p ,
em função do índice de modulação ( M ) e do ângulo de deslocamento
da corrente (  ), conforme mostrado em (3.22) e (3.23).
Da mesma forma, substituindo-se as expressões (3.6) e (3.14) em
(3.21) podemos obter a expressão para o cálculo da corrente eficaz no
interruptor S p , em função do índice de modulação ( M ) e do ângulo de
deslocamento da corrente (  ), conforme mostrado em (3.24) e (3.25).
33
Figura 3.11 – Intervalos de comutação do interruptor S p .
Corrente média em S p :

1
2  p
I S p ,avg ( M ,  )   S (t , M )  iS p (t )dt , (3.22)
M  I A, pk
I S p ,avg ( M ,  )   sen  (   )  cos  . (3.23)
4
Corrente eficaz em S p :

1
I S p ,rms ( M ,  )  
2 
 S p (t , M )  iS p (t ) 2 dt , (3.24)
M
I S p ,rms ( M ,  )   I A, pk   cos   1 . (3.25)
6
Dividindo-se as expressões (3.23) e (3.25) pelo valor da corrente
nominal de pico, I A, pk , podem ser obtidas as expressões das correntes
média e eficaz parametrizadas, apresentadas em (3.26) e (3.27).
Correntes média e eficaz parametrizadas:

I S p ,avg ( M ,  ) M
I S p ,avg ( M ,  )    sen  (   )  cos   , (3.26)
I A, pk 4
34
I S p ,rms ( M ,  ) M
I S p ,rms ( M ,  )     cos   1 . (3.27)
I A, pk 6
Correntes no interruptor Sn :
Conforme pode ser visto na Figura 3.12, o interruptor S n

seja, durante os semi-ciclos negativos da moduladora e da corrente da
carga.
Figura 3.12 - Intervalos de comutação do interruptor Sn .
Através de um procedimento análogo ao utilizado para o

interruptor S p , podem ser obtidas as expressões da corrente média e
eficaz no interruptor S n , conforme é mostrado nas expressões (3.28) a
(3.31).
Corrente média em S n :
2
1
I Sn ,avg ( M ,  ) 
2 
 
Sn (t , M )  iSn (t )dt , (3.28)
M  I A, pk
I Sn ,avg ( M ,  )   sen  (   )  cos  . (3.29)
4
35
Corrente eficaz em S n :
2
1
I Sn ,rms ( M ,  ) 
2 
 

Sn (t , M )  iSn (t ) 2 dt , (3.30)
M
I Sn ,rms ( M ,  )   I A, pk   cos   1 . (3.31)
6
Podemos notar que as expressões (3.29) e (3.31) são idênticas às
expressões (3.23) e (3.25), respectivamente, obtidas para o interruptor
S p . Este resultado já era esperado, devido a consideração de simetria
das formas de onda.
Desta forma, dividindo as expressões (3.29) e (3.31) pelo valor da
corrente nominal de pico, I A, pk , podem ser obtidas as mesmas
expressões das correntes média e eficaz parametrizadas do interruptor
S p , conforme é mostrado em (3.32) e (3.33).

I Sn ,avg ( M ,  ) M
I Sn ,avg ( M ,  )    sen  (   ) cos   , (3.32)
I A, pk 4
I Sn ,rms ( M ,  ) M
I Sn ,rms ( M ,  )     cos   1 . (3.33)
I A, pk 6
Considerando o índice de modulação nominal M 0,778 , é
possível desenhar o gráfico das correntes média e eficaz parametrizadas
sob função da variação do ângulo  , conforme é mostrado na Figura
3.13.
Observando a Figura 3.13 pode ser notado que os máximos
valores das correntes média e eficaz ocorrem quando a corrente do
conversor está em fase com a tensão de saída, ou seja,   0 . À medida
que a defasagem vai aumentando estas correntes diminuem de
amplitude, até que se tornem nulas, não mais circulando pelos
interruptores S p ou S n .
36
[pu] 0.5
0.4
I Sp/n , rms
0.3
0.2
I Sp/n , avg
0.1
0
0 /4 /2 3/4 
Figura 3.13 – Correntes média e eficaz de S p e Sn , parametrizadas por I A, pk ,

com M 0,778 .
Correntes em S01 e D02 :
O interruptor S01 e o diodo D02 conduzirão sempre que a

corrente da carga for positiva, como pode ser visto na Figura 3.14, mas
com razões cíclicas complementares aos interruptores S p ou S n ,
respectivas às operações no 1º e 4º quadrantes. Estas razões cíclicas são,
portanto, iguais às razões cíclicas de S02 e S01 , conforme apresentado
anteriormente na Tabela 3.3.
Figura 3.14 - Intervalos de comutação do interruptor S01 e do diodo D02 .

37
A corrente média pode então ser calculada resolvendo as integrais

da equação (3.34), resultando na expressão (3.35).
Corrente média em S01 e D02 :
 1  
   S02 (t , M )  iS01 (t )dt  ... 
 2  
I S01 ,avg ( M ,  )     , (3.34)
 ...  1
   S01 (t , M )  iS01 (t )dt 
 2   
I A, pk
I S01 ,avg ( M ,  ) 
4
4  M (2   ) cos   2  sen . (3.35)
A expressão da corrente eficaz sobre estes dispositivos é obtida

pela solução de (3.36), mostrada em (3.37).
Corrente eficaz em S01 e D02 :

1

2 
 S02 (t , M )  iS01 (t ) 2 dt  ...
I S01 ,rms ( M ,  )   
, (3.36)
1
... 
2   S01 (t , M )  iS01 (t ) 2 dt
1 M
I S01 / D02 ,rms ( M ,  )  I A, pk   (1  cos  2 ). (3.37)
4 3
Correntes em S02 e D01 :

A Figura 3.15 mostra os intervalos em que há a circulação de
corrente no interruptor S02 e no diodo D01 . Pode-se perceber pela figura
que estes dispositivos conduzirão a corrente de carga durante o semi-
ciclo negativo, ou seja, no 2º e 3º quadrantes.
38
Figura 3.15 - Intervalos de comutação do interruptor S02 e do diodo D01 .
Novamente, devido à simetria de forma de onda, estes

dispositivos possuem as mesmas expressões representativas das
correntes média e eficaz de S01 e D02 , em um período da referência,
conforme equacionamentos apresentados em (3.38) e (3.40), e as
respectivas soluções mostradas em (3.39) e (3.41).
Corrente média em S02 e D01 :
 1 2 
   S01 (t , M )  iS02 (t )dt  ... 
 2   
I S02 ,avg ( M ,  )    , (3.38)
 ...  1
   S02 (t , M )  iS02 (t )dt 
 2 0 
I A, pk
I S02 / D01 ,avg ( M ,  ) 
4
4  M (2   )  cos   2  sen . (3.39)
Corrente eficaz em S02 e D01 :

39
2
1
2 
 

S01 (t , M )  iS02 (t ) 2 dt  ...
I S02 ,rms ( M ,  )  
, (3.40)
1
2 0 02
...   S (t , M )  iS02 (t ) 2 d t
1 M
I S02 ,rms ( M ,  )  I D01 ,rms ( M ,  )  I A, pk   (1  cos  2 ). (3.41)
4 3
Por sua vez, as correntes média e eficaz parametrizadas em
função da corrente nominal de pico apresentam também as mesmas
soluções, conforme mostradas em (3.42) a (3.45).

I S02 ,avg ( M ,  )
I S02/01 ,avg ( M ,  )  I D01/02 ,avg ( M ,  )  , (3.42)
I A, pk
I S02 ,avg ( M ,  ) 
1
4
4  M (2   )  cos   2  sen  , (3.43)
I S02 ,rms ( M ,  )
I S02/01 ,rms ( M ,  )  I D01/02 ,rms ( M ,  )  , (3.44)
I A, pk
1 M
I S02 ,rms ( M ,  )   (1  cos  2 ). (3.45)
4 3
Considerando o índice de modulação nominal M  0,778 , as
expressões das correntes média e eficaz parametrizadas, (3.43) e (3.45),
podem ser desenhadas em função da variação do ângulo  , conforme é
mostrado na Figura 3.16.
Pode ser observado pela Figura 3.16 que os máximos valores das
correntes média e eficaz ocorrem para    2 , com valores próximos
a 0,2 e 0,4 da corrente nominal de pico, respectivamente. Já os valores
mínimos ocorrem em   0 e    , com os respectivos valores
próximos a 0,13 e 0,3.
40
[pu] 0.5
I S01/02 , rms
0.4
I D01/02 , rms
0.3
I S01/02 , avg
0.2
I D01/02 , avg
0.1
0
0 /4 /2 3/4 
Figura 3.16 - Correntes média e eficaz de S 01 , S 02 , D01 e D02 , parametrizadas por
I A, pk , com M 0,778 .
Correntes média e eficaz nos diodos D p e Dn :
Os diodos D p e Dn conduzirão durante os intervalos em que a

corrente é negativa e a referência de tensão é positiva (2º Quadrante), ou
quando a corrente é positiva e a referência é negativa (4º Quadrante),
respectivamente. A Figura 3.17 mostra estes intervalos.
Figura 3.17 - Intervalos de comutação dos diodos D p e Dn .

41
Para o cálculo dos valores médio e eficaz da corrente no diodo

D p é necessário resolver as equações apresentadas em (3.46) e (3.48),
utilizando como função de razão cíclica a mesma do interruptor S p . As
soluções destas equações estão apresentadas em (3.47) e (3.49).
Corrente média em D p :

1
2 0 p
I Dp ,avg ( M ,  )   S (t , M )  iDp (t )dt , (3.46)
I A, pk  M
I Dp ,avg ( M ,  )   ( sen    cos  ). (3.47)
4
Corrente eficaz em D p :

1
2 0 p
I Dp ,rms ( M ,  )   S (t , M )  iDp (t ) 2 dt , (3.48)
M  I A, pk
I Dp ,rms ( M ,  )   (1  cos  ). (3.49)
6
Para o cálculo dos valores médio e eficaz da corrente no diodo
Dn deve ser utilizada a expressão da razão cíclica do interruptor S n ,
conforme mostrado em (3.50) e (3.52), cujas soluções são apresentadas
em (3.51) e (3.53).
Corrente média em Dn :
 
1
I Dn ,avg ( M ,  ) 
2 

Sn (t , M )  iDn (t )dt , (3.50)
I A, pk  M
I Dn ,avg ( M ,  )   ( sen    cos  ). (3.51)
4
42
Corrente eficaz em Dn :
 
1
I Dn ,rms ( M ,  ) 
2 

Sn (t , M )  iDn (t ) 2 dt , (3.52)
M  I A, pk
I Dn ,rms ( M ,  )   (1  cos  ). (3.53)
6
Como os diodos D p e Dn possuem as mesmas expressões de

corrente média e eficaz, se estas forem parametrizadas em função da
corrente nominal de pico serão representadas pelas expressões (3.54) e
(3.55) a seguir.

M
I Dp ,avg ( M ,  )  I Dn ,avg ( M ,  )   ( sen    cos  ), (3.54)
4
M
I Dp ,rms ( M ,  )  I Dn ,rms ( M ,  )   (1  cos  ). (3.55)
6
A Figura 3.18 representa as funções acima, para o índice de

modulação nominal ( M 0,778 ) e variando o ângulo  de 0 à  . Pode
ser percebido que os valores máximos de corrente média e eficaz
ocorrem em    , atingindo aproximadamente 20% e 40% da
corrente nominal de pico, respectivamente.
43
[pu] 0.5
0.4
I Dp/n , rms
0.3
0.2
I Dp/n , avg
0.1
0
0 /4 /2 3/4 
Figura 3.18 - Correntes média e eficaz de D p e Dn , parametrizadas por I A, pk ,

com M 0,778 .
A seguir serão mostradas as formas gráficas das expressões de

corrente obtidas anteriormente, em função das suas variáveis M e  .
Enquanto que os gráficos em três dimensões dão uma visão mais clara
da forma espacial de variação das amplitudes das correntes, em função
destas variáveis, os gráficos em duas dimensões facilitam a visualização
dos valores envolvidos.
A Figura 3.19, Figura 3.20 e a Figura 3.21 mostram o
comportamento da corrente média nos diversos semicondutores,
enquanto que na Figura 3.22, Figura 3.23 e na Figura 3.24 mostram as
respectivas correntes eficazes. Pode ser observado que enquanto alguns
dos elementos possuem os maiores valores de corrente para o ângulo
nulo de defasagem, em outros isso ocorre para os valores próximos a
180 graus elétricos. Somente nos elementos de grampeamento os
máximos valores são atingidos para a defasagem de 90 graus elétricos.
44
(a) (b)
Figura 3.19 – Corrente média de Sp e Sn em função de M e  : (a) representação
tridimensional e; (b) em curvas de nível.
(a) (b)
Figura 3.20 - Corrente média de S01, S02 , D01 e D02 em função de M e  : (a)
representação tridimensional e; (b) em curvas de nível..
(a) (b)
Figura 3.21 - Corrente média de Dp e Dn em função de M e  : (a) representação
tridimensional e (b) em curvas de nível.
45
(a) (b)
Figura 3.22 - Corrente eficaz de Sp e Sn em função de M e  : (a) representação
(a) (b)
Figura 3.23 - Corrente eficaz de S01, S02 , D01 e D02 em função de M e  : (a)
representação tridimensional e (b) em curvas de nível.
(a) (b)
Figura 3.24 - Corrente eficaz de Dp e Dn em função de M e  : (a) representação
46
Correntes média e eficaz nos semicondutores do conversor NPC
Correntes no interruptor S1:

Conforme pode ser visto na Figura 3.25, o interruptor S1
seja, durante os semi-ciclos positivos da moduladora e da corrente da
carga (corrente saindo no ponto A).
Figura 3.25 – Intervalos de comutação do interruptor S1 .
Substituindo-se as expressões (3.10) e (3.14) em (3.20) podemos

obter a expressão para o cálculo da corrente média no interruptor S1 ,
em função do índice de modulação ( M ) e do ângulo de deslocamento
da corrente (  ), conforme mostrado em (3.56) e (3.57).
Corrente média em S1 :

1
2  1
I S1 ,avg ( M ,  )   S (t , M )  iS1 (t )dt , (3.56)
M  I A, pk
I S1 ,avg ( M ,  )   sen  (   )  cos  . (3.57)
4
Da mesma forma, substituindo-se as expressões (3.10) e (3.14)
em (3.21) podemos obter a expressão para o cálculo da corrente eficaz
no interruptor S1 , em função do índice de modulação ( M ) e do ângulo
47
de deslocamento da corrente (  ), conforme mostrado em (3.58) e

(3.59).
Corrente eficaz em S1 :

1
I S1 ,rms ( M ,  )  
2 
 S1 (t , M )  iS1 (t ) 2 dt , (3.58)
M
I S1 ,rms ( M ,  )   I A, pk   cos   1 . (3.59)
6
Correntes no interruptor S4:

Conforme pode ser visto na Figura 3.26, o interruptor S 4
comutará a corrente da carga durante a operação no 3º quadrante, ou
seja, durante os semi-ciclos negativos da moduladora e da corrente da
carga.
Figura 3.26 - Intervalos de comutação do interruptor S4 .
Através de um procedimento análogo ao utilizado para o

interruptor S1 , podem ser obtidas as expressões da corrente média e
eficaz no interruptor S 4 , conforme é mostrado nas expressões (3.60) a
(3.63).
48
Corrente média em S 4 :
2
1
I S4 ,avg ( M ,  ) 
2 
 

S4 (t , M )  iS4 (t )dt , (3.60)
M  I A, pk
I S4 ,avg ( M ,  )   sen  (   )  cos  . (3.61)
4
Corrente eficaz em S 4 :
2
1
I S4 ,rms ( M ,  ) 
2 
  
S4 (t , M )  iS4 (t ) 2 dt , (3.62)
M
I S4 ,rms ( M ,  )   I A, pk   cos   1 . (3.63)
6
Podemos notar que as expressões (3.61) e (3.63) são idênticas às
expressões (3.57) e (3.59), obtidas para o interruptor S1 , resultado já
esperado, devido à consideração da simetria das formas de onda.
Desta forma, dividindo-se as expressões (3.61) e (3.63) pelo valor
da corrente nominal de pico, (3.64) e (3.66), podem ser obtidas as
expressões das correntes média e eficaz parametrizadas, conforme é
mostrado em (3.65) e (3.67).

I S1,4 ,avg ( M ,  )
I S1,4 ,avg ( M ,  )  , (3.64)
I A, pk
M
I S1,4 ,avg ( M ,  )   sen  (   )  cos   , (3.65)
4
I S1,4 ,rms ( M ,  )
I S1,4 ,rms ( M ,  )  , (3.66)
I A, pk
49
M
I S1,4 ,rms ( M ,  )   cos   1 . (3.67)
6
Considerando novamente o índice de modulação nominal, é

mostrado na Figura 3.27 o gráfico das correntes média e eficaz
parametrizadas e em função da variação do ângulo  .
[pu] 0.5
0.4
I S1/4 , rms
0.3
0.2
I S1/4 , avg
0.1
0
0 /4 /2 3/4 
Figura 3.27 – Correntes média e eficaz de S1 e S 4 , parametrizadas por I A, pk , com

M 0,778 .
Observando a Figura 3.27 pode ser notado que os máximos

valores das correntes média e eficaz ocorrem quando a corrente do
conversor está em fase com a tensão de saída, ou seja,   0 . À medida
que a defasagem vai aumentando estas correntes diminuem de
amplitude, até que se tornem nulas, não mais circulando pelos
interruptores S1 ou S 4 .
Correntes em S 2 :
O interruptor S 2 conduzirá com razão cíclica unitária durante o

intervalo de operação no 1º quadrante e com razão cíclica complementar
ao interruptor S 4 durante a operação no 4º quadrante, como pode ser
visto na Figura 3.28.
50
A corrente média pode então ser calculada resolvendo as integrais

da equação (3.68), as quais resultam na expressão (3.69).
Corrente média em S 2 :
 1  
   S2 (t , M )  iS2 (t )dt  ... 
 2  
I S2 ,avg ( M ,  )     , (3.68)
 ...  1
   S2 (t , M )  iS2 (t )dt 
 2  
I A, pk
I S2 ,avg ( M ,  )   4  M (  cos   sen ). (3.69)
4
A expressão da corrente eficaz sobre estes dispositivos é obtida
pela solução de (3.70), mostrada em (3.71).
Corrente eficaz em S 2 :

1

2 
 S2 (t , M )  iS2 (t ) 2 dt  ...
I S2 ,rms ( M ,  )   
, (3.70)
1
...   (t , M )  iS2 (t ) d t
2
2
S2

51
1 M
I S2 ,rms ( M ,  )  I A, pk   (1  cos  ) 2 . (3.71)
4 6
Correntes em S3 :
A Figura 3.29 mostra os intervalos em que há a circulação de

corrente no interruptor S3 . Pode-se perceber pela figura que estes
dispositivos conduzirão a corrente de carga durante o seu semi-ciclo
negativo, ou seja, no 2º e 3º quadrantes. Este interruptor terá uma razão
cíclica complementar ao interruptor S1 para a operação no 2º quadrante
e unitária durante a operação no 3º quadrante.
Novamente, devido à simetria de forma de onda, estes

dispositivos possuem as mesmas expressões representativas das
correntes média e eficaz de S 2 , em um período da referência, conforme
equacionamentos apresentados em (3.72) e (3.74), e as respectivas
soluções mostradas em (3.73) e (3.75).
Corrente média em S3 :
52
 1  

 2 0
 S3
 ( t , M )  iS3 ( t ) d  t  ... 

I S3 ,avg ( M ,  )   2 , (3.72)
 ...  1
  S3 (t , M )  iS3 (t )dt 
 2 
   
I A, pk
I S3 ,avg ( M ,  )   4  M (  cos   sen ). (3.73)
4
Corrente eficaz em S3 :

1

2 0
 S3 (t , M )  iS3 (t ) 2 dt  ...
I S3 ,rms ( M ,  )  2
, (3.74)
1
... 
2 
  
S3 (t , M )  iS3 (t ) 2 dt
1 M
I S3 ,rms ( M ,  )  I A, pk   (1  cos  ) 2 . (3.75)
4 6
Por sua vez, as correntes média e eficaz parametrizadas em

função da corrente nominal de pico são representadas pelas expressões
(3.76) a (3.79).

I S2,3 ,avg ( M ,  )
I S2,3 ,avg ( M ,  )  , (3.76)
I A, pk
1
I S2,3 ,avg ( M ,  )  4  M (  cos   sen ) , (3.77)
4
I S2,3 ,rms ( M ,  )
I S2,3 ,rms ( M ,  )  , (3.78)
I A, pk
53
1 M
I S2,3 ,rms ( M ,  )   (1  cos  )2 . (3.79)
4 6
Considerando o índice de modulação nominal, as expressões das

correntes média e eficaz parametrizadas, (3.77) e (3.79), podem ser
desenhadas em função da variação do ângulo  , conforme é mostrado
na Figura 3.30.
Pode ser observado pela Figura 3.30 que os máximos valores das
correntes média e eficaz ocorrem para   0 , com valores próximos a
0,32 e 0,5 da corrente nominal de pico, respectivamente. Já os valores
mínimos ocorrem em    , com os respectivos valores próximos a
0,15 e 0,3.
[pu] 0.6
0.5 I S2/3 , rms
0.4
0.3 I S2/3 , avg

0.2
0.1
0
0 /4 /2 3/4 
Figura 3.30 - Correntes média e eficaz de S 2 e S 3 , parametrizadas por I A, pk , com

M 0,778 .
Correntes média e eficaz nos diodos D1 e D2 :
Os diodos D1 e D2 conduzirão durante os intervalos em que a

corrente é negativa e a referência de tensão é positiva (2º Quadrante),
com a mesma razão cíclica do interruptor S1 . A Figura 3.31 mostra este
fato.
54
Figura 3.31 - Intervalos de comutação dos diodos D1 e D2 .
Para o cálculo dos valores médio e eficaz da corrente nestes

diodos é necessário resolver as equações apresentadas em (3.80) e (3.82)
. As soluções destas equações estão apresentadas em (3.81) e (3.83).
Corrente média em D1 e D2 :

1
2 0 1
I D12 ,avg ( M ,  )   S (t , M )  iD1 (t )dt , (3.80)
I A, pk  M
I D12 ,avg ( M ,  )   ( sen    cos  ). (3.81)
4
Corrente eficaz em D1 e D2 :

1
2 0 1
I D12 ,rms ( M ,  )   S (t , M )  iD1 (t ) 2 dt , (3.82)
M  I A, pk
I D12 ,rms ( M ,  )   (1  cos  ). (3.83)
6
Correntes média e eficaz nos diodos D3 e D4 :

55
A circulação de corrente nos diodos D3 e D4 ocorrerá durante

os intervalos de operação no 4º quadrante, conforme mostrado na Figura
3.32.
Estes diodos conduzirão uma corrente comutada com razão
cíclica igual a do interruptor S 4 , conforme mostrado nas equações
(3.84) e (3.86). Devido à simetria das formas de onda as expressões das
correntes média e eficaz obtidas em (3.85) e (3.87) são idênticas às
obtidas anteriormente para os diodos D1 e D2 .
Figura 3.32 - Intervalos de comutação dos diodos D3 e D4 .
 
1
I D34 ,avg ( M ,  ) 
2 

S4 (t , M )  iD3 (t )dt , (3.84)
I A, pk  M
I D34 ,avg ( M ,  )   ( sen    cos  ). (3.85)
4
 
1
I D34 ,rms ( M ,  ) 
2 

S4 (t , M )  iD3 (t ) 2 dt , (3.86)
56
M  I A, pk
I D34 ,rms ( M ,  )   (1  cos  ). (3.87)
6
Como os diodos D1 a D4 possuem as mesmas expressões de
corrente média e eficaz, se estas forem parametrizadas em função da
corrente nominal de pico ( I A, pk ) serão representadas pelas expressões
(3.88) e (3.89) a seguir.

M
I D14 ,avg ( M ,  )   ( sen    cos  ), (3.88)
4
M
I D14 ,rms ( M ,  )   (1  cos  ). (3.89)
6
modulação nominal e variando o ângulo  de 0 à  . Pode ser
percebido que os valores máximos de corrente média e eficaz ocorrem
em    , atingindo aproximadamente 20% e 40% da corrente
nominal de pico, respectivamente.
[pu] 0.5
0.4
I D1-4 , rms
0.3
0.2
I D1-4 , avg
0.1
0
0 /4 /2 3/4 
Figura 3.33 - Correntes média e eficaz de D1 , D2 , D3 e D4 , parametrizadas por

I A, pk , com M 0,778 .
57
Correntes média e eficaz em D5 e D6 :
Devido à simetria da forma de onda de corrente, as correntes nos

diodos D5 e D6 serão iguais, em termos dos valores médio e eficaz.
Por simplicidade, então, serão mostrados apenas as expressões para o
diodo D5 .
A Figura 3.34 mostra a forma de onda de corrente no diodo D5 e
seu intervalo de condução. Através desta figura e do conhecimento do
funcionamento da estrutura é possível montar o equacionamento para o
cálculo do valor médio da corrente, mostrado em (3.90). A solução desta
equação é mostrada em (3.91).
Figura 3.34 - Intervalos de comutação do diodo D5 .
 1  
   S3 (t , M )  iD5 (t )dt  ... 
 2  
I D56 ,avg ( M ,  )     , (3.90)
 ...  1
   S2 (t , M )  iD5 (t )dt 
 2   
1 M    
I D56 ,avg ( M ,  )  I A, pk     sen      cos    . (3.91)
  2  2  
58
Da mesma forma, o cálculo da corrente eficaz é obtido pela

solução da equação (3.92), mostrado em (3.93).

1
2  3
 S (t , M )  iD5 (t ) 2 dt  ...
I D56 ,rms ( M ,  )   
, (3.92)
1
... 
2 

S2 (t , M )  iD5 (t ) 2 dt
1 M
I D56 ,rms ( M ,  )  I A, pk   (1  cos  2 ). (3.93)
4 3
As correntes, média e eficaz, parametrizadas em função da
corrente nominal de pico ( I A, pk ), para os diodos D5 e D6 , são
representadas pelas expressões (3.94) e (3.95) a seguir.
1 M    
I D56 ,avg ( M ,  )    sen   2    cos   , (3.94)
 2    
1 M
I D56 ,rms ( M ,  )   (1  cos  2 ). (3.95)
4 3

modulação nominal e variando o ângulo  . Pode ser percebido que os
valores máximos de corrente média e eficaz ocorrem em    / 2 ,
atingindo aproximadamente 20% e 40% da corrente nominal de pico,
respectivamente.
59
[pu] 0.5
I D5/6 , rms
0.4
0.3
I D5/6 , avg
0.2
0.1
0
0 /4 /2 3/4 
Figura 3.35 - Correntes média e eficaz de D5 e D6 , parametrizadas por I A, pk , com

M 0,778 .
A seguir serão mostradas as formas gráficas das expressões de

corrente obtidas anteriormente, em função das suas variáveis M e  .
Os gráficos tridimensionais permitem uma visualização da variação das
amplitudes das correntes em função destas duas variáveis e os gráficos
bidimensionais facilitam a visualização dos valores envolvidos.
Da Figura 3.36 à Figura 3.39 é mostrado o comportamento da
corrente média nos diversos semicondutores, enquanto que da Figura
3.40 à Figura 3.43 mostram as respectivas correntes eficazes. Pode ser
observado um comportamento similar ao do conversor NPCm, onde em
alguns elementos os esforços de corrente são máximos para defasagem
nula e noutros quando a defasagem é de 180 graus elétricos. Também há
um comportamento similar para as correntes dos elementos de
grampeamento dos dois conversores, com os valores máximos atingidos
para a defasagem de 90 graus elétricos. Exceção somente para os
interruptores S 2 e S 3 que possuem um comportamento da corrente não
encontrado no conversor NPCm.
60
(a) (b)
Figura 3.36 – Corrente média de S1 e S4 em função de M e  : (a) representação
(a) (b)
Figura 3.37 - Corrente média de S2 e S3 em função de M e  : (a) representação
(a) (b)
Figura 3.38 - Corrente média de D1 a D4 em função de M e  : (a) representação
61
(a) (b)
Figura 3.39 - Corrente média de D5 e D6 em função de M e  : (a) representação
(a) (b)
Figura 3.40 - Corrente eficaz de S1 e S4 em função de M e  : (a) representação
(a) (b)
Figura 3.41 - Corrente eficaz de S2 e S3 em função de M e  : (a) representação
62
(a) (b)
Figura 3.42 - Corrente eficaz de D1 a D4 em função de M e  : (a) representação
(a) (b)
Figura 3.43 - Corrente eficaz de D5 e D6 em função de M e  : (a) representação
A Tabela 3.4 apresenta a relação completa das equações obtidas

anteriormente e que representam os esforços de corrente nos
conversores NPC e NPCm, em função do índice de modulação M e do
ângulo de defasagem  com relação a tensão senoidal de referência.
A Figura 3.44 mostra os valores médio e eficaz das correntes,
para todos os interruptores de ambas as topologias, com respeito à
variação do ângulo da corrente de saída, para um índice de modulação
M 0,778 . Os valores de corrente são apresentados em p.u., com relação
ao valor de pico da corrente de saída, I A, pk .
63
Tabela 3.4 – Equações das correntes parametrizadas nos interruptores

dos conversores NPC e NPCm.
NPC NPCm Corrente Média e Eficaz Parametrizadas (p.u.)
M
S1 Sp
I avg ( M ,  )   sen  (   )  cos   ;
S4 Sn 4
M
I rms ( M ,  )  1  cos  
2
6
D5 S 01 1 M   
I avg ( M ,  )    sen  (   )  cos   ;
D6 S 02  2  2 
D01 1 M
I rms ( M ,  )   (1  cos  2 )
D02 4 3
D1 Dp M
I avg ( M ,  )  ( sen    cos  ) ;
D2 Dn 4
M
I rms ( M ,  )  1  cos  
2
D3
6
D4
S2 1
M
I avg ( M ,  )  ( sen    cos  ) ;

S3  4
1 M
I rms ( M ,  )   (1  cos  )2
4 6
Pode ser observado que os mais altos valores de corrente

( I rms 0,5 pu e I avg 0,32 pu ) ocorrem nos interruptores S2 e S 3 do
conversor NPC, para os ângulos da corrente menores que  /6 . Todos os
outros semicondutores apresentam um valor similar de máxima corrente
( I rms 0,4 pu e I avg 0,2 pu ), embora para diferentes ângulos de
defasagem. Estes ângulos são 0 radiano para os interruptores conectados
ao barramento CC (pontos p e n),  /2 radianos para os semicondutores
que conectam ao ponto médio (ponto 0) e  radianos para os diodos
que conectam o barramento CC ao ponto a (pontos p e n ao ponto a).
64
Corrente Eficaz [p.u.]

0.6
S 2, 3 NPC
NPCm
0.4
D p, n
S p, n D 5, 6
0.2 S 01, 02
D,01, 02
D 1, 2, 3, 4
S 1, 4
0
0 p/2 p
(a) f
Corrente Média [p.u.]
0.4
NPC
S 2, 3 NPCm
0.3
D 5, 6 D p, n
0.2
S p, n
0.1
S 01, 02
D 1, 2, 3, 4 S 1, 4 D,01, 02
0
0 p/2 p
(b) f
Figura 3.44 – Valores de correntes (a) eficaz, e (b) média nos dispositivos
semicondutores para ambas as topologias, com índice de modulação M 0,778 .
Desta forma pode-se concluir que o conversor NPCm possui uma

melhor distribuição de corrente e consequentemente uma melhor
distribuição de perdas de condução. Outra conclusão é a de que o
conversor NPC precisa ter dois de seus interruptores com uma maior
capacidade de corrente que todos os demais.
65
3.3 ANÁLISE COMPARATIVA DOS ESFORÇOS DE CORRENTE

TEÓRICOS VERSUS SIMULADOS
Com o intuito de validar as equações obtidas e representadas pela

Figura 3.44, a Tabela 3.5 apresenta os valores numéricos teóricos das
correntes médias e eficazes de todos os semicondutores, para três
valores diferentes de defasagem da corrente, em comparação com os
esforços obtidos por simulação na ferramenta PSIM®, considerando
correntes de saída nominais e senoidais, nos conversores tratados neste
estudo. As condições de simulação foram:
 Tensão eficaz de entrada: Va ,rms  220 V ;
 Tensão média de saída: E 2400 V ;
 Frequência de comutação: fc  40 kHz ,
 Frequência de operação da rede: fr  60 Hz ;
 Corrente eficaz de entrada: I A,rms  15, 91 A ;
 Indutância: LA  420  H ;
 Índice de modulação: M 0,778 .
Pode ser observada uma grande aproximação entre os resultados

teóricos e os simulados, com erros relativos menores que 0,08%. Estes
resultados validam as expressões das correntes médias e eficazes
apresentadas anteriormente.
3.3.1 Escolha de tecnologias estado da arte em semicondutores
Após o cálculo dos esforços de corrente nos interruptores,

apresentado no item anterior, se faz necessária a escolha dos
semicondutores que serão utilizados, para então efetuar o cálculo das
perdas e o projeto do sistema de dissipação do calor gerado.
Para que se possa efetuar a comparação entre as duas estruturas,
procurou-se utilizar do estado da arte em semicondutores de potência,
ou seja, as últimas gerações disponíveis no mercado com as melhores
característcas de perdas, de acordo com cada necessidade de capacidade
de bloqueio e de condução de corrente, assim como da frequência de
comutação desejada. No momento da especificação destes componentes,
com as características necessárias de tensão de bloqueio, capacidade de
66
corrente e mínimas perdas de condução e comutação, estavam

disponíveis no mercado os dispositivos mostrados na Tabela 3.6.
Conforme apresentado no item anterior, para um valor desejado
de tensão de barramento CC de 800 V, todos os interruptores do
retificador NPC devem possuir pelo menos uma tensão de bloqueio de
600 V, por isso foram especificados as últimas gerações dos transistores
IGBT de silício (IRG4PC50W) e dos diodos Stealth® (ISL9R3060G2),
conforme mostrado na Tabela 3.6. Estes componentes apresentam
perdas de comutação muito baixas e foram usados sempre que possível,
nas posições das duas estruturas, onde o limite máximo teórico é
definido como a metade da tensão do barramento CC.
O retificador NPCm requer que parte dos seus interruptores e
diodos possuam a capacidade de bloqueio superior a da tensão total do
barramento CC, para as conexões do terminal A aos pontos p e n .
Como não estavam disponíveis comercialmente transistores IGBT de
silício capazes de operar em comutações dissipativas e sob frequências
acima de 20 kHz, para uma capacidade de bloqueio de pelo menos 1200
V, foi escolhida a última geração de transistores JFET de Carboneto de
Silício (Silicon Carbide - SiC) de 1200 V e estado normal aberto
(normally-off), o SJEP120R063.
Para os diodos com necessidade de bloqueio de 1200 V foi
escolhido o modelo SDP30S120, também de Carboneto de Silício.
3.4 CONCLUSÕES
Neste capítulo foram apresentadas e comparadas estruturas

NPCm e NPC de três níveis candidatas a serem utilizados em um
retificador trifásico para aplicação como carga eletrônica ativa de
corrente alternada (CEA-CA).
As topologias em estudo apresentam etapas de operação similares
e, para a mesma modulação POD-PWM, apresentam as mesmas
características externas, com as mesmas formas de onda de entrada e de
saída.
67
Tabela 3.5 – Valores teóricos e simulados dos esforços de corrente nos interruptores
dos conversores NPCm e NPC, para um índice de modulação M 0,778 .
NPCm
 S p/n S01/02 Dp / n D01/02
Corrente média Teórico 4.375 2.785 0.000 2.785
[A] 0 Simul. 4.376 2.786 0.000 2.786
e [%] -0,02 -0,04 0,00 -0,04
 Teórico
Simul.
1.393
1.393
4.375
4.376
1.393
1.393
4.375
4.376
2 e [%] 0,00 -0,02 0,00 -0,02
Teórico 0.000 2.785 4.375 2.785
 Simul. 0.000 2.786 4.376 2.786
e [%] 0,00 -0,04 -0,02 -0,04
Corrente eficaz Teórico 9.140 6.554 0.000 6.554
[A] 0 Simul. 9.142 6.556 0.000 6.556
e [%] -0,02 -0,03 0,00 -0,03
 Teórico
Simul.
4.570
4.571
9.205
9.207
4.570
4.571
9.205
9.207
2 e [%] -0,02 -0,02 -0,02 -0,02
Teórico 0.000 6.554 9.140 6.554
 Simul. 0.000 6.556 9.142 6.556
e [%] 0,00 -0,03 -0,02 -0,03
NPC
 S1/4 S2/3 D1...4 D5/6
Corrente média Teórico 4.375 7.160 0.000 2.785
[A] 0 Simul. 4.376 7.162 0.000 2.786
e [%] -0,02 -0,03 0,00 -0,04
 Teórico
Simul.
1.393
1.393
5.767
5.769
1.393
1.393
4.375
4.376
2 e [%] 0,00 -0,03 0,00 -0,02
Teórico 0.000 2.785 4.375 2.785
 Simul. 0.000 2.786 4.376 2.786
e [%] 0,00 -0,04 -0,02 -0,04
Corrente eficaz Teórico 9.140 11.247 0.000 6.554
[A] 0 Simul. 9.142 11.250 0.000 6.556
e [%] -0,02 -0,03 0,00 -0,03
 Teórico
Simul.
4.570
4.571
10.277
10.280
4.570
4.571
9.205
9.207
2 e [%] -0,02 -0,03 -0,02 -0,02
Teórico 0.000 6.554 9.140 6.554
 Simul. 0.000 6.556 9.142 6.559
e [%] 0,00 -0,03 -0,02 -0,08
68
Tabela 3.6 - Semicondutores empregados nos retificadores NPC e NPCm.
Componentes NPC NPCm Características

IRF VCES = 600 V ;
Si IGBT S1...S4 S01 , S02 VCE(on) = 1,93 V ;
IRG4PC50W IC = 27 A (@100 ºC)
Transistores
SemiSouth VDS = 1200 V ;

SiC JFET S p , Sn RDS(on) = 63 mΩ ;
SJEP120R063 ID = 30 A (@125 ºC) ;
Normalmente Aberto
SemiSouth VDC = 1200 V ;
SiC Schottky Dp , Dn VF = 1,6 V ;
SDP30S120 IF = 30 A (@130 ºC)
Diodos
Fairchild VDC = 600 V ;

Si Stealth® D1...D6 D01 , D02 VF = 2,1 V ;
ISL9R3060G2 IF = 30A (@25 ºC)
Os esforços de tensão e de corrente foram equacionados e

analisados graficamente, de onde foi possível concluir que o conversor
NPCm possui uma melhor distribuição de correntes e consequentemente
uma melhor distribuição de perdas de condução. Outra conclusão é a de
que o conversor NPC precisa ter dois de seus interruptores com uma
maior capacidade de corrente que todos os demais, enquanto que o
conversor NPCm precisa de dois interruptores com maior capacidade de
tensão de bloqueio.
Definidos os esforços de corrente e de tensão, foram
especificados componentes semicondutores que atendessem a esses
requisitos, mas que permitissem atingir o máximo de rendimento no
processamento de energia. Este alto rendimento vem ao encontro do
objetivo principal deste trabalho, que é a redução das perdas de energia
em ensaios de funcionamento de equipamentos elétricos, e ao encontro
das tendências atuais de alta densidade de potência nos equipamentos
eletrônicos.
69
4 CÁLCULO DAS POTÊNCIAS DISSIPADAS NOS SEMICON-

DUTORES DE POTÊNCIA
4.1 INTRODUÇÃO
Obtidas as expressões dos esforços de corrente em cada

semicondutor e definidos os modelos comerciais que serão utilizados, é
possível obter as expressões que regem suas perdas e o rendimento dos
conversores.
4.2 PERDAS POR CONDUÇÃO
As perdas por condução dos dispositivos semicondutores, com os

transistores operando na região de saturação, dependem basicamente da
tensão de condução direta e da temperatura da junção. Esta tensão pode
ser modelada pela equação de uma reta, onde os seus coeficientes kS / D ,1
e kS / D ,0 representam, respectivamente, uma resistência e uma fonte
contínua, como é mostrado na expressão (4.1).
vS / D,on (t )  kS / D,1  iS / D (t ,  )  kS / D,0 (4.1)
Desta forma, as perdas em condução podem ser calculadas pela

seguinte expressão:
1 2
PS / D,con 
2 0
iS / D (t ,  )  vS / D,on (t )  d (t ). (4.2)
4.2.1 Ensaio de perdas de condução nos transistores SiC JFET
Segundo o fabricante, a característica típica de saída dos

transistores JFET de SiC SJEP120R063 (Anexo A), para uma
temperatura de junção de 125 ºC, tem o comportamento mostrado na
Figura 4.1.
70
Figura 4.1 – Característica típica de saída do transistor SJEP120R063, extraída do

catálogo do fabricante, em função de VGS , para a temperatura de junção de 125 ºC.
A partir desta figura, considerando a curva para VGS 2,5 [V] ,

pode-se obter a equação de uma reta de aproximação para a região de
corrente nominal do conversor (22,5A de pico) como mostrada em (4.3).
v jfet ,on (t )  k jfet ,1  i jfet (t ,  )  k jfet ,0 , (4.3)
onde os coeficientes obtidos são os apresentados na Tabela 4.1.
Tabela 4.1 – Característica teórica de saída do SJEP120R063
VGS [V] T j [ o C] K jfet ,1 [ V A ] K jfet ,0 [V]

2,5 125 0,133 -0,401
Com o objetivo de conhecer melhor o comportamento deste novo

componente, foram efetuados ensaios da sua característica de saída, sob
diferentes condições de temperatura e tensão VGS , utilizando uma
câmara térmica com temperatura e umidade controladas (modelo WK
340, da WEISS). Através destes ensaios foram obtidos novos
parâmetros para as retas características de perdas em condução do JFET,
mostrados na Tabela 4.2. Durante os ensaios foi considerado que a
temperatura da junção semicondutora era igual ao da cápsula do
71
componente e também igual à temperatura interna da câmara térmica.

Para garantir que esse equilíbrio térmico ocorresse foi estipulado um
intervalo mínimo de quinze minutos entre cada ensaio.
Tabela 4.2 – Ensaio em câmara térmica da característica de saída do SJEP120R063.
VGS [V ] T j [ o C] K jfet ,1[V / A] K jfet ,0 [V ]

2,5 25 0,062 -0,074
3,0 25 0,054 -0,051
2,5 125 0,142 -0,232
3,0 125 0,122 -0,128
2,5 100 0,123 -0,148
Pode ser notada uma ligeira diferença entre os coeficientes

obtidos pela curva teórica e os coeficientes obtidos no ensaio, indicado
pela linha sombreada da Tabela 4.2, para as mesmas condições dadas.
Esta diferença se refletirá em potências de perdas diferentes, como pode
ser visto na Figura 4.2.
4.2.2 Perdas por condução nos transistores Sp e Sn do conversor

NPCm
Utilizando a equação (4.3) para representar o comportamento de

condução do transistor S p , como mostrado em (4.4), é possível calcular
as suas perdas de condução resolvendo a expressão (4.5).
vS p ,on (t )  k jfet ,1  iS p (t ,  )  k jfet ,0 (4.4)
1 
PS p ,con 
2   Sp (t , M )  iS p (t ,  )  vS p ,on (t )  d (t ) (4.5)
Substituindo então as expressões da razão cíclica, da corrente e da

tensão em condução, conforme é mostrado em (4.6), é possível obter a
solução apresentada em (4.7).
Devido à simetria da corrente, entre os semiciclos positivo e
negativo, e ao fato de que os transistores S p e S n são de mesmo tipo
comercial, a expressão (4.7) pode representar as perdas destes dois
componentes.
72
 1  
 2   S p (t , M )  I A, pk  sen(t   )  ... 
PS p ,con   (4.6)
...   k jfet ,1  I A, pk  sen(t   )  k jfet ,0   d (t ) 
 M 
 k jfet ,0  I A, pk  4  sen  (   )  cos    ...
PS p/n ,con ( M ,  )    (4.7)
...  k 2 M
(1  cos  ) 
jfet ,1  ( I A, pk ) 
2
 6 
Substituindo na expressão (4.7) o valor do índice de modulação
nominal M e os coeficientes k jfet obtidos anteriormente, é possível
desenhar as curvas de perdas em condução mostradas na Figura 4.2.
Perdas de condução no JFET

12
[W]
Ensaio (Vgs=2,5V @125 °C)
9
Teórico (Vgs=2,5V @125 °C)
6 Ensaio (Vgs=2,5V @25 °C)
0
0 /4 /2 3/4 
f
Figura 4.2 – Potências de perdas de condução nos JFET para os diferentes
parâmetros obtidos.
Pode ser notada, na Figura 4.2, uma ligeira diferença entre as

curvas obtidas a partir de dados de catálogo (curva “Teórico”) e os
dados obtidos em ensaio, para a condição de Vgs  2, 5 V @125 C . Neste
trabalho serão utilizados os resultados obtidos pelo ensaio, por
representar o pior caso, garantindo assim um projeto térmico adequado.
Também pode ser notada a ocorrência de uma sobreposição das curvas
73
de Vgs 2,5 V@100 C e Vgs 3,0 V@125 C , mostrando que as perdas de

condução são reduzidas com o aumento da tensão Vgs .
4.2.3 Perdas por condução nos diodos SiC do conversor NPCm
Os diodos SDP30S120 de carboneto de silício, utilizados no

conversor NPCm, possuem a característica de condução apresentada na
Figura 4.3.
Figura 4.3 - Características típicas de condução do diodo SDP30S120, segundo o

fabricante (Anexo A), para diferentes temperaturas da junção semicondutora.
Para o diodo SiC, na condição de T j 125 C , foi obtida a seguinte

expressão de linearização para os pontos próximos a corrente nominal:
vsic,on (t )  ksic ,1  isic (t ,  )  ksic ,0 , (4.8)
onde:
ksic,1  0,045 V/A ,
ksic,0  0,717 V .
74
Desta forma, é calculada a potência de perdas em condução do

diodo D p com o uso da expressão (4.9), substituindo as expressões da
razão cíclica, da corrente e da tensão de condução, resultando na
expressão (4.10). Esta expressão também é válida para o diodo Dn ,
devido à simetria da corrente iA (t ,  ) .
1 
PDp ,con 
2  0
 S (t , M )  iD (t ,  )  vD
p p p ,on
(t )  d (t )
(4.9)
 M 
 ksic ,0  I A, pk  4 ( sen    cos  )  ...
PDp/n ,con ( M ,  )    (4.10)
...  k  ( I ) 2  M (1  cos  ) 2 
 sic ,1 A, pk
6 
4.2.4 Perdas por condução nos transistores Si IGBT do conversor

NPCm.
Os transistores IGBT de silício, modelo IRG4PC50W, possuem a

característica linearizada de saída, para a temperatura de junção
T j 150 C e pontos próximos a região de corrente nominal, conforme
apresentado em (4.11). A curva fornecida pelo fabricante pode ser
encontrada no Anexo A.
vigbt ,on (t )  kigbt ,1  iigbt (t ,  )  kigbt ,0 , (4.11)
onde:
kigbt ,1  0,027 V/A ,
kigbt ,0  1,014 V .
Desta forma, para os transistores IGBT S01 e S02 , a expressão

(4.12) representa a tensão de condução, que substituída em (4.13) resulta
na solução apresentada na expressão (4.14).
vS01 ,on (t )  kigbt ,1  iS01 (t ,  )  kigbt ,0 (4.12)
75
 1  
 2   S02 (t , M )  iS01 (t ,  )  vS01 ,on (t )  d (t )  ... 
PS01 ,con   (4.13)
...  1    (t , M )  i (t ,  )  v 
2 
S01 ,on (t )  d (t )
 S01 S01

 1 M     
kigbt ,0  I A, pk     sen       cos     ...

PS01/02 ,con ( M ,  )     2  2    (4.14)

 2 1 M 2  
...  kigbt ,1  ( I A, pk )   4  3 (1  cos  )  
 
4.2.5 Perdas por condução nos diodos Stealth® do conversor NPCm
Os diodos ultra-rápidos tipo Stealth®, modelo comercial

ISL9R3060G2, são usados em D01 e D02 e possuem uma característica
linearizada de condução com os parâmetros mostrados em (4.15). A
curva fornecida pelo fabricante está apresentada no Anexo A.
vsteal ,on (t )  ksteal ,1  isteal (t ,  )  ksteal ,0 , (4.15)
onde:
ksteal ,1  0,029 V/A ,
ksteal ,0  0,806 V .
Calculando a integral da função de perdas sobre os intervalos de

condução do diodo D01 , também válida para o diodo D02 , mostrada em
(4.16), se obtém a solução apresentada pela expressão (4.17).
 1 2 
 2    S01 (t , M )  iD01 (t ,  )  vD01 ,on (t )  d (t )  ...
PD01 ,con   (4.16)
...  1 
 S (t , M )  iD01 (t ,  )  vD01 ,on (t )  d (t ) 
 2 0 02 
76
 1 M     
ksteal ,0  I A, pk     sen       cos     ...

PD01/02 ,con ( M ,  )     2  2    (4.17)

 2 1 M 2  
...  k  ( I )    (1  cos  )  

steal ,1 A, pk
 4 3  
As expressões de linearização das curvas características de tensão

de condução direta, apresentadas anteriormente em (4.3), (4.8), (4.11) e
(4.15), estão mostradas graficamente na Figura 4.4. Esta figura mostra
que o JFET de SiC e de 1,2 kV apresenta aproximadamente duas vezes a
queda de tensão do IGBT de silício de 600 V, para os seus valores
nominais de corrente (30 A). O diodo Schottky de SiC e de 1,2 kV
apresenta a segunda maior queda de tensão, seguida pelo IGBT e o
diodo Stealth®, que apresentam as menores quedas de tensão.
4
Queda de tensão direta VON [V]
iC
rS
st o
ns i
3 T ra
BT
2 r IG Diodo
SiC
si st o
T ran
lth
Diodo Stea
1
0
10 15 20 25 30
I A [A]
Figura 4.4 – Retas de linearização das características de condução dos componentes

semicondutores utilizados. Temperatura de teste: SiC – 125 ºC; outros – 150 ºC.
4.2.6 Perdas por condução nos transistores Si IGBT do conversor

NPC
De maneira similar, como todos os transistores do conversor NPC

são os mesmos IGBT IRG4PC50W, podemos calcular a potência de
perdas de condução de S1 a S 4 substituindo a expressão (4.11) nas
expressões (4.18), (4.19), (4.20) e (4.21).
77
1 
PS1 ,con 
2   S1 (t , M )  iS1 (t ,  )  vS1 ,on (t )  d (t ) (4.18)
1 2
PS4 ,con 
2   
 S4 (t , M )  iS4 (t ,  )  vS4 ,on (t )  d (t ) (4.19)
 1  
 2   S2 (t , M )  iS2 (t ,  )  vS2 ,on (t )  d (t )  ... 
PS2 ,con   (4.20)
...  1    (t , M )  i (t ,  )  v (t )  d (t ) 
 2  
S2 S2 S2 ,on
 1  
 2 0  S3 (t , M )  iS3 (t ,  )  vS3 ,on (t )  d (t )  ... 
PS3 ,con   (4.21)
...  1 2  (t , M )  i (t ,  )  v (t )  d (t ) 
 2   3 
S S3 S3 ,on
As soluções das equações anteriores são mostradas a seguir, onde

a expressão (4.22) representa as perdas de condução nos transistores S1
e S 4 , e a expressão (4.23) as perdas em S 2 e S3 .
 M 


kigbt ,0  I A, pk   sen  (   )  cos    ...
 (4.22)
4
PS1/4 ,con ( M ,  )   
...  k M 
 ( I ) 2
 (1  cos  ) 2


igbt ,1 A, pk
6 

 1 M  
kigbt ,0  I A, pk     4 ( sen    cos  )   ...
    (4.23)
PS2/3 ,con ( M ,  )   
...  k 2 1 2
 (1  cos  )  
M
igbt ,1  ( I A, pk )   
  4 6  
4.2.7 Perdas por condução nos diodos Stealth® do conversor NPC
No caso dos diodos usados no conversor NPC, todos são diodos

Stealth® modelo ISL9R3060G2 ( D1 a D6 ), de maneira que a expressão
78
(4.15) pode ser usada no cálculo das perdas, mostradas em (4.24),

(4.25), (4.26) e (4.27).
1 
PD1/2 ,con 
2 0
 S (t , M )  iD (t ,  )  vD ,on (t )  d (t )
1 1 1
(4.24)
1  
PD3/4 ,con 
2   S (t , M )  iD (t ,  )  vD ,on (t )  d (t ) (4.25)
4 4 4
 1  
 2   S3 (t , M )  iD5 (t ,  )  vD5 ,on (t )  d (t )  ... 
PD5 ,con   (4.26)
...  1    (t , M )  i (t ,  )  v 
2 
D5 ,on (t )  d (t )
 S2 D5

 1  
 2 0  S3 (t , M )  iD6 (t ,  )  vD6 ,on (t )  d (t )  ... 
PD6 ,con   (4.27)
...  1 2
 S (t , M )  iD6 (t ,  )  vD6 ,on (t )  d (t ) 
 2   2 
As soluções das equações acima são apresentadas em (4.28) e

(4.29), sendo a primeira relativa aos diodos em antiparalelo aos
interruptores e a segunda aos diodos de grampeamento.
 M 
 ksteal ,0  I A, pk  4 ( sen    cos  )  ...
PD1...4 ,con ( M ,  )    (4.28)
...  k 2 M
(1  cos  ) 
steal ,1  ( I A, pk ) 
2
 6 
 1 M    
ksteal ,0  I A, pk   
   sen  ( 2   )  cos     ... (4.29)
  2   
PD5/6 ,con ( M ,  )   
...  k 2  1 M 2  
steal ,1  ( I A, pk )    (1  cos  ) 
  4 3  
4.3 PERDAS POR COMUTAÇÃO
As perdas por comutação dos transistores dependem basicamente

de três fatores:
79
 Frequência de comutação;
 Energia envolvida em cada comutação;
 Energia de recuperação do diodo associado a estas etapas de
operação.
As energias envolvidas nas comutações, tanto para a entrada em
condução ( Eon ), para o bloqueio do transistor ( Eoff ) e quanto para a
recuperação do diodo ( Err ), podem ser modeladas por polinômios de
segunda ordem, conforme a expressão (4.30) (DROFENIK; KOLAR,
2005). Os coeficientes kcom podem ser obtidos a partir de curvas
fornecidas pelo fabricante do componente semicondutor, conforme
mostrado na Figura 4.5, e icom (t ) é a corrente envolvida no instante da
comutação.
 
2
Ecom (t )  kcom,2  icom (t )  kcom,1  icom (t )  kcom,0 (4.30)
4.3.1 Ensaios de perdas por comutação
As curvas características de perdas por comutação para os

transistores SiC JFET, fornecidas pelo fabricante, são mostradas na
Figura 4.5. Estas curvas são fornecidas para condições de ensaio
bastante especificas, que não correspondem a aplicação deste trabalho,
como as tensões VDS 600 V e uma resistência de gate de RG 5  .
Para que se obtenham curvas características sob as mesmas
condições da aplicação aqui tratada, foram efetuados ensaios de
comutação com os componentes utilizados neste estudo. O referido
ensaio resume-se à medição dos intervalos de comutação de um dado
transistor ou diodo, comutando diferentes amplitudes de corrente e
estando o componente sujeito a uma temperatura controlada do seu
encapsulamento.
Estes ensaios são necessários também pela dificuldade de estimar
as indutâncias parasitas do layout e, em especial, devido à utilização dos
dispositivos SiC JFET, que são dispositivos novos no mercado e não
estão completamente modelados. Eles necessitam de um circuito de
driver diferenciado, projetado para minimizar as suas perdas durante os
intervalos de condução, enquanto preserva os baixos tempos de
80
comutação do dispositivo (mantidos menores que 100 ns para todos os

interruptores - circuito no Apêndice A).
A Figura 4.6 exemplifica três desses ensaios, para diferentes
pares de dispositivos semicondutores.
Figura 4.5 – Energias de perdas de comutação do SiC JFET SJEP120R063,

fornecidas pelo fabricante.
As medições destes ensaios foram efetuadas por osciloscópio de

elevada taxa de amostragem, medindo os sinais de corrente diretamente
nos terminais do semicondutor, com uma sonda de Rogowski (modelo
CWT da Power Electronic Measurements Ltda – UK). As condições
utilizadas nestes ensaios foram: VDS  400 V , RG  6,8  e
temperatura de junção, considerada próxima a temperatura do encap-
sulamento, de T j  100 C .
o
As curvas características de energia de perdas durante a

comutação, obtidas nos ensaios efetuados em laboratório, são as
apresentadas na Figura 4.7. Estas curvas mostram as três partes das
perdas de energia em um período de comutação: a entrada em condução
( eon ), o bloqueio ( eoff ) e a energia associada à recuperação reversa
( err ) dos diodos Stealth® ou aos efeitos capacitivos dos diodos SiC.
81
Figura 4.6 – Medições de tensão e corrente durante as comutações com: (a) Si IGBT
e diodo SiC; (b) SiC JFET e diodo SiC, e (c) SiC JFET e diodo Stealth ®.
A Figura 4.7(a) mostra as curvas obtidas da energia de perdas de

comutação para um IGBT e um diodo SiC. As curvas de comutação para
um SiC JFET e um diodo Stealth® são mostradas na Figura 4.7(b),
enquanto que a Figura 4.7(c) mostra as energias de perdas no par SiC
JFET com diodo SiC. A mais alta energia de perdas em bloqueio ocorre
para a comutação do IGBT com o diodo SiC. A mais alta perda de
energia no processo de entrada em condução ocorre para a combinação
82
SiC JFET com Stealth®, enquanto que a maior energia err devida à
comutação do diodo ocorre para o par SiC JFET com diodo SiC.
Perdas com IGBT e Diodo SiC Perdas com JFET e Diodo Stealth
Energia de Comutação e [mJ]

eoff eon
600 600
400 eon 400 eoff
200 200
err
err
0 0
10 15 20 25 30 10 15 20 25 30
IA [A] IA [A]
(a) (b)
Perdas com JFET e Diodo SiC

600
eoff
400
eon
200 err
0
10 15 20 25 30
(c) IA [A]
Figura 4.7 – Funções das energias de perda nos transistores por ciclo de comutação,
para a entrada em condução, o bloqueio e a recuperação reversa, sob temperatura de
100 ºC, da associação de transistor e diodo: (a) Si IGBT e diodo SiC; (b) SiC JFET e
diodo Stealth®; (c) SiC JFET e diodo SiC.
4.3.2 Perdas por comutação nos transistores Sp e Sn do conversor

NPCm
As energias de perdas para a entrada em condução e o bloqueio

dos transistores S p e S n , do conversor NPCm, são representadas pelas
expressões (4.31) e (4.32), cujos coeficientes são apresentados na Tabela
4.3.
2
ES p ,on (t )  k jfeton ,2  iS p (t )  k jfeton ,1  iS p (t )  k jfeton ,0 (4.31)
83
2
ES p ,off (t )  k jfetoff ,2  iS p (t )  k jfetoff ,1  iS p (t )  k jfetoff ,0 (4.32)
A Figura 4.8 apresenta as curvas de energia total de comutação

( eon  eoff ), para os transistores S p e S n , sem considerar as perdas
err . Pode ser observado que a curva teórica (b) apresenta valores
ligeiramente menores dos obtidos nos ensaios de laboratório.
eon + eoff
e [mJ]
800
(c) (b)
Energia de Comutação
600
(a)
400
200
0
10 15 20 25 30
IA [A]
Figura 4.8 – Energias de comutação (eon + eoff ): (a) teórica, (b) ensaio do JFET com
diodo SiC e (c) ensaio do JFET com diodo Stealth®.
Conforme tratado em (CASANELLAS, 1994), as perdas de

energia nos transistores S p e S n , associadas à recuperação dos diodos
D02 e D01 , respectivamente, podem ser obtidas pela expressão (4.33):
  i (t )  
 E  t  0,8  0, 2  S p/n   ... 
 4 rrn  I dn  
ES p/n ,rr (t )     .
(4.33)
  I 
...  0,35  I rm  0,15  rm  iS p/n (t )  iS p/n (t )  
  I dn  
Reescrevendo esta expressão podemos chegar a uma expressão
polinomial de segunda ordem dada por (4.34).
84
2
ES p/n ,rr (t )  kS p/n ,2  iS p/n (t )  kS p/n ,1  iS p/n (t )  kS p/n ,0 , (4.34)
rr rr rr
onde:
E  trrn (0, 2  0,15  I rm  0, 2  I dn )
kS p/ n ,2   , (4.35)
rr
4 I dn 2
E  trrn (0,8  0,15  0, 2  0,35)  I rm  0,8  I dn 

kS p/n ,1   , (4.36)
rr
4 I dn
E  trrn
kS p/ n ,0   (0,8  0,35  I rm ). (4.37)
rr
4
Se comparadas as energias de recuperação obtidas pela expressão

(4.34), usando os coeficientes obtidos pelas expressões (4.35), (4.36) e
(4.37), com a energia obtida pelo ensaio (Figura 4.9), pode ser
observado uma considerável diferença. A energia de recuperação teórica
é muito maior do que a obtida no ensaio, chegando a ser
aproximadamente cinco vezes maior, para uma corrente de 30 ampéres.
A justificativa para isto é o fato de que a expressão (4.33) foi
desenvolvida para o cálculo de perdas em transistores IGBT, que
segundo (CASANELLAS, 1994) é válida somente para a segunda
geração destes dispositivos, devendo ser considerada com mais cautela e
adaptada para outros semicondutores.
Como a Figura 4.8 e Figura 4.9 mostram diferenças significativas
entre os valores teóricos e os obtidos nos ensaios de laboratório, se
considerar a energia total de comutação destes dispositivos
( eon  eoff  err ), dada por (4.38), esta diferença fica reduzida,
conforme mostra a Figura 4.10. No entanto, a curva de energia de perdas
prevista teoricamente ainda é ligeiramente superior às duas outras
curvas obtidas no ensaio, devido à grande diferença observada na Figura
4.9.
85
Tabela 4.3 – Coeficientes de perdas de energia por comutação, para valores teóricos
e obtidos sob ensaio do SiC JFET.
Coeficientes de Teórico Ensaio

Perdas JFET
k jfeton ,2  J A2  1, 253 107 1,988 107
k jfeton ,1  J A 3, 208 106 1,340 105
k jfeton ,0  J  3,895 105 5, 275 105
k jfetoff ,2  J A 2  1,827 107 1,122 107
k jfetoff ,1  J A 6,886 106 1,139 105
k jfetoff ,0  J  6,842 106 1,020 104
kstealrr ,2  J A2  1,511107 2,516 107
kstealrr ,1  J A 1,844 105 4,359 106
kstealrr ,0  J  3,696 105 4,118 105

86
err
e [mJ]
(a)
600
Energia de Recuperação
400
200
(b)
0
10 15 20 25 30
IA [A]
Figura 4.9 – Energias de perdas no SiC JFET, associada à recuperação do diodo
Stealth®: (a) teórico; (b) ensaio.
eon + eoff + err

e [mJ]
1200
(a)
(c)
Energias Totais
900
(b)
600
300
0
10 15 20 25 30
IA [A]
Figura 4.10 – Energia total de perdas de comutação no SiC JFET: (a) teórico, com
diodo Stealth®; (b) ensaio, com diodo SiC; (c) ensaio, com diodo Stealth ®.
Energia total de perdas na comutação:

ES p ,com (t )  ES p ,on (t )  ES p ,off (t )  ES p ,rr (t ) (4.38)
A expressão (4.38) pode ser reescrita em termo dos coeficientes

de perdas totais e da corrente comutada pelo dispositivo, resultando na
expressão (4.39).
87
2
ES p ,com (t )  kS p com,2  iS p (t )  kS pcom,1  iS p (t )  kS pcom,0 , (4.39)
onde:
kS pcom,2  k jfeton ,2  k jfetoff ,2  kstealrr ,2 ,
kS pcom,1  k jfeton ,1  k jfetoff ,1  kstealrr ,1 ,
kS pcom,0  k jfeton ,0  k jfetoff ,0  kstealrr ,0 .
A energia total média em um período de rede pode ser calculada

pela expressão (4.40) e a potência total de perdas de comutação pela
expressão (4.41).
Energia total média de perdas nas comutações:

1 
ES p ,com 
2  E S p ,com (t )  d (t ) (4.40)
Potência total perdida nas comutações:

1 
PS p ,com  f p 
2  E S p ,com (t )  d (t )  f p  ES p ,com (4.41)
Resolvendo a equação (4.41) se obtém a expressão final,

mostrada em (4.42), válida para os interruptores S p e S n . Esta
expressão mostra que a potência de perdas depende da frequência de
comutação ( f c ), dos coeficientes de perdas totais ( k jfetcom ), da corrente
de pico ( I A, pk ) e do ângulo de defasagem da corrente (  ).
 kS p com,0  (   )  kS pcom,1  I A, pk  (1  cos  )  ...

fc   (4.42)
PS p/n ,com   I 2

2 ...  k  (cos   sen     )
S p com ,2 
A , pk
 2 
88
4.3.3 Perdas por comutação nos transistores S01 e S02 do conversor

NPCm
De maneira similar ao obtido para os interruptores S p e S n , os

transistores IGBT utilizados em S01 e S02 possuem suas características
de energia de comutação fornecidas pelo fabricante (Anexo A),
constituindo os valores teóricos mostrados na segunda coluna da Tabela
4.4. Igualmente nesta tabela é mostrado que a energia teórica de
recuperação dos diodos SiC é considerada nula, mas que os resultados
de ensaio laboratorial mostram uma pequena energia devida aos efeitos
de carga e descarga dos capacitores intrínsecos. A terceira coluna da
Tabela 4.4 constitui dos valores obtidos nos ensaios, com os transistores
IGBT associados a diodos SiC.
Como o catálogo do fabricante do transistor IGBT apresenta

somente os valores totais ( eon  eoff ), a expressão da energia total de
comutação de S01 é a mostrada em (4.43).
ES01 ,com (t )  ES01 ,onoff (t )  ES01 ,rr (t ) (4.43)
A partir de (4.43), após as devidas substituições, resulta na

expressão (4.44).
Energia total de perdas na comutação:

2
ES01 ,com (t )  kS01com,2  iS01 (t )  kS01com,1  iS01 (t )  kS01com,0 , (4.44)
onde:
kS01com,2  kigbtonoff ,2  ksicrr ,2 ,
kS01com,1  kigbtonoff ,1  ksicrr ,1 ,
kS01com,0  kigbtonoff ,0  ksicrr ,0 .

89
Tabela 4.4 - Coeficientes de perdas de energia por comutação, para valores teóricos
e obtidos sob ensaio do Si IGBT com diodo SiC.

Perdas no IGBT
kigbtonoff ,2 J A2  7,739 107 4,334 107
kigbtonoff ,1  J A 1,756 105 2,034 105
kigbtonoff ,0  J  4, 290 105 2,666 105
ksicrr ,2  J A 2  0 2, 497 108
ksicrr ,1  J A 0 1,653 106
ksicrr ,0  J  0 6, 230 105
A potência total de perdas de comutação em S01 é obtida, então,

resolvendo a integral de (4.45), que resulta na expressão final mostrada
em (4.46). Esta expressão é válida tanto para S01 como para S02 ,
devido à simetria da corrente.
Potência total perdida na comutação:

1 
PS01 ,com  fc 
2 0
ES01 ,com (t )  d (t ), (4.45)
 kS com,0  ( )  kS01com,1  I A, pk  (1  cos  )  ...

f c  01  (4.46)
PS01/02 ,com  I A, pk 2 .
2 ...  k   (cos   sen    )
 S01com ,2
2 
90
4.3.4 Perdas por comutação nos transistores S1 e S4 do conversor

NPC
Todos os interruptores do conversor NPC são do tipo IGBT e a

eles estão associados somente diodos do tipo Stealth®. A Tabela 4.5
apresenta os coeficientes teóricos e os obtidos em ensaio.
Para os interruptores S1 e S 4 do conversor NPC a expressão da
potência de perdas por comutação é similar a dos interruptores S p e S n
do conversor NPCm, expressão (4.42), diferenciando-se apenas pelos
coeficientes de perdas, conforme mostrado em (4.47).
 
k 
S14 com ,0  (   )  ...
f  
PS1/4 ,com  c ...  kS14com ,1  I A, pk  (1  cos  )  ...  , (4.47)
2  
 I A, pk 2 
...  kS14com,2   (cos   sen     ) 
 2 
onde:
kS14com,2  kigbtonoff ,2  kstealrr ,2 ,
kS14com,1  kigbtonoff ,1  kstealrr ,1 ,
kS14com,0  kigbtonoff ,0  kstealrr ,0 .
De forma análoga, os interruptores S 2 e S3 do conversor NPC

possuem as expressões de energia e de potência de perdas por
comutação similares às expressões (4.44) e (4.46), respectivamente,
relativas aos interruptores S01 e S02 do conversor NPCm. A expressão
da potência de perdas é mostrada em (4.48) e, novamente, o que a
diferencia de (4.46) são os diferentes valores das constantes de perdas.
91
Tabela 4.5 - Coeficientes de perdas de energia por comutação, para valores teóricos
e obtidos sob ensaio do Si IGBT com diodo Stealth®.

Perdas no IGBT
kigbtonoff ,2 J A2  7,739 107 4,334 107
kigbtonoff ,1  J A 1,756 105 2,034 105
kigbtonoff ,0  J  4, 290 105 2,666 105
kstealrr ,2  J A2  1,511107 2,516 107
kstealrr ,1  J A 1,844 105 4,359 106
kstealrr ,0  J  3,696 105 4,118 105
 kS com,0    kS14com,1  I A, pk  (1  cos  )  ...

f c  14 
PS2/3 ,com   I A, pk 2  (4.48)
2 ...  kS com,2   (cos   sen   )
 14
2 
4.3.5 Comportamento das perdas totais e rendimento dos

conversores
Utilizando as expressões obtidas anteriormente para as potências

de perdas por condução e comutação, considerando potência nominal e
os parâmetros de perdas dos ensaios, se obtém a Tabela 4.6, onde é
mostrado o rendimento dos conversores para diferentes valores de
defasagem da corrente. O rendimento foi calculado baseado apenas na
92
potência dissipada nos dispositivos semicondutores, ou seja, todas as

perdas nos elementos passivos foram desconsideradas.
Tabela 4.6 – Perdas relacionadas aos semicondutores e rendimento, para a potência

nominal de 3,5kVA e frequência de comutação de 40 kHz.
 Conversor Pcond Pcomut PTOTAL 
[W ] [W ] [W ]
[%]
0 NPC 41,714 21,302 63,016 98,231
NPCm 36,642 17,072 53,714 98,485
 2 NPC 40,229 21,302 61,531 98,272
NPCm 34,574 18,751 53,325 98,499
 NPC 38,743 21,302 60,045 98,313
NPCm 28,740 20,289 49,029 98,619
Pode ser observado nesta tabela que o conversor NPCm possui

um melhor rendimento para toda a faixa de variação de  , chegando a
98,619% (0,306% superior ao NPC) para a operação como retificador
com fator de potência unitário, ou seja, com    .
Baseado nas perdas acima mencionadas, o rendimento dos
conversores é calculado como mostrado na Figura 4.11. O rendimento
do conversor NPCm melhora à medida que sua operação se aproxima a
de um retificador com fator de potência unitário, conforme mostra a
Figura 4.11(a), enquanto que no conversor NPC não ocorre alteração
significativa, Figura 4.11(b).
100 100
Rendimento [%]
Rendimento [%]
ÎA = 6 A ÎA = 6 A
99 99
98 98
ÎA = 30 A ÎA = 30 A
97 97
NPCm NPC
96 96
0 p/2 p 0 p/2 p
f [rad] f [rad]
(a) (b)
Figura 4.11 - Valores de rendimento calculados, relativos aos conversores: (a)

NPCm; (b) NPC.
93
A Figura 4.12 mostra as perdas calculadas para três diferentes

ângulos de defasagem da corrente e sob potência nominal. As perdas no
NPC, tanto de comutação quanto de condução, quase não variam com o
ângulo da corrente, devido ao fato de se utilizar os mesmos compo-
nentes em toda a sua estrutura. Já para o conversor NPCm as perdas de
condução diminuem enquanto que as perdas de comutação aumentam
suavemente, com o aumento do ângulo da corrente, devido à tendência
de circulação da corrente mais pelos IGBT e diodos SiC.
Como as perdas são menores no NPCm, possibilita um aumento
da frequência de comutação de 40 kHz à aproximadamente 60 kHz, para
recair ao mesmo rendimento do conversor NPC. Desta forma o valor do
indutor Boost ( LA ) do conversor NPCm poderia ser reduzido para
LA, NPCm 283,33 H , enquanto que o indutor Boost do conversor NPC
seria de LA, NPC 425,0 H , para as mesmas condições e valores dos
demais parâmetros (ver projeto no Apêndice A).
A Figura 4.13 mostra o comportamento das perdas totais de
condução para ambos os conversores como uma função do valor da
corrente de pico de saída e do seu ângulo de defasagem. É observado
que ambos possuem maiores perdas com o aumento da corrente e a
redução da defasagem, onde as maiores perdas ocorrem para a operação
como inversor de fator de potência unitário. As perdas de condução do
NPCm apresentam uma maior variação para alterações do ângulo da
corrente de saída, mas são menores para toda a faixa de operação.
As perdas totais de comutação nos semicondutores de potência
são apresentadas na Figura 4.14 onde se observa que enquanto no
conversor NPC as perdas são constantes, para toda a faixa de  , no
NPCm essas perdas aumentam em torno de 18,8% entre estes extremos.
No entanto, as perdas de comutação do NPCm se mantêm sempre
menores, chegando a uma diferença de 4,8% no pior caso.
94
Perdas de Condução e Comutação

NPCm
70
Perdas [W]
60
50
40
30
20
10

0
0 /2
f [rad]
NPC
70
Perdas [W]
60
50
40
30
20
10
0
0 /2 
f [rad]
Comutação Condução
Figura 4.12 – Perdas de potência nos semicondutores, separadas por condução e

comutação, para ambos os conversores e para três ângulos de defasagem da corrente.
Condições de operação: Po=3,5 kVA; IA=22,5 A; M=0,778; fs=40 kHz.
NPCm NPC
Perdas de Condução [W]
63
Perdas de Condução [W]
63
42
42
21
21
0 0
0
π2 d ]
0
30 20
π 2 d] 30 20
[ra [r a
(a) Corrente 10 0 π f Corrente
10 0 π f
de pico [A] (b) de pico [A]
Figura 4.13 – Perdas totais de condução sobre os semicondutores de potência: (a)

NPCm ; (b) NPC.
95
NPCm NPC
Perdas de Comutação [W]
Perdas de Comutação [W]

30
30
20
20
10
10
0 0
0
π 2 d]
0
30 20
30 20
π2 d ]
10 π [ra 10 π [r a
(a) Corrente
de pico [A]
0 f (b) Corrente
de pico [A]
0 f
Figura 4.14 - Perdas totais de comutação sobre os semicondutores de potência: (a)

NPCm ; (b) NPC
4.4 CONCLUSÕES
As duas topologias candidatas a utilização como um retificador

regenerativo de alto desempenho, para aplicação como carga eletrônica
ativa de corrente alternada, foram modeladas com relação às suas perdas
de condução e comutação dos dispositivos semicondutores de potência.
Na sequência, diferentes semicondutores de potência estado da arte
foram escolhidos para os dois conversores, baseado nas suas
necessidades específicas, sob os quais foram efetuadas medidas
experimentais para a modelagem de perdas.
Os conversores NPCm e NPC foram analisados frente aos
resultados obtidos no comportamento de suas perdas e do rendimento,
podendo-se concluir que o conversor NPCm apresenta vantagens sobre
o NPC, principalmente quando aplicado como retificador de fator de
potência unitário. Esta característica é particularmente importante nas
aplicações de geração solar fotovoltaica com conexão à rede de energia,
despertando recente interesse das indústrias e das academias por esta
topologia (CACAU et al., 2012; FALK et al., 2009; GOLLENTZ;
GUENNEGUES, 2009; LEUENBERGER; BIELA, 2012;
SCHWEIZER; KOLAR, 2011).
O uso de dispositivos de última geração, com mais baixa perdas
de condução e comutação, trazem não só as vantagens inerentes a maior
eficiência no processamento da energia elétrica, como a redução dos
custos de fabricação (dissipadores menores) e do consumo de energia
96
(do próprio equipamento e do sistema de refrigeração do ambiente), mas

permitem a redução do volume e do custo dos dissipadores, filtros e
invólucro. Esta redução permite a construção de equipamentos mais
compactos e de melhor desempenho dinâmico, características muito
desejadas atualmente.
97
5 MODELAGEM E SISTEMA DE CONTROLE
5.1 INTRODUÇÃO
Neste capítulo será inicialmente apresentada uma revisão

bibliográfica dos sistemas de controle encontrados na literatura,
aplicados em cargas eletrônicas ativas. Posteriormente serão
apresentados os estudos iniciais, como a modelagem do conversor e a
estrutura do sistema de controle utilizada no conversor NPCm para a
aplicação deste trabalho.
No Capítulo 6 serão mostrados alguns resultados de simulação do
controle da corrente do conversor, inicialmente utilizando apenas um
indutor como filtro e um sistema de controle clássico, para depois
apresentar os resultados de um sistema de controle moderno, aplicado ao
conversor com filtro LCL. Os projetos destes controladores são
apresentados no Apêndice A.
5.2 SISTEMAS DE CONTROLE DAS CARGAS ELETRONICAS

ENCONTRADAS NA LITERATURA
A maioria dos trabalhos encontrados na literatura apresentam

estudos de cargas eletrônicas ativas que emulavam cargas lineares do
tipo resistivo (R), resistivo-indutivo (RL) ou resistivo-indutivo-
capacitivo (RLC), mas em (JU-WON et al., 2007) foi citada, porém não
apresentada, a possibilidade de emular cargas RLC como também cargas
do tipo corrente-constante, resistência-constante e potência-constante.
Seguindo nesta mesma linha, em (ZHANG; CHEN, 2006) o sistema se
propõe a também emular cargas do tipo tensão-constante e cargas
desequilibradas.
A emulação de cargas não-lineares foi proposta nos trabalhos
(CHENGZHI et al., 2008; JU-WON et al., 2007; MENG-YUEH et al.,
1997; VAZQUEZ et al., 1998; ZHANG; CHEN, 2006), apesar de que
somente em (CHENGZHI et al., 2008; JU-WON et al., 2007;
VAZQUEZ et al., 1998) foram apresentados resultados para a
comprovação do funcionamento.
A aplicação de CEA para ensaios de acionamento de motores
foram tratadas em (RAO; CHANDORKAR, 2008; SHE et al., 2008), os
quais emularam motores elétricos com e sem carga mecânica,
respectivamente.
98
Analisando os sistemas de controle usados nos trabalhos, foi

constatado que os compensadores do tipo proporcional-integral (PI)
foram usados na grande maioria dos casos, excetuando o uso de
controladores por histerese, usados em (JIAN-FENG; SHI-FENG;
XUN, 2007; SHE et al., 2008) e controladores repetitivos, em
(CHENGZHI et al., 2008; ZHANG; CHEN, 2006). Em (JU-WON et
al., 2007) é citada a possibilidade de uso de um controlador vetorial,
alertando para a impossibilidade de operar também na configuração
monofásica.
A maioria dos trabalhos se focou no esquema ou princípio de
controle, mas (ESTEVE et al., 2006) teve seu foco na topologia e (JU-
WON et al., 2007) e (THIAUX et al., 2008) na implementação.
5.3 ESTRUTURA DO SISTEMA DE CONTROLE DA CEA
A Figura 5.1 representa a estrutura monofásica do sistema de

controle proposto neste trabalho, para o estudo e a implementação da
carga eletrônica ativa CEA-CA trifásica a quatro fios (três fases e o
neutro), aplicada ao ensaio de transformadores com o secundário em
ligação estrela aterrado.
Conforme pode ser observado na Figura 5.1, são utilizados
sensores de corrente e de tensão em cada fase, necessários para o
controle da corrente de forma síncrona à tensão de saída do
transformador ou outro equipamento sob ensaio. Este sincronismo será
obtido pela utilização de um circuito de detecção de fase, conhecido por
Phase Locked Loop (PLL) (ORTMANN, M. S., 2008; ROLIM; DA
COSTA; AREDES, 2006), e a forma da corrente desejada, composta
pela escolha das componentes harmônicas necessárias, será definida no
bloco de geração da referência (HEERDT, JOSELITO A. et al., 2007;
MEZAROBA et al., 2007).
99
Retificador Trifásico Bidirecional

p
Dp Sp + E
D 02 D 01 2
ia a Filtro iA A
EST Passivo 0
S02 S01
Sn
+ E
Dn 2
vr n
va iA
Rede
kv ki Controle
i*
 Geração
PLL
Referência
Figura 5.1 – Estrutura do sistema de controle da CEA, por fase.
5.4 MODELAGEM ORIENTADA AO CONTROLE DO CONVER-

SOR NPCm MONOFÁSICO COM FILTRO DE PRIMEIRA
ORDEM
Seja a Figura 5.2, onde é mostrada a estrutura monofásica do

retificador NPCm, conectado através do indutor LA a uma fonte
alternada com tensão va , a qual representa o equipamento sob teste,
como por exemplo, o secundário de um transformador. Considerando
que o barramento de tensão contínua total E é mantido regulado e
equilibrado por um conversor não representado na figura, como a tensão
no ponto A é da forma mostrada na Figura 5.3, para um período de
comutação com tensão média positiva, o cálculo da tensão média quase-
instantânea v A leva a obtenção do ganho estático do conversor, dado
por:
100
E 2 1
 . (5.1)
vA 1  D 
p
Dp Sp + E
D 02 D 01 2
LA iA
a A
0
S02 S01
va Sn
+ E
Dn 2
n
Figura 5.2 – Circuito monofásico do retificador NPCm, conectado a uma fonte CA
através de um filtro de primeira-ordem tipo L.
VA
E/2
0 Ts
(1-D)Ts DTs
Figura 5.3 – Forma de onda no ponto A do conversor NPCm, para operação no 1º e

2º quadrantes.
Da mesma forma, considerando a tensão média quase-instantânea

v A , entre o ponto A e a referência 0 , e que a tensão da fonte alterna-
da va se mantém constante durante todo o período de comutação,
conforme mostrado na Figura 5.4, o equacionamento deste circuito
resulta na equação diferencial apresentada em (5.2).
101
a iA LA
A
va vA
Figura 5.4 – Circuito equivalente de entrada do retificador.
diA (t ) 1
  Va  (1  D(t ))  E 2 (5.2)
dt LA
Considerando uma pequena perturbação na razão cíclica do
conversor (ERICKSON; MAKSIMOVIC, 2001), mostrada na expressão
(5.3), e subtraindo a expressão (5.2) chega-se a expressão (5.4), a qual
expressa a variação da corrente em função da variação da razão cíclica.
d 1
iA (t )  iA (t )   Vin  [1  ( D(t )  D(t ))]  E 2 (5.3)
dt LA
d iA (t ) E 2
  D(t ) (5.4)
dt LA
Aplicando a Transformada de Laplace na expressão (5.4) chega-
se a expressão da função de transferência do conversor, dada por (5.5),
demonstrando um comportamento integrador do sistema, para a razão
entre a corrente de saída e a sua razão cíclica.
I A ( s) E 2
H I ( s)   (5.5)
D( s) s  LA
O uso de um filtro meramente indutivo, se por um lado traz
simplicidade ao modelo, facilitando o projeto do controle, por outro
permite que toda a ondulação de corrente circule pelo equipamento sob
teste, podendo acarretar problemas de interferências eletromagnéticas e
aumento das perdas. Um aumento do valor da indutância permite reduzir
a ondulação da corrente, reduzindo suas harmônicas, mas um valor
elevado interfere na dinâmica do conversor e o torna volumoso e caro
102
(LISERRE; BLAABJERG; HANSEN, 2005), principalmente para

potências da ordem de centenas de quilowatt, onde as frequências de
comutação empregadas são da ordem de poucos quilohertz.
Uma solução frequentemente adotada para inversores é o uso de
filtros de segunda-ordem do tipo LC (indutor-capacitor). O uso destes
filtros resulta em menores valores de indutância para a filtragem das
harmônicas da corrente, devido a sua taxa de atenuação de -40 dB por
década, a partir da frequência de ressonância, enquanto que no filtro de
primeira ordem é de -20 dB/dec. E menores valores de indutância
permitem um melhor desempenho do sistema de controle (LINDGREN,
1998), devido a permitir uma maior banda-passante.
Nas aplicações de conversores conectados às fontes de tensão
alternada, como mostrado na Figura 5.2, o uso do capacitor não alteraria
o modelo dado por (5.5), por resultar em paralelo a fonte va . Entretanto,
como tais fontes normalmente apresentam uma indutância série não
desprezível, como as indutâncias de dispersão dos enrolamentos de
transformadores e as encontradas também em linhas de alimentação de
energia e em geradores, o filtro resultante se torna de terceira-ordem, do
tipo LCL, conforme tratado a seguir.
5.5 MODELAGEM NO ESPAÇO DE ESTADOS PARA O CON-

VERSOR NPCm TRIFÁSICO COM FILTROS DE ORDEM
SUPERIOR
Seja a estrutura trifásica de potência do conversor como proposto

na Figura 5.5, com filtros LC e ramos RC (série) por fase, conectados a
uma fonte de tensão alternada trifásica de tensões va , vb e vc , e suas
indutâncias série equivalentes por fase, La , Lb e Lc . Se as indutâncias
não são desprezíveis os filtros resultantes por fase são de quarta ordem.
Os ramos RC foram acrescentados aos filtros LCL para garantir um
pequeno amortecimento passivo, como será tratado no item 5.7 deste
capítulo.
Como cada braço do conversor NPCm de três níveis pode ser
representado por um interruptor unipolar equivalente com três terminais
(SPTT, do inglês Single Pole Triple Throw) (ORTMANN, MÁRCIO
SILVEIRA, 2012; RODRIGUEZ et al., 2012), a modelagem do
conversor será obtida através do modelo equivalente mostrado na Figura
5.6, seguindo o procedimento descrito em (XIANG et al.).
103
p
va La Dp,A S p,A S p,B S p,C
LA
+ a + E
RA D02,A D01,A 2
Dp,B Dp,C
Ca CA A
S 02,A S 01,A
vb Lb LB
+ b B D02,B D01,B
0
RB S 02,B S 01,B
Cb CB C D02,C D01,C
vc Lc LC Dn,B Dn,C
+ c S 02,C S 01,C + E
RC Dn,A 2
S n,A S n,B S n,C
Cc CC n
Figura 5.5 – Conversor NPCm Trifásico com filtros LCL e rede de amortecimento
RC série.
p
va La LA
+ ia a A + E
Sa +1
2
ic,a ic,A iA 0
Ca RA
vc,a CA + vS,a
+1
vb Lb LB
-1
Sb
N + ib b B
iB 0 0
ic,b ic,B + vS,b
-1
Sc
+1 vN,0
Cb RB iC N +
vc,b C 0
CB
vc Lc LC + vS,c
+ ic c -1 + E
ic,c ic,C 2
Cc RC n
vc,c CC
Figura 5.6 – Conversor NPCm com os interruptores de cada fase modelados por
interruptores unipolares de três terminais.
Sejam os interruptores S j da Figura 5.6, onde j  a, b, c ,

comandados por sinais s j , onde:
1 : se S j é conectado ao terminal k ;
s j ,k  
0 : para todos os demais .
104
e onde k   p,0, n , são os terminais do barramento CC.

A partir da Figura 5.6 podem ser obtidas as seguintes equações
matriciais:
diabc
vabc  vC ,abc  Labc  , (5.6)
dt
diABC
vC ,abc  vS ,abc  vN 0  LABC  , (5.7)
dt
iABC  iabc  iC ,abc  iC , ABC , (5.8)
dvC ,abc
iC ,abc  Cabc  , (5.9)
dt
dvC , ABC
iC , ABC  C ABC  , (5.10)
dt
iC , ABC 
1
RABC
 
 vC ,abc  vC , ABC , (5.11)
onde vN 0 é definido como (HOLMES; LIPO, 2003):
 d a  db  d c 
 3 
 
E  d a  db  d c 
vN 0   . (5.12)
2  3 
 
 d a  db  d c 
 3 
Considerando que o barramento de corrente contínua é mantido
equilibrado, então:
v p 0  v0 n  E 2 , (5.13)
105
vS , j   s jp s jn s j 0   v p 0 -v0n 0   s jp  s jn   E 2.

T
(5.14)
Definindo a função de comutação de fase como s j  s jp  s jn ,

resulta que:
E E
vS ,abc  vS ,a vS ,b vS ,c   sabc     sa sb sc  .
T T
(5.15)
2 2
Os valores médios quase-instantâneos das tensões nos terminais
A, B e C são definidos por:
1 t E 1 t E
vS ,abc 
Tc 
t Tc
vS ,abc  dt  
2 Tc 
t Tc
sabc  dt 
2
 d abc , (5.16)
onde:

Tc : é o período de comutação;

d abc =  d a db dc  : é a razão cíclica dos interruptores.
T

A partir das expressões (5.6) a (5.9) podem ser obtidas as
expressões a seguir:
 
diabc 1 v v
  vabc  vC ,abc  abc  C ,abc , (5.17)
dt Labc Labc Labc
 
diABC 1 v
  vS ,abc  vN 0  C ,abc , (5.18)
dt LABC LABC
 
dvC ,abc 1 1
  iC ,abc   iabc  iABC  iC , ABC . (5.19)
dt Cabc Cabc
Substituindo a expressão (5.11) nas expressões (5.10) e (5.19)
obtém-se as expressões a seguir:
 
d vC , ABC 1
  vC ,abc  vC , ABC , (5.20)
dt RABC  C ABC
106
   
dvC ,abc 1 1
  iabc  iABC   vC ,abc  vC , ABC . (5.21)
dt Cabc RABC  Cabc
Substituindo a expressão (5.12) (5.16) na (5.18) é obtida a
expressão abaixo:
 
diABC E 2 v
  d abc  d N 0  C ,abc . (5.22)
dt LABC LABC
A expressão (5.22) pode ser reescrita como segue:
diABC E 2 v
  d abc, N 0  C ,abc , (5.23)
dt LABC LABC
onde d abc , N 0 é o vetor de razão cíclica do conversor.
Finalmente, as expressões (5.17), (5.20), (5.21) e (5.23) são as

equações de estado que modelam o conversor NPCm da Figura 5.5, e
que podem ser apresentadas na forma matricial da seguinte maneira:
x  A x  Bu ,
(5.24)
y  C x  Du ,
onde:
 0 0 A13 0 
 
0 0 A 23 0 
A , (5.25)
 A31 A32 A33 A34 
 
 0 0 A 43 A 44 12 x12
x   ia vC ,C  ,
T
ib ic iA iB iC vC ,a vC ,b vC ,c vC , A vC ,B
(5.26)
107
 B11 0 
 
0 B 22 
B , (5.27)
 0 0 
 
 0 0 12 x 6
u   va dc , N 0  ,
T
vb vc da, N 0 db , N 0 (5.28)
C   0 I 0 0 3 x12 , (5.29)
D   0 0 3 x 6 , (5.30)
 1 La 0 0 
 
A13   0 1 Lb 0 , (5.31)
 0 1 Lc 
 0
1 LA 0 0 
 
A 23   0 1 LB 0 , (5.32)
 0 0 1 LC 

1 Ca 0 0 
 
A31   0 1 Cb 0 , (5.33)
 0 0 1 Cc 

A32  A31 , (5.34)
1 RACa 0 0 
 
A34   0 1 RB Cb 0 , (5.35)
 0 1 RC Cc 
 0
A33  A34 , (5.36)

108
 1 RAC A 0 0 
 
A 43   0 1 RB CB 0 , (5.37)
 0 1 RC CC 
 0
A44  A43 , (5.38)
B11  A13 , (5.39)
  E 2 LA 0 0 
 
B 22   0  E 2 LB 0 , (5.40)
 0  E 2 LC 
 0
1 0 0
 
I  0 1 0 . (5.41)
0 0 1
 
5.6 COMPROVAÇÃO DO MODELO TRIFÁSICO NO ESPAÇO DE

ESTADOS
Para comprovar que o modelo obtido no Espaço de Estados,

expressões (5.24) a (5.41), é válido para representar o sistema da Figura
5.5, a seguir serão apresentados resultados comparativos de simulação
do modelo contínuo, frente aos resultados do modelo comutado.
A Figura 5.7 e a Figura 5.8 mostram os diagramas do Simulink® e
do PSIM®, respectivamente. Para ambas as simulações foram aplicados
degraus nas correntes senoidais de referência das três fases, com o
intuito de observar os comportamentos em regime contínuo e durante o
transitório. Da mesma forma, em ambas as simulações foi utilizado o
mesmo controlador, cujo projeto está apresentado no Apêndice A.
109
Figura 5.7 – Diagrama de simulação do modelo contínuo no Espaço de Estados,

usando o Simulink.
Figura 5.8 – Diagrama de simulação no PSIM® para o modelo comutado, mostrando

apenas uma das fases do conversor NPCm: (1) circuito de potência, (2) filtro LCL
com rede RC, (3) referência de corrente, (4) controlador com saturação e (5)
modulação POD.
Os parâmetros utilizados nestas simulações são apresentados na

Tabela 5.1 e os resultados obtidos podem ser observados nas Figura 5.9
e Figura 5.10.
110
A Figura 5.9 mostra os resultados de simulação das correntes nos

indutores LA , LB e LC de entrada do conversor NPCm. As curvas em
preto mostram as correntes obtidas na simulação com o Simulink,
conforme Figura 5.7, enquanto que as curvas coloridas mostram as
correntes trifásicas obtidas no PSIM®, com o diagrama da Figura 5.8.
Pode-se observar que o modelo contínuo representa o valor médio
quase-instantâneo do modelo comutado, indicando por uma validade do
modelo.
A Figura 5.10 mostra os resultados de simulação das correntes
nas indutâncias La , Lb e Lc . Pode-se observar uma grande
aproximação das curvas obtidas pelo modelo de Espaço de Estados
(preto) com as curvas do modelo comutado (coloridas).
Tabela 5.1 - Parâmetros de simulação utilizados, para o conversor NPCm.
Parâmetro Descrição Valor

E Tensão total do barramento CC 800 V
LA Indutância 1 do filtro (lado conversor) 420 μH
CA Capacitância 1 do filtro 1 μF
RA Resistência série do filtro 33 Ω
Ca Capacitância 2 do filtro 1 μF
La Indutância 2 do filtro (lado fonte CA) 500 μH
fc Frequência de comutação 40 kHz
va Tensão eficaz senoidal de fase do EST 220 V

111
Figura 5.9 – Resultados de simulação das correntes de entrada IA , IB e IC do con-

versor NPCm conectado a três fios, através do Simulink (curvas em preto) e através
do PSIM® (curvas coloridas), para degraus de corrente de 15 A à 20 A de pico.
Figura 5.10 - Resultados de simulação das correntes de entrada Ia , Ib e Ic do con-

versor NPCm conectado a três fios, através do Simulink (curvas em preto) e através
do PSIM® (curvas coloridas), para degraus de corrente de 15 A à 20 A de pico.
Outra simulação que foi efetuada é a mostrada na Figura 5.11.

Para esta simulação são comparadas as respostas dos modelos contínuo
e comutado apenas para uma das fases do sistema, quando conectado a
quatro fios, ou seja, com a conexão do Neutro da fonte CA ao ponto
central do barramento CC. Nesta simulação foram aplicadas variações
no sinal de referência na forma de degraus positivo e negativo, com
variações da amplitude de 15 para 20 Ampéres de pico e vice-versa.
Pode ser notado que, tanto na variação positiva quanto na negativa, o
modelo contínuo representa fielmente os valores médios quase-
instantâneos do modelo comutado.
112
Figura 5.11 - Resultados de simulação da corrente de entrada IA do conversor NPCm

conectado a quatro fios, através do Simulink (preto) e através do PSIM® (azul), para
degrau de corrente de 15 A à 20 A de pico.
5.7 SISTEMA DE CONTROLE POR REALIMENTAÇÃO DE

ESTADOS
A utilização de filtros LCL na entrada do conversor apresenta

vantagens em relação aos filtros L ou LC, como a redução do volume,
peso e custo do filtro (HELDWEIN; KOLAR, 2009). Entretanto os
filtros LCL podem dificultar o sistema de controle, por apresentarem um
alto ganho na frequência de ressonância (NABAE, A. et al., 1992;
NABAE, A.; NAKANO; OKAMURA, 1994). Para amenizar este
problema é necessária a previsão de um sistema de amortecimento
dessas oscilações, através de amortecimento passivo (BOJRUP, 1999;
ERICKSON, 1999; OGASAWARA; AKAGI, 1996; VLATKOVIC;
BOROJEVIC; LEE, 1996) ou ativo (BAUMANN; DROFENIK;
KOLAR, 2000; BLASKO; KAURA, 1997; DAHONO, 2002;
LISERRE; AQUILA; BLAABJERG, 2004; TWINING; HOLMES,
2003; VLATKOVIC et al., 1996).
Neste trabalho é proposta a utilização da técnica de controle por
Realimentação de Estados (RE) para se obter o amortecimento ativo do
sistema. O diagrama de blocos da CEA com RE é mostrado na Figura
5.12.
A Realimentação de Estados de um sistema consiste em efetuar o
reposicionamento dos pólos da planta original através de uma
realimentação de todos os estados da planta, de tal forma que o sistema
em malha fechada tenha a resposta dinâmica desejada para uma dada
variação do sinal de entrada (FRANKLIN, G. F.; POWELL; EMANI-
113
NAEMI, 2002). Esta realimentação é efetuada através da combinação

linear dos estados, conforme mostrado na Figura 5.13.
A realimentação de estados de um sistema não modifica a
quantidade de pólos nem de zeros do sistema original, tampouco altera a
posição dos zeros existentes.
ia La LA iA
ic vA
va kd d
+
Ca
vC,a
kd
vC,a iA
d
ia d2 d’
R.E.
 d1
ka,m C (s)
ia* ka,r
Figura 5.12 – Controle por realimentação de estados (RE), com medição da corrente
controlada.
ia k1
iA k2 d2
vC,a k3
Figura 5.13 – Bloco RE de realimentação dos estados, formado pela combinação
linear das variáveis de estado.
A partir do modelo no Espaço de Estados obtido no item 5.5,

pode ser efetuada uma simplificação para a redução da ordem do filtro,
com a desconsideração da rede resistor-capacitor ( RABC - C ABC ),
utilizada para fornecer um valor mínimo de amortecimento passivo
(ERICKSON, 1999; MIDDLEBROOK, 1976). A Figura 5.14 mostra as
114
respostas em frequência do filtro LCL sem a rede RC, indicando uma

forte ressonância para resistências nulas no circuito, e com a rede RC,
apresentando um amortecimento moderado.
Figura 5.14 - Respostas em frequência dos filtros, indicando uma forte ressonância
próximo a 10 kHz, para o filtro LCL sem a rede RC, e apresentando um amorteci-
mento moderado com a rede RC: (a) filtro LCL com a rede RC em destaque; (b)
comportamento do filtro (módulo) em função da frequência, com e sem a rede RC;
(c) detalhe na frequência de ressonância.
Com a simplificação considerada acima, o modelo monofásico no

Espaço de Estados se resume à expressão (5.42),
xs  As xs  Bs u , (5.42)
onde:
T
xs  ia iA vC ,a  , (5.43)
115
u  va da 
T
, (5.44)
 0 0 1 La 
As   0 0 1 LA  , (5.45)
1 Ca 1 Ca 0 
1 La 0 
Bs   B 2 B1    0  E (2 LA )  . (5.46)
 0 0 
Primeiramente é preciso obter a lei de controle por realimentação
de estados, através de uma combinação linear das variáveis, conforme
mostrado na Figura 5.15 e dada por (5.47).
u  K  x  u    k1 k2 k3   ia
T
iA vC ,a   u (5.47)
~ u . xs
u x s = As xs + Bs u C y
K xs
Figura 5.15 – Sistema com realimentação linear dos estados.
Substituindo esta lei de realimentação, dada por (5.47), no

sistema descrito por (5.42) resulta na expressão (5.48).
xs   As  B1 K  xs  Bsu (5.48)
A equação característica do sistema em malha fechada é então dada por:
 
det  sI  As  B1 K   0 .
  (5.49)
116
O desenvolvimento desta equação resulta num polinômio em s da

ordem do sistema, contendo os ganhos ki da realimentação linear,
conforme mostrado nas expressões (5.50) a (5.52).
  0  T 
 s 0 0  0 0 1 La   
 1 
k 
   E     (5.50)
det  0 s 0     0 0 
1 LA     k 
 0 0 s   1 C  2 LA   2  
1 Ca 0     k3  
   a
 
  0 
 s 0 
1 La
 
k E  k2 E   1 k3 E  
det  1 s     0 (5.51)
 2 LA  2 LA   LA 2 LA  

 1 Ca 1 Ca s 
k E  1 1 kE   k1  k2  E
s3  s 2  2   s    3   0 (5.52)
 2 LA   LACa LaCa 2 LACa  2 LA LaCa
Se a posição desejada dos pólos é p1 , p2 e p3 , conforme mostrado em

(5.53), então após o desenvolvimento desta expressão chega-se a
expressão (5.54).
c (s)  (s  p1 )  (s  p2 )  (s  p3 )  0 (5.53)
s3  s 2  p1  p2  p3   s  p1 p2  p2 p3  p1 p3   p1 p2 p3  0 (5.54)
Comparando as expressões (5.52) com (5.54) chega-se às expressões
para o cálculo dos ganhos ki da realimentação de estados em função
dos pólos desejados, mostradas por (5.55).
Ganhos da realimentação de estados:

117
2 La LACa
k1   p1 p2 p3   k2 ,
E
2L
k2  A  p1  p2  p3  , (5.55)
E
2L C  L  LA 
k3  A a  p1 p2  p2 p3  p1 p3   a  .
E  La LACa 
5.8 OBSERVADOR DE ESTADOS
Como pode ser observado na Figura 5.12, foram consideradas na

realimentação de estados as medições de todas as variáveis de estado do
modelo, ou seja, as correntes nos indutores ( iA e ia ) e a tensão sobre o
capacitor ( vC ,a ). A adição de sensores para medição da corrente do
Equipamento Sob Teste (EST) (CHANG et al., 1997), ia , grandeza que
de fato se deseja controlar, além de adicionar custo ao sistema tende a
piorar o desempenho do filtro em relação às emissões eletromagnéticas,
por permitir um caminho para sinais que não passariam pelo filtro,
interferindo na blindagem. Para aplicações de conversores conectados à
rede, onde se desejam correntes puramente senoidais (DANNEHL;
WESSELS; FUCHS, 2009; ERIC; LEHN, 2006; GABE;
MONTAGNER; PINHEIRO, 2009; GUOQIAO et al., 2010; LISERRE
et al., 2005; MARIETHOZ; MORARI, 2009; MASSING et al., 2012;
TWINING; HOLMES, 2003), este problema pode ser facilmente
contornado efetuando uma pequena compensação na corrente do
conversor, uma vez que suas diferenças de amplitudes e de fase podem
ser previamente calculadas. O mesmo, porém, não pode ser aplicado ao
emulador de cargas aqui proposto, por se desejar controlar correntes
com amplo espectro harmônico, tornando difícil esta compensação.
Neste trabalho é proposto efetuar medições apenas da corrente de
entrada do conversor ( i A ) e da tensão no capacitor ( vC ,a ), necessárias à
proteção do conversor bem como ao controle de uma corrente
sincronizada com a fonte de tensão alternada. A corrente no lado do
EST ( ia ), ou seja, a corrente no indutor integrante do filtro LCL, que
pode representar a indutância intrínseca do EST, é estimada pelo
Observador de Estados (OE) de Luenberger (KHALIL, 2002).
118
Conforme mostrado na Figura 5.16, o observador de estado deve

fornecer ao bloco RE o estado iâ não mensurado, através das medições
dos outros dois estados ( iA , vC ,a ) e do sinal de entrada d .
ia iA
La ic LA
vA
va kd d
Ca
vC,a
vC,a iA kd
d
^
ia d2 d’
O.E. R.E.
k a,m e
C (s) d1
ia* k a,r
Figura 5.16 – Sistema de controle proposto com Realimentação de Estados e

Observador da corrente controlada.
Observador de Estado de Luenberger ( H  ):

O observador de estado de Luenberger consiste em reproduzir a
dinâmica do sistema com a inclusão de um termo de correção a partir do
erro entre a saída medida e a estimada. Este ganho de correção é
projetado para minimizar os efeitos de perturbações externas como
também os erros devido à imprecisão nos parâmetros do modelo, na
estimação dos estados. O ganho do observador robusto é projetado
baseado na formulação H  , como proposta por (COUTINHO, D.F. et
al., 2005; COUTINHO, DANIEL F.; WOUWER, 2010).
No modelo da planta, dado pelas equações (5.42) a (5.46), tem-se
como parâmetro incerto o valor de La , pertencente ao EST, por variar
em função de aspectos construtivos do enrolamento e em função da
potência nominal dos transformadores, conforme será tratado no
Capítulo 6 (Tabela 6.1). Com a tensão terminal va do EST considerada
como uma perturbação, é possível reformular a dinâmica do sistema em
119
termos do vetor de perturbação  , compreendendo os sinais exógenos e

a modelagem dos erros:
xs  As xs  Bs1d a  Bs2 ,
(5.56)
y  Cs xs ,
onde A s é a matriz A s avaliada para La  La , e
 0  1 La  La 
 va 
Bs1    E (2 LA )  , Bs 2   0 0  ,     (5.57)
 0   0 0  vC ,a 
onde  La representa as incertezas delimitadas, o qual modela o erro

entre 1/ La e 1/ La .
Desta forma, o observador de Luenberger é definido como segue:
  As  Bs1da  M  y  y  , (5.58)
y  Cs , (5.59)
  C , (5.60)
  1 2 3  ,
T
(5.61)
onde  é o sinal a ser estimado e M é a matriz de ganhos constantes a

ser determinada.
Definido e  xs   e e  Cη xs  como o vetor de erro de
estimação e o erro de observação, respectivamente. Então, as dinâmicas
dos erros de estimação podem ser expressas por:
e  (As  MCs )e  Bs2 , (5.62)
e  C e . (5.63)
A matriz M de ganhos do observador é projetada com o

objetivo de reduzir os efeitos das perturbações externas e os erros de
120
modelagem na estimação iâ de ia , através da minimização numérica da

seguinte função custo:

 e 

min M sup 2
 , (5.64)

  2 

para todo La pertencente ao intervalo  Lmin max

a , La  . A indutância de
saída do EST é considerada desconhecida mas, baseado nos valores

típicos das indutâncias de dispersão de transformadores de distribuição
(IEEE, 1994) (Tabela 6.1), foi considerada de valor nominal La 456 H
max
e contida no intervalo dado por Lmin
a 380  H e La  570  H .
Os resultados obtidos em (COUTINHO, D.F. et al., 2005;
COUTINHO, DANIEL F.; WOUWER, 2010) são aplicados para a
determinação dos ganhos. O problema de otimização nestas referências
é reformulado em termos de restrições de desigualdades matriciais
lineares (BOYD et al., 1994), as quais são resolvidas numericamente
com software apropriado (TOH; TODD; TÜTÜNCÜ, 1999). Desta
abordagem, considerando os parâmetros dados pela Tabela 5.1, resulta
que:
 M11 M12   1.9525 0.2007 

M   M 21  6 
M 22   1,5 10  0.3356 0.1028  . (5.65)
 M 31 M 32   1.9665 0.2049 
Assim, as representações completas das estruturas da planta e do
observador estão ilustradas nas Figura 5.17 e Figura 5.18,
respectivamente, e o observador pode ser escrito como segue:
 diÂ 
 
 dt   iÂ   d 
 dvˆC ,a    o  
 dt   A  vˆC ,a   B   iA  ,
o
(5.66)
   iâ  vC ,a 
 diâ     
 dt 
 
121
onde:
 1 
  M 11  M 12 0 
 LA 
 1 1 
A  A   M 0    M 21
o
 M 22  , (5.67)
 Ca Ca 
 1 
  M 31  M 32 0 
 La 
 E 2 LA M 11 M 12 
B   0
o
M 21 M 22  , (5.68)
 0 M 31 M 32 
T
e o vetor de erro de estimação é dado por e  eiA evC ,a eia  .

d E 1 iA 1 1 vC
2LA s Ca s
1
LA
vC
1 1 1
La s Ca
va 1 ia
La
Figura 5.17 – Diagrama de blocos do modelo da planta (conversor com filtro LCL).
122
iA vC,a
ev ei ei ev
M12 M11 ^ M21 M22

iA
^
d E 1 1 1 vC,a
2LA s Ca s
1
LA
1 1 1
La Entradas: iA
s Ca
vC,a
d
M32 M31 iâ ^
Saída: ia
ev ei
Figura 5.18 – Diagrama de blocos do modelo do observador dos estados da planta.
Com a substituição dos valores numéricos dos parâmetros em

(5.67) e (5.68) resulta que
-2.92875E+6 298.66905E+3 0 

A   1.50340E+6 -154.20000E+3 1.0E  6  ,
o
(5.69)
-2.94975E+6 309.35000E+3 0 
 476.19048E+3 2.92875E+6 -301.05E+3

B  
o
0 -503.400E+3 154.20E+3  . (5.70)
 0 2.94975E+6 -307.35E+3
5.9 PROJETO DO SISTEMA DE CONTROLE DA CEA
Sejam os valores dos parâmetros do conversor NPCm, mostrados

na Tabela 5.2.
123
Tabela 5.2 – Parâmetros do conversor NPCm.
Parâmetro Descrição Valor

E Tensão total do barramento CC 800 V
LA Indutância 1 do filtro (lado conversor) 420 μH
C Capacitância do filtro 1 μF
La Indutância 2 do filtro (lado fonte CA) 500 μH
fc Frequência de comutação 40 kHz

fa Frequência de amostragem 80 kHz
Pólos da função de transferência da corrente de entrada:

A função de transferência da corrente ia em função da razão
cíclica d do conversor pode ser obtida de (5.42) e está apresentada na
expressão (5.71).
Ia E 2

 
(5.71)
d s s LA La C  LA  La
2
Substituindo os valores dados pela Tabela 5.2 na função (5.71)

são encontrados os três pólos para este sistema:
 p1  0  j 66,18876 103 ,
 p2  0  j 66,18876 103 ,
 p3  0 .
A Figura 5.19 mostra a posição original dos pólos da planta,

identificando um pólo integrador e um par de pólos complexo conjugado
sobre o eixo imaginário.
124
Figura 5.19 – Posição original dos pólos da planta.
Escolha da nova posição dos pólos com a RE:

Considerando a malha de realimentação dos estados e a malha de
controle da variável desejada, o sistema pode ser representado pelo
diagrama de blocos da Figura 5.20. Nesta figura pode ser observado que
a malha interna de controle é a malha da RE, devendo ser de 5 a 10
vezes mais rápida do que a malha externa, relacionada ao controle da
corrente ia .
Como a frequência de comutação do conversor foi definida em 40
kHz, Tabela 5.2, os pólos da planta com RE devem ser posicionados a
uma frequência de pelo menos 1/5 deste valor, ou seja, abaixo de 8 kHz.
Da mesma forma, as posições dos pólos do controlador em malha
fechada devem fornecer a banda passante desejada e estarem também a
1/5 dos pólos da planta, ou seja, abaixo de 1,6 kHz. A Figura 5.21 ilustra
este fato.
125
 d1 d ia
ia* x
ka,r C (s) x = A x + B u C
d2 K
iâ   A  B1u  M y  y 
ka,m
y  C
Figura 5.20 – Representação do sistema com as duas malhas de controle.
5x 5x
kHz
40 8 1,6 0
Figura 5.21 – Regiões de posicionamento do sistema controlado.
Conforme será explicado posteriormente, a RE sofre grande

influência dos atrasos inerentes aos controladores digitais, impondo a
necessidade de posicionar os pólos abaixo de uma década da frequência
de comutação. Desta forma, os pólos da planta com RE foram
posicionados em: p1= p2= -20.000 rad/s (3.183,1 Hz) e p3= -12.000 rad/s
(1.909,9 Hz).
Substituindo os valores de p1, p2 e p3 nas expressões de (5.55) são
obtidos os ganhos da Realimentação de Estados, conforme segue:
k1  54.705 103 ,
k2  3.673 103 , (5.72)
3
k3  52.172 10 .
Assim d 2 , mostrado na Figura 5.20, é calculado pela seguinte
expressão:
d2  kre  54.705iA  3.673vc  52.172ia  103 . (5.73)

126
Frequência de ressonância do filtro:

A frequência de ressonância do filtro LCL é dada pela expressão
(5.74), onde Leq e Ceq são a indutância e a capacitância equivalentes.
1 1 LA  La
f res   (5.74)
2 Leq Ceq 2 LA LaC
Substituindo em (5.74) os valores fornecidos na Tabela 5.2

resulta numa frequência de ressonância de fres 10.534,27 Hz , conforme
pode ser observada na Figura 5.22 (na cor azul).
Com a realimentação dos estados o problema da ressonância
nesta frequência é resolvido, conforme também mostrado na Figura 5.22
(na cor verde).
Figura 5.22 – Módulo e fase da planta com filtro LCL em função da frequência:
comportamentos com/sem realimentação de estados (RE).
Escolha do controlador:
Conforme a teoria de controle clássico, para se obter erros nulos
às entradas em degrau, em rampa e parábola é necessário que o
controlador possua um, dois ou três integradores na origem,
respectivamente. Também é de conhecimento da área de controle que
projetar controladores com três integradores não é uma tarefa fácil
(FRANKLIN, GENE F.; POWELL; WORKMAN, 1998).
127
Neste trabalho, devido à necessidade de controlar variáveis

senoidais, serão considerados três diferentes controladores:
 O primeiro controlador será utilizado nos estudos do sistema
com um filtro de 1ª ordem indutivo, sendo composto por um
integrador, um pólo em 20 kHz e um zero em 1 kHz,
conforme a função de transferência mostrada em (5.75). Seu
projeto é apresentado no Apêndice A;
 Para os estudos iniciais do sistema com um filtro LCL e
controle analógico (com RE e OE), tratado na seção 6.3, será
considerado o uso de um controlador com dois integradores,
um pólo em 19 kHz e um zero posicionado em 400 Hz, dado
pela expressão (5.76);
 O controlador final proposto neste trabalho, utilizado quando
da aplicação do controle digital do sistema e tratado na seção
7.4, é dado por dois integradores e dois zeros, estes últimos
posicionados em -200 rad/s (~32 Hz) e -6000 rad/s (~955 Hz),
conforme mostrado na expressão (5.77). O projeto deste
controlador está apresentado no Apêndice A.
kc ( s  6283)
C ( s)  (5.75)
s( s  125663)
kc ( s  2500)
C ( s)  (5.76)
s 2 ( s  120000)
d1  s  s 2  6, 2 103 s  1, 2 106
C s   kc (5.77)
 s s2
O Lugar das Raízes do sistema com realimentação de estados e o
controlador, dado por (5.77), é mostrado na Figura 5.23. E as respostas
em frequência para este mesmo sistema, em malhas aberta e fechada,
são mostradas na Figura 5.24 e na Figura 5.25, respectivamente.
Pode ser observado pela Figura 5.24 que, para um ganho do
controlador kc  0.00855 , a frequência de cruzamento está em
aproximadamente 1200 Hz e que a margem de fase é de 67 graus,
valores adequados para o controle de correntes até a 20ª harmônica.
128
Figura 5.23 – Lugar das Raízes da planta com RE e o controlador proposto.
Figura 5.24 – Diagrama de módulo e fase, em malha aberta, do controlador proposto

e a planta com realimentação de estados.
129
Figura 5.25 - Diagrama de módulo e fase, em malha fechada, do controlador

proposto e a planta com realimentação de estados.
5.10 CONCLUSÕES
Neste capítulo foi apresentada uma revisão bibliográfica sobre os

sistemas de controle de cargas eletrônicas ativas encontradas na
literatura. Dos trabalhos encontrados, a maioria utiliza controladores do
tipo proporcional-integral, bem como a maioria dos controladores se
presta a emular cargas lineares. Os raros trabalhos que apresentam
resultados de emulação de cargas não-lineares sempre propõem um
perfil pré-definido para a corrente, nenhum com perfil ajustável ou com
definição clara da banda passante do controle, como o apresentado neste
trabalho.
Após desenvolvidas as modelagens do conversor, considerando
inicialmente o uso somente de um filtro de primeira ordem (tipo L) e
depois com ordens superiores, ou seja, de terceira ordem (LCL) e de
quarta ordem (LCL + RC), foi proposto um sistema de controle
composto por realimentação de estados, observador de estados e
controlador de segunda ordem, com dois integradores e dois zeros.
130
O uso da realimentação de estados facilita o projeto do

controlador, por permitir reposicionar os pólos da planta da forma mais
adequada. Deve-se, entretanto, tomar o cuidado em posicionar os pólos
mantendo-os em mais alta freqüência e afastados dos pólos do
controlador, longe o suficiente para evitar interação, por no mínimo 5
vezes a banda passante deste. Pelo mesmo motivo, os pólos da planta
devem ser reposicionados na ordem de 1 5 da freqüência de comutação
do conversor. Mesmo para um sistema contínuo, que teoricamente pode-
se reposicionar os pólos em tão alta freqüência quanto se queira, isso
deve ser evitado, devido aos ganhos de realimentação que se tornarão
elevados, podendo causar instabilidade com a presença dos ruídos de
medição.
O observador de estados de Luenberger, projetado para estimar a
variável a ser controlada, a corrente do EST, respondeu com grande
fidelidade, mesmo sob variações dinâmicas acentuadas. Maiores ganhos
para o observador aumentam sua precisão, mas também podem causar
instabilidade na presença de ruídos de medição.
131
6 ESTUDO DE CASOS E RESULTADOS DE SIMULAÇÃO
6.1 INTRODUÇÃO
Neste capítulo são inicialmente apresentados alguns resultados de

simulação do conversor NPCm operando em malha fechada, com apenas
um indutor formando o filtro de entrada. É analisado o problema da
saturação do controlador, mostrando a sua causa e indicando uma
solução.
Por fim, vários resultados de simulação são apresentados, para o
conversor com controle em malha fechada, com filtro LCL, Observador
e Realimentação de Estados, mostrando o bom desempenho do sistema
proposto em relação aos existentes.
6.2 SISTEMA EM MALHA FECHADA COM FILTRO INDUTIVO
A seguir são apresentados os resultados de simulação do

conversor NPCm operando em malha fechada para o controle da
corrente de entrada. O circuito utilizado para simulação no PSIM® é o
mostrado na Figura 6.1.
Para estas simulações foi utilizado um controlador com dois pólos
e um zero, cujo projeto está apresentado no Apêndice A. Neste projeto
foi desconsiderada a indutância La da fonte alternada Va , que
representa a indutância de dispersão do secundário do transformador,
cujos valores são definidos por norma internacional (IEEE, 1994) como
mostrado na Tabela 6.1.
Apesar do projeto do controlador não considerar a indutância de
dispersão do transformador, serão apresentados posteriormente
resultados de simulação do controle em malha fechada da corrente, com
e sem a inclusão desta indutância. A indutância considerada será
equivalente à dispersão típica de um transformador de 15 kVA (Tabela
6.1), considerando uma variação de aproximadamente 10% de
acréscimo, ou seja, de 500  H .
132
Tabela 6.1 – Impedâncias típicas dos transformadores trifásicos

S [VA] 3000 6000 9000 15000 30000 45000
%X 1 1.72 1.16 1.82 1.3312 1.4145
%R 3.76 2.72 2.31 2.1 0.8876 0.9429
U [V] 220 220 220 220 220 220
Z (100%) 48.4 24.2 16.13 9.68 4.84 3.23
XL 0.484 0.4162 0.18714 0.17617 0.06443 0.04564
4 7 6 0 1
L 1,283 1,1041 0,4964 0,4673 0,1709 0,1211
(BAUMHOFE 8
R; WAAG;
SAUER)
R [ohm] 1.819 0.6582 0.3727 0.2033 0.0430 0.0304
8
Os parâmetros utilizados na simulação são:

- Tensão do barramento CC: E 2400 V ;
- Indutor de entrada: LA  420  H ;
- Indutância da fonte va : La  500 H ;
- Tensão de pico da fonte va : va , pk  310 V ;
- Frequência da fonte va : fr  60 Hz ;
- Ganho sensor corrente: Gi  0, 4 ;
- Modulação POD com portadoras triangulares:
Vpp  10 V @ 40 kHz ;
- Localização dos pólos (2) e zero (1) do controlador: p1  0 Hz ;

p2  20 kHz ; z1 kHz .
133
Figura 6.1 – Circuito de simulação no PSIM® para o controle da corrente de saída.
6.2.1 Simulação do sistema com corrente nominal a 60 Hz e em fase

com a fonte alternada
A Figura 6.2 mostra a simulação da operação do conversor como

inversor com fator de potência unitário, considerando nula a indutância
La e uma corrente fundamental de valor nominal e a 60 Hz.
A corrente de saída do conversor está em fase com a tensão da
fonte senoidal Va , Figura 6.2(a), e apresenta a ondulação máxima
esperada de aproximadamente 20% da corrente de pico. Pode ser
observado que as menores ondulações sempre ocorrem para os valores
nulos de Va . A Figura 6.2(b) mostra o sinal de referência ( I ref ).
134
Figura 6.2 – Formas de onda do conversor NPCm com controle da corrente,

considerando nula a indutância La : (a) tensão da fonte CA e corrente nominal de
saída em 60 Hz e em fase; (b) sinal de referência de corrente.
6.2.2 Simulação do sistema com corrente nominal para várias

frequências harmônicas
Para avaliar as respostas do conversor para diferentes frequências

harmônicas, as quais se desejam que o mesmo seja capaz de reproduzir,
foram efetuadas simulações do sistema controlando uma corrente de
amplitude nominal com as seguintes frequências harmônicas: 60, 180,
420, 660, 1020, 1500, 2340, 3000 e 10000 Hz. Nesta análise também foi
considerada nula a indutância da fonte alternada, La .
A Figura 6.3 mostra em diagrama de Bode os resultados destas
simulações, comparadas com os resultados da resposta do modelo
matemático linearizado, obtido considerando-se os valores quase-
instantâneos da tensão de saída do conversor e desprezando-se a
perturbação ocasionada pela variação senoidal da tensão da fonte Va .
135
Respostas do Sistema Completo Controlado
Diagrama de Módulo
5
|GMF (s)| [dB]

5
10
Modelo Teórico
15
Simulação 1
20
3 4 5
10 100 10 10 10
(a) frequência [Hz]
Diagrama de Fase
0
50
Fase [ o ]
100
150 Modelo Teórico

Simulação 1
200
3 4 5
10 100 10 10 10
(b) frequência [Hz]
Distorção Harmônica Total
150
120
Simulação 1
DHT [%]
90
60
30
0
3 4 5
10 100 10 10 10
(c) frequência [Hz]
Figura 6.3 - Diagramas de resposta em frequência e DHT do sistema completo

controlado, considerando La  0 H , para o modelo de valores quase-instantâneos
em malha fechada (modelo teórico) da corrente I A e simulação com corrente

nominal (simulação 1): (a) diagrama do módulo, em dB; (b) diagrama da fase, em
graus; (c) DHT, em percentagem.
Pode ser observado na Figura 6.3(a) que as respostas em

amplitude do modelo linearizado e da simulação são muito próximas,
até pelo menos 3 kHz, que é a frequência desejada para reproduzir até a
136
50ª harmônica de uma rede de 60 Hz. A fase é mostrada na Figura

6.3(b), sendo possível perceber uma ligeira diferença entre as duas
curvas, a partir de 2 kHz.
A Distorção Harmônica Total (DHT) da corrente controlada é
mostrada na Figura 6.3(c), considerando-se o espectro harmônico total,
inclusive as componentes na frequência de comutação.
Apesar dos resultados obtidos por simulação se aproximarem da
resposta do modelo linearizado, foram constatadas saturações do
controlador para as frequências acima de 1500 Hz (25ª harmônica),
conforme pode ser visto na Figura 6.4, para a frequência de 2340 Hz
(39ª harmônica). Este comportamento é resultado do aumento relativo
da impedância de entrada, causado pelo aumento da frequência da
corrente que circula pelo indutor L A .
Figura 6.4 – Exemplo de saturação do sinal de modulação do conversor, para

corrente nominal e frequência de 2340 Hz (39ª harmônica). Formas de onda: (a)
corrente ia do EST; (b) sinal saturado de modulação do inversor três níveis; e (c)
tensão comutada do inversor, vA .

137
Na Figura 6.4(a) estão mostradas as correntes controlada ( I A ) e

de referência ( I ref ), relativas à Figura 6.1. Na Figura 6.4(b) pode ser
observada a ocorrência da saturação do controlador, limitado a
amplitude das portadoras do modulador POD. Esta saturação provoca
intervalos sem comutação dos interruptores, mantendo a tensão de saída
VA na metade do valor do barramento de corrente contínua ( E 2 ), como
é mostrado pela Figura 6.4(c).
A causa desta saturação é a necessidade de rejeição da
componente de tensão em 60 Hz da rede. Esta necessidade faz com que
seja necessário aumentar a tensão imposta pelo conversor nas regiões
próximas aos picos da tensão de rede e este efeito torna-se mais
pronunciado para frequências harmônicas mais elevadas, já que para
estas a impedância da indutância de entrada é mais elevada, o que
dificulta a imposição de correntes harmônicas. Este efeito pode ser
minimizado de duas formas: reduzindo-se a indutância de entrada do
conversor, o que não é uma boa solução para CEA, ou aumentando-se a
tensão E do barramento CC.
Um caso especial deste tipo de limitação é observado quando a
CEA é solicitada a impor somente correntes harmônicas, sem a presença
da corrente fundamental. Assumindo que somente um indutor ideal de
indutância LaA é o elemento de filtragem entre va e v A , que
va Vpk sen(2 fot ) e que a corrente de referência é dada por:
ia*  I pk ,( h ) sen(2 fo ht ), (6.1)
onde fo é a frequência fundamental e h é a ordem da harmônica da

referência de corrente. Então, para impor a referência de corrente segue
que:
va*  Vpk sen(2 f ot )  2 f o hLaA I pk ,( h ) sen(2 f o ht ). (6.2)

V pk , a , rej V pk , A, harm
O pior caso de (6.2) é quando a tensão de pico Vpk , a , rej e

Vpk , A, harm ocorrem simultaneamente. Neste caso uma mínima tensão CC
*
de barramento Emin para impor ia é dada pela soma das duas
componentes de tensão. Logo,
138
Emin  2 Vpk  2 f o hLaA I pk ,( h)  . (6.3)
Este efeito piora com o aumento da frequência, contudo, como

normalmente não se deseja impor corrente nominal nas frequências de
mais alta ordem, porque tipicamente os espectros harmônicos decrescem
em amplitude com o aumento da frequência, este problema é amenizado.
Entretanto, deve-se considerá-lo quando da decisão do valor médio da
tensão do barramento CC do conversor na fase do projeto.
Na próxima seção serão apresentados resultados de simulação
com a imposição de correntes com as amplitudes abaixo do limite da
saturação.
6.2.3 Simulação do sistema com a amplitude da corrente no limite

da saturação do controlador para várias frequências
harmônicas
Considerando que a indutância de dispersão da fonte Va , da

Figura 6.1, possui o valor equivalente à de um transformador de 15 kVA
(Tabela 6.1), adicionado aproximadamente 10% de variação, ou seja, de
500 μH, foram obtidos os resultados apresentados na Figura 6.5. Nesta
figura estão comparados os valores obtidos para o módulo, a fase e a
DHT entre: o modelo teórico, a simulação com corrente nominal
(Simulação 2) e a simulação com a corrente no limiar da saturação do
controlador (Simulação 3).
Pode ser observado na Figura 6.5(a) que o ganho (dB) para a
simulação sem saturação do controlador é ligeiramente maior entre 1
kHz e 3 kHz, ficando abaixo das demais na frequência de 10 kHz.
O erro de fase para o sistema sem ocorrência de saturação,
mostrado na Figura 6.5(b), é maior do que o previsto pelo modelo
teórico, mas menor do que na ocorrência de saturação do controlador.
Por último, os valores de distorção harmônica são menores com a
redução da amplitude das correntes até o limite da saturação, como
mostrado na Figura 6.5(c). Estes valores limite, usados na Simulação 3,
estão mostrados na Tabela 6.2.
139
Respostas do Sistema Completo Controlado
Diagrama de Módulo
5
|GMF (s)| [dB]

5
10
Modelo Teórico
Simulação 2
15 Simulação 3
20
3 4 5
10 100 10 10 10
(a) frequência [Hz]
Diagrama de Fase
0
50
Fase [ o ]
100
Modelo Teórico
150 Simulação 2
Simulação 3
200
3 4 5
10 100 10 10 10
(b) frequência [Hz]
Distorção Harmônica Total

300
240
Simulação 2
Simulação 3
DHT [%]
180
120
60
0
3 4 5
10 100 10 10 10
(c) frequência [Hz]
Figura 6.5 – Diagramas de resposta em frequência e DHT do sistema completo

controlado, considerando La  500  H , para o modelo de valores quase-
instantâneos em malha fechada (modelo teórico) da corrente I A , simulação com
corrente nominal (simulação 2) e simulação com a corrente no limiar da saturação
(simulação 3): (a) diagrama do módulo, em dB; (b) diagrama da fase, em graus; (c)
DHT, em percentagem.
140
Tabela 6.2 – Valores limite da amplitude da corrente controlada, para cada

frequência harmônica simulada.
Freq. [Hz] 60 180 420 660 1020 1500 2340 3k 10k
(Harmônica) (1ª) (3ª) (7ª) (11ª) (17ª) (25ª) (39ª) (50ª) (~167ª)
IA [A] 22,5 22,5 22,5 22,5 13,5 8,7 5,6 4,6 3,0
6.2.4 Simulação do sistema com a corrente no valor nominal de pico

e fator de crista elevado
A Figura 6.6 mostra o conversor emulando uma corrente típica de

retificador monofásico com filtro L e C. Para esta simulação foram
consideradas, no sinal de referência, as harmônicas até a 11ª ordem,
conforme mostrado na Tabela 6.3.
A corrente controlada ( I A ) e a corrente de referência ( I ref ),
mostradas na Figura 6.6, possuem os espectros harmônicos apresentados
pela Figura 6.7. O espectro harmônico da corrente controlada, Figura
6.7(a), é muito próximo do espectro da corrente de referência, Figura
6.7(b), mostrando que o sistema em malha fechada é capaz de emular
cargas com fator de crista elevado e, consequentemente, impor correntes
com alto conteúdo harmônico.
Entretanto, a corrente controlada I A possui ondulações na
frequência de comutação que podem causar perdas adicionais e
interferências eletromagnéticas no EST, além de não reproduzir
fielmente a corrente de um retificador monofásico. A utilização de um
filtro LCL pode resolver este problema, filtrando as frequências da
ordem da frequência de comutação, conforme será mostrado na próxima
seção.
Tabela 6.3 – Amplitude e fase das harmônicas de referência usadas na simulação da

Figura 6.6, típicas de retificadores monofásicos com filtro L e C, considerando até a
15ª harmônica.
Frequência [Hz] 60 180 420 660 1020 1500
(Harmônica) (1ª) (3ª) (5ª) (7ª) (9ª) (11ª)
Amplitude de pico I h , pk [A] 6,3 5,73 4,71 3,44 2,12 0,98
Ângulo de Fase [º] 0 180 0 180 0 180
141
Figura 6.6 - Formas de onda do conversor NPCm com controle da corrente: (a)
tensão da fonte CA e corrente controlada I A ; (b) sinal de referência de corrente,
típica de retificadores monofásicos com filtro L e C, considerando até a 15ª
harmônica.
Figura 6.7 – Espectros harmônicos da: (a) corrente de controlada, IA e ; (b)
corrente de referência, I ref .

142
6.3 SISTEMA EM MALHA FECHADA COM FILTRO LCL,

OBSERVADOR E REALIMENTAÇÃO DE ESTADOS
A seguir são apresentados os resultados de simulação do

conversor NPCm operando em malha fechada, com o controle da
corrente de entrada de um filtro LCL (corrente do EST). O sistema de
controle é totalmente analógico, composto por um Observador de
Estados para obtenção da corrente no EST, realimentação de estados e
controlador, em conformidade com o apresentado nas seções 5.7, 5.8 e
5.9. O circuito utilizado para simulação no PSIM® é o mostrado na
Figura 6.8.
A Figura 6.8(a) mostra o sistema de potência de uma das fases do
conversor NPCm e o filtro LCL, composto pelos elementos LA , Ca e
La , sendo este último a indutância intrínseca da fonte Va . O ramo
RA -C A é utilizado para impor um amortecimento passivo mínimo às
oscilações de ressonância do sistema, sem levar a grandes perdas (aprox.
4 W). São efetuadas medições da corrente em i A e da tensão vC .
A Figura 6.8(b) mostra o sistema de controle usado na simulação,
composto pela realimentação dos estados medidos, i A e vC , e do estado
observado iâ , do controlador linear C ( s) e do modulador três níveis
POD-PWM. O subcircuito de nome “Gerador Referência” é o
responsável pela geração dos sinais de referência com as formas de onda
desejadas, ou seja: onda triangular, correntes dos retificadores
monofásicos e trifásicos, degrau de amplitude senoidal e sinal senoidal.
O controlador projetado para este sistema possui dois pólos na
origem, um pólo em 120 krad/s (~19 kHz) e um zero em 2500 rad/s
(~400 Hz), conforme mostrado na expressão (6.4).
kc ( s  2500)
C ( s)  (6.4)
s 2 ( s  120000)
O Observador de Estados é mostrado na Figura 6.8(c). O
observador possui como entradas externas os estados medidos, i A e vC ,
e o sinal de razão cíclica d . Como saída o observador retorna o valor
do estado iâ .
143
A primeira simulação apresentada é a da resposta do sistema a

variações de amplitude de referência em degrau, mostrada na Figura 6.9.
*
Para esta simulação a referência de corrente ia foi variada bruscamente
de 10 A para 20 A e na sequência de 20 A para 10 A, sempre nos
instantes de pico da senóide de tensão Va . Pode ser observado que o
sistema conseguiu impor as variações de corrente de forma muito
rápida, apresentando um sobre-sinal de 35%.
144
Figura 6.8 – Diagrama de simulação do sistema completo analógico, com RE, OE e

controlador linear: (a) sistema de potência, (b) sistema de controle e modulação e,
(c) Observador de Estados.
Figura 6.9 – Simulação da resposta à variação ao degrau na corrente de referência

ia* , de 10 A para 20 A e de 20 A para 10 A, nos instantes de pico da tensão
Va 110 2 sent  . A amplitude da corrente está multiplicada por um fator 5 para
melhor visualização.
A Figura 6.10 e a Figura 6.11 mostram as respostas do sistema a

*
referências senoidais ia de correntes em anti-fase e em fase com a
tensão Va , respectivamente. A tensão do EST está distorcida com o
145
acréscimo proposital de 5% da harmônica de 5ª ordem, típica em

instalações reais. Pode ser observado que as correntes são senoidais para
os dois casos, tendo apresentado amplitudes de 5ª harmônica de no
máximo 0,09% e distorção harmônica total (DHT) de 0,087%.
Figura 6.10 – Simulação da resposta do sistema à referência ia* senoidal, operando

como inversor à 20 A de pico, para uma tensão do EST com deformação de 5% de
5ª harmônica.
Figura 6.11 – Simulação da resposta do sistema à referência ia* senoidal, operando

como retificador e com 20 A de pico, para uma tensão do EST com deformação de
5% de 5ª harmônica.
146
Outra simulação efetuada está mostrada na Figura 6.12 e na

Figura 6.13. Para este caso foi imposta uma referência aproximadamente
triangular para a corrente ia , considerando somente até a 21ª harmônica,
com 20 A de pico e em fase com a tensão do EST, com as amplitudes
harmônicas indicadas pela Tabela 6.4. O uso de uma referência
triangular permite observar a linearidade do conversor, a cpacidade de
seguimento de referência em rampa e o seu comportamento dinâmico
nas situações de mudança brusca de derivada, especificamente nos picos
da onda triangular.
Tabela 6.4 – Amplitude e fase das harmônicas impostas à referência ia* ,

correspondentes a uma forma de onda aproximadamente triangular.
Ordem Frequência Amplitude Amplitude Fase

Harmônica [Hz] [A] [%] [º]
1 60 16,21 100,00% 0
3 180 1,80 11,12% 180
5 300 0,65 4,00% 0
7 420 0,33 2,04% 180
9 540 0,20 1,23% 0
11 660 0,13 0,83% 180
13 780 0,10 0,59% 0
15 900 0,07 0,44% 180
17 1020 0,06 0,35% 0
19 1140 0,04 0,27% 180
21 1260 0,04 0,22% 0
Pela resposta obtida da simulação, Figura 6.12, pode ser

observado que a corrente controlada seguiu a referência triangular,
estando em fase com a tensão senoidal e apresentando a amplitude
desejada. Já a Figura 6.13(a) mostra que a corrente controlada está
sobrepondo o sinal de referência com grande fidelidade, possuindo as
mesmas amplitudes harmônicas, conforme é mostrado na Figura
6.13(b).
Com o sinal de referência triangular pode ser observado que o
sistema apresenta uma resposta linear e sem sobressinal ou oscilações
nos momentos de inversão do sinal da derivada.
147
Figura 6.12 – Simulação da resposta do sistema à referência ia* triangular e

operando como retificador, para uma tensão senoidal do EST.
Figura 6.13 - Simulação da resposta do sistema à referência triangular e operando

como retificador, para uma tensão do EST senoidal: (a) corrente controlada do EST
*
( ia ) e de referência ( ia ), em função do tempo, e (b) espectros harmônicos das
correntes ia e ia* .
148
A Figura 6.14 e a Figura 6.15 mostram a resposta de simulação

do sistema a uma referência com o formato típico de um retificador
monofásico com filtros indutivo na entrada e capacitivo na saída, cujas
amplitudes e ângulos de fase das harmônicas consideradas são
mostrados na Tabela 6.5.
A emulação de uma corrente com formato típico de um
retificador monofásico mostra a capacidade da CEA de impor correntes
com elevado Fator de Crista (FC), no caso FC=3,11, importante para o
ensaio de equipamentos que normalmente alimentam cargas deste tipo,
como fontes ininterruptas de energia, transformadores, entre outros.

correspondentes a uma forma de onda típica de retificador monofásico.

1 60 5,41 100% 0
3 180 4,92 90,95% 180
5 300 4,04 74,76% 0
7 420 2,954 54,60% 180
9 540 1,82 33,65% 0
11 660 0,84 15,56% 180
149
Figura 6.14 – Simulação da resposta do sistema à referência ia* com o formato típico
da corrente de um retificador monofásico com filtro indutivo na entrada e capacitivo
na saída, para uma tensão senoidal do EST.
Figura 6.15 - Simulação da resposta do sistema à referência com o formato típico da

corrente de um retificador monofásico, para uma tensão do EST senoidal: (a)
*
corrente controlada do EST ( ia ) e de referência ( ia ), em função do tempo, e (b)
espectros harmônicos das correntes ia e ia* .

150
A Figura 6.16 e a Figura 6.17 mostram a resposta de simulação

do sistema a uma referência com o formato típico de um retificador
trifásico com filtros indutivo na entrada e capacitivo na saída, cujas
amplitudes e ângulos de fase das harmônicas consideradas são
mostrados na Tabela 6.6. Este formato de corrente é comum em drivers
de acionamento de motores e fontes de alimentação não-regenerativas.
Pela observação das Figura 6.13, Figura 6.15 e Figura 6.17
podemos concluir que o sistema da Figura 6.8 é capaz de emular cargas
lineares, com a absorção de correntes senoidais, até cargas não-lineares
com conteúdo harmônico genérico, de elevado Fator de Crista.

correspondentes a uma forma de onda típica de retificador trifásico.

1 60 18,17 100,00 0
3 180 0 0 0
5 300 5,03 27,71 88,81
7 420 1,10 6,05 136,81
9 540 0 0 0
11 660 0,68 3,75 150,50
13 780 0,49 2,70 156,28
15 900 0 0 0
17 1020 0,23 1,27 172,51
19 1140 0,20 1,09 190,47
21 1260 0 0 0
151
Figura 6.16 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* com o formato típico
da corrente de um retificador trifásico com filtro indutivo na entrada e capacitivo na
saída, para uma tensão senoidal do EST.
Figura 6.17 - Simulação da resposta do sistema à referência com o formato típico da

corrente de um retificador trifásico, para uma tensão do EST senoidal: (a) corrente
*
controlada do EST ( ia ) e de referência ( ia ), em função do tempo, e (b) espectros
harmônicos das correntes ia e ia* .

152
6.4 CONCLUSÕES
Neste capítulo foram apresentados alguns resultados de simulação

do conversor NPCm operando como carga eletrônica ativa. Foram
mostrados resultados da resposta do controle em malha fechada para
diferentes sinais de referência da corrente, com frequências desde a
fundamental de 60 Hz até 10 kHz, sinais com defasagem e com
conteúdo harmônico e sinais com fator de crista (FC) elevado.
Considerando inicialmente o uso de um filtro de primeira ordem
(indutor), são analisados os efeitos sobre o controlador e a variável
controlada, quando da necessidade de drenagem de correntes de alta
ordem harmônica. É mostrado que com o aumento da frequência
desejada os sinais de controle tendem a saturação, uma vez que seu
valor é composto por uma parcela a cancelar a perturbação, provocada
pela variação senoidal da tensão alternada do equipamento sob teste,
adicionado a parcela necessária a impor a corrente com a frequência
desejada. Com o aumento da frequência o filtro apresenta-se como uma
impedância crescente, exigindo um aumento da razão cíclica e levando a
saturação do controlador. Os valores limite de saturação são
equacionados, mostrando que um aumento da tensão do barramento
pode contornar este problema, mas provocariam aumento das perdas e
da necessidade de interruptores de maior capacidade de bloqueio.
Felizmente, os espectros harmônicos comumente apresentam uma
atenuação em amplitude com o aumento da ordem harmônica,
contribuindo para amenizar este problema.
No caso da utilização de filtros de maior ordem (tipo LCL) e o
sistema de controle proposto, formado por um controlador clássico,
realimentação de estados (RE) e um observador (OE) da variável
controlada, são apresentados diversos resultados de simulação,
mostrando as respostas do sistema às variações dinâmicas e a sinais com
diferentes conteúdos harmônicos. O sistema apresentou alto
desempenho às variações ao degrau da referência, com tempos de
estabilização muito curtos e baixo sobre-sinal, e boa capacidade de
rejeição na presença de deformações harmônicas de 5ª ordem na tensão
alternada, comumente encontradas nos sistemas de distribuição.
Também foi mostrado que o sistema é capaz de emular cargas com
espectros variados, como por exemplo, semelhantes a retificadores
monofásicos e trifásicos.
153
7 RESULTADOS EXPERIMENTAIS
7.1 INTRODUÇÃO
Neste capítulo inicialmente é apresentado o hardware do

protótipo desenvolvido para a CEA-CA e suas características
construtivas. Depois, a estruturação do software de controle é detalhada
e mostrada na forma de diagramas de blocos. Por fim são discutidas as
dificuldades da implementação do controle discreto proposto, seguidas
da apresentação dos resultados experimentais obtidos.
7.2 HARDWARE DA CEA-CA COM CONTROLE DIGITAL
O hardware desenvolvido para implementar a Carga Eletrônica

Ativa Trifásica com controle digital está mostrado na Figura 7.1 e na
Figura 7.2. Pode ser observado que ele é composto por uma placa de
circuito impresso principal (placa-mãe) e por nove placas auxiliares
(placas-filha).
A placa principal foi desenvolvida com o uso de ferramentas de
desenho auxiliado por computador (Computer Aided Design – CAD),
tendo-se sempre em mente a redução de possíveis interferências
eletromagnéticas que tenderiam a aparecer entre os circuitos, oriundas
da necessidade de comutações de elevada derivada nos semicondutores
de potência, para que se possa operar em altas frequências e com baixas
perdas.
Para se alcançar este objetivo foi desenvolvido uma placa
composta por quatro (4) camadas de circuito-impresso (layers) e com
componentes de montagem de superfície (Surface Mounting Device –
SMD), o que permitiu a construção de um protótipo de reduzido
volume, com uma densidade de potência maior que 2 kW/dm3. Com a
redução da área de placa há uma redução das indutâncias e resistências
parasitas, pela redução dos comprimentos das trilhas e da utilização de
planos de Terra e de alimentação. O layout e os circuitos projetados
estão apresentados no Apêndice A.
Na Figura 7.1 pode ser observada a placa comercial modelo
TMDSCNCD28335 (Texas Instruments), composta por um controlador
digital de sinais (Digital Signal Controller- DSC) de ponto-flutuante e
circuitos integrados auxiliares, como reguladores de tensão, memórias,
entre outros. As seis placas posicionadas duas a duas nesta mesma figura
154
são drivers comerciais duplos isolados modelo DRO100D25A

(Supplier), com capacidade de fornecer dois (2) Ampéres de pico por
canal e proteção contra sobrecorrente, necessários ao comando dos
interruptores de potência.
Fazem parte do sistema de medição os sensores Hall modelo
LTSP 25-NP (LEM), usados na medição das correntes nos indutores do
conversor, e sensores não isolados de medição diferencial das tensões de
fase. Um indutor de filtragem de modo comum está instalado na entrada
do conversor, para redução de possíveis interferências eletromagnéticas.
Na Figura 7.2 podem ser observadas as fontes auxiliares de
alimentação dos drivers, modelo DS320-08A (Supplier), os dissipadores
de calor dos semicondutores de potência, LAM 4 (Fischer Elektronik),
de dimensões 40x40x100 mm, e os capacitores eletrolíticos do
barramento de corrente contínua.
Hall Indutores filtro Filtro EMC Indutor filtro Drivers adaptados

Drivers
adaptados Cap. link-CC
PCB
Dissipador Cap. link-CC Dissipador DSC Dissipador
Figura 7.1 – Protótipo da CEA-CA Trifásica utilizada para obter os resultados

experimentais (lado superior), cujas partes principais são: placa-filha com o
microcontrolador de ponto-flutuante (DSC) e circuitos auxiliares, capacitores do
link-CC, sensores Hall para medição das correntes, drivers comerciais isolados
adaptados para o comando dos interruptores de potência, indutores do filtro de
entrada e indutor do filtro de modo comum.
155
Ventilador Caps. link-CC Ventilador Caps. filtro EMC
Font
Dissipador
rs
Dissipador Dissipador
e
ri v
e
drive
edt
Fon
rs
DSC
Figura 7.2 - Protótipo da CEA-CA Trifásica utilizada para obter os resultados

experimentais (lado inferior).
7.3 PROGRAMAÇÃO DA CEA-CA COM CONTROLE DIGITAL
A programação do controlador digital da CEA foi efetuada em

linguagem C, na ferramenta de desenvolvimento Code Composer
Studio®.
A estrutura do programa foi organizada de forma a possuir quatro
rotinas básicas: Inicialização, Construção do Sinal de Referência,
Interface com o usuário e a rotina principal de Proteção e Controle.
A Figura 7.3, Figura 7.4 e a Figura 7.5 mostram os fluxogramas
que representam as quatro sub-rotinas básicas citadas. A sub-rotina de
Inicialização, mostrada na Figura 7.3(a), é processada no inicio da
execução do programa, sendo responsável literalmente pela inicialização
do controlador, dos seus periféricos e das variáveis usadas no programa.
Ao final desta sub-rotina o algoritmo fica em laço infinito, aguardando
ocorrer alguma interrupção. A sub-rotina de Construção do Sinal de
Referência, mostrada na Figura 7.3(b), é chamada pela rotina de
Inicialização e é a responsável pelo cálculo dos valores de 1800
amostras de um período do sinal de referência, compostas pelas parcelas
do sinal fundamental e de todas as harmônicas até a 21ª ordem. Ao sinal
de referência também pode ser acrescentado um nível constante (nível
CC). A função desempenhada pela sub-rotina de Construção do Sinal de
Referência é mostrada pela expressão (7.1),
156
21
i T
ia* (i)  Kcc   ah  sen(h     h ) , (7.1)
h 1 1800
* *
onde: ia (i ) é a i-ésima amostra da corrente de referência ia ; K cc é o
nível CC do sinal; ah a amplitude da h-ésima harmônica; h a ordem da
harmônica;  h o ângulo de fase da h-ésima harmônica;  a frequência
angular da fundamental e; T o período do sinal de referência.
A sub-rotina de Interface é executada por interrupção de um
temporizador, com o intuito de monitorar a operação dos botões pelo
usuário, com as funções de partida (SW2) e parada (SW1), e a
sinalização de finalização da rampa (LED1) e de PWM bloqueado
(LED2). No instante da partida esta sub-rotina inicia a geração de uma
rampa no ganho do sinal de referência, através do incremento de k step ,
para permitir um crescimento suave no valor da corrente. A sub-rotina
de Interface é mostrada na Figura 7.4.
A Figura 7.5 apresenta a principal sub-rotina do programa, a sub-
rotina de Proteção e Controle. Esta sub-rotina dá inicio e aguarda a
finalização das amostragens das correntes i A , iB e iC e das tensões E ,
E
2 , vC ,a , vC ,b e vC ,c . Depois são calculados os valores reais das
correntes e tensões, considerando os ganhos dos sensores, os ganhos dos
circuitos de condicionamento dos sinais, os níveis CC acrescentados
(off-set) e a quantização, resultando valores em ampéres e volts,
respectivamente. Com os valores reais disponíveis é verificado se foram
ultrapassados os valores limite das correntes e tensões, bloqueando os
sinais PWM para a proteção do circuito por sobretensão e sobrecorrente.
Todos os valores limite foram estabelecidos 10% acima dos valores
nominais do conversor.
Uma vez finalizada a verificação das proteções, como mostra a
Figura 7.5, são calculados os parâmetros do PLL, com a obtenção dos
ângulos t das tensões, seguidos pelos cálculos dos valores do
controlador, do Observador de Estados e da razão-cíclica para o PWM.
Antes da atualização da razão-cíclica é aplicado um saturador para que
não seja ultrapassado o valor de pico da portadora.
157
Inicio Inicio
Configurações do hardware Carrega o vetor com o

Definições de constantes nivel CC
e variáveis
Inicializações do hardware Reinicia contadores

(periféricos, I/O, timers) i=h=1
Inicializações de variáveis
Adiciona harmônico “h”
Carrega Tabela Harmônicas
na amostra “i” do vetor
Constrói sinal de referência

Habilita interrupções
h = 21? N h++
S
Continuar
S h=1
?
N
Fim i = 1800? N i++

S
Retorna
(a) (b)
Figura 7.3 – Fluxogramas das sub-rotinas de: (a) Inicialização e; (b) Construção do
Sinal de Referência.
158
Inicio
Incrementa Timer
SW1= on
N
?
S
Bloqueia PWM
LED1= off, LED2= on
k= 0
SW2= on
N
?
S
Libera PWM
LED1= LED2= off
k= 0
LED2= off
N
?
S
k< k max k= k max

? N
LED1= off
S
k= k+ k step
LED1= on
Retorna
Figura 7.4 - Fluxograma da sub-rotina de Interface.

159
Inicio A
Inicia amostragens Calcula WT discreto;

Calc. erro da corrente ia;
Calc. saida controle (d1);
Calc. saida RE (d2);
Calc. saida controle (d);
Fim
aquisição? N
S Calcula Observador;
Atualiza var. Controlador;
Atualiza var. Observador;
Atualiza amostras; Calc. razões cíclicas PWM;
Calcula correntes [A];
d> d max
|iA|> Imax ? N
N
? S
S
d= d max
Bloqueia PWM;
LED2= on;
Atualiza a razão
Calc. tensões E, E/2 [V]; cíclica dos PWMs
Calc. tensões Va,Vb,Vc [V];
Retorna
|Vx|> Vmax
N
?
S
Bloqueia PWM;
LED2= on;
PLL
Calcula Vab ,Vbc ,V  ,V b
Calcula  t, i  , i b
Figura 7.5 - Fluxograma da sub-rotina principal: Proteção e Controle.

160
7.4 IMPLEMENTAÇÃO DO CONTROLE DIGITAL
As análises anteriores e os projetos dos parâmetros foram

realizados considerando a implementação de todos os blocos do sistema
no tempo contínuo. Entretanto é bem conhecido que a implementação
digital de blocos de controle e modulação traz novos desafios de
desempenho e estabilidade. A principal influência da implementação
digital está relacionada à conversão analógico-digital, tempo de
computação e frequência de amostragem, que são tipicamente
modeladas por atrasos de transporte.
Um exemplo é a simulação da resposta dinâmica apresentada na
Figura 5.9, que é obtida com a estratégia de controle proposta sem
considerar a implementação digital, com uma frequência de comutação
de 40 kHz. Tal resposta dinâmica não é possível quando o atraso do
conversor analógico-digital (Analog to Digital Converter - ADC) e o
modo de dupla atualização do esquema de modulação são usados.
Aumentando a frequência de amostragem permite melhorar esta
situação. Por exemplo, uma frequência de amostragem de 160 kHz
permite aumentar a precisão do observador proposto e melhora a
resposta dinâmica para próximo do tempo contínuo. Contudo, isto leva a
elevados níveis de ruído, principalmente nas medições das correntes,
devido à aproximação dos instantes de amostragem e de comutação.
Além do mais, o atraso associado à atualização da razão cíclica não é
reduzido.
Assim, a maneira simples de obter o comportamento dinâmico
esperado é aumentar a frequência de comutação. Estudos por simulação
foram realizados, para avaliar os efeitos da implementação digital,
considerando no modelo: os blocos amostrador-retentor de ordem zero
(ZOH) e os quantizadores, para emular os efeitos dos conversores ADC
nos sensores de corrente e de tensão; o esquema de modulação IPD com
dupla atualização do PWM, para garantir amostragem sem ruídos de
comutação; limitadores para modelar os efeitos de saturação no controle
em malha fechada; e a implementação discreta de todos os blocos de
controle apresentados. Uma análise da influência da frequência de
comutação da CEA no desempenho da reprodução das correntes foi
feita, baseada nos resultados de simulação, e uma frequência de
comutação de 66 kHz foi escolhida, levando a uma frequência de
amostragem de 132 kHz.
O aumento da frequência de comutação de 40 kHz para 66 kHz
acarreta num crescimento proporcional de 65% nas perdas de
comutação. Assim, de acordo com a Tabela 4.6, estima-se que as perdas
161
e os rendimentos resultantes para esta nova condição serão como os

mostrados na Tabela 7.1. Pode ser observado pelos valores da tabela que
o rendimento do conversor será reduzido em 0,37%, no pior caso, mais
ainda mantendo-se acima de 98%.
Tabela 7.1 – Perdas do NPCm relacionadas aos semicondutores e rendimento, para

um aumento da frequência de comutação de 40 kHz para 66 kHz.
 Pcond Pcomut Pcomut PTOTAL PTOTAL  
@ 40kHz @ 66kHz
[W] @ 40kHz @ 66kHz @ 40kHz @ 66kHz
[%] [%]
[W] [W] [W] [W]
0 36,64 17,07 28,17 53,71 64,81 98,48 98,18
 2 34,57 18,75 30,94 53,32 65,51 98,50 98,16

 28,74 20,29 33,48 49,03 62,22 98,62 98,25
As leis de controle foram discretizadas com o uso das ferramentas

do MATLAB®, baseadas na frequência de comutação escolhida e no uso
dos métodos de Tustin ou de Euler, conforme mostrado a seguir.
O controlador proposto, dado por (5.77), após discretizado pelo
método de Tustin (ver Apêndice A) é dado por
d1  z  1024  2 z 1  0.9765 z 2
C z   kc , (7.2)
  z 1  2 z 1  z 2
sendo a sua representação na forma de equação a diferenças dada por
kc [1024e(k )  2e(k  1)  0.9765e(k  2)]  ...

d1 (k )   , (7.3)
...+2d1 (k  1)  d1 (k  2) 
3
onde kc  8,55 10 é o ganho do controlador de corrente e k refere-
se ao número da amostra.
O modelo discreto da realimentação de estados de (5.73) é dado
por
54.705 103 iA (k )  3.673 103 vC ,a (k )  ...

d 2 (k )  kre  3
, (7.4)
...  52.172 10 ia (k ) 
162
onde kre  0.6 é o ganho da realimentação de estados.

Assim, a razão cíclica resultante, conforme mostra a Figura 5.16,
é dada por
d ' (k )  d1 (k )  d2 (k ). (7.5)
Por fim, as equações a diferenças dos estados futuros do

observador podem ser obtidas de (5.66) usando o teorema de Leonhard
Euler, conforme o desenvolvimento mostrado nas expressões (7.6) a
(7.8). Foi escolhido o método de Euler para a discretização do modelo
no espaço de estados somente porque resulta uma matriz discreta
Dd  0 , igual ao modelo contínuo, o que não acontece usando Tustin,
conforme mostrado no Apêndice C.
x  k  1  x  k 
 A x k   B u k  (7.6)
Tc
x  k  1  Tc  A  x  k   Tc  B  u  k   x  k  (7.7)
x  k  1  Tc  A  I   x  k   Tc  B  u  k  (7.8)
Desta forma, os estados futuros do Observador são obtidos pelas

expressões dadas por (7.9) a (7.11):
 Ao  iˆ  k   A12,o
d  vc  k   A13, d  ia  k   ...
ˆ o ˆ 
îA  k  1   11,d A , (7.9)
 ...  B o  d  k   B o  i  k   B o  v  k  
 11, d 12, d A 13, d c 
d  i A  k   A22, d  vc  k   A23, d  ia  k   ...

 A21,
o ˆ o
ˆ o ˆ 
vˆc  k  1    , (7.10)
 ...  B o  d  k   B o  i  k   B o  v  k  
 21, d 22, d A 23, d c 
 Ao  iˆ  k   A32,o
d  vc  k   A33, d  ia  k   ...
ˆ o ˆ 
îa  k  1   31,d A  , (7.11)
 ...  B o  d  k   B o  i  k   B o  v  k  
 31, d 32, d A 33, d c 
o o
onde Amn ,d e Bmn ,d são os elementos das matrizes discretas do
Observador, obtidos pela substituição dos valores numéricos dados e
163
utilizando a função “c2d” de conversão de um sistema contínuo para

discreto do MATLAB®. Assim, a partir do modelo contínuo dado por
(5.69) e (5.70) se obtém as respectivas matrizes do modelo discreto,
dadas por:
 486.03123E-3 34.78777E-3 -476.27659E-3

A   4.87897
o
d 315.89054E-3 -4.78685  ,
-327.26904E-3 75.91404E-3 337.98802E-3 
(7.12)
 1.16623 990.24536E-3 -44.64825E-3 

B  10.61661 -92.12194E-3 588.32548E-3 .
o
d (7.13)
-2.20709 989.28102E-3 -54.77812E-3 
Depois de obtidos os resultados de controle desejados, mostrados

anteriormente pelas simulações do sistema no tempo contínuo, seção
6.3, procurou-se efetuar simulações mais próximas das condições que
seriam encontradas na implementação prática, com o controle digital
inserindo os erros de quantização e atrasos de amostragem e de
atualização dos sinais de controle citados anteriormente.
A Figura 7.6 à Figura 7.8 mostram o sistema de controle discreto
completo, simulado no PSIM®, para uma fase do conversor.
A Figura 7.6 mostra o circuito de potência de uma fase, com o
filtro LCL, o sensor de corrente e uma fonte de tensão alternada,
representando o equipamento sob teste. Em série com a fonte alternada
uma fonte de sinal randômico foi introduzida para emular a presença de
ruído no circuito de potência, e a indutância La , que pode representar a
indutância de dispersão desta fonte.
A Figura 7.7(a) mostra o circuito de medição da tensão de fase,
para o controle discreto. Ao sinal do sensor é adicionado um nível
contínuo de 1,5 Volts para condicioná-lo aos níveis permitidos de
entrada no controlador digital (0 a 3 V), como também um sinal de ruído
branco, para emular a presença de ruído no circuito de medição. O sinal
resultante é filtrado por um filtro passa-baixas RC, e então é passado por
um bloco quantizador para emular o conversor analógico-digital. Os
blocos quantizadores também simulam o atraso provocado pelos
164
conversores ADC. Na Figura 7.7(b) é mostrado um circuito semelhante,

para a medição da corrente no indutor L A .
Na Figura 7.8(a) é mostrado o bloco de emulação do controlador
discreto, implementado por um bloco DLL do PSIM®, o qual contém
todo o programa desenvolvido (em linguagem C) para aquisição e
controle do conversor. Nesta figura estão também mostradas as entradas
dos sinais medidos, como a corrente i An e as tensões de fase Van , Vbn e
Vcn , bem como os blocos Zero-order-hold (ZOH), necessários para a
sincronização da execução da DLL com a taxa de amostragem definida
para o projeto. Os blocos ZOH também provocam atraso no sinal de
entrada, simulando o atraso devido. Na saída do bloco DLL é obtido o
'
sinal d , que depois de passar pelo bloco saturador é definido como o
sinal de razão cíclica d , estando de acordo com o que está mostrado na
Figura 5.16.
A Figura 7.8(b) mostra o circuito modulação PWM, onde na
entrada está inserido um bloco para simulação do atraso provocado na
atualização dos sinais PWM, de meio período de amostragem, seguido
das portadoras triangulares e dos comparadores. Por fim os sinais
modulados passam por blocos para a simulação do tempo-morto
existente entre a comutação dos interruptores.
Figura 7.6 – Controle discreto: circuito de potência de uma fase.

165
Figura 7.7 - Controle discreto: circuito de medição da tensão de fase Va (superior) e
da corrente no indutor L A (inferior).
O bloco DLL da Figura 7.8(a) executa um arquivo previamente

programado em linguagem C e compilado pela ferramenta Dev-C++®.
A resposta em frequência relativa ao seguimento da corrente de
referência está mostrada na Figura 7.9, para três valores da indutância
do equipamento sob teste La 500 H 40% . O diagrama de Bode de
malha fechada apresentado considera simulações com o sistema
controlado incluindo o circuito de potência e os blocos de controle
digital conforme mostrado na Figura 7.6, Figura 7.7 e na Figura 7.8. A
largura de banda do sistema (medida a -3 dB) se aproxima de 11 kHz.
Contudo é importante para a CEA-CA que o atraso de fase seja pequeno
para suas referências harmônicas. Desta forma, a faixa de frequência
usável está perto de 2 kHz, dependendo da indutância do EST. Mais
baixas indutâncias EST permitem aumentar a largura de banda.
166
Figura 7.8 - Controle discreto: circuito de (a) controle digital e (b) de modulação
POD-PWM com tempo-morto.
A robustez e precisão do observador de estado projetado são

mostradas na Figura 7.10. Seis condições de operação são apresentadas:
referência de corrente triangular com 60 Hz e 660 Hz, isto é, h  1 e
h  11 , para três diferentes indutâncias EST La  1, 500, 3000  H . O
sinal de referência triangular apresenta um espectro harmônico rico, por
isso foi usado para esta análise.
O pico da referência de corrente é variado de acordo com a
consideração dos efeitos de saturação apresentados na seção 6.2.2.
Analisando a Figura 7.10 vê-se que o desempenho do controle é
aceitável para os casos onde h  1 e La  1, 500  H . O desempenho
do controle é pobre com La  3000  H e h  11 . Entretanto a estimação
da corrente EST é adequada mesmo neste caso.
167
Figura 7.9 – Diagrama de Bode de malha fechada do sistema completo controlado

digitalmente, incluindo o circuito de potência e a estrutura completa de controle,
com os atrasos e erros de quantização inerentes, considerando a dupla atualização do
PWM. Parâmetros do circuito: E400 V LA 420 H ;
La 300; 500; 700 H; Ca C A 1 F; RA 33  . É importante citar que as
amplitudes de referência foram reduzidas linearmente com o aumento das
frequências harmônicas, evitando a saturação do controlador conforme analisado na
seção 6.2.3, iniciando em 15 A de pico com 60 Hz e chegando a 1 A de pico para
30 kHz .
168
Figura 7.10 – Resultados de simulação do sistema completo controlado digitalmente,

sendo ia* as referências de corrente triangulares, iâ as correntes estimadas do EST e
ia as correntes controladas do EST, sob as seguintes condições: (a), (b) e (c) com
fo  60 Hz e (d), (e) e (f) com fo  660 Hz , para três diferentes indutâncias
EST: (a) e (d) La  1  H ; (b) e (e) La  500  H ; e (c) e (f) La  3000  H .
Parâmetros do circuito: E  400 V; LA 420 H;
L  (1, 500, 3000)  H; Ca C A 1 F; R  33  .
a A
7.5 RESULTADOS EXPERIMENTAIS OBTIDOS
Os parâmetros finais usados para os testes experimentais são

dados na Tabela 7.2. Foram usadas duas fontes de alimentação CC em
série para formar o barramento com ponto médio e uma fonte CA
trifásica programável (SUPPLIER INDUSTRIA E COMÉRCIO DE
169
ELETROELETRÔNICOS, 2013) associada a indutores de ferro-silício

de 404 μH para emular o equipamento sob teste (EST).
Tabela 7.2 – Parâmetros finais usados nos experimentos.
Parâmetros Especificações
va Fonte CA trifásica programável
La (EST) Indutor de ferro-silício com 404 μH

LA Indutor de ferrite com 420 μH
Ca , C A Capacitores de filme com 1 μF
RA Resistor de fio com 33 Ω
E Duas fontes CC em série com total de 400 V
fc Frequência de comutação de 66 kHz
fa Frequência de amostragem de 132 kHz
Um Phase-Locked-Loop (PLL) baseado na Teoria PQ (ROLIM et

al., 2006) foi empregado nos terminais do conversor para obter o sinal
de sincronização da tensão vC ,a . O PLL foi projetado com uma largura
de banda de 12 Hz com 55º de margem de fase.
A Figura 7.11 mostra respostas experimentais para degraus de
referência da corrente, para tensão senoidal da fonte trifásica e
referência senoidal de corrente em fase com a tensão. A Figura 7.11(a)
mostra um degrau da corrente de pico de 4 para 8 Ampéres, enquanto
que a Figura 7.11(b) mostra o degrau oposto, de 8 para 4 Ampéres. Pode
ser observada uma rápida resposta dinâmica, com sobre-sinal de
aproximadamente 30%.
A Figura 7.12(a) mostra a CEA-CA operando como um gerador,
ou seja, operação como inversor. A tensão va foi propositalmente
programada para fornecer 5% de quinta harmônica, fazendo com que a
DHT da tensão ficasse em torno de 4,8%, medida até a 40ª harmônica,
conforme a Figura 7.12(b). A referência da CEA foi uma corrente
senoidal pura, em fase com a fundamental da fonte de tensão CA. A
DHT da corrente ficou em torno de 1,94%, enquanto que a máxima
corrente de 5ª harmônica foi abaixo de 1%, conforme a Figura 7.12(c).
170
(a)
va
ia
(b)
va
ia
Figura 7.11 – Formas de onda experimentais mostrando a resposta dinâmica de uma

CEA para degraus de referência da corrente de pico. A corrente ia da EST é
mostrada com a tensão senoidal va para degraus de referência da corrente de (a) 4 A
para 8 A e de (b) 8 A para 4 A. Escalas: corrente ia com 5 A/div; tensão va com
50 V/div.
171
Figura 7.12 – Operação como inversor: (a) formas de onda experimentais da

corrente ia do EST, tensão va do EST, corrente iA do conversor e tensão vC ,a no
capacitor de filtro; (b) Espectro e DHT da fonte de tensão AC; (c) espectro e DHT
da corrente EST. Escalas: corrente ia com 5 A/div; tensão va com 50 V/div.
172
De forma similar, a CEA foi testada operando como um

retificador, drenando uma corrente senoidal pura do EST. As formas de
onda medidas estão apresentadas na Figura 7.13(a). O espectro da tensão
CA pode ser visto na Figura 7.13(b), que mostra 5% de 5ª harmônica,
enquanto a corrente EST apresenta todas as correntes harmônicas
individuais abaixo de 1% e uma DHT de aproximadamente 1,57%.
Estes resultados mostram que o esquema de controle proposto é
capaz de rejeitar distúrbios do lado da alimentação CA. Esta
característica pode beneficiar aplicações de testes em inversores de uso
geral, sistemas retificadores e UPS.
A capacidade de controle das formas de onda da corrente da
CEA-CA é exemplificada nos resultados experimentais apresentados na
Figura 7.14. As formas de onda sintetizadas são drenadas da fonte CA
programável que está fornecendo tensões puramente senoidais com um
valor eficaz de 110 V.
Na Figura 7.14(a) é mostrado a CEA drenando uma corrente com
formato triangular. As amplitudes programadas do espectro da corrente
são mostradas na Figura 7.14(b), com as correspondentes amplitudes
harmônicas reais drenadas. A relação ou ganho das harmônicas geradas
com aquelas programadas é visto na Figura 7.14(c). A 23ª harmônica
apresenta um ganho de +3 dB sobre sua referência. Uma região muito
plana é observada até a 11ª harmônica da corrente.
Onze harmônicas foram programadas para emular um retificador
monofásico com fator de crista de FC3,11 , como mostrado na Figura
7.15(a) e Figura 7.15(b). O ganho calculado das harmônicas é
apresentado na Figura 7.15(c).
Finalmente, o comportamento de um retificador trifásico típico,
com indutor de filtragem no lado CC, é emulado pela CEA-CA. As
formas de onda obtidas são mostradas na Figura 7.16(a) e as amplitudes
das correntes harmônicas programadas e medidas estão apresentadas na
Figura 7.16(b). A curva de ganho está na Figura 7.16(c), onde uma
região plana é observada até a 21ª harmônica.
Os resultados apresentados mostram que a CEA proposta é capaz
de realizar o controle de correntes harmônicas sobre uma faixa que é de
grande interesse para teste de equipamentos industriais e, portanto,
possibilita a construção de sistemas de teste altamente flexíveis e
eficientes.
173
Figura 7.13 - Operação como retificador: (a) formas de onda experimentais da

corrente ia e tensão va do EST, corrente iA do conversor e tensão vC ,a no
capacitor de filtro; (b) Espectro e DHT da fonte de tensão AC; (c) espectro e DHT
da corrente EST. Escalas: corrente ia com 5 A/div; tensão va com 50 V/div.
174
Figura 7.14 – CEA-CA operando com espectro programado da corrente para uma
referência de corrente com as harmônicas de uma onda triangular: (a) forma da
corrente ia e tensão alternada va do EST, tensão vC ,a no capacitor do filtro e a
corrente iA no indutor da CEA; (b) amplitudes harmônicas das correntes
programadas e medidas; (c) ganho do espectro de corrente. Escalas: correntes ia e

iA com 5 A/div; tensão va e vA com 50 V/div.
175
referência de corrente emulando um retificador monofásico típico: (a) formas de
onda no tempo para ia , va , vC ,a e i A ; (b) amplitudes harmônicas das correntes
programadas e medidas; (c) ganho do espectro de corrente. Escalas: correntes ia e
iA com 5 A/div; tensão va e vA com 50 V/div.
176
referência emulando um retificador trifásico típico: (a) formas de onda no tempo
para ia , va , vC ,a e i A ; (b) amplitudes harmônicas das correntes programadas e
medidas; (c) ganho do espectro de corrente. Escalas: correntes ia e i A com 5 A/div;
tensão va e vA com 50 V/div.

177
7.6 CONCLUSÕES
Conforme discutido neste capítulo, as implementações de

controladores digitais adicionam novos desafios ao projetista, devido às
limitações de velocidade dos processadores atuais e aos tempos de
atraso inerentes aos processos de amostragem e de atualização das
razões cíclicas. Devido a estes fatores, somente foi possível manter uma
largura de banda adequada, e obter resultados experimentais
semelhantes aos obtidos no sistema analógico (Capítulo 6), através da
redução destes tempos de atraso, com o aumento das frequências de
comutação e de amostragem.
No caso do hardware desenvolvido, e apresentado neste capítulo,
o fator limitante do aumento da frequência de comutação não está nos
seus interruptores, que por serem de última geração apresentam baixas
perdas nestas condições, mas na limitação de velocidade do processador
(DSC) utilizado. Mesmo sendo o processador de mais alto desempenho
da sua categoria, fabricado pela Texas Instruments, as operações
necessárias para os cálculos das variáveis do elaborado sistema de
controle despendem um tempo demasiado longo, não suportando a
implementação do controle das três fases do conversor sem um estudo
aprofundado de otimização.
Os resultados experimentais apresentados indicam que o sistema
proposto foi capaz de emular cargas com conteúdo harmônico genérico,
validando os estudos efetuados e alcançando os objetivos iniciais
propostos.
Não foram apresentados resultados do conversor operando
simultâneamente com as três fases na conexão a quatro fios (três fases e
neutro), mas como os hardwares das fases são idênticos, permite
concluir que o sistema também é capaz de operar com correntes
genéricas e desequilibradas, por exemplo, operando com as correntes
mostradas na Figura 7.14, Figura 7.15 e na Figura 7.16, em qualquer
uma das fases.
178
179
8 CONCLUSÕES GERAIS
Neste capítulo final se pretende relacionar os estudos efetuados e

avaliar os resultados alcançados em cada etapa deste trabalho. Algumas
investigações que ainda não foram realizadas são sugeridas como
trabalho futuro.
8.1 ANÁLISE FINAL DOS RESULTADOS
No Capítulo 1 foram apresentadas as motivações para a escolha

do tema deste trabalho, os conceitos básicos que definem uma carga
eletrônica ativa, suas aplicações e as contribuições obtidas no decorrer
do desenvolvimento deste trabalho.
No Capítulo 2 foi apresentada uma revisão bibliográfica sobre o
tema, indicando que poucos trabalhos foram encontrados sobre cargas
ativas em corrente alternada e nenhum apresentou a capacidade de
emular cargas genéricas. Neste capítulo foram sugeridas algumas
classificações para as CEA encontradas na literatura ou em catálogos de
fabricantes, agrupadas quanto às suas topologias, tipos de fonte de
entrada e características de emulação de carga, indicando claramente
qual delas seria tratada neste trabalho. Foram encontrados inúmeros
fabricantes de CEA para corrente contínua, ao passo que poucos deles
forneciam estes equipamentos para aplicações em corrente alternada.
No Capítulo 0 foram comparadas e analisadas as topologias de
conversores três níveis do tipo NPC e NPCm, quanto aos seus esforços
de tensão e corrente nos semicondutores. Foi constatado que o conversor
NPC exige uma capacidade de corrente desigual nos seus interruptores,
enquanto que o NPCm necessita de capacidades diferentes de bloqueio
de tensão aplicada. Em função destes esforços e dos objetivos deste
trabalho, foram ensaiados e aplicados semicondutores no estado da arte,
como os recém lançados no mercado mundial, os diodos e os
transistores (JFET) de Carboneto de Silício (SiC). Deste estudo
verificou-se que, para as especificações deste estudo, a topologia NPCm
provê alta eficiência, sendo escolhido como estágio de potência da
CEA-CA.
Seguindo o trabalho, no Capítulo 4 foram calculadas as perdas
totais de condução e de comutação, para cada um dos semicondutores
utilizados nos dois conversores. Neste capítulo é apresentado o
comportamento destas perdas em função da corrente de saída e em
180
função do ângulo de defasagem. O rendimento do conversor NPC variou

menos do que o do NPCm, para a variação de 0 a  do ângulo da
corrente, mas no conversor NPCm foi atingido um melhor rendimento
em toda a faixa de operação. Com isso, foi constatado que o NPCm
pode operar com uma frequência de comutação mais elevada (60kHz)
do que o NPC (40kHz), para atingir o mesmo rendimento, e assim,
permitindo que a indutância de entrada seja reduzida na mesma
proporção (33,3%), reduzindo o seu volume. Se as indutâncias tiverem o
mesmo valor o conversor escolhido operará com uma menor ondulação
de corrente.
No Capítulo 5 foi apresentada uma breve revisão bibliográfica
dos sistemas de controle encontrados na literatura, aplicados a carga
eletrônica ativa, mostrando que poucos trabalhos são propostos com o
intuito de controlar correntes não-lineares, mesmo assim com perfis pré-
definidos. Ainda sobre os sistemas de controle encontrados, quase todos
os trabalhos aplicam os tradicionais controladores do tipo proporcional-
integral, excetuando-se dois que usam controladores por histerese e
outros dois que usam controladores repetitivos. Neste capítulo foi
desenvolvida a modelagem no Espaço de Estados do sistema CEA, cujo
esquema de controle proposto utiliza realimentação de estados e
observador para a corrente do equipamento em teste, com o objetivo de
obter alto desempenho no controle de correntes com fator de crista
elevado.
Diversos resultados obtidos por simulação são apresentados no
Capítulo 6, dentre eles a dos esforços de corrente em cada um dos
dispositivos semicondutores dos conversores NPC e NPCm,
comprovando os valores obtidos matematicamente no Capítulo 0.
Também são apresentados neste capítulo os resultados de simulação do
conversor operando em malha fechada, inicialmente com um filtro de
primeira ordem (L) e controlador PI e depois com filtro de 3ª ordem
(LCL) e controlador com realimentação de estados (RE) e Observador
de Estados de Luenberger (OE). Para o primeiro foram mostrados
resultados de simulação com o controle de correntes com frequências
múltiplas da fundamental, apresentando as dificuldades inerentes devido
ao crescimento proporcional da impedância do filtro, que leva a
saturação do controlador. Para o segundo controlador foram
apresentados resultados de simulação mostrando o comportamento
transitório a degraus positivos e negativos de referência, demonstrando
uma grande capacidade de resposta dinâmica. Tensões alternadas
distorcidas por componentes de 5ª harmônica foram aplicadas para
181
demonstrar a capacidade do sistema de controle de rejeitar esta

perturbação e controlar correntes senoidais a 0 e 180º de fase. Ainda
neste capítulo, correntes de formato triangular e correntes típicas de
retificadores monofásicos e também trifásicos são impostas ao EST,
mostrando a capacidade da CEA de emular cargas com conteúdo
harmônico genérico.
No Capítulo 7 é apresentado o hardware desenvolvido para o
protótipo da CEA-CA, bem como os algoritmos do programa de
controle digital implementado. Uma discussão sobre os problemas ou
desafios dos sistemas com controle digital, particularmente sobre os
efeitos dos atrasos inerentes da amostragem e das atualizações dos sinais
PWM, que refletem em perdas da banda passante do controle. Na
sequência, o comportamento em frequência e frente à variações da
indutância do EST são mostradas e analisadas, indicando uma ampla
banda passante e uma boa robustez do sistema proposto as variações
deste parâmetro. Por fim, resultados experimentais são apresentados,
com o protótipo impondo correntes a uma fonte CA programável
comercial. A CEA foi capaz de impor os mesmos formatos das correntes
apresentadas no Capítulo 6, ou seja, correntes triangulares e correntes
típicas de retificadores monofásicos e trifásicos. Além disso, apresentou
uma alta dinâmica nas respostas ao degrau e ótima rejeição às
deformações harmônicas da tensão senoidal do EST, em especial a 5ª
harmônica, controlando correntes senoidais com baixa distorção
harmônica total (DHT).
8.2 SUGESTÕES DE INVESTIGAÇÃO
Os estudos apresentados neste trabalho mostraram que o sistema

proposto para a emulação de cargas genéricas atendeu os requisitos
propostos previamente. Entretanto, durante o seu desenvolvimento e
após alguns desafios enfrentados, foram observadas novas
possibilidades de continuidade das investigações, tais como:
 Obtenção de resultados experimentais das perdas do conversor
NPCm, com o intuito de validar o estudo realizado no
Capítulo 4. Tais experimentos não foram realizados devido às
limitações dos equipamentos disponíveis;
 Estudo de quanto os atrasos de propagação dos drivers (de 350
a 900 ns) e as suas perdas de pulsos estreitos (menores que 2
μs) afetam o desempenho da CEA;
182
 Analisar os limites práticos de amplitude das tensões de

entrada que não afetem significativamente o desempenho de
controle. Na seção 6.2.2 é obtida uma expressão para o
máximo valor teórico, em função da tensão de barramento e
da corrente de pico desejada. É necessário também investigar
o mínimo valor que o PLL ainda consiga operar;
 Estudo e experimentação de outras técnicas de controle, tais
como controle repetitivo e controle vetorial;
 Investigar a interação entre os conversores responsáveis pela
emulação de carga e o responsável pelo controle das tensões
do barramento CC, quando da ocorrência de oscilações ou
desequilíbrios destas tensões ou quando de variações bruscas
de corrente ou emulação de correntes com alto fator de crista;
 Modelar e analisar o comportamento da CEA proposta quando
aplicada a ensaios de equipamentos comutados, tais como
UPS e fontes de alimentação, com diferentes parâmetros de
saída (topologias dos filtros e frequência de comutação).
 Analisar e implementar a operação da CEA sob conexão a três
fios, com a imposição de correntes de sequência positiva,
negativa e zero.
 Analisar e implementar uma versão do controle proposto
através de uma abordagem de controle multivariável para o
conversor trifásico, afim de avaliar possíveis vantagens em
relação ao processamento digital.
183
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194
195
APÊNDICE A - PROJETO DO CONVERSOR NPCm

196
A. PROJETO DO CONVERSOR NPCm
O projeto completo do conversor NPCm envolve a definição dos

circuitos de comando, medição e proteção, os cálculos para definição de
componentes diversos e a especificação comercial destes componentes a
serem usados.
Devido às características desejadas para o conversor, de alto
rendimento e alta densidade de potência, as quais levaram a parâmetros
de projeto como alta frequência e reduzidos tempos de comutação, os
seguintes critérios foram adotados para o projeto:
 Minimizar o volume dos indutores, operando com frequência
de comutação de no mínimo 40 kHz.
 Minimizar o volume dos dissipadores, reduzindo ao máximo
os tempos de comutação e utilizando interruptores de baixas
perdas.
 Minimizar os efeitos de interferência eletromagnética (EMC),
devido a frequência e aos tempos de comutação, projetando
um layout com múltiplas camadas (quatro) e usando
componentes de montagem superficial (SMD).
 Minimizar a área da placa de circuito impresso, distribuindo
os componentes nas duas camadas externas.
A seguir são apresentados os projetos de cada uma das partes que
compõem o conversor NPCm.
A.1. PROJETO DE DISSIPAÇÃO TÉRMICA DOS

INTERRUPTORES
De posse dos valores de potência dissipada por cada componente
semicondutor, para os diferentes valores de defasagem da corrente, é
possível determinar qual é o mínimo valor necessário de resistência
térmica do dissipador para que nenhum componente tenha seu limite de
temperatura interna de junção ultrapassado.
Considerando um único dissipador por fase, teremos oito
semicondutores, quatro diodos e quatro transistores, transferindo calor.
Cada semicondutor transferirá diferentes valores de potência de perdas
para o dissipador, através das respectivas resistências térmicas junção-
cápsula e cápsula-dissipador, conforme é mostrado na FiguraA.1.
197
FiguraA.1– Circuito elétrico equivalente, por fase, da dissipação térmica dos

semicondutores para o dissipador
Como as resistências térmicas junção-cápsula ( R jc ) dos

semicondutores podem ser obtidas nos catálogos dos fabricantes, então,
utilizando-se como isolante elétrico dos encapsulamentos tipo TO247
um material cerâmico, com resistência térmica cápsula-dissipador ( Rcd )
conhecida, e atribuindo a temperatura ambiente máxima ( Ta ), é possível
calcular as temperaturas das cápsulas ( Tc ) e das junções semicondutoras
( T j ) para o valor da resistência térmica dissipador-ambiente ( Rda ) do
dissipador escolhido.
A Tabela A.1 apresenta os resultados obtidos no cálculo das
temperaturas citadas, para três diferentes ângulos de defasagem da
corrente, sendo utilizados os dados de catálogo abaixo:
 Transistores SiC JFET ( S p / n ): Rjc = 0,6 °C/W; Tj,nom=125
°C ; Tj,max=175 °C ;
198
 Transistores Si IGBT ( S01/02 ): Rjc = 0,64 °C/W; Tj,nom=150

°C ; Tj,max=150 °C ;
 Diodos SiC Schottky ( Dp / n ): Rjc = 0,5 °C/W ; Tj,nom=125 °C ;
Tj,max=175 °C ;
 Diodos Si Stealth® ( D01/02 ): Rjc = 0,75 °C/W ; Tj,nom=125 °C ;
Tj,max=175 °C ;
 Isoladores cerâmicos: Rcd = 0,5 °C/W;
 Dissipador Fischer Elektr. LAM4-125mM12V: Rda = 0,7
°C/W;
 Temperatura ambiente considerada: Ta = 40 °C
Tabela A.1 - Temperaturas de junção, cápsula e dissipador para diferentes ângulos

de defasagem da corrente.
  0 rad    2 rad    rad

Td  77, 6 o C Td  77,3 o C Td  74,3 o C
Pdis Tj Tc Pdis Tj Tc Pdis Tj Tc
W o
C o
C W o
C o
C W o
C o
C
S p/n 19,4 98,9 87,3 6,9 84,9 80,7 0,0 74,3 74,3
S01/02 4,0 82,1 79,6 11,8 90,7 83,2 14,1 90,4 81,4
Dp / n 0,0 77,6 77,6 1,9 79,2 78,2 6,9 81,2 77,8
D01/02 3,5 82,0 79,3 6,0 84,8 80,3 3,5 78,7 76,1
Como pode ser observado, em todos os casos calculados as

temperaturas de junção ( T j ) são menores que 100 °C, ficando longe das
temperaturas máximas de junção ( T j ,max ) permitidas para os
componentes, que é de 150 °C para os IGBT e 175 °C para os demais
semicondutores.
199
A.2. PROJETO DO INDUTOR DE ENTRADA

Para o cálculo do indutor boost serão considerados os seguintes
parâmetros:
Tabela A.2 - Parâmetros de projeto da carga eletrônica ativa.

Potência Aparente por Fase S A  3,5 kVA
Tensão Eficaz Fundamental de Fase no ponto VA1,rms  220 V
A
Tensão mínima de entrada em 85% da nominal Vin,min  85% Vin
Frequência Fundamental da Tensão de Saída f A1  60 Hz
Frequência da Portadora para Modulação f p  40 kHz
PWM
Tensão Total Nominal do Barramento CC E  800 V
Tensão mínima de barramento CC Emin  720 V
Ondulação máxima da corrente no indutor iA,max  20%  iA, pk
Assim, a tensão mínima de pico na entrada será:
Vin, pk  0,85  220  2  264, 46 V (A.1)
Para que seja mantida a potência de entrada constante a corrente

de pico será alterada pelo mesmo fator:
I A, pk  22,5 / 0,85  26, 47 A (A.2)
Sendo a ondulação máxima de corrente de 20%, temos que:

I A  0.2  I A, pk  5.29 A (A.3)
A expressão da ondulação de corrente normalizada pode ser

obtida a partir de (SOUZA, 2000), para a modulação três níveis, dada
por:
2  LA  I A  f s
I A     KV  sen( )  KV 2  sen( )2 (A.4)
E
Sendo:
200
Vin, pk
KV   0,367
E
E o ângulo  definido no intervalo 0     .
A Figura A.2 representa a expressão (A.4) para diferentes valores

de KV , variando-se o ângulo  . Para o valor de KV calculado acima,
o máximo valor de ondulação ocorrerá em  2 , sendo igual a
0, 2324 .
0.255
0.204
I L_(  0.778)
I L_(  0.65) 0.153
I L_(  0.5)
I L_(  0.367)0.102
0.051
0
0 50 100 150
180


Figura A.2 – Ondulação (pico-a-pico) parametrizada da componente de alta

frequência da corrente no indutor boost para um semi-ciclo da rede.
Max
Considerando um valor de I A  0, 25 , o valor do indutor
boost pode ser encontrado pela expressão (A.5).
Max
I A  E
LA   425 μH (A.5)
2  I A  f s
201
A.3. PROJETO DO FILTRO DO BARRAMENTO CC
A seguir está apresentada a planilha do Mathcad®, com o projeto

dos capacitores de barramento:
ESPECIFICAÇÃO DOS CAPACITORES DE BARRAMENTO C.C. EM

FUNÇÃO DAS SUAS PERDAS E DA VIDA ÚTIL
Considerando uma Carga Eletrônica Ativa (CE A), composta por um retificador
trifásico de três niveis tipo NPCm e um inversor trifasico de dois niveis VS I conectados
entre si (back-to-back) e a rede de energia, conforme é mostrado na Fig.1.
Muitas condições diferentes de operação foram simuladas na ferramenta PS IM
para se obter aquela que apresentava o maior valor eficaz de corrente nos capacitores de
barramento CC, considerando estado de regime permanente.
A condição que apresenta o maior valor eficaz de corrente é quando o retificador
NP Cm opera com corrente nominal em uma fase e nula nas demais, ou seja, operando
somente com uma das fases, enquanto que o inversor transfere esta energia para a rede.
Esta condição foi simulada no P SIM, considerando os seguintes parâmetros:

 Corrente de pico de fase do retificador = 22,5A
 Frequência de comutação do retificador = 40kHz
 Tensão de pico de fase do transformador = 311V
 Tensão do baramento cc = 800V
 Corrente de pico de fase do inversor = 22,5/3A
 Frequência de comutação do inversor = 20kHz
 Tensão de pico de fase da rede = 311V
 Frequencia da rede = 60Hz
Fig.1 - Circuito de simulação no PSIM para obtenção da corrente eficaz maxima de

regime permanente no capacitor do barramento CC.
202
A Fig.2 mostra a forma de onda da corrente do capacitor de barramento, obtida pela

simulação.
Os pontos obtidos por simulação, para somente um período de red e, foram salvos
em arquivo texto e util izados abaixo (T abela Mp) para o calculo das perdas no capacitor e
sua vida util.
Fig.2 - Forma de onda da corrente de regime permanente no capacitor do

barramento CC.
TABELA DE PONTOS DA FORMA DE ONDA DA CORRENTE
A T abela de pontos "M p" é a próprio arquivo ".txt" gerado pelo PS IM/Simview,
simulando com apenas o probe da corrente do capacitor do barramento cc.
Mp 
0 1
0 0.05 1.963·10-4
1 0.05 7.264·10-4
2 0.05 1.237·10-3
3 0.05 1.767·10-3
4 0.05 2.297·10-3
5 0.05 2.827·10-3
6 0.05 3.357·10-3
7 0.05 3.887·10-3
8 0.05 4.417·10-3
9 0.05 4.948·10-3
10 0.05 ...
Frequência de amostragem: Numero de pontos:
 
1
fs   1.613 107 Np  rows Mp  8  105
Mp  Mp
1 0 0 0
Periodo de amostragem: Frequência da rede:

1
ts  f  60
fs
203
Número de pontos por ciclo de rede: Número máximo de harmônicas:

 fs 
Ns  ceil   2.68818 105 hmax  50
f
Cálculo da amplitude das harmônicas da corrente:
AM Ph  for h  1  hmax
Ns 1
 cos  2 hn  M  2 
REAL 
     
  Ns  pn  1  Ns 
n0
Ns 1
 sin 2 hn  M  2 
IM AG       
  Ns  pn  1  Ns 
n0
2 2
REAL  IM AG
AM Ph 
2
Amplitude da componente fundamental da corrente:
AM P1  AM P1  7.922
A Fig.3 mostra o espectro harmônico da corrente, podendo-se escolher a forma de

apresentação pelos bo tôes abaixo:
 RMS




  % Fundamental



  Ordem h




  Freqüência (kHz)




op  1 op2  1
k  1 if op 1 k2  1 if op2 1
1 60
100 otherwise otherwise
AM P1 1000
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 5 10 15 20
Fig.3 - Espectro harmônico da corrente no capacitor do barramento CC.

4
3
2
1
0
0 5 10 15 20
204
Calculo das componentes em frequência:
Nharm  ceil
 Ns   1.076 103
 250 
i  1  Nharm
 1
CORRc  Mp A
HARMI  2 CFFT  CORRc

HI  HARMI
i i
1 1
ffund  f   60
Ifund  HI  2.439 10 4 A s s
1
Output capacitor current spectrum

10
Current [A rms]
1
0.1
0.01
3
110
4
110
0.01 0.1 1 10 100
Frequency [kHz]
ESCOLHA DO CAPACITOR A SER UTILIZADO:

Quatro capacitores ele troliticos diferentes foram considerados pa ra comparação
das perdas e vida útil. Em função do modelo escolido se obtém do catálogo os parâmetros
mostrados abaixo.
Em virtude de possuirem tensão nominal de 250V os dois primei ros tipos devem
ser associados em paralelo e em série (2// em serie com 2//), con siderando então um
capacitor equivalente de 500V e com o dobro da capacidade de corrente AC maxima de
uma unidade (são necessários 4 capacitores em cada metade do barramento).
O dois ultimos tipos de capacitores não necessitam de associação, por possuirem
tensão nominal de 50 0V e 450V, respectivamente (é necessário 1 capacitor em cada
metade do barramento).
 Cap ac_tip o

 CR 
  
 ESRmax  EPCOS B43501-C 2108-M
 VR 
EPCOS B43504-A2108-M CR  CR F
  EPCOS
EPCOS
B43510-A6108-M
B43584-B 5108-M ESRmax  ESRmax
VR  VRV
Cap ac_tip o  1
205
 IACmax 
 
 To 
  
 Lo  EPCOS B43504-A2108-M
IACmax  IACmaxA
 T 
VR =250V - IAC max=8.4A
 n 
Cap ac_tip o
CR  1  10 3 F o C)
Rated capacitance (@100Hz e 20
ESRmax  0.13
VR  500 V
IACmax  16.8A Max ripple at 100Hz (@100Hz e o40
C)
To  85 Rated temperatureo(C)
Lo  6.5  103 Lifetime under rated temperature and rated voltage

(85o C ; Iac/Iac,r =1,0)
Tn  45 Expected ambient temperature
T o  5 Temperature rise with rated ripple current (typical value)
Acc  10 Acceleration coefficient of temperature rise (typical value)
OBTENÇÃO DE EQUAÇÕES DE RETAS DE APROXIMAÇÃO DA

CURVA K ESR X freq
A s eguir são obtidos os polinômios aproximados que repres entam a
variação de ESRf parametrizada x Frequencia do ripple de corrente nos
capacitores do barramento. A Fig.xx (a) e (b) mos tram es ta caracteristica de
variação de ESR obtida dos catálogos.
Fig.5 - Caracteristica de E SR em função da frequencia, para (a) capacitor

B43584 e (b) capacitor B43501.
206
PONTOS EXTRAIDOS DA CURVA PONTOS EXTRAIDOS DA CURVA

ESRF / ESR100 DO CAPACITOR ESRF / ESR100 DO CAPACITOR
B43564 / B43584: B43504 / B43501:
 20 
   3.993  40   2.077
 30   2.511  50   1.647
 40   2.104    
 50   1.622  100   0.997
 100   0.993  200   0.674
     300   0.563
 200   0.715 freq_2   500 KESR_2   0.461
freq   300  KESR   0.622    
 500   0.548  1000   0.388
 1000   0.474  2000   0.359
     5000   0.340
 2000   0.474  8000   0.340
 5000   0.474    
 10000  0.340
 8000   0.474
 10000  0.474
   
EQUAÇÕES DAS RETAS DE APROXIMAÇÃO DA CURVAESR

K X freq PARA O
CAPACITOR B43564/584 (PIOR CASO)
:
   ffund 
ffund
y3( i)  2.840  0.4011lni 
y1( i)  14.9423 3.6550ln i   ( 1Hz) 
 1Hz 
 ffund   ffund 
y2( i)  6.7996 1.2609lni  y4( i)  1.5084 0.1497lni 
 ( 1Hz)   ( 1Hz) 
y5( i)  0.474
A Fig.6 mostra os pontos obtidos das curvas (ESR x f) e as retas de aproximação.

Pode-se perceber a boa aproximação entre os mesmos.
Kri  y1 ( i) if iffund  30Hz
y2( i) if 30Hz  iffund  100Hz
y3( i) if 100Hz  iffund  200Hz

y4( i) if 200Hz  iffund  1000Hz
Kr1  1.637
y5( i) if iffund  1000Hz
207
ESR em função da Frequência
ESR parametrizado (pontos e aproximação por retas)

6.4
5.375
4.35
3.325
2.3
1.275
0.25
110
4
10 100 1000
Frequencia [Hz]
Fig.6 - Caracteristica de ESR em função da frequencia: retas de aproximação e

pontos obtidos para o capacitor B43584 e o capacitor B43501.
Utilizando-se das retas de aproximação anteriores pode-se calcular o valor de ESR

para cada frequencia harmônica desejada e a respectiva potência associada.
A Fig.7 mostra as perdas no capacitor escolhido em função da frequencia.
ESRi  KriESRmax ESR para cada frequencia harmônica
Pi  ESRi HI
i   2
Potência para cada frequencia harmônica
ESR losses vs. frequency

100
10
1
0.1
Losses [W]
0.01
3
110
4
110
5
110
6
110
7
110
8
110
0 10 20 30 40 50 60 70 80
Frequency [kHz]
Fig.7 - Perdas no capacitor em função da frequencia.
208
P2min  
 ESRi HIi 
2
Perdas ESR estimadas com o espectro da
 corrente e o ESR estimado.
 i 
P2min  7.37W
2
 HI 

i
In   Kri  "S ynthetic ripple"
 
i
In  12.417A
2
  In Elevação estimada de temperatura
T n    T o
 IACmax 
T n  2.731
CALCULO DA VIDA UTIL DOS CAPACITORES DE BARRAMENTO

:
T oT n  T n
Lifehours  Lo 2 10
2 Acc Vida util estimada em horas
Lifehours  86.063 103
Lifehours
Lifeyears 
36524 Vida util estimada em anos
Lifeyears  9.825
CALCULO DAS RE SISTÊNCIAS DE E QUALIZAÇÃO DE CARGA PARA OS

CAPACITORE S DE BARRAME NTO:
As resistências de equalização de carga, para que sejam efetivas, precisam ser

calculadas de forma que seu valor façam circular uma corrente da ordem de 5 a 10 vezes a
corrente de perdas internas (leakage current).
Segundo o manual do fabricante (EP COS Aluminum Electrolytic Capacitors Data
Book, 2003, pg. 34), estes valores podem ser calculados, para uma temperatura de 20
graus Celcius, como segue:
UR  250V Tensão nominal do capacitor
Para os capacitores tipo " Long Live" (LL grade):
 A
CRUR  1A  126  10 6 A
0.0005
ILL_leak 
F V
Para os capacitores tipo " General P urpose" (GP grade):
0.001A
IGP_leak  CRUR  3A  253  10 6 A
F V
209
Para os capacitores tipo " General P urpose" (GP grade):
0.001A
IGP_leak  CRUR  3A  253  10 6 A
F V
De acordo com o manual do fabricante, estes valores devem ser corrigidos para a
temperatura de operação, pelos seguintes fatores:
Temperatura [ºC] 0 20 50 60 70 85 125

Fator KT 0.5 1 4 5 6 10 12.5
Neste caso: KT  5
Outra correção necessária está relacionada a operação com uma tensão menor do
que a nominal do capacitor, conforme a tabela abaixo:
Tensão de operação [% UR] 20 30 40 50 60 70 80 90 100

Fator KV [% Ileak] para LL 8 14 17 23 30 40 50 70 100
Fator KV [% Ileak] para GP 3 6 9 14 18 25 40 50 100
Neste caso, como os capacitores são "LL grade" de 250V e estarão operando
com 200V (80% do valor nominal):
Uoper  80% UR  200 V
KV  50%
Assim, a corrente de perdas resultará em :
ILL_leak_k  ILL_leakKTKV  315  10 6 A
As resistências de equalização podem enfim serem calculadas:
Uoper
Requal   126.984 103 
5 ILL_leak_k
A potência dissipada em cada resistência de equalização será:

2
Uoper
PRequal   0.315W
Requal
210
211
A.4. PROJETO DOS CIRCUITOS DA CARGA ELETRÔNICA

ATIVA CEA-CA
 Diagrama elétrico do circuito de potência;

 Diagrama elétrico do circuito de driver;
 Diagrama elétrico do circuito de medição das tensões;
 Diagrama elétrico do circuito de medição das correntes;
 Diagrama elétrico do circuito digital 1;
 Diagrama elétrico do circuito digital 2;
 Diagrama elétrico do circuito da fonte auxiliar.
1 2 3 4
212
Cf2
Filtro Rf1
VA
Rede380V/60Hz 1uF 33
1 5
B1 Rin Rout Cf1
3W
B2 Cf4
B3 1uF Rf2
VB
B4 1uF 33
A 2 6 A
B5 Sin Sout Cf3
3W Cf6
Rf3
VC
3 7 1uF 1uF 33
Tin Tout Cf5
3W
VN
4 8 1uF
Nin Nout
Filtro Modo Comum Cf7 Cf8 Cf9 Cf10

PE 22nF 22nF 22nF 22nF
+5V
7
8
B B
LTSP25_A
0
+
6 1
6 1 Até +400V
LA 5 2
5 2 B6
1 2 4 3
VA 4 3 2W VBUS+
Sp_B Sp_C
ref
M
420uH Rb1 220k
Dp_A G_S01_A
9
D02_A Rg2S01A
10
Sp_A
S_S01_A
Dp_B
10k
Dp_C
Cdc1
Cdc2
IRG4PC50W
1000uF
1000uF
RaMa 10k Rb2

G_Sp_A 10k 10k Cf11
S01_A Cf13 Cf15
Rg2SpA Rg2SpB Rg2SpC S02_A Rb3
G_Sp_B
G_Sp_C
33nF
+5V D01_A 33nF 33nF
S_Sp_A S_Sp_C Rg2S02A
7
8
S_Sp_B G_S02_A G_S01_B
Cdc3
Cdc4
10k
1000uF
1000uF
LTSP25_B D02_B Rg2S01B Rb4
0
LB
+
S_S01_B
1 2 6 1 10k
VB 6 1
5 2
420uH 5 2
4 3 S01_B
4 3 S02_B B7
C C
ref
M
D01_B Rb5 VBUSgnd
Rg2S02B
9
10
G_S02_B G_S01_C
Cdc5
Cdc6
10k
1000uF
1000uF
RbMb D02_C Rg2S01C Rb6

S_S01_C
+5V 10k
Sn_B Sn_C Rb7 Cf12 Cf14 Cf16
7
8
33nF 33nF 33nF
G_Sn_C
G_Sn_B
G_Sn_A Sn_A
S02_C S01_C
LTSP25_C
0
+
LC
1 2 6 1 D01_C
Cdc7
Cdc8
VC 6 1 Dn_A
1000uF
1000uF
5 2 10k 10k Rg2S02C Rb8

10k
Dn_B
420uH 5 2 G_S02_C
Dn_C
4 3 10k
4 3 Rg2SnA Rg2SnB Rg2SnC
ref
M
Até-400V
9
10
B8
Montar pertodosHall VBUS-
RcMc
+5V +5V +5V
D Titulo: CargaEletrônicaAtivaTrifásicaCEA-CA D
Ca18 Ca19 Ca20 CircuitodePotência
100nF 100nF 100nF Folha: Autor: Revisão
A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
Arquivo: C:\DocumentsandSettings\..\Power_Rectifier.SchDoc Folha 1 de 7
1 2 3 4
1 2 3 4
G_Sp_A G_Sp_B G_Sp_C
+15V 10nF +15V 10nF +15V 10nF
RgSp_A
RgSp_B
RgSp_C
DgSp_A
DgSp_C
180 180 180
FDLL4148
DgSp_B
FDLL4148
FDLL4148
Cd7 Drv1 Cd8 Drv2 Cd9 Drv3

1206
CgSp_A
CgSp_B
CgSp_C
A 100nF 9 1 100nF 9 1 100nF 9 1 A

VS CTOP VBUS+ VS CTOP VBUS+ VS CTOP VBUS+
10 2 10 2 10 2
GND GT GND GT GND GT
3 3 3
ET S_Sp_A ET S_Sp_B ET S_Sp_C
7 7 7
TP TP TP
11 11 11
TP_Sp_A BT TP_Sp_B BT TP_Sp_C BT
+15V 8 +15V 8 +15V 8
ER BT_S01_B ER ER
6 6 6
BT_S01_A RST ER_B1 RST BT_S01_C RST
Rc1 4 Rc2 4 Rc3 4
1K ER_A1 T11 1K Drv2_T11 T11 1K ER_C1 T11
5 16 5 16 5 16
T12 CBOT VBUSgnd Drv2_T12 T12 CBOT VBUSgnd T12 CBOT VBUSgnd
13 15 13 15 13 15
T21 GB G_S01_A Drv2_T21 T21 GB G_S01_B T21 GB G_S01_C
12 14 12 14 12 14
T22 EB S_S01_A Drv2_T22 T22 EB S_S01_B T22 EB S_S01_C
SKHI20opA SKHI20opA SKHI20opA
+15V TD1 TD2
PS1 3 3 Drv3_T11
S1a Drv5_T11 S1a Drv4_T11
1 1 2 1 2 Drv3_T12
T11 Pa S1b Drv5_T12 Pa S1b Drv4_T12
2 Drv3_T21
T12 Drv4_T21
7 Drv3_T22
Cd5
Cd6
+VS Drv4_T22
B 3 6 5 6 5 B
T21 Pb S2a Drv5_T21 Pb S2a
8 4 4 4
GND T22 S2b Drv5_T22 S2b
5
33uF
100nF
ADT1
6
ADT2
Aux Power Supply*
G_Sn_A G_Sn_B G_Sn_C

**Emtodososdriver Top: Montar resistor de6R8 em RGTOP
**Emtodososdriver Bot: Montar resistor de6R8 (RGBOT) eemparaleloum1N4148
10nF 10nF 10nF
CgSn_A
CgSn_B
CgSn_C
RgSn_A
RgSn_B
RgSn_C
DgSn_B
DgSn_C
DgSn_A
+15V +15V +15V
180 180 180
Cd10 FDLL4148 Cd11 FDLL4148 Cd12 FDLL4148

Drv4 Drv5 Drv6
100nF 9 1 100nF 9 1 100nF 9 1
VS CTOP S_Sp_A VS CTOP S_Sp_B VS CTOP S_Sp_C
10 2 10 2 10 2
GND GT GND GT GND GT
3 3 3
C ET VBUS- ET VBUS- ET VBUS- C
7 7 7
TP TP TP
11 11 11
TP_Sn_A BT +15V TP_Sn_B BT TP_Sn_C BT
+15V 8 8 +15V 8
ER BT_S02_B ER ER
6 6 6
BT_S02_A RST ER_B2 RST BT_S02_C RST
Rc5
Rc4 4 4 Rc6 4
ER_A2 T11 1K Drv5_T11 T11 T11
1K 5 16 5 16 1K ER_C2 5 16
T12 CBOT S_Sp_A Drv5_T12 T12 CBOT S_Sp_B T12 CBOT S_Sp_C
13 15 13 15 13 15
T21 GB G_S02_A Drv5_T21 T21 GB G_S02_B T21 GB G_S02_C
12 14 12 14 12 14
Drv4_T11 T22 EB S_S01_A Drv5_T22 T22 EB S_S01_B T22 EB S_S01_C
Drv4_T12
SKHI20opA SKHI20opA SKHI20opA
Drv4_T21
+15V 1206 TD3 TD4
Drv4_T22
PS2 3 3
S1a Drv2_T11 S1a
1 1 2 1 2
T11 Pa S1b Drv2_T12 Pa S1b
2
T12
7
Cd13
Cd14
+VS
3 6 5 6 5
T21 Drv3_T21 Pb S2a Drv2_T21 Pb S2a Drv3_T11
8 4 4 4
GND T22 Drv3_T22 S2b Drv2_T22 S2b Drv3_T12
D D
Titulo: CargaEletrônicaAtivaTrifásicaCEA-CA
5
33uF
100nF
ADT1 CircuitodosDrivers
6
ADT2
Folha: Autor: Revisão
Aux Power Supply* A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
Arquivo: C:\DocumentsandSettings\..\Driver Rectifier. SchDoc Folha 2 de 7
1 2 3 4
213
1 2 3 4
214
Ra16 Ra17 Ra18 Ra19 Ra20 Ra34
Ra62 Ra63 Ra64 Ra65 Ra66 Ra75 VC ADC-B0
VA ADC-B2 22k 22k 22k 22k 22k 1K
22k 22k 22k 22k 22k 1k Ra31 Ca7
Ra72 Ca21
330 10nF
330 10nF Ra16-30(SMD1206)
Ra16-30(SMD1206) +5V
+5V
7
A 1 U5 Ra32 A
1 Ra73 Ra21 Ra22 Ra23 Ra24 Ra25
Ra67 Ra68 Ra69 Ra70 Ra71 2 MAX4238 330
2 330 VN
VN 22k 22k 22k 22k 22k 6
22k 22k 22k 22k 22k 6
3
3 Ra33
U12
MAX4238 BIAS 330
4
BIAS
4
MEDIÇÃO DASTENSÕESDE FASE DA REDE
Ra26 Ra27 Ra28 Ra29 Ra30 Ra35
VB ADC-B1
22k 22k 22k 22k 22k 1K
Ca8
+3V3 +3V3 10nF
2
2
DS7 DS8 +3V3 +3V3 +3V3
MEDIÇÃODASTENSÕESDE FASE DA REDE
2
2
2
DS1 DS2 DS3

3 3
3
BAT54S
BAT54S
SOT23
3 3
BAT54S
BAT54S
BAT54S
B SOT23 B
1
1
1
1
1
Ra36 Ra37 Ra38 Ra39 Ra40 Ra41 Ra50

VBUS+ ADC-A3
22k 22k 22k 22k 22k 22k 1K
Ca9
Ra48 100nF
390
Ra49
+5V
390
7
1
Ra42 Ra43 Ra44 Ra45 Ra46 Ra47 2
VBUS-
22k 22k 22k 22k 22k 22k 6
3
U6 Ra51
MAX4238 390
4
C C
Ra53 Ra54 Ra55 Ra56 Ra57 Ra58 Ra52

VBUSgnd ADC-A4
22k 22k 22k 22k 22k 22k 1K
Ca10
100nF
+3V3 +3V3 +3V3
2
2
2
MEDIÇÃODASTENSÕESDE BARRAMENTO CC
DS4 DS5 DS6
3 3 3
BAT54S
BAT54S
BAT54S
SOT23
+5V +5V +5V
1
1
1
Ca15 Ca16 Ca22

100pF 100pF 100pF
D D
Titulo: CargaEletrônicaAtivaTrifásicaCEA-CA
CircuitodeMediçãodasTensões
Montar estescapacitorespróximosdeU5, U6 eU12 A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
Arquivo: C:\Documents and Settings\..\Analog1.SchDoc Folha 3 de 7
1 2 3 4
1 2 3 4
Ca1
330pF
MEDIÇÃODAS CORRENTESDE FASE DA REDE
Ra2 15k
A A
+5V
7
1 U1
Ra1 10k
2 MAX4238
BIAS
6
ADC-A0
3
Ma
Ra3 10k
RMa
4
100 Ra4 Ca2
15k 330pF
Ra
Ca3
330pF
Ra6 15k
B B
+5V
7
1 U2
Ra5 10k
2 MAX4238
BIAS
6
ADC-A1
3
Mb
Ra7 10k
RMb
4
100 Ra8 Ca4
15k 330pF
Rb
Ca5
330pF
Ra10 15k
C C
+5V
7
1 U3
Ra9 10k
2 MAX4238
BIAS
6
ADC-A2
3
Mc
Ra11 10k
RMc
4
100 Ca6
Ra12
330pF
Rc 15k
+5V +5V +5V
Ca11 Ca12 Ca13

100pF 100pF 100pF
CircuitodeMediçãodas Correntes
Montar estescapacitorespróximosdeU1, U2, U3
A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
Arquivo: C:\Documents and Settings\..\Analog2.SchDoc Folha 4 de 7
1 2 3 4
215
216
1 2 3 4
+3V3 CN7
Rd40 Rd30 1 51
+3V3 3V3-ISO(1,51) 3.3V - ISO 3.3V - ISO 3V3-ISO(1,51)
330 U11A 330 2 52
led1 Rd29 RX-ISO ISO-RX-RS232 ISO-TX-RS232 TX-ISO
1 2 3 53
ER_A1 GPIO-12/TZ-1 53
DS9 1K 4 54
54
5 55
+3V3 55
+3V3 6 56
A Rd41 led2 GND-ISO(6,56) GND_ISO GND_ISO GND-ISO(6,56) A
7 57
ADC-B0 ADC- B0 ADCIN-A0 ADC-A0
U11B Ca7(2) 8 58 U1(4)
330 Rd42 GND GND
3 4 9 59
ER_B1 ADC-B1 ADC- B1 ADCIN-A1 ADC-A1
1K Ca8(2) 10 60 U2(4)
GND GND
11 61
+3V3 ADC-B2 ADC- B2 ADCIN-A2 ADC-A2
Ca21(2) 12 62 U3(4)
DS10 GND GND
13 63
Rd43 ADC- B3 ADCIN-A3 ADC-A3
K A 14 64 Ca10(2)
+3V3 GND GND
330 U11C 15 65
led3 Rd44 ADC- B4 ADCIN-A4 ADC-A4
5 6 16 66
ER_C1
1K 17 67
ADC- B5 ADCIN-A5
18 68
+3V3 GPIO-58/MCLKR-A/XD21 GPIO-59/MFSR-A/XD20
19 69
DS11 ADC- B6 ADCIN-A6
+3V3 20 70
Rd45 led4 GPIO-60/MCLKR-B/XD19 GPIO-61/MFSR-B/XD18
21 71
ADC- B7 ADCIN-A7
U11D 22 72
330 Rd46 GPIO-62/SCIRX-C/XD17 GPIO-63/SCITX-C/XD16
9 8 23 73
ER_A2 GPIO-00/EPWM-1A GPIO-00/EPWM-1A GPIO-01/EPWM-1B/MFSR-B GPIO-01/EPWM-1B
1K 24 74
GPIO-02/EPWM-2A GPIO-02/EPWM-2A GPIO-03/EPWM-2B/MCLKR-B GPIO-03/EPWM-2B
25 75
B +3V3 GPIO-04/EPWM-3A GPIO-04/EPWM-3A GPIO-05/EPWM-3B/MFSR-A/ECAP-1 GPIO-05/EPWM-3B B
26 76
DS12 GPIO-06/EPWM-4A GPIO-06/EPWM-4A/SYNCI/SYNCO GPIO-07/EPWM-4B/MCLKR-A/ECAP-2 GPIO-07/EPWM-4B
27 77
Rd47 GND +5V +5V
28 78
+3V3 GPIO-08/EPWM-5A GPIO-08/EPWM-5A/CANTX-B/ADCSOC-A GPIO-09/EPWM-5B/SCITX-B/ECAP-3 GPIO-09/EPWM-5B
330 led5 U11E 29 79
Rd48 U11G+5V SN74LS07 GPIO-10/EPWM-6A GPIO-10/EPWM-6A/CANRX-B/ADCSOC-B GPIO-11/EPWM-6B/SCIRX-B/ECAP-4 GPIO-11/EPWM-6B
11 10 30 80
ER_B2 GPIO-48/ECAP5/XD31 GPIO-49/ECAP6/XD30
14
1K 31 81
GPIO-84(31) GPIO-84 GPIO-85 GPIO-85(81)
32 82
+3V3 GPIO-86(32) GPIO-86 +5V +5V
+3V3 VCC Cd15 33 83
DS13 Rd49 led6 GPIO-12/TZ-1 GPIO-12/TZ-1/CANTX-B/MDX-B GPIO-13/TZ-2/CANRX-B/MDR-B
100nF 34 84
GPIO-15/TZ-4/SCIRX-B/MFSX-B GPIO-14/TZ-3/SCITX-B/MCLKX-B
U11F GND 35 85
330 Rd50 GPIO-24/EQEPA-2 GPIO-24/ECAP-1/EQEPA-2/MDX-B GPIO-25/ECAP-2/EQEPB-2/MDR-B GPIO-25/EQEPB-2
13 12 36 86
ER_C2 GPIO-26/ECAP-3/EQEPI-2/MCLKX-B GPIO-27/ECAP-4/EQEPS-2/MFSX-B
7
1K 37 87
GND +5V +5V
38 88
+3V3 GPIO-16/SPISIMO-A/CANTX-B/TZ-5 GPIO-17/SPISOMI-A/CANRX-B/TZ-6
39 89
GPIO-18(39) GPIO-18/SPICLK-A/SCITX-B GPIO-19/SPISTE-A/SCIRX-B
DS14 40 90
GPIO-20/EQEPA-1/MDX-A/CANTX-B GPIO-21/EQEPB-1/MDR-A/CANRX-B
41 91
GPIO-22/EQEPS-1/MCLKX-A/SCITX-B GPIO-23/EQEPI-1/MFSX-A/SCIRX-B
42 92
GPIO-87(42) GPIO-87 +5V +5V
43 93
GPIO-28/SCIRX-A/Resv/TZ5 GPIO-29/SCITX-A/Resv/TZ6 GPIO-29(93)
Boot Mode F2808 44 94
C GPIO-30/CANRX-A GPIO-31/CANTX-A C
45 95
GPIO-32/I2CSDA/SYNCI/ADCSOCA GPIO-33/I2CSCL/SYNCO/ADCSOCB
Rsw01 SW2 46 96
0 GPIO-34(46) GPIO-34/ECAP1/XREADY +5V +5V
1 4 47 97
GPIO-18(39) GND TDI TDI(97)
2 3 48 98
GPIO-29(93) TCK (48) TCK TDO TDO(98)
0 49 99
TMS(49) TMS TRSTn TRSTn (99)
Rsw02 50 100
Rsw03 EMU1 (50) EMU1 EMU0 EMU0 (100)
1 4
GPIO-34(46)
2 3 Conector DIMM 28335
0
Rd2 Rd3 Rd4
SW2_b Rd33
2k2 2k2 2k2
2k2
Rsw04
GPIO-84(31)
NM
Rsw05
GPIO-85(81)
Rsw06 NM
GPIO-86(32)
NM Rsw07
D GPIO-87(42) Titulo: CargaEletrônicaAtivaTrifásicaCEA-CA D
NM
CircuitoDigital 2
Boot Mode F28335 (** Não montar os resistores)
A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
Arquivo: C:\DocumentsandSettings\..\Digit2.SchDoc Folha 6 de 7
1 2 3 4
217
1 2 3 4
218
Fonte ChaveadaAuto-alimentada * *Posicionar osconectoresproximosaos HS1

ventiladoresdosdissipadoresHSx** GND
Faux +12V
2
1 LAM 3 - 75mm - 12V
+15V +15V 1 LAM 4 - 100mm - 12V
2
A GND CN2 A
3 Fischer Elektronik
12V 2
4
Ventilador 12V
GND 1
5 Dissipador LAM
5V +5V Ra100 CN1
6
GND
7 0 HS2
Barramento CC
8 GND
GND Barramento
VBUS+ +12V
Fonte Chaveada * *Posicionar Ra100proximoafonte** LAM 3 - 75mm - 12V
VBUS- LAM 4 - 100mm - 12V
Fischer Elektronik
Ventilador 12V
+5V U8 LM3940IMP-3.3 +3V3 Dissipador LAM
1 3
IN OUT
HS3
GND
GND
+12V
Cd1 Cd2 LAM 3 - 75mm - 12V
2
0.47uF 33uF LAM 4 - 100mm - 12V
B Fischer Elektronik B
Ventilador 12V
Dissipador LAM
+5V
+5V
7
1
Ra59 2
1K 6
Ra60 BIAS
3
1
+3V U4 +1,5V
1K
MAX4238
-+
Ca17 Ra61
U7 1uF
2
LM4040
1K
+5V
C C
Ca14
100pF
Montar perto do U4
FontedeAlimentaçãoAuxiliar

A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
Arquivo: C:\DocumentsandSettings\..\FonteAux.SchDoc Folha 7 de 7
1 2 3 4
219
A.5. PROJETO DO LAYOUT DE CIRCUITO IMPRESSO
 Layout da camada superior (Top layer);

 Layout da 1ª camada interna (Midlayer 1);
 Layout da 2ª camada interna (Midlayer 2);
 Layout da camada inferior (Bottom layer);
 Layout 3D do conversor (versão 1);
 Imagens da montagem do protótipo (fotografias).
1 2 3 4
220
B4 B3 B2 B1 B5
3 6
LA
A 7 2 A
Filtro
4 5
GND
VN
Drv1
Drv4
Drv3
Drv6
8 1
LB
LC Drv5
Drv2
Ra21
Ra16
Ra26
Rb1 Rb2
Ra67
Ra62
Ra36
LTSP25_C
Rc1 Rc4
Rc6
LTSP25_B
Rc3
LTSP25_A
Cd10
Cd7
Ra17
Ra22
B B
Cd14
Rc5
Ra27
Rc2
Ra28
Ra18
Ra23
DgSn_C CgSn_B
RgSn_B DgSn_A
Cf13
RgSn_C
CgSn_C DgSn_B RgSn_A
Cdc7
Rg2SpC
CgSn_A
Cf15
Rg2SnC Rg2SnB
DgSp_C Cd8
CgSp_B
Cf11
CgSp_A
Cd11
RgSp_B
CgSp_C
Rg2SpB RgSp_A
Rg2SnA
RgSp_C DgSp_B Rb4 DgSp_A

Rb3
Rg2S02C
Ra53
Cf14
Rg2SpA
Ra37
Rb5 Ra54
Rb6
Cf16
Rg2S02A
Cf12
Rb8 Rb7
Ra68
Ra63
Rg2S02B
Ra55
Ra42
Ra38
Ra43
Ra64
Rg2S01B
Ra69
Rg2S01A
Cdc8
Ra39
Ra44
Ra56
C Cd6 C
Rg2S01C
Ra65
Ra70
Ra45
Ra40
Ra29
Ra19
Ra24
Ra46
B6
Ra57
Ra71
Ra66
B8 B7
Ra30
Ra41
Ra20
Ra25
Ra47
Ra58
TD3
DS14
DS13
DS12
DS11
DS10
DS9
Ra72
DS8
RMa CN6
Ra48
RMb DS6 DS5 DS4

Ra73
Faux
Ca11
Ca12 Rd8 Rd14 Cd3

Ra4
Ca2
Ra7
Ra8
2 14 Rd13
Ra51
Ra3
Ra52
Ra6
Ca3
Ra2
Ca1
DS7 Ra49 1 13 Cd9

DS2 Ca4 U12
Rd17 DS3 Ca21 Rd9 Rd15 Rd7
DS1
Ra32
RMc
Ra75
Cd4 Ca16 Ra1 Rd12

Ca9
Ra11
Ra5 Ca10
led 1
led 5
led 2
led 3
led 4
led 6
U2 U1 Rd16 Rd6
Rd4 1
Rd22
Rd4 0
Rd4 9
Rd4 7
Rd4 5
Rd4 3
Rd23 Ca13 Ra50 Ca22
Ra12
Ra31 U6
Rd18 Rd28 Ra34 U9 Rd11
SW2 Rd10
Ca6
Rd21
Ra35
Rd24 Ca8 Sw4 Rd5
Rd27 Ra33
Rd19
U5
Ra9 Ca7 Ca15 1
Rd20 U3
Ca5
Ra10
Rd26
Sw3
Rd25
SW2_b
U10
CN7
Layer)
Circuito impresso da camada superior (Top

A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
Arquivo: C:\...\PCB1_Retificador_SmartGrid.PcbDoc Folha 1 de 4
1 2 3 4
1 2 3 4
B4 B3 B2 B1 B5
3 6
LA
7 2
A A
Filtro
4 5
GND
VN
Drv1
Drv4
Drv3
Drv6
8 1
LB
LC Drv5
Drv2
Ra21
Ra16
Ra26
Rb1 Rb2
Ra67
Ra62
Ra36
LTSP25_C
Rc1 Rc4
Rc6
LTSP25_B
Rc3
LTSP25_A
Cd10
Cd7
Ra17
Ra22
Cd14
Rc5
Ra27
B Rc2
B
Ra28
Ra18
Ra23
DgSn_C CgSn_B
RgSn_B DgSn_A
Cf13
RgSn_C
Cdc7
Rg2SpC
CgSn_A
Cf15
Rg2SnC Rg2SnB
DgSp_C Cd8
CgSp_B
Cf11
CgSp_A
Cd11
RgSp_B
CgSp_C
Rg2SpB RgSp_A
Rg2SnA

Rb3
Rg2S02C
Ra53
Cf14
Rg2SpA
Ra37
Rb5 Ra54
Rb6
Cf16
Rg2S02A
Cf12
Rb8 Rb7
Ra68
Ra63
Rg2S02B
Ra55
Ra42
Ra38
Ra43
Ra64
Rg2S01B
Ra69
Rg2S01A
Cdc8
Ra39
Ra44
Ra56
Cd6
Rg2S01C
C C
Ra65
Ra70
Ra45
Ra40
Ra29
Ra19
Ra24
Ra46
B6
Ra57
Ra71
Ra66
B8 B7
Ra30
Ra41
Ra20
Ra25
Ra47
Ra58
TD3
DS14
DS13
DS12
DS11
DS10
DS9
Ra72
DS8
RMa CN6
Ra48
RMb DS6 DS5 DS4

Ra73
Faux
Ca11
Ca12 Rd8 Rd14 Cd3

Ra4
Ca2
Ra7
Ra8
2 14 Rd13
Ra51
Ra3
Ra52
Ra6
Ca3
Ra2
Ca1
DS7 Ra49 1 13 Cd9

DS2 Ca4 U12
DS1
Ra32
RMc
Ra75
Cd4 Ca16 Ra1 Rd12

Ca9
Ra11
Ra5 Ca10
led 1
led 5
led 2
led 3
led 4
led 6
U2 U1 Rd16 Rd6
Rd4 1
Rd22
Rd4 0
Rd4 9
Rd4 7
Rd4 5
Rd4 3
Rd23 Ca13 Ra50 Ca22
Ra12
Ra31 U6
SW2 Rd10
Ca6
Rd21
Ra35
Rd24 Ca8 Sw4 Rd5
Rd27 Ra33
Rd19
U5
Ra9 Ca7 Ca15 1
Rd20 U3
Ca5
Ra10
Rd26
Sw3
Rd25
SW2_b
U10
CN7
(
MidLayer
Circuito impresso da 1a. camada interna 1)

A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
1 2 3 4
221
1 2 3 4
222
B4 B3 B2 B1 B5
3 6
LA
A 7 2 A
Filtro
4 5
GND
VN
Drv1
Drv4
Drv3
Drv6
8 1
LB
LC Drv5
Drv2
Ra21
Ra16
Ra26
Rb1 Rb2
Ra67
Ra62
Ra36
LTSP25_C
Rc1 Rc4
Rc6
LTSP25_B
Rc3
LTSP25_A
Cd10
Cd7
Ra17
Ra22
B B
Cd14
Rc5
Ra27
Rc2
Ra28
Ra18
Ra23
DgSn_C CgSn_B
RgSn_B DgSn_A
Cf13
RgSn_C
Cdc7
Rg2SpC
CgSn_A
Cf15
Rg2SnC Rg2SnB
DgSp_C Cd8
CgSp_B
Cf11
CgSp_A
Cd11
RgSp_B
CgSp_C
Rg2SpB RgSp_A
Rg2SnA

Rb3
Rg2S02C
Ra53
Cf14
Rg2SpA
Ra37
Rb5 Ra54
Rb6
Cf16
Rg2S02A
Cf12
Rb8 Rb7
Ra68
Ra63
Rg2S02B
Ra42 Ra55
Ra38
Ra43
Ra64
Rg2S01B
Ra69
Rg2S01A
Cdc8
Ra39
Ra44
Ra56
C Cd6 C
Rg2S01C
Ra65
Ra70
Ra45
Ra40
Ra29
Ra19
Ra24
Ra46
B6
Ra57
Ra71
Ra66
B8 B7
Ra30
Ra41
Ra20
Ra25
Ra47
Ra58
TD3
DS14
DS13
DS12
DS11
DS10
DS9
Ra72
DS8
RMa CN6
Ra48
RMb DS6 DS5 DS4

Ra73
Faux
Ca11
Ca12 Rd8 Rd14 Cd3

Ra4
Ca2
Ra7
Ra8
2 14 Rd13
Ra51
Ra3
Ra52
Ra6
Ca3
Ra2
Ca1
DS7 Ra49 1 13 Cd9

DS2 Ca4 U12
DS1
Ra32
RMc
Ra75
Cd4 Ca16 Ra1 Rd12

Ca9
Ra11
Ra5 Ca10
led 1
led 5
led 2
led 3
led 4
led 6
U2 U1 Rd16 Rd6
Rd4 1
Rd22
Rd4 0
Rd4 9
Rd4 7
Rd4 5
Rd4 3
Rd23 Ca13 Ra50 Ca22
Ra12
Ra31 U6
SW2 Rd10
Ca6
Rd21
Ra35
Rd24 Ca8 Sw4 Rd5
Rd27 Ra33
Rd19
U5
Ra9 Ca7 Ca15 1
Rd20 U3
Ca5
Ra10
Rd26
Sw3
Rd25
SW2_b
U10
CN7
Layer 2)
Circuito impresso da 2a. camada interna (Mid

A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
1 2 3 4
1 2 3 4
1 1
1 2
1 1 2 1 1 3 6
1 1 1 1 1
7 2
A 2
A
2
1
2 1
2
2 2 1
2 2
2
1
1 2
2 1 4 5
2 1
0
1 1
1 1
2
8 1
2
2
4 5 6
4 5 6 2 2
2
2 2
3 3
10 4 5 6
3 3 10
9 4 4
9
4 4
2 1 1
8 10
2 8 5 5
5 5 1 7 9
7
1
1 2 1 2 2 8
1
3 2 1 7
3 2 1 1
6 6
6 6 3 2 1
2 2 2
2
1 7 7
2 1
7 7
3 3
8 8
8 8
4 4
2 9 9
1 9 9
5 5
10 10
2
B 10 10
B
1
1
2
1 2
2 1
6 6
1 1
1 2 3
7 7 1
3 1
1 2 3 3 1 8 8
3 1
9 9
2 2
2 2 10 10
11 11
11 11 2 2
2 1
1 3
1 2 3 2
6 5 4
2 1 1 3
2
6 5 4 1 1
12 12
2
12 12
2 13 13
13 13 1 1 2 1
2
14 14
14 14
11 11
15 15
15 15
2 2 2
2 1
2 1 2
3 3 1 3
1
1
12 12
16 16
16 16
13 13
3 14 14
3 1 1 3
1
15 15
2
2 2
1
C 2
1 2
1
1 2
2
C
1 2 1 8
16 16 2
2
1
6
6 5 4
5
3 1
1
4
1 2 3
2 4 6 8 10 12 14
3 4 0 7 8 6 5 8 1 1 2 2 1
3
7 2
1 2 1 3 5 7 9 11 13
6 3
5 5 4 3
2 2
2 1
2 1
6 2 2 1 2 1
2 4 5 6
8 9 10 11 12 13 14
1 1 2
7 2 1 1 2
1 1
1 3 2 1 1 2 1 2 2
8 51 53 55 57 59 61 63 65 67 69 71 73 75 77 79 81 83 85 87 89 91 93 95 97 99
2 2
52 54 56 58 60 62 64 66 68 70 72 74 76 78 80 82 84 86 88 90 92 94 96 98 0
10 1
2 1 7 6 5 4 3 2 1 1
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 2 1 1 2 1 1 1 1
3 2 3 2
2
2 1 1 2 2 1 1 2 1
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
4 1 4 1 1
2 1 1 1 2 1 2 2
1 2 3
2 1 2 1 2 1
2 2 2 2
2
3 2 1
(
Circuito impresso da camada inferiorBottom Layer)

A4 JoselitoA Heerdt
Data: 24/3/2011
1 2 3 4
223
224
Imagem 3D do projeto de layout do conversor: perspectiva superior.
Imagem 3D do layout do conversor: perspectiva inferior.

225
(a)
(b)
(c)
Fotografias da montagem do conversor: (a) superior; (b) traseira e (c) inferior.

226
227
A.6. PROJETO DO CONTROLADOR DE CORRENTE 2P+1Z
A seguir é apresentada a planilha do Mathcad® com o projeto do

controlador de corrente usado nos testes de simulação deste trabalho:
PROJETO DO CONTROLADOR DE CORRENTE PARA O

CONVERSOR NPCm
DA DOS :
Vo  400V Vt  10V fs  40kHz
V
LA  420H kHall  0.4 1 5
A Ts   2.5  10 s
fs
VA LORES A RBIT ADOS :

fz  1kHz fp1  0Hz R1  47k R3  82k
fp2  20.0kHz R2  47k
CA LCULOS :
Como :
1 1
fz  Logo : C1   1.941nF

2   R3 C1 ( 2   R3 fz)
Como :
C1
C1  C2 Logo : C2   0.102nF

fp2  ( 2   R3 C1 fp2 )  1
2   R3 C1 C2
228
Função de Transferência Modulador PWM + Planta + Medição:
Definição das variáveis:

f  1Hz1.2Hz 40kHz (vetor de pontos de freqüência)
( f )  2 f (freqüência angular em radianos)
s ( f )  i 2 f (variável s)
VoVo I
I
I( s )I(
Gp2Gp2 s ) 
s  LsA L
FTFTdadaplanta,
planta,da
daCorrente
Corrente pela
pela Razão
Razão ciclica
ciclica
D
A D
Gm2 kHall
Gm2  0.4
kHall  0.4 FTFTdadaMedição
Medição
1 1 1 1
   0.1
Gpwm2
Gpwm2  0.1 A AFT
FTdo
domodulador
moduladorPWM
PWM
Vt Vt VV
G2( s )  Gp2I( s )  Gm2 Gpwm2
Módulo de G2(s) em dB :
80
3000
68.889
57.778
|G(s)| (dB)
46.667
35.556
24.444
13.333
2.222 6.5
 8.889
 20
3 4 5
1 10 100 110 110 110
freqüência (Hz)
Fase de G2(s) em º:
0
180
 11
 15
 30
Fase (º)
 45
 60
 75
 90
3 4 5
1 10 100 110 110 110
freqüência (Hz)
229
Função de Transferência do Controlador 2P +1Z:
R3 C1 s  1
G2p1z( s ) 
s  R2 ( C1  C2)    s  1
R3 C1 C2
 C1  C2 
Módulo de G2p1z(s) em dB:
70
3000
61.111
52.222
|G(s)| (dB)
43.333
34.444
25.556
16.667
7.778 6.5
 1.111
 10
3 4 5
1 10 100 110 110 110
freqüência (Hz)
Fase de G2p1z(s) em º:
0
180
 11
 16.667
 33.333
Fase (º)
 50
 66.667
 83.333
 100
3 4 5
1 10 100 110 110 110
freqüência (Hz)
230
Função de Transferência do Controlador + Modulador PWM + P lanta + Medição:
Gma2( s )  G2p1z( s )  G2( s )
Módulo de Gma2(s) em dB:
150  100
3000
100  120
|G(s)| (dB)
50  140
6.5
0  160
 50  180
3 4 5
1 10 100 110 110 110
freqüência (Hz)
Fase de Gma(s) em º:
180  11
 50
Fase (º)
 100
 150
 200
3 4 5
1 10 100 110 110 110
freqüência (Hz)
231
Função de Transferência Malha Fechada:

Gma2( s )
Gmf( s ) 
Função de Transferência 1  Malha
Gma2( s )Fechada:
Gma2( s )
Gmf( s ) 
Módulo de G(s) em dB : 1  Gma2( s )
5
3000
Módulo de G(s) em dB :
50
3000
|G(s)| (dB)
 05
|G(s)| (dB)
10
5
 10
 15
 15
 20
3 4 5
1 10 100 110 110 110
 20 freqüência (Hz)3 4 5
1 10 100 110 110 110
Fase de G(s) em º:
freqüência (Hz)
180  11
Fase de G(s) em º:
 50 180  11
Fase (º)Fase (º)
100
50

 100
150

 150
200
3 4 5
1 10 100 110 110 110
 200 freqüência (Hz)3 4 5

1 10 100 110 110 110
freqüência (Hz)
232
233
A.7. PROJETO DO CONTROLADOR FINAL PROPOSTO

%-------------------------------------------------------------
%MODELAGEM NO ESPAÇO DE ESTADOS E PROJETO DO SISTEMA CONTROLE
%-------------------------------------------------------------
%-------------------------------------------------------------
% Arquivo usado na versão final da tese. Para simular os mesmos
casos dos
% resultados experimentais foi usado E=400V. Para o grafico de
Bode (Tese,
% com/sem R.E. foi usado E=800V.
%-------------------------------------------------------------
clear all
clc
format long eng
%-------------------------------------------------------------
% PARÂMETROS DO CONVERSOR NPCm:
%-------------------------------------------------------------
fprintf('Dados de entrada:')
%E=800; %Valor nominal da tensão do barramento CC
E=400 %Valor usado no experimento
Le=420e-6 %Indutância de entrada do conversor
Lr=500e-6 %Indutância da fonte CA
Cf=1e-6 %Capacitâncias do filtro de entrada
%fa=2*40e3 %Valor nominal da frequência de amostragem (dupla
atualização)
fa=2*66e3 %Valor usado no experimento
Ta=1/fa; %Período de amostragem
%-------------------------------------------------------------
% MODELAGEM NO ESPAÇO DE ESTADOS PARA CONVERSOR COM FILTRO LCL
%-------------------------------------------------------------
fprintf('-------- SISTEMA NO ESPAÇO DE ESTADOS: --------\n')
A=[0 -1/Le 0; 1/Cf 0 -1/Cf; 0 1/Lr 0]; %Estados (iE, vC, iR)
B=[E/(2*Le) 0; 0 0; 0 -1/Lr]; %Entradas (d,vR)
C=[0 0 1]; % Saida (iR)
D=zeros(1,2);
sisc=ss(A,B,C,D);
% figure('Name','Posição Original das Raizes ')
% pzmap(sisc)
% grid
fprintf('-------- FT DA PLANTA ORIGINAL --------\n');

[num,den] = ss2tf(A,B,C,D,1); % TF p/ a entrada "d" (1)
Gp=tf(num,den)
figure('Name','Lugar Raizes Original')
rlocus(Gp)
roots(num)
roots(den)
fprintf('----- ESCOLHA DA NOVA POSIÇÃO DOS POLOS: -----\n')

234
p1=-20.0e3;
p2=-20.1e3;
p3=-12.0e3;
p=[p1 p2 p3]
fprintf('----- CALCULO DOS GANHOS DA R.E.: -----\n')

k= place(A,B(:,1),p);
k1=k(1,1)
k2=k(1,2)
k3=k(1,3)
fprintf('----- SISTEMA SS COM R.E.: -----\n')

Are=[(-E*k1/(2*Le)) ((-1/Le)-E*k2/(2*Le)) (-E*k3/(2*Le));
1/Cf 0 -1/Cf; 0 1/Lr 0]
sisRE=ss(Are,B,C,D);
% figure('Name','Nova Posição dos Pólos')
% pzmap(sisRE)
% grid
fprintf('----- FT DA PLANTA COM R.E. -----\n');

[numRE,denRE] = ss2tf(Are,B,C,D,1); % FT "iR/d"
GpRE=tf(numRE,denRE)
figure('Name','DIAGRAMA DE BODE M.A. DA PLANTA SEM/COM R.E.')

bodeplot(Gp,GpRE)
grid
% figure('Name','RAIZES DA PLANTA COM R.E.')
% rlocus(GpRE)
% grid
% Gploop=feedback(Gp,1);
% GpREloop=feedback(GpRE,1);
% figure('Name','DIAGRAMA BODE MF DA PLANTA SEM/COM R.E.')
% bodeplot(Gploop,GpREloop)
% grid
fprintf('----- F.T. DO CONTROLADOR: -----\n')

kc=8.55E-3; %Ganho Controlador
Cnum=poly([-200 -6e3]); %Zeros do controlador
Cden=poly([0 0]); %Pólos do controlador
Gc2=tf(Cnum, Cden) % Controlador com ganho
figure('Name','LUGAR DAS RAIZES DA PLANTA COM R.E.+

CONTROLADOR')
Gc2GpRE=kc*Gc2*GpRE;
rlocus(Gc2GpRE)
figure('Name','BODE M.A. DA PLANTA COM R.E. + CONTROLADOR')

h1=bodeplot(Gc2GpRE)
title('FTMA Controlador + Planta RE Continuos')
grid
%setoptions(h1,'FreqUnits','Hz','PhaseVisible','off');
setoptions(h1,'FreqUnits','Hz');
Gc2GpREloop=feedback(Gc2GpRE,1);
235
figure('Name','BODE MF DA PLANTA COM R.E. + CONTROLADOR')

BodeMF=bodeplot(Gc2GpREloop)
title('Controlador+Planta c/ RE em MF')
grid
setoptions(BodeMF,'FreqUnits','Hz');
fprintf('\n')
fprintf('----- DISCRETIZAÇÃO DO CONTROLADOR: -----\n')
G2d=c2d(Gc2,Ta,'tustin')
[Cnd,Cdd,Ta]=tfdata(G2d,'v');
fprintf('\n')
fprintf('---- ESCREVE CONTROLADOR EM FUNÇÃO DE Z^-1: ----\n')
hz = tf([Cnd],[Cdd],Ta,'variable','z^-1')
fprintf('\n')
fprintf('----- DISCRETIZAÇÃO CONTROLADOR + PLANTA RE: ----\n')
Gc2GpREd=c2d(Gc2GpRE, Ta, 'tustin')
fprintf('\n')
fprintf('----- BODE M.A. DA PLANTA R.E. + CONTROLADOR,
DISCRETOS')
figure('Name','BODE M.A. DA PLANTA R.E. + CONTROLADOR,
DISCRETOS')
BodeMAd=bodeplot(Gc2GpREd)
title('FTMA Controlador + Planta RE Discretos')
grid
setoptions(BodeMAd,'FreqUnits','Hz');
fprintf('\n')
fprintf('----- BODE M.F. DA PLANTA R.E. + CONTROLADOR,
DISCRETOS')
Gc2GpREd_feed=feedback(Gc2GpREd,1);
figure('Name','BODE M.F. DA PLANTA R.E. + CONTROLADOR
Discretos')
BodeMFd=bodeplot(Gc2GpREd_feed)
title('FTMF Controlador + Planta RE Discretos')
grid
setoptions(BodeMFd,'FreqUnits','Hz');
%-------------------------------------------------------------
% OBSERVADOR CONTINUO
%-------------------------------------------------------------
fprintf('----- OBSERVADOR CONTINUO ----\n') %Versão 23/01/12
Lo=1.5e06*[1.9525 -0.2007;-0.3356 0.1028; 1.9665 -0.2049]
Co=eye(3)
Ao=A-[Lo zeros(3,1)]
Bo=[B(:,1),Lo]
sisco=ss(Ao,Bo,Co,0);
%[numREOb,denREOb] = ss2tf(Ao,Bo,Co(3,:),D,1)
%-------------------------------------------------------------
% OBSERVADOR DISCRETO
%-------------------------------------------------------------
236
fprintf('-------- DISCRETIZAÇÃO DO OBSERVADOR --------\n')

fprintf(' -Discretização Zero-Order Hold = Euler(default)-\n')
sisdo=c2d(sisco,Ta); %com 'Tustin' dá C dif. de I e D diferente
de nulo.
[Ad,Bd,Cd,Dd,Ta]=ssdata(sisdo)
% figure
% step(sisco,sisdo,1e-4)
% Bdu=Bd(:,1:2) % a primeira coluna é relativa a entrada "d".
% Ld=Bd(:,2:3) % A matriz discreta do Observador são as 2
ultimas colunas.
% sisd2=ss(Ad,Bdu,Cd,0,Ta)
% step(sisd2)
%=============================================================
237
APÊNDICE B - MODELAGEM DA CORRENTE DE ENTRADA

DE UM RETIFICADOR MONOFASICO À DIODO
238
B MODELAGEM DA CORRENTE DE ENTRADA DE UM

RETIFICADOR MONOFASICO À DIODO
É senso comum de que os equipamentos eletrônicos, os quais são

basicamente compostos na entrada por retificador a diodo com filtro
capacitivo, conforme a FiguraB.1(a), são cargas que estão aumentando
sua proporção sobre os demais tipos, e que há uma tendência para o uso
também de um filtro indutivo na entrada, FiguraB.1(b), nos produtos
comerciais, para reduzir o valor de pico da corrente de entrada.
Estabelecendo que o pior caso para o conversor da carga
eletrônica ativa em estudo, em termos de conteúdo harmônico, é a
corrente equivalente de um retificador monofásico com filtro L e C,
como mostrado na FiguraB.2(a), é preciso que se obtenha um modelo
matemático que o represente de forma mais simplificada, para uso em
cálculos de perdas.
Para facilitar a modelagem da forma de onda de corrente da
FiguraB.2(a), foi utilizada uma corrente com intervalos nulos e
intervalos que contenham semi-ciclos de senóide, com a frequência
necessária para se obter o Fator de Crista (FC) desejado, conforme
mostrado na FiguraB.2(b).
(a) (b)
FiguraB.1 - Circuitos típicos de entrada de equipamentos eletrônicos: (a) retificador
com filtro C; (b) retificador com filtros L e C.
239
40
20
i1( wt )
0
50Vref ( wt )
 20
 40
0 1.571 3.142 4.712 6.283
wt
(a) (b)
Figura B.2 - Formas de onda de: (a) retificador monofásico com filtros L e C; (b)
corrente senoidal com intervalos nulos e frequência  k  t  .
Considerando então, para os dois casos, como corrente de pico o

mesmo valor da corrente nominal de pico senoidal ( I pk ) e que a
corrente proposta como modelo seja definida como mostrado em (B.1).
0 se  0  t   
I A, pk  sen  kr t     se   t     kr 
iret (t )  0 se    k r  t     
 I A, pk  sen  kr t     se      t       k r 
0 se      kr  t  2 
(B.1)
Como o Fator de Crista (FC) é definido como a razão entre os

valores de pico e eficaz de uma dada forma de onda, para a corrente do
retificador será dada pela expressão (B.2).
I A, pk
FC  (B.2)
I ret ,ef
Calculando então o valor eficaz da corrente iret (t ) , conforme

mostrado em (B.3), podemos obter a expressão (B.4).
240
 kr
 I 
1
 sen  kr t     dt
2
I ret ,ef  2  (B.3)
2
A, pk
0
2  I A, pk
I ret ,ef  (B.4)
2  kr
Substituindo a expressão (B.4) em (B.2) obtém-se a expressão
(B.5), que define a frequência dos semi-ciclos da senóide do modelo em
função do FC desejado.
FC 2
kr  (B.5)
2
O que se pretende mostrar a seguir é que os espectros harmônicos
destas duas formas de onda de corrente, mostradas anteriormente na
FiguraB.2, apresentam uma grande similaridade, validando o uso deste
modelo. A FiguraB.3 mostra os espectros harmônicos relativos a estas
correntes, cada qual parametrizado em relação a sua corrente
fundamental e ambas com um fator de crista FC=3.
241
100
[%] 90
80 Iret_ef (n)
100
70 Iret_ef (1)
60
50
40
30
20
10
0
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39
(a) n
100
[%] 90
80 I1ef (n)
100
70 I1ef (1)
60
50
40
30
20
10
0
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39
(b) n
Figura B.3 – Espectro harmônico parametrizado pela corrente fundamental, com
FC=3: (a) corrente do retificador com filtro L e C; (b) corrente do modelo proposto.
Observando a Figura B.3 pode ser percebido uma grande

semelhança entre as amplitudes das harmônicas, principalmente até a de
11ª ordem, que são as de valor mais representativo. Além disso, a
distorção harmônica total para a forma de onda Figura B.3(a) é
DHT=1,3672, enquanto que, para a corrente Figura B.3(b) é
DHT=1,3567. Desta forma, acredita-se que o modelo proposto é
suficientemente semelhante para que possa representar a forma da
corrente de um retificador com filtros L e C, o qual poderia ser usado
para a implementação prática da corrente de referência e também no
cálculo dos esforços dos semicondutores.
242
243
APÊNDICE C - DISCRETIZAÇÃO DE EQUAÇÕES DE ESTADO

PELOS MÉTODOS DE TUSTIN E DE EULER
244
C. DISCRETIZAÇÃO DE EQUAÇÕES DE ESTADO PELOS

MÉTODOS DE TUSTIN E DE EULER
Os modelos no espaço de estados de sistemas no tempo contínuo

podem ser discretizados facilmente usando o comando c2d do
MATLAB®. Entretanto, mesmo que o modelo do sistema no tempo
contínuo apresente uma matriz D nula, a discretização pelo método de
Tustin pode resultar numa matriz D d não nula. O mesmo não acontece
se aplicarmos o método de Euler, conforme mostrado no exemplo
abaixo.
Sejam os comandos abaixo executados no MATLAB®:
fprintf('Sistema no tempo continuo:')
sys = ss(tf([1, 2], [1, 4, 2]));
sys.InputDelay = 2.0
fprintf('Sistema no tempo discreto usando Tustin:')

opt1 = c2dOptions('Method', 'tustin', 'FractDelayApproxOrder', 3);
sysd1 = c2d(sys, 1, opt1)
fprintf('Sistema no tempo discreto usando Euler:')

opt2 = c2dOptions('Method', 'zoh', 'FractDelayApproxOrder', 3);
sysd2 = c2d(sys, 1, opt2)
step(sys,sysd2,sysd1) %Resposta ao degrau

axis([0 15 0 1])
A resposta apresentada será da seguinte forma:

Sistema no tempo continuo:
a=
x1 x2
x1 -4 -2
x2 1 0
b=
u1
x1 2
x2 0
245
c=
x1 x2
y1 0.5 1
d=
u1
y1 0
Sistema no tempo discreto usando Tustin:

a=
x1 x2
x1 -0.4286 -0.5714
x2 0.2857 0.7143
b=
u1
x1 0.5714
x2 0.2857
c=
x1 x2
y1 0.2857 0.7143
d=
u1
y1 0.2857
Sistema no tempo discreto usando Euler

a=
x1 x2
x1 -0.07557 -0.3704
x2 0.1852 0.6651
b=
u1
x1 0.3704
x2 0.3349
246
c=
x1 x2
y1 0.5 1
d=
u1
y1 0
Input delays (sampling periods): 2

Sampling time (seconds): 1
Discrete-time model.
Pode ser notado que o método de Tustin retorna uma matriz

D  0 enquanto que o método de Euler mantém o valor nulo original.
A figura abaixo mostra as respostas ao degrau unitário deste
sistema, para o modelo contínuo e para os modelos discretizados por
Tustin e por Euler. No modelo obtido por Tustin ocorre uma antecipação
no sinal de resposta, em relação ao modelo por Euler, causado pela
influência direta do sinal de entrada.
Step Response
1
0.9
0.8
0.7 Tustin
0.6
Amplitude
0.5
Euler
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15
Time (seconds)
247
ANEXO A - CATÁLOGOS DOS SEMICONDUTORES DE

POTÊNCIA
248
CATÁLOGOS DOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA
 Catálogo do transistor JFET de SiC SJEP120R063;

 Catálogo do diodo de SiC SDP30S120;
 Catálogo do transistor IGBT IRG4PC50W;
 Catálogo do diodo ultra-rápido Stealth ISL9R3060G2.
 Catálogo do dissipador LAM4.
249
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SJEP120R063
Normally-OFF Trench Silicon Carbide Power JFET Product Summary
BV DS 1200 V
Features: R DS(ON)max 0.063
- Compatible with Standard Gate Driver ICs E TS,typ 440 µJ
- Positive Temperature Coefficient for Ease of Para lleling
- Temperature Independen t Switching Behavior
- 175 °C Maximum Operating Temperature D(2,4)
- R DS(on)max of 0.063
- Voltage Controlled 4
- Low Gate Charge
- Low Intrinsic Capacitance
G(1)
Applications:
TO-247 3
- Solar Inverter 2
1
- SMPS S(3)
- Power Factor Correction Internal Schematic
- Induction Heating
- UPS
- Motor Drive
MAXIMUM RATINGS
Parameter Symbol Conditions Value Unit
ID, Tj=125 Tj = 125°C 30
ContinuousDrain Current A
ID, Tj=175 Tj = 175°C 20
Pulsed Drain Current (1) IDM TC = 25°C 60 A
Short Circuit Withstand Time tSC VDD < 800 V, T C < 125°C 50 µs
Power Dissipation PD TC = 25°C 250 W
static -15 to +3 V
Gate-Source Voltage VGS
AC(2) -15 to +15 V
Operating and Storage Temperature Tj, T j,stg -55 to +175 °C
Lead Temperature for Soldering Tsold 1/8" from case < 10 s 260 °C
(1)
Limited by pulse width
(2)
Rg EXT = 0.5 ohm, t p < 200ns
THERMAL CHARACTERISTICS
Value
Parameter Symbol Unit
Typ Max
Thermal Resistance, junction-to-case Rth,JC - 0.6
°C / W
Thermal Resistance, junction-to-ambient Rth,JA - 50
May 2009 Rev 1.3

1/7
250
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SJEP120R063
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Value
Parameter Symbol Conditions Unit
Min Typ Max
Off Characteristics
Drain-Source Blocking Voltage BV DS VGS = 0 V, I D = 600 A 1200 - - V
VDS = 1200 V, V GS = 0 V, Tj = 25 oC - 200 1200
VDS = 1200 V, V GS = 0 V, Tj = 175 oC - 600 -
VDS = 1200 V, V GS < -15 V,
Total Drain LeakageCurrent IDSS - 2 - µA
Tj = 25 oC
VDS = 1200 V, V GS < -15 V,
o - 20 -
Tj = 175 C
VGS = -15 V, VDS = 0V - -0.2 -0.6
Total Gate Reverse Leakage IGSS mA
VGS = -15 V, VDS = 1200V - -0.2 -
On Characteristics
ID = 12 A, V GS = 3 V,
- 0.045 0.063
Tj = 25°C
Drain-Source On-resistance RDS(on)
ID = 12 A, V GS = 3 V,
- 0.11 -
Tj = 125°C
Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = 1 V, I D = 34mA 0.75 1.00 1.25 V
Gate Forward Current IGFWD VGS = 3 V - 400 - mA
RG f = 1 MHz, drain-source shorted - 4 -
Gate Resistance
RG(ON) VGS >2.7V; See Figure 5 - 0.25 -
Dynamic Characteristics
Input Capacitance Ciss - 1220 -
Output Capacitance Coss VDD = 100 V - 180 -
Reverse Transfer Capacitance Crss - 169 - pF
Effective Output Capacitance, VDS = 0 V to 480 V,
Co(er) - 100 -
energy related VGS = 0 V
Switching Characteristics
Turn-on Delay ton - 15 -
VDS = 600 V,I D = 24 A,
Rise Time tr - 12 -
Inductive Load, T J = 25 oC ns
Turn-off Delay toff Gate Driver = +15V,-10V, - 35 -
Fall Time tf Rg EXT = 2.5ohm - 30 -
Turn-on Energy Eon - 160 -
Turn-off Energy Eoff See Figure 15 and application note for - 280 - uJ
gate drive recommendations
Total Switching Energy Ets - 440 -
Turn-on Delay ton - 15 -
VDS = 600 V,I D = 24 A,
Rise Time tr - 15 -
Inductive Load, T J = 150 oC ns
Turn-off Delay toff Gate Driver = +15V,-10V, - 35 -
Fall Time tf Rg EXT = 2.5ohm - 30 -
Turn-on Energy Eon - 180 -
Turn-off Energy Eoff See Figure 15 and application note for - 280 - uJ
gate drive recommendations
Total Switching Energy Ets - 460 -
Total Gate Charge Qg - 60 -
VDS = 600 V, I D = 10 A,
Gate-Source Charge Qgs - 2 - nC
VGS = + 2.5 V
Gate-Drain Charge Qgd - 49 -
May 2009 Rev 1.3

2/7
251
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SJEP120R063
Figure 1. Typical Output Characteristics Figure 2. Typical Output Characteristics
ID = f(V DS ); T j = 25 °C; parameter: V GS ID = f(V DS ); T j = 125 °C; parameter: V GS
40
80
35
70
3.0 V
3.0 V
ID, Drain-SourceCurrent (A)

30
60
2.5 V
2.5 V 25
50
20
40 2.0 V
15
30
2.0 V
10
20 1.5 V
5
10
1.5 V 0
0
0 2 4 6
0 2 4 6
VDS , Drain-Source Voltage(V) VDS , Drain-Source Voltage(V)
Figure 3. Typical Output Characteristics Figure 4. Typical Transfer Characteristics

ID = f(V DS ); T j = 175 °C; parameter: V GS ID = f(V GS ); V DS = 5 V
24 60
3.0 V
21
50
2.5 V
18
40
15
2.0 V
12 30
9
20
6
1.5 V 10
3
0 0
0 1 2 3 4 5 6 0.00 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00
VDS , Drain-Source Voltage(V) VGS , Gate-Source Voltage(V)
Figure 5. Gate-Source Current Figure 6. Drain-SourceOn-resistance

IGS = f(V GS ); parameter: T j RDS(on) = f(I D); V GS = 3.0; parameter: Tj
1.00 0.35
12
10 0.30
RDS(on) , Drain-SourceOn-resistance
0.80 8
150 o C
IGS , Gate-SourceCurrent (A)
6 175 o C
0.25
4
0.60 2 25 o C
0 175 o C 0.20
2 3 4 5 6
125 o C
0.40 0.15
25o C 0.10
0.20 25oC
0.05
0.00 0.00
1.5 2.0 2.5 3.0 0 10 20 30 40
VGS , Gate-Source Voltage(V) ID, Drain Current (A)
May 2009 Rev 1.3

3/7
252
253
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SDP30S120
Silicon Carbide Power Schottky Diode Product Summary
VDC 1200 V
Features: IF 30 A
- Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling Qc 194 nC
- Temperature Independent Switching Behavior
- 175 °C Maximum Operating Temperature
- Zero Reverse Recovery Current K(3)
- Zero Forward Recovery Voltage
Applications:
- Solar Inverter
- SMPS K(1) A(2)
- Power Factor Correction Internal Schematic
- Induction Heating
- UPS
- Motor Drive
MAXIMUM RATINGS, at Tj = 25 C unless otherwise stated

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 1200

V
DC Blocking Voltage VDC 1200
TC < 130 °C 30
Continuous Forward Current IF
TC < 100 °C 45.8
Repetitive Peak Forward Current IF,RM Tj = 125 °C, D = 0.1 125
Surge Non-Repititive Forward A
IF,SM TC = 25 °C, tP = 10 ms TBD
Current, Half Sine Wave
Non-Repetitive Peak Forward
IF,max TC = 25 °C, tP = 10 us TBD
Current
Power Dissipation PD TC = 25 °C 300 W
Operating and Storage
Tj, Tj,stg -55 to +175 °C
Temperature
October 2008 Rev 1.0 1/4

254
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SDP30S120
THERMAL CHARACTERISTICS
Value
Min Typ Max
Thermal Resistance,
Rth,JC - 0.5 -
junction-case
°C / W
Thermal Resistance,
Rth,JA - 62 -
junction-ambient
ELECTRICAL CHARACTERISTICS, at Tj = 25 C unless otherwise stated

Value
Min Typ Max
IF = 30 A, Tj = 25 °C - 1.6 1.8
Forward Voltage VF V
IF = 30 A, Tj = 175 °C - 2.4 2.9
VR = 1200 V, Tj = 25 °C - 300 -
Reverse Current IR uA
VR = 1200 V, Tj = 175 °C - 600 -
VR = 1200 V, IF = 30 A, di/dt
Total Capacitive Charge QC - 194 - nC
= 500A/us
VR = 0 V, f = 100kHz - 3411 -
Total Capacitance C VR = 300 V, f = 100kHz - 126 - pF
VR = 600 V, f = 100KHz - 104 -
60 1.E-04
25 °C 125 °C
175 °C
150 C
1.E-05
45
IF, Forward Current (A)
IR, Reverse Current (A)
100 C
1.E-06
30
1.E-07
25 C
15
1.E-08
0 1.E-09
0 1 2 3 4 5 0 300 600 900 1200
VF, Forward Voltage (V) VR, Reverse Voltage (V)
Figure 1. Typ. Forward Characteristics Figure 2. Typ. Reverse Characteristics

I F = f(V F ); parameter: T j I R = f(V R )
October 2008 Rev 1.0 2/4

255
IRG4PC50W
Features C
• Designed expressly for Switch-ModePower
Supply and PFC(power factor correction) VCES = 600V
applications
• Industry-benchmarkswitching lossesimprove VCE(on) max. = 2.30V
G
efficiencyof all power supply topologies
• 50%reductionof Eoff parameter
E @V GE = 15V, I C = 27A
• Low IGBTconductionlosses
• Latest-generationIGBTdesignand constructionoff ers n-channel
tighter parametersdistribution, exceptionalrel iability
Benefits
• Lower switching lossesallow morecost-effective
operation than power MOSFETsup to 150 kHz
("hard switched" mode)
• Of particular benefit to single-endedconvertersa nd
boost PFCtopologies150Wand higher
• Low conductionlossesand minimalminority-carrier
recombinationmakethesean excellent option for
resonant modeswitchingaswell (up to >300kHz)
TO-247AC
AbsoluteMaximum Ratings
Par am et er Max . Un i t s
VCES Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600 V
IC @T C = 25°C ContinuousCollectorCurrent 55
IC @T C = 100°C ContinuousCollectorCurrent 27 A
ICM Pulsed CollectorCurrent 220
ILM Clamped InductiveLoad Current 220
VGE Gate-to-EmitterVoltage ± 20 V
EARV ReverseVoltageAvalancheEnergy 170 mJ
PD @T C = 25°C Maximum Power Dissipation 200
W
PD @T C = 100°C Maximum Power Dissipation 78
TJ Operating Junction and -55 to + 150
TSTG Storage TemperatureRange °C
Soldering Temperature,for 10 seconds 300 (0.063 in. (1.6mm from case )
Mounting torque, 6-32 or M3 screw. 10 lbf•in (1.1N•m)
Thermal Resistance
Par am et er Typ. Max . Un i t s
RθJC Junction-to-Case ––– 0.64
RθCS Case-to-Sink,Flat, Greased Surface 0.24 ––– ° C/W
RθJA Junction-to-Ambient, typical socket mount ––– 40
Wt Weight 6 (0.21) ––– g (oz)
www.irf.com 1
2/7/2000
256
IRG4PC50W
Electrical Characteristics@T J = 25°C(unlessotherwisespecified)
Par am et er Mi n . Typ. Max . Un i t s Co n d i t i o n s
V(BR)CES Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600 — — V V GE = 0V,I C = 250µA
V(BR)CES Emitter-to-Collector Breakdown Voltage 18 — — V V GE = 0V,I C = 1.0A
∆V(BR)CES /∆TJ TemperatureCoeff. of BreakdownVoltage — 0.41 — V/°C V GE = 0V,I C = 5.0mA
— 1.93 2.3 I C = 27A V GE = 15V
VCE(ON) Collector-to-Emitter Saturation Voltage — 2.25 — I C = 55A See Fig.2,5
V
— 1.71 — I C = 27A,T J = 150 °C
VGE(th) Gate Threshold Voltage 3.0 — 6.0 V CE = V GE ,I C = 250µA
∆VGE(th) /∆TJ TemperatureCoeff. of ThresholdVoltage — -11 — mV/°C V CE = V GE ,I C = 1.0mA
gfe Forward Transconductance 27 41 — S V CE = 100V,I C = 27A
ICES Zero GateVoltageCollector Current — — 250 µA V GE = 0V,V CE = 600V
— — 2.0 V GE = 0V,V CE = 10V,T J = 25 °C
— — 5000 V GE = 0V,V CE = 600V,T J = 150 °C
IGES Gate-to-EmitterLeakageCurrent — — ±100 nA V GE = ±20V
Switching Characteristics@T J = 25°C(unlessotherwisespecified)

Par am et er Mi n . Typ. Max . Un i t s Co n d i t i o n s
Qg Total Gate Charge(turn-on) — 180 270 I C = 27A
Qge Gate - Emitter Charge(turn-on) — 24 36 nC V CC = 400V See Fig.8
Qgc Gate - CollectorCharge(turn-on) — 63 95 V GE = 15V
td(on) Turn-On Delay Time — 46 —
tr Rise Time — 33 — TJ = 25 °C
ns
td(off) Turn-Off Delay Time — 120 180 I C = 27A, V CC = 480V
tf Fall Time — 57 86 V GE = 15V, R G = 5.0 Ω
Eon Turn-On Switching Loss — 0.08 — Energy lossesinclude "tail"
Eoff Turn-Off Switching Loss — 0.32 — mJ See Fig. 9, 10, 14
Ets Total Switching Loss — 0.40 0.5
td(on) Turn-On Delay Time — 31 — TJ = 150 °C,
tr Rise Time — 43 — IC = 27A, V CC = 480V
ns
td(off) Turn-Off Delay Time — 210 — VGE = 15V, R G = 5.0 Ω
tf Fall Time — 62 — Energy lossesinclude "tail"
Ets Total Switching Loss — 1.14 — mJ See Fig. 10,11, 14
LE Internal Emitter Inductance — 13 — nH Measured 5mm from package
Cies Input Capacitance — 3700 — VGE = 0V
Coes Output Capacitance — 260 — pF V CC = 30V See Fig. 7
Cres Reverse Transfer Capacitance — 68 — ƒ = 1.0MHz
Notes:
Repetitiverating; V GE = 20V, pulse width limited by

max. junction temperature. ( See fig. 13b )
VCC = 80%(V CES ), V GE = 20V, L = 10µH, R 5.0 Ω, Pulse width ≤ 80µs; duty factor ≤ 0.1%.
G=
(See fig. 13a) Pulse width 5.0µs,single shot.
Repetitive rating; pulsewidth limited by maximum
junction temperature.
2 www.irf.com
257
IRG4PC50W
100
For both: Triangular wave:
Duty cycle: 50%
TJ = 125 °C
80 Tsink = 90 °C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 40W Clamp voltage:
80% of rated
Load Current ( A )
60
Sq uare wave:
60% of rated
voltage
40
20
Ideal diodes
0 A
0.1 1 10 100 1000
f, Fre quency (kHz)
Fig. 1 - Typical Load Current vs.Frequency

(Load Current = I RMS of fundamental)
1000 1000
I C, Collector-to-Emitter Current (A )
100 100
°
TJ= 150 C
TJ= 150 C °
°
TJ= 25 C
TJ= 25 C °
10 10
V GE= 15V V CC= 50V

20µs PULSE WID TH 5µs PULSE WIDT H
1 1
1 10 5 6 7 8 9 10 11
V CE, Collector-to-Emitter Volt a ge (V) V GE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics Fig. 3 - Typical TransferCharacteristics

www.irf.com 3
258
IRG4PC50W
3.0 1000
mΩ
R G = Oh5.0 VGE= 20 V
T J = 150 C° T J = 125 Co
VCC= 480 V
VGE = 15V
Total Switching Losses (mJ)
2.0 100
1.0 10
SAFE OPERATING ARE A

0.0 1
0 10 20 30 40 50 60 1 10 100 1000
I C, Collector-to-emitter Current (A ) VCE, Collector-to-Emitter Volt a ge (V)
Fig. 11 - Typical Switching Lossesvs. Fig. 12 - Turn-Off SOA

Collector-to-EmitterCurrent
6 www.irf.com
259
ISL9R3060G2, ISL9R3060P2
May 2004
30A, 600V Stealth™ Diode
General Description Features
The ISL9R3060G2 and ISL9R3060P2 are Stealth™ • Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tb / ta > 1.2
diodes optimized for low loss performance in high • Fast Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . trr < 35ns
frequency hard switched applications. The Stealth™ family
exhibits low reverse recovery current (IRRM) and • Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175oC
exceptionally soft recovery under typical operating • Reverse Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
conditions.
This device is intended for use as a free wheeling or boost • Avalanche Energy Rated
diode in power supplies and other power switching
applications. The low IRRM and short ta phase reduce loss Applications
in switching transistors. The soft recovery minimizes • Switch Mode Power Supplies
ringing, expanding the range of conditions under which the • Hard Switched PFC Boost Diode
diode may be operated without the use of additional
snubber circuitry. Consider using the Stealth™ diode with • UPS Free Wheeling Diode
an SMPS IGBT to provide the most efficient and highest
power density design at lower cost. • Motor Drive FWD
Formerly developmental type TA49411. • SMPS FWD
• Snubber Diode
Package Symbol
JEDEC STYLE 2 LEAD TO-247 CATHODE JEDEC TO-220AC
(FLANGE)
ANODE K
CATHODE
CATHODE
(BOTTOM SIDE
METAL)
A
CATHODE ANODE
Device Maximum Ratings TC= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter Ratings Units
VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 600 V
VRWM Working Peak Reverse Voltage 600 V
VR DC Blocking Voltage 600 V
IF(AV) Average Rectified Forward Current 30 A
IFRM Repetitive Peak Surge Current (20kHz Square Wave) 70 A
IFSM Nonrepetitive Peak Surge Current (Halfwave 1 Phase 60Hz) 325 A
PD Power Dissipation 200 W
EAVL Avalanche Energy (1A, 40mH) 20 mJ
TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 to 175 °C
TL Maximum Temperature for Soldering
TPKG Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s 300 °C
Package Body for 10s, See Techbrief TB334 260 °C
CAUTION: Stresses a bove those listed in “Device Maximum Ratings” may cause permanent d amage to the device. This is a str ess only rating and
operation of the device at these or any ot her conditions abo ve those indic ated in the operational section s of this speci ficati on is not implied.
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation ISL9R3060G2, ISL9R3060P2 Rev. C3

260
Package Marking and Ordering Information
Device Marking Device Package Tape Width Quantity
R3060G2 ISL9R3060G2 TO-247 - -
R3060P2 ISL9R3060P2 TO-220AC - -
Electrical Characteristics TC = 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Units
Off State Characteristics

IR Instantaneous Reverse Current VR = 600V TC = 25°C - - 100 µA
TC = 125°C - - 1.0 mA
On State Characteristics
VF Instantaneous Forward Voltage IF = 30A TC = 25°C - 2.1 2.4 V
TC = 125°C - 1.7 2.1 V
Dynamic Characteristics
CJ Junction Capacitance VR = 10V, IF = 0A - 120 - pF
Switching Characteristics
trr Reverse Recovery Time IF = 1A, dIF/dt = 100A/µs, VR = 30V - 27 35 ns
IF = 30A, dIF/dt = 100A/µs, VR = 30V - 36 45 ns
trr Reverse Recovery Time IF = 30A, - 36 - ns
IRRM Maximum Reverse Recovery Current dIF/dt = 200A/µs, - 2.9 - A
QRR Reverse Recovery Charge VR = 390V, TC = 25°C - 55 - nC
S Softness Factor (tb/ta) dIF/dt = 200A/µs, - 1.9 -
IRRM Maximum Reverse Recovery Current VR = 390V, - 6 - A
TC = 125°C
QRR Reverse Recovery Charge - 450 - nC
S Softness Factor (tb/ta) dIF/dt = 1000A/µs, - 1.25 -
IRRM Maximum Reverse Recovery Current VR = 390V, - 21 - A
TC = 125°C
QRR Reverse Recovery Charge 730 - nC
dIM/dt Maximum di/dt during tb - 800 - A/µs
Thermal Characteristics
RθJC Thermal Resistance Junction to Case - - 0.75 °C/W
RθJA Thermal Resistance Junction to Ambient TO-247 - - 30 °C/W
RθJA Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220 - - 62 °C/W

261
Typical Performance Curves
60 5000
175oC
175oC
50 1000
150oC
150oC 25oC
IR, REVERSE CURRENT (µA)

IF, FORWARD CURRENT (A)
125oC
40
100
125oC 100oC
30
75oC
10
20
100oC
1
10 25oC
0 0.1
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 100 200 300 400 500 600
VF, FORWARD VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
100 120
VR = 390V, TJ = 125°C VR = 390V, TJ = 125°C
90 tb AT dIF/dt = 200A/µs, 500A/µs, 800A/µs
100
80
tb AT IF = 60A, 30A, 15A
t, RECOVERY TIMES (ns)
70 t, RECOVERY TIMES (ns) 80

60
50 60
40
40
30
20
20
10 ta AT dIF/dt = 200A/µs, 500A/µs, 800A/µs ta AT IF = 60A, 30A, 15A
0 0
0 10 20 30 40 50 60 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
IF, FORWARD CURRENT (A) dIF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/µs)
Figure 3. ta and tb Curves vs Forward Current Figure 4. ta and tb Curves vs dIF/dt

IRRM, MAX REVERSE RECOVERY CURRENT (A)
IRRM, MAX REVERSE RECOVERY CURRENT (A)
20 30
VR = 390V, TJ = 125°C dIF/dt = 800A/µs
VR = 390V, TJ = 125°C IF = 60A
18
25
16 IF = 30A
20 IF = 15A
14 dIF/dt = 500A/µs
12 15
10
10
8
dIF/dt = 200A/µs
5
6
4 0
0 10 20 30 40 50 60 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
IF, FORWARD CURRENT (A) dIF /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/µs)
Figure 5. Maximum Reverse Recovery Current vs Figure 6. Maximum Reverse Recovery Current vs
Forward Current dIF/dt

262
Tese apresentada ao Programa de Pós-
Graduação em Engenharia Elétrica da
Universidade Federal de Santa
Catarina, como requisito para obtenção de
Grau de Doutor em Engenharia Elétrica
Orientador: Marcelo Lobo Heldwein, Dr. sc. ETH Zurich

Co-orientador: Samir Ahmad Mussa, Dr.
Florianópolis, 2013

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Tese de Doutorado

CARGA ELETRÔNICA ATIVA TRIFÁSICA

Joselito Anastácio Heerdt

Universidade Federal de Santa Catarina

Joselito Anastácio Heerdt

CARGA ELETRÔNICA ATIVA TRIFÁSICA

CARGA ELETRÔNICA ATIVA TRIFÁSICA

Tese submetida ao Programa de

Uma Tese de doutorado é construída com muitas e muitas horas

Neste trabalho estão apresentados os estudos efetuados do conversor

Palavras-chave: Conversor bidirecional de três níveis, inversor NPC,

This work presents a study of a modified Neutral Point Clamped (here

Keywords: AC active load, three-level bi-directional converters, NPC

Figura 1.1 - Diagrama de blocos de um sistema de ensaio de carga em

Figura 3.2 - Quatro quadrantes de operação no plano VA x I A . ........................ 20

Figura 3.12 - Intervalos de comutação do interruptor Sn . .................................. 34

Figura 3.13 - Correntes média e eficaz de S p e Sn , parametrizadas por

Figura 3.17 - Intervalos de comutação dos diodos D p e Dn . ............................. 40

Figura 3.18 - Correntes média e eficaz de D p e Dn , parametrizadas por

I A, pk , com M 0,778 . ....................................................................................... 43

Figura 3.19 - Corrente média de Sp e Sn em função de M e  : (a)

Figura 3.26 - Intervalos de comutação do interruptor S 4 . .................................. 47

Figura 3.28 - Intervalos de comutação do interruptor S2 . .................................. 50

Figura 3.29 - Intervalos de comutação do interruptor S3 . .................................. 51

Figura 3.31 - Intervalos de comutação dos diodos D1 e D2 . ............................ 54

Figura 3.34 - Intervalos de comutação do diodo D5 . ......................................... 57

Figura 3.36 - Corrente média de S1 e S4 em função de M e  : (a)

Figura 6.7 - Espectros harmônicos da: (a) corrente de controlada, IA e ; (b)

Figura 6.10 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* senoidal,

Figura 6.11 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* senoidal,

Figura 6.12 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* triangular e

Figura 6.14 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* com o

Figura 6.16 - Simulação da resposta do sistema à referência ia* com o

Figura 7.8 - Controle discreto: circuito de (a) controle digital e (b) de

Figura 7.12 - Operação como inversor: (a) formas de onda experimentais da

espectro e DHT da corrente EST. Escalas: corrente ia com 5 A/div; tensão

Figura 7.13 - Operação como retificador: (a) formas de onda experimentais

Figura 7.14 - CEA-CA operando com espectro programado da corrente para

Tabela 3.6 - Semicondutores empregados nos retificadores NPC e NPCm. ........ 68

Tabela 6.4 - Amplitude e fase das harmônicas impostas à referência ia* ,

Tabela 6.6 - Amplitude e fase das harmônicas impostas à referência ia* ,

Símbolos adotados nos equacionamentos

Função de erro no domínio da frequência  s -

Vetor derivada das correntes de fase

Vetor dos estados do Observador  -

Símbolos usados para referenciar elementos de circuitos

Nos tempos atuais, a otimização do consumo de energia elétrica

1.1 MOTIVAÇÃO PARA O TEMA

Durante os ensaios de carga de equipamentos elétricos ou

 Redução do espaço ocupado pelos equipamentos de aplicação

1.2 O CONCEITO DE CARGA ELETRÔNICA ATIVA

As Cargas Eletrônicas Ativas (CEA) podem ser encontradas na

formato e defasagem da corrente drenada do equipamento que está sob

1.3 APLICAÇÕES DE CARGAS ELETRÔNICAS ATIVAS

As Cargas Eletrônicas Ativas possuem enorme aplicação

Estes equipamentos podem ser testados nas diferentes fases da

 Ensaios para o envelhecimento acelerado de equipamentos,

1.4 OBJETIVOS E CONTRIBUIÇÕES DESTE TRABALHO

A partir dos estudos efetuados o foco deste trabalho foi