Informações Úteis – Disciplina Eletrônica Básica 1 – ETR1 – Prof.

Antonio Luiz

1) Ementa do Curso: O conteúdo programático será dividido em unidades, a saber:

• Física dos Semicondutores I, Diodos e Aplicações do Diodo Reversamente Polarizado
• Aplicações do Diodo Diretamente Polarizado, Retificação e Filtragem
• Física dos Semicondutores II, Transistores Bipolares e Sua Polarização
• Aplicações do Transistor: Como Chave de Controle e como Amplificador

Esse programa será desenvolvido conforme a capacidade de absorção da Turma e de acordo

com a duração do Módulo, podendo, eventualmente, não ser ministrado em sua totalidade.
Ao final de cada unidade será dada uma Lista de Exercícios, que poderá ser resolvida
individualmente ou por grupos de até quatro alunos.

2) Provas Escritas: Serão realizadas 2 Provas Escritas, compostas das seguintes seções:

• Laboratório: Essa seção vale 2 pontos e conterá de 1 a 3 questões referentes aos

experimentos de Laboratório realizados até a data da Prova. Nessa seção não há
possibilidade de escolha das questões a serem resolvidas nem de seu valor.
• Parte Discursiva: Essa seção vale 3 pontos e conterá 5 questões, das quais o aluno
deverá responder 3, escolhidas a seu critério. O aluno também poderá escolher o valor de
cada questão, desde que, simultaneamente: a soma dos valores atribuídos às três
questões escolhidas seja igual a 3 pontos, nenhuma delas receba valor maior do que 2
pontos e nenhuma delas receba valor inferior a 0,5 pontos.
• Parte de Cálculos e Análise: Essa seção vale 5 pontos e conterá 4 questões, das quais
o aluno deverá resolver 3, escolhidas a seu critério. O aluno também poderá escolher o
valor de cada questão, desde que, simultaneamente: a soma dos valores atribuídos às
três questões escolhidas seja igual a 5 pontos, nenhuma delas receba valor maior do que
2 pontos e nenhuma delas receba valor inferior a 1 ponto.
Qualquer situação diferente das acima descritas, seja no que se refere ao número de
questões respondidas em cada seção da prova, seja no que se refere aos valores atribuídos às
questões, será resolvida a critério exclusivo do professor. O conteúdo das Provas Escritas será o
mesmo coberto pelas duas últimas Listas de Exercícios realizadas anteriormente. Após cada
duas Listas de Exercícios será realizada uma Prova Escrita. Assim, as divulgação do gabarito da
2ª e da 4ª Lista de Exercícios serve, respectivamente, como aviso quanto à realização da 1ª e da
2ª Prova Escrita.

3) Recuperação Paralela: Será proporcionado ao aluno que tiver nota inferior a 6,0 em
qualquer das 2 Provas Escritas um processo paralelo de recuperação. Esse processo será
realizado através da inclusão em cada Prova (com a óbvia exceção da primeira) de questões
referentes à prova anterior. As questões de recuperação paralela terão seu valor medido em
porcentagem. 20% serão referentes a duas questões discursivas, 20% serão referentes a uma
ou duas questões de Laboratório e os 60% restantes serão referentes a uma questão de cálculo
e/ou análise. O aluno que obtiver 100% nessas questões terá o valor da nota da prova anterior
alterado para 6. Para porcentagens inferiores, a nota será alterada de modo proporcional. Note-
se que esse processo de Recuperação Paralela é a solução prevista para os alunos que por
qualquer motivo venham a perder alguma das Provas Escritas.

4) Orientações Sobre os Relatórios de Experimentos Práticos: Os Relatórios dos

experimentos devem ser redigidos em conformidade com os princípios estudados em Metodologia
do Trabalho Científico, devendo conter: uma breve introdução teórica a respeito do assunto (não
será aceita uma mera transcrição da apostila), os requisitos de projeto, o diagrama do circuito, a
memória de cálculo, os valores efetivamente utilizados, explicação sobre o procedimento
experimental, resultados obtidos (descrições, gráficos e tabelas, incluindo comparações com os
valores teoricamente esperados), comentários (item mais relevante), conclusões e bibliografia
1
consultada. Obviamente, nem todos esses itens serão aplicáveis a todos os experimentos. Deve
ser entregue um relatório por grupo de trabalho (bancada) e o prazo para a entrega é até a
realização do próximo experimento, a menos que especificado em contrário pelo professor.

5) Critério de Avaliação: A Média Final do curso será obtida através da fórmula

( P1 + P 2)
MF = , onde P1 é a Nota da 1ª metade do Módulo e onde P2 é a Nota da 2ª metade do
2
Módulo.
A nota da Nota da 1ª metade do Módulo será obtida através da fórmula
5 × PV 1 + 3 × MR1 + 2 × ML1
P1 = , onde PV1 é a nota da 1ª Prova Escrita, MR1 é a média das
10
notas dos Relatórios das experiências de Laboratório realizadas até o dia da 1ª Prova Escrita e
ML1 é a média das notas das Listas de Exercícios realizadas até o dia da 1ª Prova Escrita.
A nota da Nota da 2ª metade do Módulo será obtida através da fórmula
5 × PV 2 + 3 × MR 2 + 2 × ML 2
P2 = , onde PV2 é a nota da 1ª Prova Escrita, MR2 é a média das
10
notas dos Relatórios das experiências de Laboratório realizadas após o dia da 1ª Prova Escrita e
ML2 é a média das notas das Listas de Exercícios realizadas após o dia da 1ª Prova Escrita.
Eventual arredondamento de nota será realizado apenas após o cálculo da Média Final.
Como se pode notar pelo critério exposto acima, metade da Média Final se refere a
atividades individuais (Provas Escritas) e a outra metade se refere a atividades em grupo
(Relatórios de Experiências de Laboratório e Listas de Exercícios).
6) Terceira Prova Escrita (PV3): Os alunos que obtiverem Média Final inferior a 6 (seis) poderão
realizar, na última semana do módulo, uma terceira Prova Escrita (PV3). Essa prova abrangerá
toda a matéria do Módulo e será composta de 4 questões discursivas, cada uma valendo 0,5
(meio ponto), num total de 2,0 (dois pontos); por 4 questões de cálculo e/ou análise, cada uma
valendo 1,0 (um ponto), num total de 4,0 (quatro pontos); e 2 questões de Laboratório, cada uma
valendo 1,0 (um ponto), num total de 2,0 (dois pontos). Não haverá nessa prova escolha de
questões a serem resolvidas nem de seus valores. Após a realização da PV3, o valor definitivo
( MF + PV 3)
da Média Final será obtido pela fórmula: MF ' = , sendo MF o valor anterior da Média
2
Final e PV3 a nota obtida na Terceira Prova Escrita. Após a aplicação dessa fórmula será
aplicada a regra de arredondamento prevista na Norma Curricular do Curso.
7) Apostila: O curso é baseado numa apostila, cuja aquisição é fortemente recomendada. Os
originais da apostila estão disponíveis na APM. Os alunos que desejarem receber o arquivo
contendo o texto da apostila devem solicitá-lo através de e-mail para [email protected], com
cópia para [email protected]. O aluno deverá acompanhar as aulas munido da apostila. A
princípio, as únicas anotações necessárias se referem à resolução dos Exemplos Numéricos que
serão propostos durante as aulas.

8) Devolução e Guarda dos Trabalhos: Todos os trabalhos realizados ao longo do Curso (Listas
de Exercícios, Relatórios e Provas Escritas) serão devolvidos aos alunos após sua correção.
Essa devolução será feita durante o horário oficial de aulas e, se o aluno não estiver presente, o
trabalho será entregue ao Representante da Turma ou ao seu vice. Os trabalhos deverão ser
cuidadosamente guardados até o encerramento do módulo. Reclamações em relação a notas
não lançadas ou lançadas com erro serão aceitas apenas mediante a apresentação do trabalho
correspondente, antes da data estipulada para a entrega dos resultados finais à Secretaria da
Escola.

9) Resultado Final: Após realizadas todas as atividades previstas neste documento e calculada a
Média Final de acordo com o exposto nos itens 4 e 5 deste documento, não caberá qualquer
recurso junto ao professor para que a Média Final seja alterada (realização de prova-extra,
trabalho-extra, etc.). Isso deve estar bem claro para o aluno, a fim de que sejam evitadas
situações constrangedoras para si mesmo e para o professor.
2
 ELETRÔNICA – UMA BREVE INTRODUÇÃO

De uma forma bastante simplista, podemos definir a Eletrônica como o ramo da

Eletricidade que se ocupa do controle da corrente elétrica nos sólidos (semicondutores) e nos
gases (válvulas a gás ou a “vácuo”). Dispositivos como os LCDs (Liquid Crystal Displays)
estendem essa definição também aos “líquidos”, embora a estrutura molecular dos materiais
constituintes de tais dispositivos apresente características semelhantes às dos sólidos.

Os dispositivos a gás (“válvulas”), que tiveram grande utilidade no passado, têm

atualmente o seu uso restrito a aplicações de alta tensão ou alta potência, razão pela qual não
serão abordados nesse Curso. Faremos breve referência a eles por ocasião do estudo dos
transistores por efeito de campo. Desse modo, o foco estará voltado para os dispositivos de
estado sólido (semicondutores).

Cada dispositivo eletrônico pode ser representado por um ou mais modelos constituídos
por uma associação de componentes elétricos ideais (resistores, capacitores, indutores,
geradores independentes e geradores controlados). Um modelo para um dispositivo é obtido
através de medidas ou através do conhecimento dos mecanismos físicos internos a esse
dispositivo. Como o comportamento de um determinado dispositivo eletrônico está
necessariamente ligado a condições bem específicas (magnitude e polaridade da tensão
aplicada, temperatura, etc.), é possível que, em situações diferentes, ele tenha que ser
representado por meio de modelos totalmente. O objetivo é obter o modelo mais simples capaz
de descrever satisfatoriamente um dispositivo numa determinada condição.

Para ilustrar esse princípio, tomemos o exemplo do dispositivo (componente) elétrico

capacitor. Numa aplicação ordinária desse dispositivo, ele poderia ser modelado simplesmente
através de sua principal característica, a capacitância. Contudo, se esse mesmo dispositivo for
utilizado numa aplicação em que precise armazenar energia por longos períodos de tempo, torna-
se necessário, para manter uma aderência ao comportamento real, acrescentar ao modelo mais
simples uma resistência paralela com valor adequado para representar as correntes de fuga do
dielétrico. Se o capacitor é utilizado numa aplicação em que é descarregado através de um curto-
circuito entre os seus terminais, a corrente de descarga pode apresentar um comportamento
oscilatório amortecido. Esse comportamento necessita de um modelo composto por uma
associação série de uma capacitância, uma resistência e uma indutância para ser
adequadamente representado. A Figura 1 mostra os três modelos propostos para o componente
capacitor.

C C C
R
L
R

Figura 1 - Três Diferentes Modelos Para um Mesmo Dispositivo

Uma vez escolhido o modelo mais conveniente para o(s) dispositivo(s) eletrônico(s)
presente(s) num circuito, o mesmo “deixa de ser” um circuito eletrônico e “passa a ser” um circuito
elétrico. Assim, as ferramentas de análise desse circuito são as fornecidas pela teoria de
circuitos elétricos: leis de Ohm e de Kirchoff, teoremas de Thévenin e Norton, o princípio de
superposição, etc. Com o uso de tais ferramentas, podem ser obtidas as informações
relevantes para o circuito em questão.

3
 MATERIAIS SEMICONDUTORES

Os elétrons de valência (da última camada eletrônica) dos materiais sólidos se distribuem
em níveis bem definidos de energia, aos quais se dá o nome de bandas de energia. Em ordem
crescente de energia, essas bandas são:

a) Banda de Valência → É aquela em que os elétrons da última camada se encontram em

condições normais (ou seja, sem a aplicação de energia externa). Nesse nível de energia, os
elétrons de valência estão fortemente ligados ao núcleo, não estando disponíveis para se
movimentarem e constituírem, dessa forma, uma corrente elétrica.

b) Banda Proibida → é um nível de transição, que não abriga elétrons de forma permanente.
Elétrons que eventualmente se encontrem nesse nível ou receberam energia e estão passando
da banda de valência para a de condução ou perderam energia e fazem o percurso contrário.

c) Banda de Condução → é a faixa em que se encontram os elétrons que, tendo recebido

energia de uma fonte qualquer, estão relativamente afastados do núcleo e, dessa forma,
fracamente ligados a ele e passíveis de deslocamento sob a influência de um campo elétrico.
Esses elétrons, chamados de elétrons livres, são os responsáveis pelo transporte de corrente
elétrica, ao se movimentarem sob a ação de um campo elétrico.

Uma vez que os níveis de energia associados às partículas atômicas têm valores muito
reduzidos, eles costumam ser expressos por meio de uma unidade especial, o elétron-volt (eV).
Lembrando que a energia W é dada pelo produto entre a carga Q e a tensão V, chegamos à
relação:
-19 -19
W = Q × V ⇒ 1 eV = 1,6 × 10 C × 1 V ⇒ 1 eV = 1,6 × 10 J

De acordo com a constituição das bandas de energia, os sólidos se classificam, quanto à

condutividade, em três classes:

1) Isolantes → possuem uma banda proibida relativamente larga (intervalos superiores a 5 eV

entre os níveis de valência e condução), de modo que é necessária a aplicação de grandes
quantidades de energia para levar um elétron a “saltá-la”. Por esse motivo, tais sólidos são maus
condutores de corrente elétrica.

2) Metais → neles, as bandas de valência e de condução se superpõem em parte, de modo que

não possuem banda proibida. Logo, esses sólidos possuem abundância de elétrons livres à
temperatura ambiente, sendo ótimos condutores de corrente elétrica. Essa é a razão pela qual os
metais são também conhecidos como condutores.

3) Semicondutores → são aqueles cuja banda proibida tem largura relativamente estreita
(intervalo inferior a 5 eV entre os níveis de valência e condução), permitindo a passagem de
elétrons para a banda de condução com relativa facilidade, se comparados aos isolantes. Como
veremos, a energia necessária para levar os elétrons a "saltar" a banda proibida pode provir da
temperatura (energia térmica) ou da luz incidente (energia luminosa).

Essas três categorias de materiais podem ser representadas graficamente da forma

mostrada na Figura 2, na qual se apresentam os níveis energéticos relacionados com as bandas
de valência e condução. A energia na parte superior da banda de valência é simbolizada por EV e
a energia na parte inferior da banda de condução é simbolizada por EC. Entre elas está o “gap”
de energia ou banda proibida, simbolizado por EG. É óbvio que: EG = EC – EV.

4
 Nível Nível Nível
energético energético energético

EC

EG > 5 eV
EV
EG ≤0 EC
EG < 5 eV
EV EC EV

isolante metal semicondutor

Figura 2 - Caracterização dos Sólidos de Acordo com os Níveis Energéticos

Os semicondutores constituem a base da Eletrônica moderna. Entre os principais

elementos químicos com características de semicondutores temos o germânio (Ge) e o silício
(Si). Sob determinadas circunstâncias o carbono (C) também se comporta como semicondutor.
Alguns exemplos de substâncias compostas semicondutoras são o arseneto de gálio (GaAs), o
fosfeto de índio (InP) e o seleneto de zinco (ZnSe).

Demonstra-se experimentalmente que a largura da banda proibida, no caso do silício, varia

-4
em função da temperatura de acordo com a expressão: EG(T) = 1,21 – 3,6 × 10 × T. De modo
-4
análogo, para o germânio, obtém-se a expressão: EG(T) = 0,785 – 2,23 × 10 × T. Em ambas
as fórmulas, as temperaturas são absolutas (kelvin).

Em nosso curso, trataremos exclusivamente do silício, mais amplamente utilizado. No

entanto, os princípios que estudaremos aplicam-se todos os materiais semicondutores, que
possuem as seguintes características em comum:

- Seus átomos possuem quatro elétrons na última camada, isto é, são tetravalentes.

- Suas moléculas são formadas através de ligações covalentes.

- Em suas moléculas, os átomos obedecem a uma disposição sistemática e ordenada, na forma

de cristais tetraédricos, chamada de rede cristalina. Por essa razão, falamos em cristais
semicondutores. A Figura 3 mostra a configuração tridimensional de um cristal de silício.

Figura 3 - Estrutura Cristalina do Silício e do Germânio

5
Representação Bidimensional de um Cristal de Silício

A Figura 4 representa, agora de forma bidimensional, a estrutura molecular de um cristal

semicondutor de silício.

As convenções
adotadas na figura são:
Si Si Si
+4 +4 +4

Átomo de silício sem

Si os elétrons da última
+4 camada.
Si Si Si
+4 +4 +4 Elétron de valência
(última camada).

Ligação covalente
Si Si Si entre os átomos
+4 +4 +4

Figura 4 – Representação Bidimensional de um Cristal de Silício

Um cristal como o representado acima, que possui "apenas" átomos de silício, é chamado
de cristal semicondutor intrínseco ou puro.
Com uma estrutura "perfeita" como a acima representada, o cristal comporta-se como um
isolante, uma vez que todos os elétrons participam de ligações covalentes, estando dessa forma,
fortemente ligados aos respectivos núcleos e indisponíveis para o transporte de corrente elétrica.
No entanto, a estrutura só tem esse aspecto a 0 K (zero absoluto de temperatura ≈ -273 °C),
quando não existe agitação térmica das moléculas. Em temperaturas superiores, a agitação das
moléculas (que é devida à aplicação de energia térmica) leva à ruptura de ligações covalentes, e
a rede fica com configuração mostrada na Figura 5.
Convenções:
Átomo de silício sem
Si os elétrons da última
Si Si Si +4 camada.
+4 +4 +4
Elétron de valência
(última camada).

Ligação covalente
Si Si Si entre os átomos
+4 +4 +4

“Falta” de elétron (lacuna)

Ligação covalente
Si Si Si rompida
+4 +4 +4

Energia térmica ou
luminosa
Figura 5 – Cristal de Silício Numa Temperatura Absoluta Não Nula

6
 Com a ruptura de ligações covalentes, temos elétrons que, não estando fortemente
ligados a um núcleo, estão disponíveis para se deslocarem sob a ação de um campo elétrico -
são os elétrons livres. Isso aumenta a condutividade da rede. Além disso, a ausência dos
elétrons das ligações rompidas deixa na rede "buracos" que a tornam suscetível a receber
elétrons que restabeleçam a integridade dessas ligações, ou seja, a rede tem facilidade de atrair
elétrons externos. É da mais alta importância compreender que, por essa razão, esses "buracos"
também contribuem para o aumento da condutividade da rede. Assim, podemos interpretar esses
"buracos" como se fossem cargas elétricas móveis positivas, com a mesma carga, em módulo, de
um elétron (uma espécie de "elétron positivo"). Esses buracos são denominados lacunas.
As lacunas e os elétrons livres são os portadores de carga elétrica em um semicondutor,
já que a condução de corrente depende dessas duas partículas. Num metal, como sabemos, a
condução de corrente se dá apenas através de elétrons livres, razão pela qual dizemos que os
metais são unipolares (apenas um tipo de portador de carga). Os semicondutores, cuja
condutividade depende de elétrons livres e lacunas, são bipolares (dois tipos de portadores de
carga). Essa é a principal diferença entre metais e semicondutores no que concerne à condução
da corrente elétrica.
A geração de elétrons livres e lacunas devido à agitação térmica é chamada de geração
térmica (ou termogeração) de portadores. Nesse processo, a cada elétron livre gerado
corresponde, necessariamente, uma lacuna, ou seja, os portadores aparecem aos pares.
É fácil concluir que quanto maior a temperatura, maior a agitação térmica, maior o número
de ligações covalentes rompidas, maior o número de portadores gerados e maior a condutividade
da rede. Logo a condutividade de um semicondutor intrínseco é diretamente proporcional à
temperatura.
Com a agitação de rede, eventualmente um elétron livre pode-se encontrar com uma
lacuna, restabelecendo-se uma ligação covalente e "desaparecendo" ambos os portadores. A
isso chamamos de recombinação. Os fenômenos de geração e recombinação de portadores
ocorrem simultaneamente, ou seja, enquanto portadores estão sendo gerados termicamente
outros estão desaparecendo por recombinação. Isso impede que todas as ligações covalentes de
um cristal semicondutor estejam rompidas num dado instante. A geração e a recombinação
ocorrem com maior freqüência em regiões do semicondutor em que a estrutura cristalina
apresenta imperfeições.

Equilíbrio Térmico

Para cada valor de temperatura existe uma taxa de equilíbrio entre os fenômenos de
geração e recombinação, de modo que o número total de portadores será uma função da
temperatura a que se encontra o cristal. A esse número chamamos de concentração intrínseca
de portadores (ni). Essa concentração é expressa em termos de portadores por centímetro
-3
cúbico. Sua unidade é átomos por centímetro cúbico (cm ). Seu valor depende não apenas
da temperatura, mas de outros fatores, entre quais o material e a iluminação. A concentração
intrínseca pode ser calculada através da equação:

n = B × T × e− E K ×T , sendo B um parâmetro dependente do material, T a temperatura

3 G
i
-23
absoluta, EG a largura da banda proibida e K a constante de Boltzmann, que vale 1,38 × 10 J/K
-5
(ou 8,62 × 10 eV/K).
Visto como num semicondutor intrínseco o número p de lacunas é necessariamente igual
ao número n de elétrons livres, podemos escrever: p = n = ni. À temperatura de 300 K,
equivalente a 27 ºC e adotada por razões de facilidade de cálculo como padrão de temperatura
ambiente, os valores aproximados para as concentrações intrínsecas do silício e do germânio
10 -3 13 -3
são, respectivamente, 1,5 × 10 cm e 2,5 × 10 cm . Num semicondutor, o valor dado por
2
ni = p × n é uma constante, numa dada temperatura.

7
 A Figura 6 apresenta de forma gráfica a dependência da concentração intrínseca de
portadores em relação à temperatura para três diferentes materiais semicondutores.

Figura 6 - Concentração Intrínseca de Portadores em Função da Temperatura

Condução de Corrente Elétrica nos Cristais Semicondutores

A Figura 7 mostra uma barra semicondutora intrínseca de silício, onde representamos os
elétrons livres (+) e as lacunas (-):
ILacunas

A ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ B
S 
ITotal
IElétrons livres
+

V
Figura 7 - Mecanismo de Condução Num Semicondutor

8
 Mesmo com a chave S aberta, os portadores estão em movimento contínuo, mas tendo a
sua direção modificada após cada colisão com os íons. Estes, com massa muito superior à dos
elétrons livres, permanecem praticamente estáticos. Como o movimento das partículas é
totalmente aleatório, o número de elétrons circulando em todas as direções é o mesmo. Ou seja,
o valor médio da corrente resultante é nulo.

Fechando-se a chave S, os extremos da barra ficam sujeitos a uma tensão V, que

submete o cristal a um campo elétrico ε. Esse campo elétrico acelera as partículas na direção
oposta, estabelecendo o que se chama de corrente de deriva. A velocidade v de deslocamento
2
é dada pela equação: v = µ × ε, onde é a mobilidade do portador, cuja unidade é cm /Vs
(centímetro quadrado por volt-segundo). Os elétrons livres (cargas negativas) no são impelidos
sentido indicado (de B para A). Como o sentido convencional da corrente corresponde a um
deslocamento de cargas positivas, temos então uma corrente convencional de A para B. Por sua
vez, as lacunas (cargas positivas) são impelidas de A para B, o que corresponde, como no caso
anterior, a uma corrente convencional de A para B. Isso ilustra que os efeitos dos deslocamentos
de elétrons livres e lacunas em um semicondutor se somam, ao contrário do que se poderia
erroneamente pensar.

Devido aos diferentes mecanismos envolvidos, a mobilidade dos elétrons livres

(simbolizada por µn) possui valor superior ao da mobilidade das lacunas (simbolizada por µp). A
300 K, a mobilidade dos elétrons livres no silício vale µn = 1350 cm2/Vs e a mobilidade das
2
lacunas vale µp = 480 cm /Vs. Para o germânio, à mesma temperatura, os valores de mobilidade
são µn = 3800 cm /Vs e µp = 1800 cm2/Vs.
2

A condutividade σ (sigma) do semicondutor pode ser calculada através da equação:

σ = q ×  n × µ + p × µ  , onde qe é o módulo da carga de um elétron (qe = 1,6 × 10 C), n é

-19
e  n p

o número de elétrons livres e p é o número de lacunas. Lembrando que nos cristais intrínsecos
temos o mesmo número de elétrons livres e lacunas (n = p = ni), a fórmula pode ser reescrita
como: σ= i n ×q (µ µ )
×
e
+
n
. Devemos lembrar que a resistividade ρ é o inverso da
p

1
condutividade, ou seja: ρ = .
σ

Cristais Semicondutores Extrínsecos - Dopagem

A dependência que a condutividade de um cristal semicondutor intrínseco apresenta em

relação à temperatura e à energia luminosa é bastante útil quando se trata de fabricação de
transdutores térmicos ou óticos. No que se refere a dispositivos eletrônicos de uso geral, porém,
essa dependência é quase sempre inconveniente. Por esse motivo, a maior parte dos
semicondutores utilizados em aplicações práticas contém em sua estrutura cristalina elementos
diferentes do elemento ou substância principal. Esses elementos adicionados chamam-se
impurezas e o processo de adição de impurezas chama-se dopagem. Um cristal semicondutor
que passou por esse processo é chamado de semicondutor extrínseco ou dopado. A dopagem
pode alterar de maneira significativa o comportamento do semicondutor, sendo possível até
mesmo conferir ao mesmo características metálicas de condução (coeficiente térmico positivo, ou
seja, aumento da resistividade com o aumento da temperatura).
Se chamarmos de N a concentração de átomos de impurezas num cristal semicondutor
-3
(medida, como visto anteriormente, em cm ), podemos afirmar que, se N << ni, (concentração de
impurezas muito menor do que a concentração intrínseca), a dopagem é irrelevante e, mesmo
com a presença de impurezas o cristal pode ser considerado intrínseco, ou seja, n ≈ p ≈ ni.

9
 Por outro lado, se tivermos N >> ni, a dopagem é efetiva e a concentração de portadores
será controlada, de fato, por intermédio das impurezas adicionadas.
Há dois tipos de impurezas: as impurezas doadoras, que são elementos pentavalentes
(com cinco elétrons na última camada) e as impurezas aceitadoras, que são elementos
trivalentes (com três elétrons na última camada).

Semicondutores Dopados com Impurezas Doadoras

Suponhamos que de algum modo sejam introduzidos em uma rede cristalina de silício
átomos de um elemento pentavalente, como o antimônio (Sb), o arsênico (As) ou o fósforo
(P). A configuração da rede, numa temperatura diferente do zero absoluto, tomaria o aspecto
mostrado na Figura 8:

Si Si Si
+4 +4 +4

Si P Si
+4 +5 +4

Elétron “a
mais” do
fósforo

Si Si Si
+4 +4 +4

Figura 8 - Cristal de Silício Dopado Com Impureza Pentavalente

Notar que nessa rede existem de elétrons livres que não são decorrentes de rompimento
de ligações covalentes. Em vez disso, tratam-se dos elétrons que “sobram” devido ao fato de a
impureza (na figura acima, o fósforo) ser pentavalente. Logo, não existem lacunas
correspondentes a esses elétrons livres e, portanto, esse tipo de cristal sempre terá mais elétrons
livres do que lacunas. Por esse motivo, diz-se que nos cristais dopados com impurezas
pentavalentes os elétrons livres são os portadores majoritários. Sendo os elétrons livres
portadores de carga negativa, os cristais dopados com impurezas pentavalentes são conhecidos
como cristais extrínsecos do tipo N, ou simplesmente, cristais N. Esse tipo de cristais possui
tendência a "doar" os elétrons "em excesso", sendo essa a razão pela qual as impurezas
pentavalentes são chamadas de impurezas doadoras.
Chamando de Nd (“d” de doadora) a concentração de átomos de impurezas doadoras no
cristal, lembrando que essa concentração é, numa dopagem efetiva, muito superior à
concentração intrínseca, e lembrando que cada átomo de impureza adicionado contribui com um
elétron livre para a rede, o número total de elétrons livres será a soma dos elétrons livres gerados
termicamente com os provenientes dos átomos de impureza. Logo: n = ni + Nd ≈ Nd.

10
 2
Como visto acima, ni é uma constante. Logo, podemos calcular o número p de lacunas
presentes no cristal:
2 2

p ×n = n ⇒ p = n
2
i
i
= n i
.
n Nd
Conclui-se que os cristais N possuem um número de lacunas inferior ao de um cristal
intrínseco à mesma temperatura. Isso pode ser explicado pelo fato de que, devido à maior
quantidade de elétrons livres disponíveis, a taxa de recombinação de lacunas aumenta,
reduzindo-se assim o seu número.

EXEMPLO NUMÉRICO: Calcular o número de lacunas presentes, à temperatura ambiente, num

18
cristal de germânio dopado com impurezas pentavalentes numa concentração de 1 × 10 átomos
3
por cm .

Semicondutores Dopados com Impurezas Aceitadoras

Introduzindo-se numa rede cristalina de silício átomos de um elemento trivalente como o

índio (In), o boro (B) ou o gálio (Ga), teremos a estrutura mostrada na Figura 9.

Si Si Si
+4 +4 +4

Si B Si
+4 +3 +4
Ligação
covalente
incompleta
(“falta” um
elétron no
boro

Si Si Si
+4 +4 +4

Figura 9 - Cristal de Silício Dopado Com Impureza Trivalente

Notamos que para cada átomo de impureza trivalente adicionado à rede teremos uma
ligação covalente incompleta (com uma lacuna), "ávida" para receber um elétron que a complete.
A rede fica assim com tendência a "aceitar" elétrons, razão pela qual as impurezas trivalentes são
chamadas de aceitadoras. Nesse tipo de rede, as lacunas são os portadores majoritários, pois
para as lacunas provenientes dos átomos de impureza não há elétrons livres correspondentes.

11
 É importante notar a diferença entre uma ligação covalente incompleta e uma ligação
covalente rompida. No primeiro caso, não houve a absorção de energia térmica ou luminosa, que
dê ao elétron energia para passar da banda de valência para a banda de condução e assim se
tornar um elétron livre. Portanto, o único elétron de valência que participa da ligação continua
fortemente ligado ao núcleo, não estando disponível para o transporte de corrente elétrica (em
outras palavras, não é um elétron livre). No caso de uma ligação covalente rompida, ocorre
aplicação de energia, que rompe a ligação e “liberta” os dois elétrons de valência que dela
participavam da influência do núcleo, gerando simultaneamente dois elétrons livres e duas
lacunas.
Sendo as lacunas portadores de carga positiva, os cristais dopados com impurezas
trivalentes são conhecidos como cristais extrínsecos do tipo P, ou simplesmente, cristais P.
Esse tipo de cristal possui tendência a "aceitar" elétrons para suprir as lacunas "em excesso",
sendo essa a razão pela qual as impurezas trivalentes são chamadas de impurezas aceitadoras.
Chamando de Na (“a” de doadora) a concentração de átomos de impurezas aceitadoras
no cristal, lembrando que essa concentração é, numa dopagem efetiva, muito superior à
concentração intrínseca, e lembrando que cada átomo de impureza adicionado contribui com um
elétron livre para a rede, o número total de lacunas será a soma das lacunas geradas
termicamente com as provenientes dos átomos de impureza. Logo: n = ni + Na ≈ Na.
Podemos calcular o número n de elétrons livres presentes no cristal:
2 2

p ×n = n ⇒ n = n
2
i
i
= n
i
.
p Na
Analogamente ao observado em relação aos cristais N, os cristais P possuem um número
de elétrons livres inferior ao de um cristal intrínseco à mesma temperatura. Isso pode ser
explicado pelo fato de que, devido à maior quantidade de lacunas disponíveis, a taxa de
recombinação de elétrons livres aumenta, reduzindo-se assim o seu número.

Corrente de Difusão em Semicondutores

Além da corrente de deriva analisada anteriormente, os semicondutores apresentam um

outro mecanismo de deslocamento de cargas elétricas que não ocorre nos metais – é a chamada
corrente de difusão. Diferentemente da corrente de deriva, que ocorre por influência de um
campo elétrico, a corrente de difusão é devida ao deslocamento de partículas de regiões onde se
encontram fortemente concentradas para regiões em que exista uma baixa concentração, num
processo bastante semelhante ao que ocorre nos gases. Quando essas partículas possuem
carga elétrica, como no caso dos elétrons livres ou das lacunas, esse deslocamento caracteriza
uma corrente elétrica. A Figura 10 ilustra esse conceito.

região com alta deslocamento região com baixa

concentração de concentração de
portadores de cargas portadores

Figura 10 – Mecanismo de Corrente Por Difusão de Portadores

Caso não seja interrompida por outro motivo, a corrente de difusão continua até que se
alcance uma distribuição homogênea dos portadores ao longo do cristal.

12
 A difusão é influenciada pelo chamado coeficiente de difusão (D), expresso em
2
centímetros quadrados por segundo (cm /s). Como ele possui valores diferentes para os
elétrons livres e para as lacunas, definem-se Dn (coeficiente de difusão para os elétrons livres) e
2
Dp (coeficiente de difusão para as lacunas), que valem, para o silício, Dn = 34 cm /s e Dp = 13
2 2 2
cm /s. Para o germânio, os valores são: Dn = 99 cm /s e Dp = 47 cm /s.

Como se pode intuir, a difusão depende da mobilidade µ dos portadores. Essas duas
grandezas estão ligadas pela chamada relação de Einstein:

D = D = k ×T = V
n p
. O termo k é a constante de Boltzmann, já mencionada
T
µ µ
n p
q
anteriormente. A grandeza VT, de grande importância para a compreensão do funcionamento
dos semicondutores, é conhecida como o equivalente térmico da tensão ou tensão
termodinâmica.

Em resumo, enquanto a corrente de deriva, que ocorre em metais e semicondutores, é

conseqüência da ação de um campo elétrico (desequilíbrio de tensão ao longo do espaço), a
corrente de difusão, mecanismo exclusivo dos semicondutores, é resultado de uma distribuição
não-uniforme de portadores de carga (desequilíbrio de carga no espaço). Embora
eventualmente um dos fenômenos (ou ambos) possa estar ausente, a corrente total num
semicondutor será a soma algébrica das correntes de deriva e de difusão.

Detalhes Importantes em Relação aos Cristais N e P

• Tanto os cristais P como os cristais N são eletricamente neutros. A carga elétrica das lacunas
ou elétrons livres é anulada pela carga elétrica do "resto" dos átomos a que esses portadores
pertencem.
• Uma concentração relativamente baixa de átomos de impureza (da ordem de partes por
milhão ou mesmo partes por bilhão) altera drasticamente as propriedades elétricas de um
cristal semicondutor.
• À temperatura ambiente, podemos considerar que cada átomo de impureza adicionado a um
cristal semicondutor contribui com um portador de carga.
• Em temperaturas elevadas, o número de portadores termicamente gerados pode se tornar
maior do que os introduzidos por meio de dopagem. Nesse caso, o semicondutor volta a se
comportar como um cristal intrínseco.
• É possível também modificar o tipo de um cristal semicondutor (tornar um cristal P em N ou
intrínseco ou tornar um cristal N em P ou intrínseco) através da injeção de portadores opostos
nesse cristal (impurezas doadoras num cristal P ou impurezas aceitadoras num cristal N).

13
 FORMAÇÃO DE UMA JUNÇÃO PN

Considere uma barra semicondutora pura (intrínseca), que é submetida simultaneamente

a dois processos diferentes de dopagem: uma de suas extremidades recebe a injeção de
impurezas aceitadoras e a outra recebe impurezas doadoras, como mostra a Figura 11.

Injeção de Injeção de
impurezas impurezas
aceitadoras Barra de Cristal Semicondutor doadoras
Intrínseco (puro)

FIGURA 11 – Cristal Puro Submetido a Dois Diferentes Tipos de Dopagem

Devido à injeção de impurezas aceitadoras, existe uma grande concentração de lacunas

no lado esquerdo da barra, enquanto que no restante da barra a concentração de lacunas é muito
baixa. Logo, ocorre uma corrente de difusão das lacunas em direção à extremidade direita da
barra. Analogamente, os elétrons livres abundantes no lado direito da barra se deslocam para a
extremidade esquerda.
Assim sendo, haverá um ponto intermediário em que os elétrons livres provenientes da
direita encontram-se com as lacunas que vêm da esquerda, ocorrendo a recombinação desses
portadores, isto é, "desaparecem" um elétron livre e uma lacuna. O átomo que "perdeu" um
elétron livre devido à recombinação torna-se um íon positivo (que não é um portador de carga,
uma vez que um íon não é uma carga móvel). O átomo que "perdeu uma lacuna" torna-se, por
sua vez, um íon negativo. Com a continuidade desse processo, vai-se formando na região
central do semicondutor uma "barreira" composta por íons imóveis e carregados, que são
conhecidos como cargas fixas (porque não se movem) ou cargas não-neutralizadas (porque
possuem carga elétrica diferente de zero).
Essa barreira de íons, chamada barreira de potencial, dá origem a uma ddp que repele
os portadores que continuam chegando devido à corrente de difusão, reduzindo gradativamente a
intensidade dessa corrente. Quando a ddp da barreira de potencial alcança o valor suficiente
para levar a corrente de difusão a zero, chega-se a uma situação de equilíbrio, mostrada na
Figura 12, onde um dos lados do cristal será do tipo P e o outro será do tipo N.

ÍONS NEGATIVOS ÍONS POSITIVOS

Convenções:
 ⊕
REGIÃO P REGIÃO N

++++
- -  ⊕
 ⊕ ---
+
-- + Íon Positivo
++++  ⊕ + + Íon Negativo
--- --
-+ +-+ +  ⊕ +
--- -- + Lacuna
Elétron livre
REGIÃO DE DEPLEÇÃO
Figura 12 - Aspecto do Cristal No Final do Processo

Como se pode notar, existem alguns elétrons livres na região P e algumas lacunas na
região N – são os portadores minoritários de cada lado da junção. Esses portadores minoritários
se originam do rompimento de ligações covalentes, que, como vimos, ocorre sempre que a
temperatura é superior a 0 K. Os portadores majoritários (lacunas na região P e elétrons livres na
região N), por sua vez, se originam da injeção de impurezas e também do rompimento de
ligações covalentes.

14
 Com a interrupção da corrente de difusão, temos à esquerda da barra uma região P com
uma concentração uniforme Na de lacunas e, à direita, uma região N com concentração uniforme
Nd de elétrons livres. Em ambos os casos, estamos desprezando a concentração de portadores
termicamente gerados. A região central, em que não existem portadores (tendo, portanto,
características de isolante) é chamada de região de carga espacial, região de transição ou
região de depleção (que é a denominação que adotaremos).
Essa estrutura é denominada de junção PN. Junções PN como a esquematizada acima,
em que ocorre uma drástica variação na concentração de portadores de ambos os lados são
denominadas junções em degrau ou junções abruptas. O potencial interno Vo entre as duas
regiões é denominado potencial de contato ou potencial de barreira. Seu valor pode ser
Na × Nd
calculado pela expressão: V =V O T
× ln 2
.
n i

Podemos entender a origem desse potencial da seguinte forma: existe um desequilíbrio

na concentração de portadores dos dois lados da junção. Logo, deveria haver uma corrente de
difusão. O fato de que essa corrente é nula só pode ser explicado pela presença de um campo
elétrico oposto, representado pelo potencial de contato.
Na prática, a concentração de lacunas no lado P não precisa ser igual à concentração de
elétrons livres no lado N. Assim, para manter o equilíbrio de cargas, a região de depleção
“avança” mais profundamente no lado menos dopado da junção. Chamando de xn a porção da
região de depleção que fica dentro da região N e de xp a porção que fica dentro da região P,

temos a relação: x n
=
Nd . A largura total W da região de depleção vale:
x p Na
 
W = xn + xp = 2 ×ε ×V ×  1 + 1  , onde é o valor da permissividade (constante
O  
q e  Nd Na 
dielétrica) absoluta do material semicondutor. Para o silício, temos ε = 1,04 × 10-12 F/cm e, para
-12
o germânio, temos ε = 1,42 × 10 F/cm.
Para se ter uma idéia da ordem de grandeza, a largura da região é da ordem de micra,
enquanto que o comprimento total da barra é da ordem de cm (dez mil vezes maior). Logo, a
largura da região de depleção é desprezível em relação ao comprimento total do dispositivo.
Como o campo elétrico é igual à diferença de potencial dividida pela distância, conclui-se que a
sua intensidade no interior da região de depleção é bastante elevada.

EXEMPLO NUMÉRICO: Numa junção PN de germânio, a concentração de lacunas no lado P é

18 -3 16 -3
de 10 cm e a concentração de elétrons livres no lado N é de 10 cm . Calcular o potencial
de contato e a largura da região de depleção, a 300 K.

15
Diodo Semicondutor

Para que se obtenha acesso externo à junção PN é necessário o acoplamento de

terminais metálicos. A conexão elétrica entre um metal e um semicondutor P ou N constitui o
que se chama junção metal-semicondutor. Essas junções podem ser realizadas de modo a
conduzirem igualmente em ambos os sentidos, quando são chamados de contatos ôhmicos (ou
não-retificadores), ou de modo a apresentarem condução predominantemente em um dos
sentidos, quando são chamados de contatos não-ôhmicos (ou retificadores).
Fazendo-se contatos ôhmicos para colocação de terminais em cada uma das
extremidades de uma junção PN, temos o componente eletrônico que se chama diodo
semicondutor ou, simplesmente, diodo.
A presença das duas junções metal-semicondutor presentes num diodo explica o fato de
que, mesmo existindo um potencial de contato Vo entre os dois lados da junção PN, a medição da
tensão entre os terminais de um diodo em circuito aberto resulte numa leitura nula. Quando se
utiliza um multímetro para medir esse potencial, as junções metal-semicondutor dão origem a dois
novos potenciais de contato, que equilibram o potencial interno. Assim, a leitura obtida será zero.
A simbologia e o aspecto físico de um diodo são mostrados na Figura 13. O terminal
ligado à região P é chamado de anodo (A) e o terminal ligado à região N é chamado catodo (K).
O catodo é representado por um traço transversal e o anodo por uma seta, que indica, como
veremos a seguir, o sentido preferencial de condução de corrente em um diodo semicondutor. Até
observação em contrário, os termos diodo e junção PN serão utilizados como sinônimos.
marca no corpo do
Símbolo Aspecto Físico componente indicando o catodo.
ANODO (A) CATODO (K)

Figura 13 - Simbologia e Aspecto Físico de um Diodo Semicondutor

Polarização de uma Junção PN

Chamamos de polarização de um dispositivo eletrônico a aplicação de tensões de modo a

fazê-lo operar de modo conveniente. Diferentemente do que ocorre com os dispositivos elétricos,
o comportamento de um dispositivo eletrônico pode sofrer alterações significativas com a
mudança de sua polarização. Essa é, em última análise, a razão para a grande versatilidade
desses dispositivos.
Existem duas maneiras de polarizar uma junção PN: a polarização reversa, que provoca
a circulação de corrente pelo sentido não preferencial de condução, e a polarização direta, que
leva à circulação de corrente pelo sentido preferencial de condução. Estudaremos a seguir o
comportamento, as características e as aplicações de uma junção PN polarizada de cada uma
das duas formas possíveis.

16
 Junção PN Reversamente Polarizada - Características e Aplicações
Dizemos que uma junção PN está reversamente (ou inversamente) polarizada quando o
potencial do anodo é menor de que o potencial do catodo, ou seja, o anodo é negativo em relação
ao catodo. A Figura 14 ilustra algumas situações de polarização reversa de uma junção PN.

VR
5V 4V 8V 2V

Figura 14 – Três Diferentes Situações de Polarização Reversa de Uma Junção PN

A polarização reversa altera o equilíbrio da junção PN de duas maneiras. Em primeiro

lugar, os portadores majoritários de cada lado da junção são afastados da mesma pelo potencial
VR aplicado. Logo, a polarização reversa provoca o aumento da largura da região de depleção e
impossibilita qualquer corrente de portadores majoritários. Em segundo lugar, a polarização
reversa causa um aumento na altura da barreira de potencial.
A corrente de portadores majoritários é nula, mas, como sabemos, existem elétrons livres
no lado P e lacunas no lado N - são os portadores minoritários termicamente gerados. A tensão
reversa VR tem a polaridade adequada para dar a esses portadores a energia necessária para
"saltar" a barreira de potencial. Desse modo, estabelece-se uma corrente, de pequena
intensidade (já que os portadores minoritários existem em pequeno número), chamada de
corrente de saturação reversa do diodo (Is).
À temperatura ambiente, para a maior parte das aplicações práticas, o valor de Is é
desprezível (da ordem de nA para o silício e de µA para o germânio), e pode ser considerado
zero. Logo, uma junção PN reversamente polarizada se comporta como uma resistência de
altíssimo valor. Em condições ideais, como veremos adiante, consideraremos uma junção PN
reversamente polarizada como um circuito aberto.
O valor da corrente de saturação reversa pode ser calculado pela equação:

A ×q ×D ×p p
Iss = e n
, onde A é a área da seção reta da junção, pn é a concentração de
L p

lacunas na região N e Lp é o chamado o chamado comprimento de difusão das lacunas

injetadas no região N da junção, ou seja, a distância exponencial média que as lacunas, que são
os portadores majoritários na região P, percorrem antes de se recombinarem na região N, onde
são minoritárias. Essa equação parte da premissa de que a concentração de impurezas na
região P é muito maior do que na região N.
A denominação “corrente de saturação” deve-se ao fato de que essa corrente alcança
rapidamente o seu valor máximo, a partir do que se torna praticamente independe do potencial
reverso VR aplicado. Isso pode ser entendido lembrando que a tensão reversa produz dois
efeitos conflitantes: tende a aumentar a circulação de portadores minoritários (o que aumentaria o
valor da corrente) e tende a aumentar a largura da região de depleção (o que reduziria o valor da
corrente).
O valor da corrente de saturação reversa, no entanto, é altamente dependente da
temperatura da junção, já que essa influencia diretamente o número de portadores minoritários
disponíveis. O valor dobra, aproximadamente, a cada 10 °C de aumento na temperatura da
junção, tanto para os diodos silício, como para os de germânio. Assim, conhecido o valor de Is a
uma temperatura θ1, pode-se calcular de forma aproximada o valor Is’ a uma temperatura θ2
através da fórmula:
θ2 − θ1

Is' = Is × 2 10
.
17
 Essa equação mostra uma das formas como os diodos semicondutores podem ser
utilizados como sensores de temperatura. Nesse tipo de aplicação, os diodos de germânio são
 ∆Is 
preferíveis, pois embora possuam a mesma sensibilidade   dos diodos de silício, apresentam
 ∆θ 
um valor de corrente reversa muito mais elevado e, portanto, mais fácil de ser medido com
precisão.
Nos diodos reais, à corrente de saturação reversa se soma uma corrente de fuga
superficial, cujo valor independe da temperatura. A equação acima já leva em conta essa
corrente de fuga.

EXEMPLO NUMÉRICO: No circuito abaixo, utiliza-se um diodo de silício que possui corrente de
saturação reversa igual a 100 nA, a 20 ºC. a) Sabendo que o valor da temperatura é de 35 ºC,
calcular a tensão sobre o diodo. b) Calcular a temperatura em que a tensão sobre o resistor
iguala a tensão sobre o diodo.

R
800
KΩ
Ω
4V

Capacitância de Transição do Diodo Reversamente Polarizado

A Figura 15 mostra a situação de uma junção PN reversamente polarizada. Percebe-se

uma perfeita analogia com um capacitor operando em corrente contínua: uma carga acumulada
(na forma de íons) num meio isolante que serve como dielétrico (a região de depleção) submetido
a uma tensão (a tensão reversa VR). A corrente de saturação reversa do diodo, de muito baixa
intensidade, equivale à corrente de fuga do “dielétrico” do “capacitor”.

VR

Is ≈ 0
REGIÃO DE DEPLEÇÃO ALARGADA
PELA TENSÃO REVERSA VR

REGIÃO P   ⊕ ⊕ REGIÃO N
+ +-+   ⊕ ⊕
  ⊕ ⊕ - -+--
+++   ⊕ ⊕ - -+- -
-
+++   ⊕ ⊕----
LARGURA ORIGINAL DA REGIÃO DE DEPLEÇÃO

Figura 15 – Aspectos Geométricos de Uma Junção PN Reversamente Polarizada

Assim, constatamos a existência de um efeito capacitivo em uma junção PN reversamente

polarizada - é a chamada capacitância de barreira ou capacitância de transição do diodo
(CT). Seu valor é da ordem de pF (10-12 F).

18
 Como sabemos, a capacitância de um capacitor plano é inversamente proporcional à
espessura do dielétrico. Como a largura da região de depleção (que faz as vezes de dielétrico)
é proporcional ao módulo da tensão de polarização reversa VR, conclui-se que um diodo
reversamente polarizado pode ser usado como capacitor com capacitância dependente da
tensão. O valor máximo da capacitância de transição será obtido, portanto, sem tensão aplicada
(ou seja, com VR = 0), pois nessa condição a largura da região de depleção será mínima.
Chamando esse valor máximo de capacitância de transição de Co, podemos calculá-lo por meio
da equação:

= CTmáx = A ×
ε ×q × Na × Nd .
2 × V × (Na + Nd )
e
Co
O

Conhecido o valor de Co, o valor da capacitância de transição para valores de tensão

reversa diferentes de zero pode ser calculado através da equação:

(VR) =
Co . O expoente m vale 0,5 para junções abruptas e cerca de 0,33 para
CT m
 VR 
1+ 
 Vo 
junções graduais. O valor da tensão reversa VR deve ser tomado em módulo.
Os diodos fabricados especialmente com a finalidade de servir como capacitores de
capacitância controlada por tensão são conhecidos como varicaps ou varactores (que, na
verdade, são nomes comerciais). O símbolo desses dispositivos é mostrado na Figura 16.

Figura 16 – Simbologia de um Capacitor Variável Por Tensão

O símbolo deixa bastante claro que o efeito capacitivo é obtido a partir de um diodo e que
a capacitância do dispositivo é variável. A particularidade é que no caso dos varicaps a variação
da capacitância é conseguida através da variação da tensão reversa aplicada, e não da rotação
de um cursor, como ocorre nos capacitores variáveis comuns. Assim, os varicaps possuem
sobre os capacitores variáveis comuns a vantagem de não terem partes móveis, além das
dimensões muito menores. Tais características têm levado os varicaps a substituir os capacitores
variáveis convencionais em circuitos de sintonia de receptores de rádio e televisão.

16 -3
EXEMPLO NUMÉRICO: Um diodo de silício com concentração Na igual a 5 × 10 cm e
13 -3
concentração Nd igual a 8 × 10 cm apresenta capacitância de transição igual a 20 pF quando
submetido a uma tensão reversa de 5 V. Calcular a área da seção reta do corpo desse diodo.

19
Diodos Zener - Estabilização

O valor da corrente de saturação reversa de uma junção PN, como vimos, é muito
pequeno. Entretanto, aumentando-se o módulo da tensão reversa aplicada, chega-se a um
ponto em que a corrente reversa aumenta consideravelmente, atingindo intensidades
comparáveis às das correntes diretas. Ao mesmo tempo, a variação da tensão sobre a junção é
muito pequena. Essa região de operação do diodo, chamada de região de avalanche ou região
de breakdown, é mostrada na Figura 17.

Pequena variação i
de tensão (∆
∆v)

Grande variação
Região de de corrente (∆
∆i)
avalanche

Figura 17 – Característica Volt-Ampère de Uma Junção PN Reversamente Polarizada

Existem dois mecanismos físicos que explicam o comportamento da junção na região de

avalanche:
• Ruptura por efeito Zener → Ocorre quando o campo elétrico na região de depleção se torna
suficientemente intenso para levar elétrons da banda de valência para a banda de condução,
gerando dessa forma novos portadores minoritários que elevarão o valor da corrente reversa.
• Ruptura por avalanche → Ocorre quando os portadores minoritários que atravessam a junção
ganham energia cinética suficiente para, através de choques com a estrutura cristalina,
romper outras ligações covalentes, gerar novos portadores que por sua vez também se
chocam com a estrutura, num efeito cumulativo.

O valor da tensão de avalanche de um diodo é estabelecido através do controle do nível

de dopagem durante o processo de fabricação. Altos níveis de dopagem favorecem o efeito de
Zener, que dá origem a tensões de avalanche abaixo de 5 V. Menores níveis de dopagem
favorecem o efeito de avalanche, que dá origem a tensões de avalanche superiores a 5 V.
Embora os mecanismos físicos dos efeitos de Zener e avalanche sejam diferentes, sua
manifestação externa é exatamente a mesma, ou seja, dão origem a uma região na polarização
reversa em que uma grande variação no valor da corrente corresponde a uma pequena variação
no valor da tensão.
Os diodos comuns de silício entram na região de avalanche com uma polarização reversa
da ordem de centenas de volts. O diodo 1N4007, por exemplo, suporta até 1000 V de polarização
reversa antes de entrar em avalanche. Logo, um diodo comum na região de avalanche é
percorrido por uma corrente relativamente alta ao mesmo tempo em que está submetido a uma
tensão elevada, resultando numa alta potência dissipada. Por esse motivo, a avalanche é um
processo que normalmente leva à destruição de um diodo comum, devendo ser evitada. Os
fabricantes informam a máxima tensão reversa a que um diodo pode ser submetido com
segurança, ou seja, sem entrar na região de avalanche. Essa tensão é chamada de tensão de
breakdown (VBR).

20
 Existem diodos fabricados de tal maneira que entram na região de avalanche com valores
relativamente pequenos de tensão reversa (alguns volts a algumas dezenas de volts), a chamada
avalanche controlada. Desse modo, limitando-se a corrente que os percorre, podem operar na
região de avalanche sem que sejam danificados. Esse tipo de diodo é conhecido como diodo
Zener, independente de qual seja o mecanismo físico (efeito Zener ou avalanche) que explique o
comportamento do dispositivo.
Uma das principais aplicações dos diodos Zener é na estabilização de tensão, já que, uma
vez dentro da região de avalanche (que no caso desses diodos é chamada de região de Zener
ou região de regulação), a tensão os terminais do Zener praticamente não varia,
independentemente do valor da corrente (pequena variação de tensão ∆v para uma grande
variação de corrente ∆i). A Figura 18 mostra a simbologia de um diodo Zener.

Figura 18 – Símbolo de um Diodo Zener

A tensão reversa necessária para levar o diodo Zener à região de regulação é chamada de
tensão de regulação ou tensão de Zener (VZ). São fabricados diodos Zener com tensões de
regulação na faixa de poucos volts a dezenas de volts. Para um melhor ajuste da tensão que se
deseja regular, é possível utilizar diodos Zener associados em série. Pode-se fazer também
uma associação paralela de diodos Zener, para aumentar a capacidade de corrente. A
associação paralela, no entanto, não é muito freqüente e só será válida caso os diodos Zener
associados possuam o mesmo valor de tensão de regulação.
Como o efeito Zener (que predomina para VZ < 5 V) possui coeficiente térmico negativo (a
tensão de avalanche diminui com o aumento da temperatura) e o efeito avalanche (que
predomina para VZ > 5 V) possui coeficiente térmico positivo (a tensão de avalanche aumenta
com o aumento da temperatura), os diodos Zener com maior estabilidade térmica são os que
possuem tensão de regulação por volta de 6 V, em que os dois efeitos se compensam.

Considerações de Ordem Prática no Uso de Diodos Zener

Em projetos envolvendo diodos Zener, é importante conhecer a mínima corrente reversa

para a qual o diodo se mantém na região de regulação (IZmín) e sua potência nominal (PZ), que
é a máxima potência que o diodo consegue suportar sem dano além, obviamente, da tensão de
regulação (VZ). Esses dados são normalmente fornecidos pelo fabricante do diodo. Vale a
relação:

PZ = VZ × IZmáx, onde IZmáx é a máxima corrente reversa que o diodo Zener pode
suportar.

Quando não é possível determinar o valor de IZmín, pode-se utilizar a aproximação prática

= IZ
máx
. Trata-se apenas de uma estimativa prática que costuma funcionar com boa
IZ mín
10
margem de segurança - não é uma lei da Eletrônica.

Os fabricantes costumam adotar como valor nominal da tensão de regulação de um diodo

Zener aquele que é obtido em 25% da potência máxima, ou seja, quando a corrente que percorre
o diodo é igual a um quarto do valor máximo permitido. Assim, um diodo Zener com
especificação de 5,6 V / 1 W apresentará a tensão de regulação nominal a uma corrente igual a:
PZ 1
I= = ≅ 44,6 mA.
4 × VZ 4 × 5,6

21
Circuito Básico de Estabilizador de Tensão Utilizando Diodo Zener

Quase sempre é necessário que o valor da tensão contínua que alimenta um dispositivo
qualquer seja mantido praticamente constante. No entanto, existem alguns fatores que
concorrem para a variação desse valor, como a alteração do valor da tensão AC a partir da qual
se obtém a tensão contínua ou a alteração do valor da corrente consumida pelo dispositivo. Para
minimizar essa variação, utilizam-se circuitos chamados de estabilizadores de tensão, cuja
versão básica, empregando o diodo Zener, está esquematizado na Figura 19.

IRS = iZ + IL

RS
+ +
+ vRS iZ

R IL
vi vo = vL = VZ L

Figura 19 – Circuito Básico de Estabilizador de Tensão Com Diodo Zener

Respeitadas certas condições básicas, esse circuito permite obter na saída uma tensão de
cuja variação seja significativamente menor do que as variações no valor da tensão de entrada ou
na resistência de carga. Obviamente, nesse tipo de circuito estabilizador, o valor da tensão de
saída será sempre inferior ao valor mínimo assumido pela tensão de entrada.

Análise Para Tensão de Entrada Variável e Resistência de Carga Fixa

Temos, nesse caso, uma corrente de carga IL de valor fixo. O ponto crítico para o
adequado funcionamento do circuito é o correto dimensionamento do resistor limitador RS. Se for
superdimensionado, RS fará com que, nos valores mínimos da tensão de entrada, a corrente no
diodo Zener seja inferior a IZmín, saindo dessa forma da região de regulação. Se RS for
subdimensionado, quando a tensão de entrada atingir seus valores máximos a corrente no diodo
Zener será maior que IZmáx e ele será danificado.

Para calcular os valores limite para RS, devemos conhecer:

- os limites de variação da tensão de entrada (vimín e vimáx )

- a corrente na carga IL
- a máxima corrente permissível para o diodo Zener IZmáx
- a mínima corrente de regulação IZmín
- a tensão de regulação VZ

O limite superior de RS (RSmáx) deve ser calculado de modo a garantir que mesmo no
valor mínimo da tensão de entrada a corrente no diodo Zener seja superior (no limite, igual) a
IZmín. O circuito equivalente nessa situação é o mostrado na Figura 20.

22
 IRS = iZmín + IL

RSmáx
+ iZmín +
+ vRS

R IL
vimín vo = vL = VZ L

Figura 20 – Circuito Estabilizador na Condição de Mínima Tensão de Entrada

Aplicando-se as leis de Kirchoff e de Ohm:

vimin − VZ
IRS = IZmín + IL, VRS = vimín - VZ, RSmáx = VRS / IRS ⇒ RSmáx =
IZmin + IL

O limite inferior (RSmín) deve garantir que a corrente no Zener não ultrapasse IZmáx,
mesmo quando a tensão na entrada atingir seu valor máximo. Aplicando as leis de Kirchoff e de
Ohm ao circuito equivalente nessa situação:
IRS = iZmáx + IL

RSmín
+ iZmáx +
+ vRS

R IL
vimáx vo = vL = VZ L

Figura 21 – Circuito Estabilizador na Condição de Máxima Tensão de Entrada

vimax − VZ
IRS = IZmáx + IL, VRS = vimáx - VZ, RSmín = VRS / IRS ⇒ RSmin =
IZmax + IL

O valor efetivo de RS deve ser escolhido entre os dois limites acima, isto é, de tal forma
que: RSmín < RS < RSmáx . Uma boa escolha é a média aritmética entre os dois limites.
Isso garante uma boa margem de segurança, para o caso dos valores reais não serem
exatamente iguais aos considerados no momento do projeto.
É possível que em alguns projetos os cálculos acima conduzam a um valor de RSmín
superior ao de RSmáx (uma impossibilidade física). Quando isso ocorre, significa que a potência
do diodo Zener empregado é insuficiente para atender aos requisitos do projeto, devendo ser
substituído por outro de maior potência. Ao se atingir o limite de potência do Zener, temos
RSmáx = RSmín.

23
 Outras situações em que esse circuito pode ser usado são:
♦ Tensão na entrada constante, mas corrente de carga variável.
♦ Tensão de entrada constante combinada com corrente de carga também variável.

Embora não abordemos diretamente essas situações nesta apostila, os princípios vistos
acima se aplicam a elas de forma análoga.

Exemplo Numérico: Uma carga de resistência igual a 100 Ω e que necessita de uma
corrente de 200 mA é alimentada a partir da tensão cujo gráfico é mostrado abaixo. Projetar um
circuito estabilizador com diodo Zener para fornecer a alimentação adequada para a carga a partir
da tensão disponível. O diodo Zener deve ser o de menor potência possível.

vi (V)

35

25

b) Supondo que o verdadeiro valor da corrente mínima de regulação seja de 2 mA, recalcular o
valor mínimo de potência do diodo.

24
 JUNÇÃO PN DIRETAMENTE POLARIZADA
CARACTERÍSTICAS E APLICAÇÕES

Uma junção PN está diretamente polarizada quando o potencial do anodo é superior ao do

catodo, como mostra a Figura 22.

1000 V
999 V
Vd
8V 8,7 V

Figura 22 – Três Diferentes Situações de Polarização Direta de Uma Junção PN

Uma vez que a queda de tensão ao longo do semicondutor é desprezível, a tensão de

polarização estará quase que inteiramente concentrada na região de depleção. Como a tensão
tem polaridade oposta à do potencial interno de contato Vo, a polarização direta atua no sentido
de reduzir a barreira de potencial que, nas condições de equilíbrio (sem tensão externa aplicada),
impede a difusão dos portadores majoritários localizados em cada lado da junção.
Com a virtual eliminação da barreira de potencial, retoma-se o processo de difusão e as
lacunas abundantes na região P cruzam a junção, sendo injetadas na região N. Analogamente,
os elétrons livres em excesso na região N são injetados na região P. Ao cruzar a junção, os
portadores majoritários provenientes de ambos os lados entram numa região em que eles são
minoritários. Logo, os portadores injetados rapidamente se recombinam com os portadores
opostos que existem em grande quantidade do outro lado da junção. Isso provoca uma redução
exponencial na corrente de difusão à medida em que os portadores penetram na região oposta.
Como a corrente é a mesma ao longo de todo o dispositivo, conclui-se que, nas proximidades da
junção, antes de cruzá-la, as correntes de portadores majoritários também sofrem uma redução.
A Figura 23 mostra as componentes da corrente numa junção PN diretamente polarizada,
em que a região P é mais dopada do que a região N. Embora o valor da corrente seja constante
ao longo do dispositivo, a proporção devida às lacunas (setas mais claras) e aos elétrons livres
(setas mais escuras) varia em função da distância. A figura permite visualizar claramente o
caráter bipolar da corrente no semicondutor.

CORRENTE TOTAL NA JUNÇÃO (LACUNAS + ELÉTRONS LIVRES)

corrente de lacunas majoritárias corrente de elétrons livres

majoritários

REGIÃO P REGIÃO N
decréscimo exponencial da corrente de lacunas
decréscimo exponencial da corrente injetadas, devido à recombinação
de elétrons livres injetados,
devido à recombinação

corrente de elétrons livres

minoritários corrente de lacunas minoritárias

Figura 23 – Composição da Corrente Numa Junção PN Diretamente Polarizada

25
 Como na polarização direta a corrente é composta basicamente de portadores
majoritários, conclui-se que sua intensidade terá valor muito superior ao que se verifica na
polarização reversa. Na prática, valores significativos de corrente (acima de 1% da corrente
máxima suportada pela junção) só se verificam quando a tensão de polarização direta ultrapassa
um determinado valor, que é denominado de tensão de limiar (Vγ). O valor aproximado de Vγ é
de 0,5 V para junções de silício e de 0,2 V para junções de germânio. Essa é, aliás, uma das
vantagens que os diodos de germânio apresentam sobre os de silício (necessitam de menor
tensão direta para o início efetivo da condução de corrente).
A relação entre a tensão de polarização direta vd aplicada a uma junção PN e a corrente
id que a percorre é expressa através da chamada equação característica direta do diodo:

 vd 
id = Is ×  e η× V T − 1 .
  O fator η é chamado de parâmetro de emissão e tem valor
 
situado entre 1 e 2. Esse fator varia em função do método de fabricação do diodo. Para diodos
discretos, o valor do parâmetro de emissão está mais próximo de 2, enquanto diodos integrados
em pastilhas possuem valores mais próximos de 1. Experimentos realizados com o diodo de
silício 1N4004 apresentam um valor de parâmetro de emissão igual a 1,984. A ordem de
grandeza da corrente também influi sobre o valor do parâmetro de emissão. Quanto maior o
valor da corrente, mais o valor desse parâmetro se aproxima de 1. Salvo indicação em contrário,
utilizaremos o valor 2 para esse fator.
Representando-se a equação característica do diodo na forma de um gráfico ele terá o
aspecto mostrado na Figura 24.

iD

vD

vγ
Figura 24 – Característica Volt-Ampère de uma Junção PN Diretamente Polarizada
É fácil constatar na curva que a corrente é praticamente zero até que o valor da tensão
direta ultrapassa a tensão de limiar. A partir de então, pequenos incrementos no valor da tensão
aplicada dão origem a grandes incrementos no valor da corrente que percorre o diodo, sendo
bastante fácil atingir valores danosos para o dispositivo, caso não sejam tomadas as devidas
medidas de proteção. O exemplo numérico a seguir demonstrará claramente essa afirmação.

EXEMPLO NUMÉRICO: Calcular o valor da corrente que percorre os diodos de silício em cada
um dos casos abaixo. A corrente de saturação reversa em todos os casos vale 50 nA e a
temperatura vale 27 ºC.
a) b) c)

Vd = 0,8 V Vd = 0,6 V Vd = 1,2 V

26
Resistência Dinâmica do Diodo

Observando a equação característica direta do diodo, notamos que, se a tensão aplicada

for suficientemente superior a VT, pode-se fazer a aproximação:

vd id
id ≅ Is × e η× V T ⇒ v d
≅ η × V T × ln . Lembrando que a resistência
Is
dinâmica (ou resistência incremental) rd é definida como a derivada da tensão em função da
d vd Is × 1 η × VT
corrente, podemos calcular: r d
= = η × VT × ⇒ rd = . No entanto, ao se
d id id Is id
utilizar essa equação não se deve esquecer que, além da resistência dinâmica, o diodo apresenta
também a resistência ôhmica, que pode ter valor superior.

EXEMPLO NUMÉRICO: Calcular o valor da resistência dinâmica do diodo nas três situações do
exemplo anterior.

Capacitância de Difusão de uma Junção PN Diretamente Polarizada

Assim como ocorre na polarização reversa, a junção PN diretamente polarizada também

apresenta um efeito capacitivo. Esse efeito tem origem na variação de carga que ocorre quando
os portadores majoritários cruzam a junção, tornando-se minoritários do lado oposto e sendo
“destruídos” pela recombinação. Como a capacitância é a derivada da carga em relação à
tensão, conclui-se que a essa variação de carga corresponde um efeito capacitivo, ao qual se dá
o nome de capacitância de difusão (CD). É importante notar que a capacitância de difusão é
mais um efeito capacitivo do que uma capacitância propriamente dita, visto que neste caso, ao
contrário do que ocorre com a capacitância de transição CT, não se verifica a característica
essencial de uma capacitância física, que é a presença de um campo elétrico entre cargas
fisicamente separadas e de sinais contrários.
O valor da capacitância de difusão pode ser calculado pela equação:

CD =
τ ×id , sendo τo chamado tempo médio de vida dos portadores, ou seja, o tempo
η× V T
médio decorrido até a recombinação dos portadores majoritários que cruzam a junção.
Dependendo do diodo, a ordem de grandeza de τ varia entre nanossegundos e centenas de
microssegundos.
Ao contrário do que ocorre com a capacitância de transição (na polarização reversa), não
existe uma aplicação prática para a capacitância de difusão, que é sempre considerada
indesejável, de forma que a junção deve ser projetada de tal forma a apresentar um valor mínimo
para essa característica, especialmente quando se objetivam aplicações em alta freqüência.
As capacitâncias de transição (CT) e de difusão (CD) se manifestam tanto na polarização
direta como na polarização reversa. No entanto, na polarização reversa predomina a capacitância
de transição, e podemos desprezar a de difusão. Na polarização direta ocorre justamente o
contrário, e desprezamos a capacitância de transição, considerando apenas a de difusão.

EXEMPLO NUMÉRICO: Supondo que a capacitância do diodo na situação b) do exemplo

anterior seja de 0,1 µF, calcular o tempo médio de vida dos portadores.

27
Tempo de Recuperação Reversa de um Diodo

Imaginemos que o circuito esquematizado na Figura 25 seja submetido a uma tensão com
o comportamento temporal mostrado no gráfico superior.

vi(t) RL

vi
+V

t1 t

-V

V i
+
RL

-Is
t

i
V
+
RL trr = ts + tt
-Is
t
V
−
RL ts tt
Figura 25 – Circuito Com Diodo e Respectivos Gráficos de Tensão e Corrente

O gráfico do meio mostra o comportamento esperado: assim que se inverte a polaridade

da tensão de entrada, a corrente deveria passar do valor aproximado de para o valor aproximado
de 0 (na verdade, -Is). No entanto, o comportamento real é o mostrado no gráfico inferior: logo
após a inversão da polaridade da tensão de entrada, a corrente, ao invés de cair imediatamente a
zero, simplesmente inverte o seu sentido, mas mantém, durante um certo intervalo, o seu valor
anterior. Depois de um tempo, o valor da corrente começa a diminuir exponencialmente, até que
se atinge o valor esperado, ou seja, a corrente de saturação reversa.
Tal comportamento se explica pelo fato de que imediatamente antes do instante t1
(inversão da polaridade) havia uma grande quantidade de portadores majoritários se deslocando
através da junção. Quando a polaridade se inverte, durante um intervalo de tempo ts o número
de portadores acumulados praticamente mantém o módulo da corrente anterior, havendo apenas
uma inversão de sentido. Esse intervalo ts é chamado de tempo de acumulação.

28
 Logo após o tempo de acumulação, o número de portadores decai exponencialmente
devido à recombinação. Depois de um intervalo de tempo tt, chamado de tempo de transição,
a corrente finalmente atinge o valor de saturação reversa. O intervalo compreendido entre o
instante da inversão de polaridade e o instante em que a corrente chega ao valor de saturação
reversa é conhecido como tempo de recuperação reversa (trr), e é uma característica de grande
importância para os diodos, especialmente quando utilizados em aplicações de chaveamento, nas
quais podem ocorrer inversões de polaridade num intervalo muito pequeno.
Nos diodos comerciais, a ordem de grandeza do tempo de recuperação reversa varia entre
centenas de milissegundos e centenas de picossegundos.

Limitando a Corrente Direta com uma Resistência em Série

Como pudemos notar através do exemplo numérico da Página 24, o valor da corrente que
percorre uma junção PN diretamente polarizada aumenta bruscamente com pequenos aumentos
na tensão aplicada. Desse modo, é necessário limitar o valor dessa tensão, para impedir que a
junção seja danificada pelo excesso de potência dissipada. Essa limitação pode ser facilmente
obtida colocando-se uma resistência em série com a junção, como na Figura 26, que mostra um
circuito dado, com propósito apenas ilustrativo, com valores numéricos.
+ vR
R = 100 Ω
+
V = 100 V i vD

Figura 26 – Circuito de Polarização Direta de um Diodo

A resistência R limita o valor máximo possível para a corrente no circuito, protegendo

assim o diodo. Calculando o valor máximo teórico para a corrente (que ocorreria se a tensão vD
sobre o diodo fosse considerada igual a zero):
V − vD V 100
i =i
D R
=i=
R
≅ =
R 100
= 1 A. Supondo que o valor da corrente de saturação reversa do

diodo seja igual a 50 nA (mesmo valor utilizado no exemplo numérico), podemos calcular a tensão
sobre o diodo correspondente a uma corrente direta de 1 A:

 vD  i vD i vD v D = ln  iD + 1 ⇒
= ×  0,052 − 1  ⇒ D = 0,052 − 1 ⇒ D + 1 = 0,052 ⇒
iD e Is e e
Is  Is 
 Is 0,052
   
   
⇒ v D = 0,052 × ln  i D + 1  ⇒ v D = 0,052 × ln 
1  ≅ 0,874V
+ 1
 Is   50 × − 9 
 10 
Esse exemplo mostra claramente o efeito protetor da resistência limitadora. Quando não
existirem os dados necessários para a realização dos cálculos, consideraremos que, existindo
alguma resistência em série com uma junção PN diretamente polarizada, o valor aproximado da
tensão sobre ela será igual a 0,7 V.
Uma vez que a tensão sobre uma junção PN reversamente polarizada é relativamente
baixa (centésimos de volts) mesmo para uma corrente relativamente alta (centenas de
miliampères ou até alguns ampères), podemos concluir que, em condições de polarização direta,
uma junção PN se comporta como uma resistência de baixo valor.

29
EXEMPLO: As lâmpadas no circuito abaixo necessitam de uma tensão mínima de 5 V para
apresentar uma luminosidade perceptível, sendo nessa condição percorridas por uma corrente de
10 mA. Determinar quais delas estão acesas e quais estão apagadas e explicar o porquê.

L1 L3

D1 D3
L4 D5

D2

L2 L5
D4
6V

Conceito de Reta de Carga

Apliquemos as leis de Kirchoff e de Ohm ao circuito anterior, desconsiderando dessa vez

os valores numéricos.

Obtêm-se as seguintes equações: +V - vD - Vr = 0 (LKT) ⇒ vD = V - Vr

Vr = iD × R (Lei de Ohm) ⇒ vD = V - iD × R

Essa última equação representa uma reta, chamada reta de carga, que relaciona a
tensão e a corrente no diodo. Esse conceito não é exclusivo para o diodo, mas se estende a
qualquer tipo de dispositivo eletrônico, como teremos oportunidade de constatar futuramente.
Como vimos anteriormente, a relação entre a tensão e a corrente num diodo diretamente
polarizado também é representada através da equação característica do diodo. Logo, com essas
duas equações (equação característica diodo e equação da reta de carga), obtém-se um sistema
que permite calcular com exatidão os valores de iD e vD.
Infelizmente, a solução desse sistema não pode ser obtida através de operações
“normais”, sendo necessário o uso de métodos iterativos (tentativa e erro). No entanto, pode-se
obter uma solução gráfica para o problema: basta traçar no mesmo sistema de eixos a reta de
carga e a curva característica do diodo, obtendo-se os valores de iD e vD através da interseção
de ambas.

Para traçar uma reta, basta obter dois quaisquer de seus pontos. Para tanto, vamos
tomar a equação da reta de carga e fazer primeiramente iD = 0 e calcular o valor correspondente
de vD (obtendo assim o 1º ponto) e depois fazer vD = 0 e calcular o valor correspondente de iD
(obtendo assim o 1º ponto):
para iD = 0, tenho vD = V (primeiro ponto)
vD = V - iD × R, ⇒
para vD = 0, tenho iD = V / R (segundo ponto)

Assim, a reta de carga tem o aspecto mostrado no primeiro gráfico da Figura 27. No
gráfico da direita, vemos a reta de carga e a curva característica do diodo traçadas
simultaneamente. O ponto de interseção entre ambas determina os valores efetivos iD e vD da
tensão e da corrente no diodo. Isso é o que chamamos de determinação gráfica do ponto de
operação do diodo.

30
 i i

Curva característica
V V
R R
Ponto de interseção
iD

Reta de carga Reta de carga

v v
V vD V
Figura 27 – Traçado da Reta de Carga e Determinação do Ponto de Operação de um Diodo

Curva Característica Completa de uma Junção PN

Havendo estudado o comportamento de uma junção PN tanto em polarização reversa

como em polarização direta, estamos em condições de compreender o aspecto completo da
curva característica de uma junção PN, representada fora de escala na Figura 28.

iD

VBR
vD
vγ

Figura 28 – Característica Volt-Ampère Completa de uma Junção PN

Analisando essa curva, concluímos que uma junção PN diretamente polarizada (com
tensão direta superior a Vγ) apresenta baixíssima resistência, enquanto reversamente polarizada
(com tensão reversa inferior a Vbr) apresenta altíssima resistência. É justamente essa
característica que lhe permite ser utilizada como retificadora de tensão.

31
Conceito de Diodo Ideal

Várias das características da junção PN que estudamos até aqui são indesejáveis para
boa parte das aplicações. Embora, obviamente, elas estejam presentes, os procedimentos
envolvidos em um projeto utilizando diodos seriam grandemente facilitados caso tais
características pudesse ser desprezadas. Por esse motivo, introduziu-se um modelo com as
seguintes características para o diodo semicondutor:
• corrente de saturação reversa nula
• resistência reversa infinita
• tensão de avalanche infinita
• capacitâncias de transição e de difusão nulas
• resistência direta nula
• tensão de limiar nula
• comportamento independente da temperatura

Esse modelo, conhecido como diodo ideal, se comportará como uma chave perfeita:
quando diretamente polarizado, equivale a um curto-circuito (chave fechada) e quando
reversamente polarizado, equivale a um circuito aberto (chave aberta), como mostra a Figura 28.

diodo diretamente polarizado diodo reversamente polarizado

+ +

chave fechada chave aberta

Figura 28 – Modelo Diodo Ideal

Desde que se obedeçam determinadas condições, esse modelo pode ser utilizado sem
que se incorra em erro significativo. Isso é possível quando:

♦ As resistências no circuito estão bem acima da resistência direta do diodo e bem abaixo de
sua resistência reversa (500 Ω < R < 10 KΩ).
♦ A tensão direta aplicada ao circuito é bem superior à tensão de limiar (Vd >> Vγ).

♦ A tensão reversa aplicada ao circuito é inferior à tensão de limiar do diodo (Vr < Vbr).

♦ A freqüência de operação do circuito é inferior a 10 KHz.

♦ A temperatura na junção permanece aproximadamente constante.

♦ A alternância na polaridade da tensão de alimentação é feita de forma “suave”.

Vários são os circuitos em as condições acima são satisfeitas, permitindo considerar o(s)
diodo(s) neles utilizado(s) como ideal(ais). Deste ponto em diante, consideraremos todos os
diodos utilizados em nossos circuitos como ideais, a menos que sejam expressamente declarados
como reais.

32
 RETIFICAÇÃO

A forma mais comum em que se obtém energia elétrica é a alternada senoidal na forma
v(t) = Vmáx sen(ωt + ∅). Apesar disto, boa parte dos aparelhos e dispositivos eletrônicos requer
tensão contínua para o seu correto funcionamento. Por esse motivo, muitas vezes é necessário
que se obtenha tensão (e/ou corrente) contínua a partir de tensão (e/ou corrente) alternada. A
este processo chamamos retificação. Os circuitos que realizam esse processo chamam-se
retificadores. Há, basicamente, dois tipos de retificadores: os retificadores de meia-onda
(RMO) e os retificadores de onda completa (ROC).
Nas análises de circuitos que faremos a seguir usaremos o modelo ideal para os diodos.

Retificadores de Meia-Onda
São aqueles que realizam a retificação bloqueando a circulação da corrente pela
resistência de carga durante um dos semiciclos. O circuito básico de um RMO utilizando diodo
semicondutor é apresentado na Figura 29.

D
R
vi
L vo
(alternado)

Figura 29 – Diagrama Básico de um Retificador de Meia-Onda

Nos semiciclos positivos do sinal de entrada vi, o diodo se encontra diretamente

polarizado, uma vez que o anodo está positivo em relação ao catodo. Supondo o diodo ideal, ele
se comportará como um curto-circuito e o circuito equivalente será o mostrado na Figura 30.
D
+ +
vD = 0

vi
R vo = vi
L

Figura 30 – Circuito Equivalente do RMO nos Semiciclos Positivos

Nos semiciclos negativos do sinal de entrada, o diodo estará reversamente polarizado,

comportando-se como um circuito aberto. O circuito equivalente será o mostrado na Figura 31.

D
vD = vi

R vo = 0
vi i=0
L

+ +

Figura 31 – Circuito Equivalente do RMO nos Semiciclos Negativos

33
 Supondo de o sinal de entrada vi seja senoidal , ou seja, vi(t) = Vmáx sen(ωt + ∅ ),
teremos no circuito as formas de onda mostradas na Figura 32.
vi
+Vimáx

0 t

-Vimáx

vD
0 t

-Vimáx

vo
-Vimáx

Figura 32 – Formas de Onda das Várias Tensões num RMO

Como podemos notar através do gráfico de vo, a tensão na saída possui uma única
polaridade, sendo, portanto, uma tensão contínua. Como a tensão de entrada é alternada,
ocorreu, de fato, uma retificação.
O valor médio DC (voDC) e o valor eficaz da tensão de saída podem ser calculados
através das fórmulas abaixo (válidas apenas para entradas senoidais):

Vimax Vimax
voDC = voef
=
π 2

Dimensionamento do Diodo

Em aplicações práticas é muito importante dimensionar corretamente os componentes a

serem utilizados no circuito real. A primeira consideração refere-se à corrente a ser suportada
pelo diodo. No caso do circuito em questão, temos:

Vdc Vimax
I = = , logo, deve ser escolhido um diodo que suporte
DC
RL π × RL
continuamente esse valor de corrente. O valor de pico da corrente será:
Vimax
I max
= , e o diodo escolhido deverá ser capaz de suportar
RL
periodicamente picos de corrente com esse valor. O último dado de importância para a escolha
do diodo adequado ao projeto é a tensão de pico inverso (TPI), que é o máximo valor de tensão
reversa a que ele ficará submetido. Através dos gráficos acima podemos constatar que para o
retificador em questão teremos:
TPI = Vimáx , e devemos escolher um diodo com tensão de avalanche com
valor superior (VBR > Vimáx).

34
Retificadores de Onda Completa
São aqueles que realizam a retificação invertendo o sentido da corrente na resistência de
carga em um dos semiciclos. Possuem sobre os RMOs a grande vantagem de aproveitar quase
toda a energia fornecida à sua entrada, com a desvantagem de necessitarem de circuitos mais
complexos. Existem dois circuitos básicos para o ROC: o que utiliza transformador com
tomada central (ROCT) e o retificador em ponte (ROCP).

Retificador Utilizando Transformador com Tomada Central

Esse circuito necessita de um transformador cujo secundário possua uma tomada central
(“center tap”) que divida a tensão AC na entrada do retificador em duas partes iguais. Seu
diagrama está esquematizado na Figura 33.

D1
RL
vi' (tensão vo
efetiva de
vi entrada)
(alternado)

vi'
D2

TRAFO

Figura 33 – Diagrama de um Retificador de Onda Completa com Transformador

Nos semiciclos positivos, o diodo D1 está diretamente polarizado e se comporta como um

curto-circuito, enquanto o diodo D2 está reversamente polarizado e se comporta como um circuito
aberto. Logo, o circuito equivalente nesses semiciclos será o mostrado na Figura 34. Notar o
sentido de percurso da corrente de carga IL.

+ D1 (diretamente polarizado)

+ + +
+
vi' RL vo = vi’
vi IL

+
vi'
vD2 = 2 × vi’
+
D2 (reversamente polarizado)

Figura 34 – Circuito Equivalente do ROCT nos Semiciclos Positivos

Percorrendo-se a malha formada pelo secundário do transformador e pelos diodos, chega-
se à seguinte equação (LKT):
+ vi’ - vD1 - vD2 + vi’ = 0 ⇒ vD1 + vD2 = 2 . vi’. Como vD1 = 0, temos vD2 = 2 vi’.
Logo, o diodo cortado fica submetido ao dobro da tensão efetiva de entrada vi’ e o valor
máximo da tensão sobre ele será 2 vi’máx. Isso deve ser levado em conta no dimensionamento
dos diodos.

35
 Nos semiciclos negativos, invertem-se as polarizações dos diodos e o novo circuito
equivalente será o mostrado na Figura 35.

D1 (reversamente polarizado)
+
+
vD1 = 2 × vi’
vi' RL vo = vi’
vi +
IL
vi'

+ + +
+ D2 (diretamente polarizado)
Figura 35 – Circuito Equivalente do ROCT nos Semiciclos Negativos

Como se pode notar, apesar da inversão da polaridade da tensão de entrada, a corrente

percorre a resistência de carga no mesmo sentido. Assim, em ambos os semiciclos a polaridade
da tensão sobre a resistência de carga é a mesma, isto é, a tensão de saída é contínua.
Supondo uma tensão de entrada senoidal, teremos no circuito as formas de onda da Figura 36.
vi
+Vi’máx

0 t

-Vi’máx
vD1
t

-Vi’máx
vD2
+Vi’máx

t
vRL
+Vi’máx

t
Figura 36 – Formas de Onda das Várias Tensões num ROCT
36
 Como a tensão efetiva de entrada é senoidal, valem as relações:
2 × Vi' max Vi' max
vo DC
= vo ef
= .
π 2
Escrevendo a equação LKT para o secundário do transformador (semiciclo positivo):
+vi’ – vD1 – v D2 + vi’ = 0. Como v D1 = 0 (diodo diretamente polarizado nesse semiciclo), temos:

v D2 = 2 × vi’. Conclui-se que o diodo reversamente polarizado fica submetido a uma tensão igual
ao dobro da tensão efetiva de entrada. Esse fato deve ser levado em conta ao se dimensionar
os diodos de um ROCT.

Retificador em Ponte

O ROCT possui a desvantagem de necessitar de um tipo especial de transformador. Isso

impossibilita, por exemplo, que tensões alternadas não senoidais sejam retificadas sem sofrer
significativa distorção. Por essa razão, é muito utilizado na prática o retificador de onda
(*)
completa em ponte (ROCP), que dispensa o uso de transformador . Seu diagrama é
apresentado na Figura 37, em duas representações diferentes. O nome do circuito deve-se ao
fato de que os diodos estão conectados de modo a formar uma Ponte de Wheatstone.

D1
D4 D4 D1

vi
vi RL
D3 D2
R vo vo
L
D3 D2

Figura 37 – Dois Possíveis Diagramas Para um Retificador em Ponte

Nos semiciclos positivos da tensão de entrada, os diodos D1 e D3 estarão diretamente

polarizados e se comportando como curto-circuitos. Os diodos D2 e D4, por sua vez, estarão
reversamente polarizados, comportando-se como circuitos abertos. O circuito equivalente é
mostrado na Figura 38.

+ D1
+
D4
D4 D1
vi
+ vi RL
IL D3 D2
+
R vo = vi vo = vi
L
D3 D2
IL

Figura 38 – Circuito Equivalente do ROCP nos Semiciclos Positivos

37
 Nos semiciclos negativos, invertem-se as polarizações dos diodos e o novo circuito
equivalente será o da Figura 39.

D1 IL
IL D4
D4 D1
vi
+ vi RL
D3 D2 +
+ R vo = vi vo = vi
L
D3 D2
+
Figura 39 – Circuito Equivalente do ROCP nos Semiciclos Negativos

Como podemos ver, em ambos os semiciclos a tensão na saída tem a mesma polaridade,
mostrando que o circuito é realmente um retificador. Para o caso de uma entrada senoidal, as
formas de onda são semelhantes às observadas no ROCT. A diferença é que os diodos
reversamente polarizados ficam submetidos a uma tensão igual a vi (em vez de 2 vi’). Logo,
para um mesmo valor de tensão de saída, o ROCP utiliza diodos menos robustos (e portanto
mais baratos) do que os exigidos por um ROCT com mesmo valor de tensão de saída. Em
compensação, necessita de quatro diodos, ao invés dos dois requeridos pelo ROCT.
Para o caso de tensão de entrada senoidal vi(t) = vimáx sen(ωt + ∅), temos as relações:
2 × Vimax Vimax
vo DC
= vo ef
=
π 2

Observações Finais Sobre os Circuitos Retificadores

• O fato de o ROCP dispensar a utilização de transformador para o seu funcionamento trata-se

de uma vantagem apenas relativa sobre o ROCT, já que na maioria das vezes o transformador
é necessário para a redução (ou, algumas vezes, elevação) da tensão alternada disponível.
Em alguns casos, essa redução pode ser feita utilizando-se um capacitor. Somente nesses
casos a vantagem do ROCP é efetiva.
• É possível encontrar no mercado o conjunto de 4 diodos que forma o retificador em ponte
encapsulado como um componente único. Esse componente, que tem o aspecto apresentado
na figura 40, é conhecido como ponte retificadora e facilita a montagem e reduz as
dimensões dos circuitos de fontes de alimentação.

Figura 40 – Aspecto de uma Ponte Retificadora Monolítica

• Os circuitos retificadores que estudamos até aqui são os tipos “clássicos”. Existem outros
circuitos utilizando diodos que realizam a retificação. O método para a análise desses circuitos
é o mesmo: verifica-se a polarização do(s) diodo(s) nos semiciclos positivo e negativo do sinal
alternado de entrada, determina-se o circuito equivalente em cada caso e se obtém o sinal de
saída. Caso o sinal de saída seja contínuo (uma única polaridade), o circuito é retificador.
Caso o sinal de saída seja alternado ou zero, o circuito não é retificador.

38
EXEMPLO: Dados os circuitos abaixo, cujos diodos são ideais, analisar o seu funcionamento
determinando o circuito equivalente para cada polaridade do sinal de entrada, que é o mesmo
para ambos os circuitos. Esboçar o gráfico do sinal de saída para cada um deles. Determinar
se os circuitos são ou não retificadores. Cada divisão vertical dos gráficos equivale a 3 V.

vi
R1 15 Ω

R2
10
Ω t
vi vo1

R3
5
Ω
vo1

t
R1 15 Ω

R2
10
Ω
vo2
vi vo2

R3
5
Ω
t

39
 FILTRAGEM

Como pudemos notar em nosso estudo sobre retificadores, a tensão sobre a resistência
de carga, apesar de contínua, não é constante, isto é, não se trata de uma tensão contínua “pura”
- juntamente com a componente DC (voDC) existem componentes alternadas “misturadas”. É
possível demonstrar que essas componentes alternadas são uma soma de senóides, com
freqüências que são múltiplos inteiros da freqüência da rede. Quanto maior a freqüência da
componente, menor a sua amplitude. O valor eficaz dessa soma de componentes alternadas é
chamada de tensão de ondulação ou tensão de ripple (Vr).
A relação entre a tensão de ripple e a tensão DC na saída de um retificador é chamada de
fator de ondulação ou fator de ripple ( r ), sendo calculado através da fórmula:
Vr
r=
vo DC
O fator de ripple permite avaliar a qualidade de um retificador. Quanto menor seu valor,
melhor o retificador. Como geralmente é difícil determinar o valor de Vr, é mais comum calcular o
fator de ripple utilizando a fórmula:

2
 vo ef 
r=   −1
 vo DC 
O fator de ripple é geralmente dado na forma de porcentagem.

Exemplo Numérico: Calcular o fator de ripple de um RMO e de um ROC.

Como o exemplo numérico demonstrou, a porcentagem de tensão alternada na saída dos

retificadores que estudamos é bastante elevada, sendo inclusive suficiente para inviabilizar o
correto funcionamento da maior parte dos aparelhos que requerem corrente contínua. Por esse
motivo, é necessário reduzir o valor das componentes alternadas na saída, diminuindo
conseqüentemente as variações na saída do retificador. O processo que permite essa redução é
chamado de filtragem. A maneira mais simples e usual de se realizar a filtragem é através do
filtro capacitivo, que consiste simplesmente na colocação de um capacitor em paralelo com a
resistência de carga, formando um filtro passa-baixas. Estudaremos o princípio de funcionamento
desse filtro.

40
Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo

Temos na Figura 41 o diagrama de um retificador de meia-onda ao qual foi adicionado um

capacitor para realizar a filtragem do sinal de saída. Para simplificar a análise, faremos as
seguintes suposições: a entrada é senoidal, o capacitor está inicialmente descarregado, e no
instante inicial estamos iniciando o semiciclo positivo, ou seja, temos vi = 0 e a tensão de entrada
está aumentando.

D
C
vi R
(senoidal) L vo

Figura 41 – Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo

Como a Figura 42 ilustra, à medida em que a tensão na entrada começa a subir, o diodo
fica diretamente polarizado. O diodo se comporta como um curto circuito e a tensão no capacitor
será igual à tensão de entrada vi. Essa situação perdura até que se atinja o valor de pico do
semiciclo positivo, quando o valor da tensão no capacitor passa a ser igual a vimáx.
carga do capacitor até
+Vimáx atingir vimáx

D
C
R vo = vc = vi
0 t vi (valor L
crescente)

-Vimáx

Figura 42 – Circuito Equivalente Durante a “Subida” do 1º Semiciclo Positivo

Nesse instante, o valor da tensão de entrada começa a decrescer, o que leva o diodo a
ficar reversamente polarizado ainda no semiciclo positivo de vi. Isso ocorre porque a tensão no
anodo, embora ainda positiva, é menor do que a tensão no anodo. Assim, o diodo passa a se
comportar como um circuito aberto e o capacitor passa a se descarregar sobre a resistência de
carga RL. A Figura 43 ilustra essa situação.
descarga do capacitor até
+Vimáx que vc seja menor do que vi

D
C
t R vo = vc = vi
0 vi (valor L
decrescente)

-Vimáx

Figura 43 – Circuito Equivalente Após a “Subida” do 1º Semiciclo Positivo

41
 Esse processo de descarga continua durante o restante do semiciclo positivo e durante
todo o semiciclo negativo, só se interrompendo no próximo semiciclo positivo, no momento em
que a tensão na entrada do retificador volte a ser superior à tensão sobre o capacitor. A partir
desse ponto, o diodo volta a ficar diretamente polarizado, permitindo uma nova carga do capacitor
e recomeçando o ciclo. A forma de onda sobre a carga é conhecida como dente-de-serra. Na
Figura 44 a forma de onda mais clara é uma dente-de-serra.

+Vimáx

0 t

-Vimáx

Figura 44 – Forma de Onda Dente-de-Serra (gráfico mais claro)

Quanto maior a constante de tempo de descarga do capacitor (τD = RL . C), menor será a
variação de tensão sobre a carga e menor o fator de ripple. A Figura 45 ilustra esse efeito.

vo
Constante de tempo τ1 (maior)

Variação da tensão
na saída com o uso Variação da tensão
da constante τ1 na saída com o uso
da constante τ2

Constante de tempo τ2 (menor) t

0
Figura 45 – Efeito da Variação da Constante de Tempo do Filtro

Como geralmente não é possível alterar o valor da resistência de carga, procura-se

aumentar o valor da capacitância de filtragem para melhorar o desempenho do filtro. Como
veremos adiante, existem limites práticos para o valor dessa capacitância.

A análise para os ROC é inteiramente similar, com a diferença de que o fator de ripple é
ainda menor, já que nesse caso o capacitor fica menos tempo se descarregando. Os valores da
tensão DC na saída e do fator de ondulação quando se usa um filtro capacitivo e entrada senoidal
vi(t) = vimáx sen(ωt + ∅) podem ser calculados com as fórmulas abaixo.

Para o RMO:
I r=
1
voDC = vimax − 2×f ×C
DC

2 × 3 × RL × f × C

Para o ROC:

I 1
voDC = vimax − 4×f ×C
DC
r=
4 × 3 × RL × f × C

42
 Em ambos os casos (RMO e ROC), no período em que o(s) diodo(s) está(ão) conduzindo
o circuito fica sujeito a picos de corrente Ip, cujo valor pode ser calculado através da fórmula:

Ip = vi max
× (2 × π × f × C ) + 
2 1

 RL 
Nas fórmulas acima, temos:

- IDC: corrente exigida pela carga ( IDC = voDC / RL).

- f : freqüência do sinal senoidal de entrada.

- C : capacitância do capacitor de filtragem.

As fórmulas confirmam o fato de que o desempenho do filtro melhora à medida em que se

aumenta o valor da capacitância do capacitor de filtragem. Apesar disto, não se pode aumentar
indefinidamente o valor dessa capacitância, pois, como demonstra a última fórmula, os picos de
corrente se tornam maiores, exigindo a utilização de componentes (diodos, transformador) mais
robustos, maiores e mais caros. Isso impõe restrições de ordem prática ao valor da capacitância
de filtragem
É importante notar que a última fórmula calcula o valor dos picos repetitivos de corrente
(que têm a freqüência da rede, no caso dos RMO, e o dobro da freqüência da rede, no caso dos
ROC), e não o valor da corrente que percorre de forma contínua o circuito. Portanto, o(s)
diodo(s) e o transformador devem ser dimensionados levando-se em conta esse fato. No caso
dos diodos, os manuais costumam designar o valor suportável de picos de corrente, na base de
um por ciclo da tensão da rede, como IFSM. Para se ter uma idéia de ordem de grandeza, um
diodo 1N4007 suporta, em regime permanente, uma corrente de até 1,3 A. Esse mesmo diodo
suporta picos de 33 A, a 120 Hz (freqüência de um ROC com entrada de 60 Hz), ou seja um valor
cerca de 25 vezes maior.

A solução prática é, com o auxílio de um manual ou folha de dados, dimensionar o diodo

capaz de suportar os picos de corrente calculados, observar o valor de corrente que esse diodo é
capaz de suportar em regime permanente (chamado no manual de IFAV) e especificar o
transformador para suportar esse mesmo valor de corrente.

Exemplo Numérico: Uma resistência de carga de 100 Ω necessita de uma corrente contínua
e constante de 200 mA, com um fator de ripple máximo de 10% para o seu correto
funcionamento. Sabendo que está disponível uma tensão senoidal de 220 V / 60 HZ, projetar e
desenhar o diagrama de um retificador em ponte com filtro capacitivo para a alimentação dessa
carga. Fazer o correto dimensionamento dos componentes.

43
 OUTROS CIRCUITOS UTILIZANDO DIODOS

Concluindo o estudo sobre os diodos semicondutores, será feita a análise de

configurações clássicas adicionais de circuitos utilizando diodos. Nessas análises será utilizado
o modelo ideal para os diodos.

Circuitos Limitadores

Também conhecidos como ceifadores ou cortadores, os circuitos limitadores são

caracterizados pelo fato de que o seu sinal de saída é composto pela parte do sinal de entrada
que fica acima de um determinado limite, ou que fica abaixo de um determinado limite ou que fica
situada entre dois determinados limites. Em outras palavras, o sinal de saída de um circuito
limitador é uma parte do seu sinal de entrada. De acordo com essa caracterização, conclui-se
que os retificadores de meia-onda constituem um caso particular de circuito limitador. As
principais aplicação dos circuitos limitadores são a geração de ondas “quadradas” a partir de
ondas senoidais e na proteção de cargas.
Cada um dos limites que determina o nível de “corte” do sinal de saída em relação ao sinal
de entrada é chamado de tensão de referência (VREF). A Figura 46 mostra o diagrama de um
circuito limitador com uma única tensão de referência.

D
vi vo
VREF

Figura 46 – Circuito Limitador Com Uma Tensão de Referência

Usando o modelo ideal para o diodo e supondo uma tensão de entrada alternada e que
possua valores de pico superiores a VREF, constata-se que, nos semiciclos positivos do sinal de
entrada, o diodo D estará diretamente polarizado (e, portanto, comportando-se como um curto-
circuito) apenas enquanto o valor instantâneo do sinal de entrada for superior a VREF. Nessa
situação, o circuito equivalente tem o diagrama mostrado na Figura 47.

+ R +
D
vi vo = VREF
VREF

Figura 47 – Circuito Equivalente nos Semiciclos Positivos para vi > VREF

44
 Em qualquer outra situação, o diodo estará reversamente polarizado, comportando-se
como um circuito aberto. Assim, temos o circuito equivalente mostrado na Figura 48.

D
vi vo = vi
VREF

Figura 48 – Circuito Equivalente para os Demais Valores de vi

Assim, supondo um sinal de entrada senoidal, podemos ver na Figura 49 os gráficos

referentes aos sinais de entrada e saída. As áreas hachuradas no gráfico do sinal de entrada
correspondem aos intervalos em que o sinal de entrada tem valor superior à tensão de referência
e, portanto, o diodo está diretamente polarizado. O gráfico do sinal de saída permite ver o “corte”
na altura de VREF.

vi
+Vimáx

VREF

0
t

-Vimáx

vo

VREF

0
t

-Vimáx

Figura 48 – Formas de Onda de Entrada e Saída de um Limitador com um Nível

Note-se que a análise feita acima é totalmente independente da forma de onda do sinal de
entrada. A única informação importante para a análise do circuito é a relação entre o valor de
pico do sinal de entrada e o valor da tensão de referência, pois esse é o fator determinante da
condição de polarização do diodo durante a operação do circuito.
45
 Podemos ter também circuitos limitadores com duas tensões de referência, como o
mostrado no diagrama da Figura 50.

D1 D2
vi vo
VREF2
VREF1

Figura 50 – Circuito Limitador Com Duas Tensões de Referência

Para o correto funcionamento desse circuito é necessário que o sinal de entrada seja
alternado e que possua valor de pico máximo superior à tensão de referência positivo e valor de
pico mínimo inferior à referência negativa. Satisfeitas essas condições, deve-se dividir a análise
do circuito em três etapas. Lembrando que durante os semiciclos positivos do sinal de entrada o
diodo D2 estará reversamente polarizado (independente do valor de vi), constata-se que o diodo
D1 só estará diretamente polarizado enquanto o valor da tensão de entrada for superior ao da
tensão de referência positiva VREF1. Nessa situação, o circuito equivalente tem o diagrama
mostrado na Figura 51.

+ R +
D1 D2
vi vo = VREF1
VREF2
VREF1

Figura 51 – Circuito Equivalente nos Semiciclos Positivos para vi > VREF1

Nos semiciclos negativos, é o diodo D1 que permanece reversamente polarizado. O diodo

D2, por sua vez, só ficará diretamente polarizado quando a tensão de entrada tiver módulo
superior ao da tensão de referência negativa, ou seja quando vi for mais negativo do que VREF2.
Nessa situação, o circuito equivalente tem o diagrama mostrado na Figura 52.

D1 D2
vi vo = VREF2
VREF2
VREF1

+ +
Figura 52 – Circuito Equivalente nos Semiciclos Negativos para vi < VREF2

Em qualquer outra situação, ambos os diodos estarão simultaneamente em polarização

reversa, de forma que o circuito equivalente será o mostrado no diagrama da Figura 53.
46
 R

D1 D2
vi vo = vi
VREF2
VREF1

Figura 52 – Circuito Equivalente nas Demais Situações

Feita essa análise, podemos ver na Figura 53 os gráficos dos sinais de entrada e saída
para um circuito desse tipo, supondo que o sinal de entrada seja uma senóide que atenda às
condições para o correto funcionamento do circuito. As áreas hachuradas dos semiciclos
positivos correspondem aos intervalos em que o diodo D1 está diretamente polarizado, enquanto
as dos semiciclos negativos correspondem aos intervalos de polarização direta de D2. O gráfico
do sinal de saída permite ver os “cortes” nas alturas de VREF1 e de VREF2.
vi
+Vimáx

VREF1

0 t
VREF2

-Vimáx

vo

VREF1

0 t
VREF2

Figura 53 – Formas de Onda de Entrada e Saída de um Limitador com Dois Níveis

A implementação de circuitos limitadores é significativamente simplificada quando, ao

invés de diodo(s) comum(uns) e fonte(s) de tensão de referência, utiliza(m)-se diodo(s) Zener.
Nesses circuitos a(s) tensão (ões) de referência é(são) determinada(s) pela(s) tensão(ões) de
regulação do(s) diodo(s) Zener. A Figura 54 mostra os diagramas de limitadores com uma e
duas tensões de referência utilizando diodos Zener. A análise desses circuitos é deixada a cargo
do estudante.
A grande vantagem dos circuitos limitadores implementados a partir de diodos Zener é a
simplificação e economia que eles proporcionam. Sua principal desvantagem é devida ao fato de
que a tensão de regulação varia em função da corrente que percorre o diodo. Dessa forma, o
aspecto do(s) “corte(s)” no sinal de saída será mais longe do ideal (horizontal) do que no caso dos
circuitos utilizando diodos comuns e fontes de alimentação. Outra desvantagem é que os
circuitos limitadores com diodos Zener não permitem o ajuste dos níveis de corte, o que pode ser
necessário em algumas aplicações.
47
 R R

DZ1
vi vo vi vo
DZ

DZ2

Figura 54 – Circuitos Limitadores Utilizando Diodos Zener

EXEMPLO NUMÉRICO: Dado o circuito abaixo e o gráfico do seu sinal de entrada, traçar o
gráfico do sinal de saída correspondente. Cada divisão vertical dos gráficos equivale a 3 V.

R 1KΩ
Ω

D1 D2
vi vo

6V DZ1
12 V

vi

t
0

vo

t
0

48
Circuitos Grampeadores

São circuitos que apresentam em sua saída um sinal correspondente ao sinal de entrada
somado algebricamente a um determinado nível DC. Por esse motivo, os circuitos
grampeadores também são conhecidos como circuitos deslocadores de nível. Da mesma
forma como os circuitos limitadores, os grampeadores também utilizam uma fonte de tensão de
referência. A Figura 55 mostra o diagrama de um circuito grampeador.

C
D
vi vo
VREF

Figura 55 – Diagrama de um Circuito Grampeador

Pelo fato de incluir um capacitor em seu diagrama, a análise de um circuito grampeador

deve ser dividida em duas fases: o estado transitório (antes que o capacitor atinja a sua máxima
tensão de carga) e o estado permanente (após o capacitor atingir a máxima tensão de carga).
Em geral, os componentes são dimensionados de tal modo que a duração do estado transitório
seja bastante pequena. Para facilitar a análise, é conveniente considerar o capacitor inicialmente
descarregado (vC(to) = 0) e começar pelo semiciclo em que o diodo estará diretamente
polarizado.
Supondo que o sinal de entrada para o circuito da Figura 55 seja uma senóide com valor
de pico superior a VREF, começaremos a análise pelo semiciclo negativo, pois é nele que o diodo
estará diretamente polarizado, independente do valor instantâneo do sinal de entrada.
Lembrando que o capacitor está inicialmente descarregado, o circuito equivalente no início do
primeiro semiciclo negativo é o mostrado na Figura 56.

vC
+
D vD = 0
vi + vo = VREF
+
corrente de carga VREF
do capacitor

+
Figura 56 – Circuito Equivalente no Início do 1º Semiciclo Negativo

Aplicando a LKT à malha de entrada, obtemos: - vi + vC - VREF = 0 ⇒ vC = vi + VREF.

Assim, constatamos que o capacitor se carrega com a soma da tensão de entrada com a tensão
de referência. Logo, a situação no momento em que a tensão de entrada atinge o máximo valor
negativo será a apresentada na Figura 57.

49
 C

+
vC = Vmáx + VREF D vD = 0

vi = Vmáx + vo = VREF
+
VREF

+
Figura 57 – Situação do Circuito ao Se atingir o Pico do 1º Semiciclo Negativo

No momento imediatamente seguinte, o módulo da tensão de entrada começa a diminuir

e, apesar de o semiciclo negativo ainda não se haver encerrado, o diodo fica reversamente
polarizado. Para constatar esse fato, basta obter o valor da tensão sobre o diodo através da LKT:
– vi + vC + vD – VREF = 0 ⇒ vD = vi + VREF – vC. Substituindo o valor obtido acima para
a tensão no capacitor:

vD = vi + VREF – (Vmáx + VREF) ⇒ vD = vi – Vmáx. Como temos vi < Vmáx (o

módulo da tensão está diminuindo), conclui-se que o valor obtido para vD é negativo, o que indica
uma inversão da polaridade atribuída à tensão sobre o diodo. Logo, o catodo na verdade está
positivo em relação ao anodo, confirmando-se a polarização reversa.
Com o diodo reversamente polarizado, o capacitor não tem por onde se descarregar e daí
para a frente manterá o valor acumulado de tensão, independente de qual seja o semiciclo ou o
valor instantâneo da tensão de entrada. Atingiu-se, portanto, o estado permanente do
grampeador, cujo circuito equivalente passa a ser o mostrado na Figura 58. Essa situação
perdura enquanto não se alterar a forma de onda do sinal de entrada do circuito ou o valor da
tensão de referência.
C C
+ + +
+ + + +
vC = Vmáx + VREF D vC = Vmáx + VREF D
vi vo = VREF vi vo = VREF
+
VREF
+
VREF

+
Figura 58 – Circuito Equivalente no Estado Permanente (Semiciclos Negativos e Positivos)

Na figura, a polaridade para a tensão de saída em ambos os semiciclos é meramente

arbitrada. Somente conhecendo-se os valores de VREF e Vmáx será possível determinar a
polaridade correta em cada instante. Aplicando-se a LKT:
- Semiciclos negativos: - vi + vC – vo = 0 ⇒ vo = vC – vi ⇒ vo = (Vmáx + VREF) – vi.

- Semiciclos positivos: + vi + vC – vo = 0 ⇒ vo = vC + vi ⇒ vo = (Vmáx + VREF) + vi.

As duas equações acima mostram que, no estado permanente, o circuito produz um sinal
de saída que é a soma algébrica do sinal de entrada com uma tensão constante, confirmando que
os grampeadores atuam como deslocadores de nível DC. A Figura 59 mostra os gráficos dos
sinais de entrada e saída de um circuito grampeador como o da Figura 55. Para facilitar a
visualização da característica de deslocamento de nível DC, atribui-se o valor de 2 V para a
tensão de referência e de 3 V para o valor de pico do sinal senoidal de entrada.

50
 +5 V
vi
(+Vmáx)

+2 V
(VREF)

0 t

-5 V
(-Vmáx)
vo
+12 V
(2Vmáx + VREF)

∆v

+5 V
(+Vmáx)

+2 V
(VREF)

0 t

-5 V
(-Vmáx)
Figura 59 – Formas de Onda de Entrada e Saída de um Circuito Grampeador

A área hachurada no gráfico do sinal de saída corresponde ao estado transitório do

circuito, no qual o capacitor está sendo carregado. Descontado esse intervalo de tempo, que terá
duração máxima de um quarto de ciclo, pode-se notar que a forme de onda e o valor de pico a
pico dos sinais de entrada e saída são exatamente iguais. A diferença entre os dois sinais é em
relação ao nível DC: o sinal de saída corresponde ao sinal de entrada deslocado de um certo
valor ∆V. Esse deslocamento do valor médio é exatamente igual ao da tensão armazenada no
diodo, que por sua vez depende da polarização do diodo e do valor de pico do sinal de entrada.
Uma diferença fundamental entre os circuitos limitadores e os circuitos grampeadores é
que o comportamento desses últimos depende da forma de onda do sinal de entrada. Além
disso, presença do capacitor nos circuitos grampeadores impõe aos sinais que não sejam
senoidais uma distorção cujo grau será diretamente proporcional à freqüência do sinal aplicado.
Outro ponto de grande importância para o correto funcionamento de um circuito grampeador é a
qualidade do capacitor utilizado. Quanto menor for o valor da sua corrente de fuga, mais próximo
do ideal será o comportamento do circuito.
Como será visto oportunamente, circuitos grampeadores são costumeiramente utilizados
nas etapas de entrada e saída de amplificadores transistorizados.

EXEMPLO NUMÉRICO: Dados os gráficos das tensões va e vb abaixo, projetar e desenhar o

diagrama de um circuito que recebendo va em sua entrada, forneça vb em sua saída. Os
gráficos contemplam apenas o estado permanente do circuito.

51
 va
+5V

0 t

-2V

vb
+2V

0 t

-5V

Circuitos Multiplicadores de Tensão

São circuitos que apresentam em sua saída uma tensão contínua e (idealmente) constante
com valor igual a n vezes o valor de pico do sinal de entrada. São utilizados para a alimentação
de cargas que necessitam de elevadas tensões mas que consomem pouca corrente. Um
exemplo típico de carga com essas características é o cinescópio (“tubo de imagem”) de
monitores e receptores de TV. Apesar de largamente aceita e utilizada, a denominação dada a
esses circuitos não é correta, pois diferente do que o nome sugere, eles não produzem em sua
saída um sinal vo = n × vi, mas sim Vo = n × Vimáx, ou seja, enquanto o sinal de entrada de
um multiplicador de tensão é um sinal variável, sua saída é uma tensão (idealmente) constante.
O nome mais apropriado seria circuito somador de picos.
Vamos considerar inicialmente o caso particular de n = 2 (os chamados dobradores de
tensão) e faremos em seguida a generalização para qualquer valor inteiro de n.

Dobrador de Tensão de Onda Completa

O circuito cujo diagrama é mostrado em duas configurações diferentes na Figura 60 é

chamado de dobrador de tensão de onda completa. A configuração da direita permite
visualizar claramente que se trata de um retificador em ponte que teve dois de seus diodos
substituídos por capacitores. A expressão dada para o sinal de saída pressupõe que o sinal de
entrada seja alternado.
52
 D1
D1
vi
C1 D2
vi

vo = Vimáx + |Vimín| C1
C2
C2 vo

D2

Figura 60 – Duas Diferentes Configurações de um Dobrador de Tensão de Onda Completa

Supondo os dois capacitores inicialmente descarregados e começando a análise pelo

semiciclo positivo da tensão de entrada, o diodo D1 está diretamente polarizado e permite a carga
do capacitor C1, cuja tensão vai acompanhando o sinal de entrada até que atinja o valor de pico
máximo. A partir desse ponto, caso o valor da tensão de entrada diminua, o diodo D1 fica
reversamente polarizado e C1 mantém-se com tensão igual a Vimáx, já que não tem por onde se
descarregar. Nesse ponto, tenho vo = vC1 + vC2 = Vimáx + 0 = Vimáx.
Iniciando-se o semiciclo negativo, o diodo D2 se torna diretamente polarizado e começa a
conduzir, permitindo a carga de C2, o que ocorre até que se alcance o valor mínimo de tensão
Vimín (em módulo, o valor máximo de tensão no semiciclo negativo). A partir daí, D2 também
fica reversamente polarizado e os dois capacitores permanecerão com o seu valor máximo de
carga até que ocorra uma alteração na forma de onda do sinal de entrada ou que seja colocada
uma resistência de carga na saída do circuito, que permita a descarga dos capacitores. Nesse
ponto, tenho vo = vC1 + vC2 = Vimáx + Vimín. Para sinais simétricos (|Vimín| = |Vimáx|),
teremos um sinal de saída igual ao dobro do valor de pico do sinal de entrada.
A Figura 61 mostra as formas de onda dos sinais de entrada e saída do circuito, supondo
um sinal de entrada senoidal.
vi
+Vmáx

0 t

-Vmáx
vo
2 Vmáx

Vmáx

0 t
Figura 61 – Tensões de Entrada e Saída de um Dobrador de Onda Completa

53
 A área hachurada mostra o intervalo de tempo necessário para que a tensão de saída
atinja o seu valor final. Esse intervalo, para o caso de um sinal senoidal, é de três quartos de um
período, sendo essa a razão pela qual o circuito é chamado de dobrador de onda completa.

Dobrador de Tensão de Meia-Onda

O circuito cujo diagrama é mostrado na Figura 62 é conhecido como dobrador de tensão

de meia-onda.

C1
vi D1 D2
C2

vo = Vimáx + |Vimín|

Figura 62 – Diagrama de um Dobrador de Tensão de Meia-Onda

Como se pode observar, o circuito é formado por duas combinações entre um diodo e um
capacitor. A cada uma dessas combinações daremos o nome de seção. A seção formada pelo
diodo D1 e pelo capacitor C1 é o que chamamos de uma “seção negativa”, pois o diodo só
poderá conduzir (e, consequentemente, o capacitor só poderá ser carregado) durante um
semiciclo negativo da tensão de entrada. A seção constituída por D2 e C2, por sua vez, é uma
“seção positiva”, pois a condução do diodo e a carga do capacitor ocorrerão durante um semiciclo
positivo da tensão de entrada.
Para a análise do comportamento do circuito, iremos supor, como de costume, um sinal de
entrada senoidal, os capacitores inicialmente descarregados e o início da análise a partir do início
do primeiro semiciclo negativo da tensão de entrada. O circuito equivalente na condição inicial é
o mostrado na Figura 63.

vC1 = vi
+
C1
vi D1 D2
C2

vo = 0

Figura 63 – Situação Inicial do Dobrador de Tensão de Meia-Onda

O capacitor C1 se carrega com a polaridade mostrada na figura até que a tensão de

entrada atinja o seu valor máximo. A partir desse instante, o diodo D1 fica reversamente
polarizado e o circuito equivalente passa a ser o mostrado na Figura 64.

54
 vC1 = Vimáx

+
C1
vi D1 D2
C2

vo = 0

Figura 64 – Situação do Dobrador de Tensão de Meia-Onda no Pico do Semiciclo Negativo

A partir do momento em que a tensão de entrada começa a diminuir, ainda durante o

semiciclo negativo, o diodo D2 fica diretamente polarizado, permitindo que o capacitor C2 se
carregue com a mesma tensão armazenada no capacitor C1 (vC2 = vC1 = Vimáx). Quando se
inicia o semiciclo positivo, a tensão armazenada no capacitor C1 possui a mesma polaridade da
tensão de entrada, de forma que o capacitor C2 passa a ser carregado pela soma de ambas as
tensões. Assim, quando se atinge o valor de pico do semiciclo positivo, a tensão em C2 atinge o
valor igual à soma dos módulos dos valores máximos dos semiciclos positivo e negativo. No
caso em questão, em que a tensão de entrada é senoidal, isso equivale ao dobro do valor
máximo do sinal de entrada. A Figura 65 mostra o circuito equivalente até o momento em que
se atinge o valor de pico do semiciclo positivo da tensão de entrada.

vC1 = Vimáx

+ +
C1
vi D1 D2
C2
+
+
vo = Vimáx + vi
+
Figura 65 – Situação do Dobrador de Tensão de Meia-Onda Até o Pico do Semiciclo Positivo

Quando se atinge o valor máximo de tensão do semiciclo positivo, o capacitor C2 fica

carregado com uma tensão igual ao dobro do valor de pico da tensão de entrada. Lembramos
que essa observação é válida apenas para sinais de entrada com formas de onda simétricas em
relação ao eixo. Caso contrário, a tensão final do capacitor C2 será a soma dos módulos dos
valores de pico positivo e negativo. Do pico do primeiro semiciclo positivo em diante, os dois
diodos permanecem reversamente polarizados e se mantém o valor da tensão armazenada nos
dois capacitores. A Figura 66 mostra os gráficos dos sinais de entrada e saída para o exemplo
analisado acima.

55
 vi
+Vmáx

0 t

-Vmáx

vo
2 Vmáx

Vmáx

0 t
Figura 66 – Tensões de Entrada e Saída de um Dobrador de Meia-Onda

A área hachurada mostra o intervalo de tempo necessário para que a tensão de saída
atinja o seu valor final. Esse intervalo, para o caso de um sinal senoidal, é de metade de um
período, sendo essa a razão pela qual o circuito é chamado de dobrador de meia-onda.
Os dobradores de onda completa possuem sobre os de meia-onda a vantagem de que a
tensão de saída é obtida sobre dois capacitores em série. Dessa forma, cada um deles precisa
suportar apenas metade da tensão total, o que possibilita utilizar capacitores com menor valor de
tensão de trabalho, o que significa componentes menores e mais baratos.
Os dobradores de meia-onda, no entanto, possuem diversas vantagens em relação aos de
onda completa:
• O fato de que a tensão de saída é obtida sobre um único capacitor significa constantes de
tempo maiores quando uma resistência de carga é conectada à saída do circuito. Logo,
nessa situação, o desempenho de um dobrador de meia-onda será mais próximo do ideal do
que o de um dobrador de onda completa.
• Os dobradores de meia-onda possuem um ponto de referência (“terra”) comum entre os sinais
de entrada e saída, o que não ocorre com os dobradores de onda completa.
• Como veremos a seguir, é bastante simples modificar um dobrador de meia-onda de forma a
obter circuitos multiplicadores de tensão.

Circuitos Multiplicadores de Tensão

Suponhamos que o circuito dobrador de tensão de meia-onda analisado acima seja

modificado pela adição de uma nova seção “negativa” em paralelo com o diodo D2, depois que os
dois capacitores originais já tenham alcançado os seus valores definitivos. A Figura 67
apresenta essa situação, no exato instante em que o primeiro semiciclo negativo ocorrido após a
adição da nova seção atinge o seu máximo valor de tensão.
56
 vC1 = Vimáx vC3
+ + seção “negativa”
adicionada
C1 C3
vi = Vimáx D1 D2 D3
C2

+ +
vC2 = 2
Vimáx
Figura 67 – Adição de uma Seção “Negativa” a Um Dobrador de Tensão de Meia-Onda

Nessa situação, o diodo D3 está diretamente polarizado, comportando-se como um curto-

circuito e permitindo a carga do capacitor C3. Aplicando a LKT à malha externa do circuito,
obtemos:
- Vimáx + vC1 + vC3 - vC2 = 0 ⇒ vC3 = Vimáx + vC2 - vC1 = Vimáx + 2 Vimáx - Vimáx = 2 Vimáx .
Conclui-se que a tensão armazenada no capacitor adicionado é igual ao dobro do valor de
pico do sinal de entrada (para o caso de um sinal simétrico, como os senoidais). Assim, caso a
saída do circuito seja entre as armaduras não-comuns dos capacitores C1 e C3, a tensão obtida
será:
vo = vC1 + vC3 = Vimáx + 2 Vimáx = 3 Vimáx , ou seja, o circuito opera como um
triplicador de tensão.
Adicionando-se uma nova “seção positiva” em paralelo com D3, o novo diodo (D4)
conduzirá no próximo semiciclo positivo, dando origem à situação mostrada na Figura 68.

vC1 = Vimáx vC3 = 2

+ +
+
C1 C3
seção
vi = Vimáx D1 D2 D3 D4 “positiva”
adicionada
C2 C4
+ +
vC2 = 2 vC4

Figura 68 – Adição de uma Seção “Positiva” a Um Triplicador de Tensão

Aplicando a LKT à malha externa do circuito, obtemos:

+ Vimáx + vC1 + vC3 - vC4 - vC2 = 0 ⇒ vC4 = Vimáx + vC1 + vC3 - vC2 ⇒

⇒ vC4 = Vimáx + Vimáx + 2 Vimáx – 2 Vimáx = 2 Vimáx . Logo, o capacitor adicionado

ao circuito (C4) também se carrega com o dobro do valor de pico da tensão de entrada. Caso a
tensão de saída seja tomada sobre C2 e C4, teremos:
vo = vC2 + vC4 = 2 Vimáx + 2 Vimáx = 4 Vimáx , ou seja, o circuito opera como um
quadruplicador de tensão.
Esse princípio pode ser estendido indefinidamente: adicionando-se uma nova seção ao
circuito, o novo capacitor será carregado com o dobro da tensão de pico do sinal de entrada.
Assim, temos um dos capacitores (C1) carregado com o valor de pico do sinal de entrada e os
demais carregados com o dobro desse valor. Logo, escolhendo-se convenientemente os pontos
entre os quais se obterá o sinal de entrada, implementa-se um multiplicador por n.

57
 Em termos práticos, a implementação de um circuito multiplicador de tensão requer o uso
de capacitores de alta qualidade, com baixo valor de corrente de fuga. O desempenho desse
tipo de circuito cai drasticamente em função da corrente que lhe seja exigida, pois a presença de
uma resistência de carga provê um caminho para descarga dos capacitores, o que causa a
redução do valor da tensão neles armazenada.
A queda de tensão ∆V causada pela drenagem de uma corrente I na saída de um
multiplicador por n formado por capacitores de capacitância C e alimentado por uma tensão
periódica de freqüência f pode ser calculada de forma aproximada através da equação:

I 2 3 1 2 1 
∆V = × n + n − n  .
f ×C  3 2 6 
EXEMPLO NUMÉRICO: Um quintuplicador de tensão é utilizado para alimentar uma resistência
de carga de 47 KΩ a partir de uma tensão de entrada vi(t) = 50 sen 500 t. Os capacitores
utilizados no circuito são iguais e sua capacitância vale 100 nF. Calcular o valor aproximado da
tensão sobre a carga.

Folhas de Especificação (“Data Sheets”) de Diodos Semicondutores

Para permitir a familiarização com a terminologia e as abreviaturas empregadas pelos

fabricantes de diodos semicondutores, é apresentada abaixo uma tabela com os dados de uma
das mais utilizadas famílias de diodos semicondutores empregados em retificação e, em seguida,
um glossário com o significado dos termos presentes nas folhas de especificação desses
dispositivos.

Tabela 1 – Folha de Especificação da Família de Diodos Retificadores 1N400X

58
 O significado dos termos mais comuns utilizados nessas folhas de especificação é dado a
seguir. Note-se que a terminologia pode variar de um fabricante para outro.

VRRM (maximum repetitive reverse voltage = máxima tensão reversa repetitiva) → É o máximo
valor de tensão reversa que o diodo pode suportar na forma de pulsos periódicos.
VR ou VDC ou VBR (maximum DC reverse voltage = máxima tensão reversa contínua) → É o
máximo valor de tensão reversa que o diodo pode suportar em modo contínuo.
VF (maximum forward voltage = máxima tensão direta) → É o valor máximo de tensão direta
suportado pelo diodo, relacionado com a potência máxima que ele pode dissipar.
IF(AV) (maximum average forward current = máxima corrente direta média) → É o valor máximo
de corrente média que o diodo é capaz de suportar na polarização direta. Trata-se
fundamentalmente de uma limitação de ordem térmica, ou seja, está ligada à quantidade de calor
que a junção é capaz de dissipar.
IFSM ou if(surge) (maximum peak or surge forward current = máximo valor de pico ou de surto de
corrente direta) → É o valor máximo de corrente que o diodo é capaz de conduzir quando
diretamente polarizado. Da mesma forma como o anterior, este parâmetro é limitado pela
capacidade térmica da junção.
PD (maximum total dissipation = máxima dissipação total) → É a quantidade de potência que o
diodo é capaz de dissipar, seja ela obtida pelo produto entre a corrente no diodo e a queda d
tensão sobre ele, ou obtida pelo produto entre o quadrado da corrente no diodo e a resistência
ôhmica do corpo do diodo.
TJ (operating junction temperature = temperatura de operação da junção) → É o máximo valor
permitido de temperatura para a junção.
TSTG (storage temperature range = faixa de temperatura de armazenamento) → É a faixa
permitida de temperaturas na qual um diodo pode ser estocado. Freqüentemente,TJ e TSTG
possuem valores iguais.
R(Θ) (thermal resistance = resistência térmica) → Pode ser calculada de duas formas
diferentes: a diferença entre temperatura da junção e a temperatura ambiente dividida pela
potência dissipada (nesse caso é denominada como R(Θ)JA), ou a diferença entre temperatura
da junção e a temperatura dos terminais do diodo dividida pela potência dissipada (nesse caso é
o
denominada como R(Θ)JL). A unidade desse parâmetro é graus Celsius por watt ( C/W).
Quanto menor o valor da resistência térmica, melhor o desempenho do diodo. Um valor zero para
esse parâmetro seria o ideal, pois significaria que o encapsulamento do diodo seria um perfeito
dissipador de calor. Um alto valor de resistência térmica significa que o diodo sofrerá uma
grande elevação de temperatura na junção, o que limita sua máxima dissipação de potência.
IR (maximum reverse current = máxima corrente reversa) → É o valor de corrente reversa quando
o diodo está submetido à máxima tensão reversa contínua (VBR). Note-se que essa corrente não
é constituída simplesmente pela corrente de saturação reversa IS, mas inclui a corrente que
passa pelo corpo do diodo. Por isso, essa corrente é às vezes chamada de corrente de fuga.
CJ (typical junction capacitance = capacitância típica de junção) → É o valor típico da capacitância
de transição.
trr (reverse recovery time = tempo de recuperação reversa) → É o tempo necessário para que o
diodo “abra” quando a tensão sobre ele passa da polarização direta para a polarização reversa.

Visto que a maior parte desses parâmetros tem valor dependente da temperatura, é
comum que os fabricantes forneçam tabelas com os valores em uma determinada temperatura de
referência (normalmente 25 ºC) e disponibilizem gráficos mostrando a variação desses
parâmetros em função da temperatura.

59
 TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

Considere uma barra de cristal semicondutor do tipo P, em cuja região central se faça uma
dopagem que leve essa região a se tornar do tipo N (ou seja, injetam-se impurezas pentavalentes
até que o número de elétrons nessa região se torne superior ao de lacunas), como representado
na Figura 69, à esquerda. Ao final do processo, a barra terá o aspecto representado no lado
direito da figura.

INJEÇÂO DE IMPUREZAS
PENTAVALENTES 1ª junção PN 2ª junção PN
NA REGIÃO CENTRAL

REGIÃO P REGIÃO N REGIÃO P

+ + + + + + + ++ + + + + + +- - + ++ + + +
- - - - - - +-+ +
+ + + + + +-+ + ++ + + + + - - - - ++
-+ +- + + -+ ++ -+ +-++ -+ +-++ + - - - -++ -+ +
Figura 69 – Diagrama Simplificado da Fabricação de um Transistor Bipolar de Junção

O dispositivo assim formado possui, como mostra a figura, três regiões distintas e duas
junções PN, uma vez que a região central passou a ser do tipo N devido à dopagem realizada.
Colocando-se terminais nas três regiões distintas para permitir ligações externas, obtém-
se o dispositivo conhecido como transistor bipolar de junção. Esse dispositivo é chamado de
bipolar porque, como veremos adiante, a sua corrente é composta pelos dois tipos de portadores
de carga (os elétrons livres e as lacunas). Existem vários tipos de transistores, mas como o
transistor bipolar de junção é o mais comum de todos, daqui para a frente iremos denominá-lo
simplesmente como transistor.
No caso do exemplo acima, obteve-se o transistor do tipo PNP, como fica evidente através
da estrutura do dispositivo. Uma das regiões P é chamada de coletor (C), a outra região P é
chamada de emissor (E) e a região N, no centro, é chamada de base (B). Analogamente, seria
possível submeter uma barra do tipo N a uma injeção de impurezas trivalentes em sua região
central, obtendo-se um transistor do tipo NPN. A estrutura interna e a simbologia desses dois
tipos de transistores estão representadas na Figura 70.

COLETOR EMISSOR COLETOR EMISSOR

(C) (E) (C) (E)
P N P N P N

BASE (B) BASE (B)

COLETOR (C) COLETOR (C)

BASE (B) BASE (B)

EMISSOR (E) EMISSOR (E)

Figura 70 – Estrutura e Simbologia dos Transistores Bipolares de Junção

60
 Notar que a única diferença entre a simbologia do transistor PNP e a do transistor NPN
consiste no sentido da seta que representa o emissor. Um transistor é, portanto, constituído por
duas junções PN: a junção base-coletor e a junção base-emissor. Cada uma dessas junções
possui as características elétricas já explanadas no estudo sobre os diodos semicondutores.
A representação da estrutura interna de um transistor mostrada na Figura 70 dá a
impressão de que as regiões de coletor e emissor são absolutamente idênticas e que, portanto,
seria possível inverter os papéis desses terminais (utilizar o emissor como coletor, e vice-versa).
Essa representação, no entanto, não corresponde à realidade. Na prática, as técnicas industriais
empregadas na fabricação de transistores fazem que essas regiões sejam diferentes, tanto em
termos de nível de dopagem como em termos de geometria. A Figura 71 mostra algumas das
tecnologias utilizadas na fabricação de transistores.

Transistor do tipo CRESCIMENTO Transistor do tipo PLANAR Transistor do tipo LIGA

C E
C E B

7 B
25 µ
5µ
3 mm B
25 µ 0,3 mm

C
3 mm
E
Figura 71 – Algumas Tecnologias de Fabricação de Transistores

Em todas as tecnologias apresentadas, podemos notar que a região de base é muito

estreita e que a área da região de coletor é muito maior do que a da região de emissor. Isso
ocorre porque, como os nomes das regiões indicam, a função do coletor é coletar os portadores
que são emitidos pelo emissor. Assim, quanto maior a sua área, melhor será o seu desempenho
nessa tarefa. Outra particularidade, que não pode ser notada a partir das figuras, é que a região
de base é muito menos dopada do que as regiões de coletor e de emissor. A razão para isso
ficará clara mais adiante.

Regiões de Operação de um Transistor

Como o transistor possui duas junções PN e três terminais, existem quatro formas
possíveis de polarizá-lo. Cada uma dessas formas de polarização determina características
peculiares de funcionamento para o dispositivo, as quais chamamos de regiões de operação do
transistor. Passaremos a descrever essas regiões de operação, mostrando a maneira de
polarizar o transistor para fazê-lo operar na região desejada.
Os exemplos mostrados são para transistores NPN. Para obter a polarização
correspondente para um transistor PNP, basta inverter as polaridades das tensões e os sentidos
das correntes.

A) Ambas as junções diretamente polarizadas: Nesse caso, teremos a circulação de correntes de

valor considerável através de ambas as junções. Os valores dessas correntes podem ser
calculados através da equação característica de uma junção PN diretamente polarizada, que já
estudamos. Por outro lado, a tensão entre os terminais do transistor deverá ser mantida num
valor relativamente pequeno (décimos de volts); do contrário, como vimos, a corrente seria muito
elevada, podendo danificar o componente. Nessas condições, representadas na Figura 72, o
transistor está na região de operação chamada de região de saturação

61
 C E
N P N

IC B IE

VCB ≈ 0,7 V VCE ≈ 0,7 V

Figura 72 – Transistor NPN Polarizado na Região de Saturação

A região de saturação, portanto, se caracteriza por baixa queda de tensão sobre o

transistor e as correntes que circulam pelas duas junções têm os seus valores limitados pelos
componentes externos. Por esse motivo, um transistor na região de saturação se comporta
como uma chave fechada.

B) Ambas as junções reversamente polarizadas: Nesse caso, as junções serão percorridas por
correntes de valor desprezível (ordem de nA, à temperatura ambiente, para transistores de
silício). Trata-se da corrente de saturação reversa das junções. Por outro lado, o valor da tensão
entre os terminais pode ser bem maior do que no caso anterior, sendo necessário apenas o
cuidado de não se atingir a tensão de avalanche das junções. Nessas condições, representadas
na Figura 73, o transistor está na região de operação chamada de região de corte.

C E
N P N

IC ≈ 0 B IE ≈ 0

VCB VCE

Figura 73 – Transistor NPN Polarizado na Região de Corte

A região de corte se caracteriza por uma circulação praticamente nula de corrente pelo
transistor, enquanto que a queda de tensão sobre ele será praticamente igual à tensão externa
aplicada ao circuito. Por esse motivo, um transistor na região de corte se comporta como uma
chave aberta.
A principal utilização do transistor nas regiões de saturação e corte é, portanto, como uma
chave liga/desliga eletrônica. É óbvio que um circuito em que o transistor esteja
permanentemente na região de saturação ou permanentemente na região de corte não teria
nenhuma utilidade. Os circuitos de aplicação devem ser tais que façam o transistor passar da
saturação para o corte (ou vice-versa) quando for conveniente. Uma aplicação que possui tal
característica são os circuitos integrados digitais, dos quais a família lógica TTL é um exemplo.

C) Uma das junções reversamente polarizada e a outra diretamente polarizada: Nessas condições,
representadas na Figura 74, o transistor está na região de operação conhecida como região
ativa ou região linear. Quando a junção diretamente polarizada é a base-emissor, a região de
operação é chamada de ativa direta. Quando a junção diretamente polarizada é a base-coletor,
a região de operação é chamada de ativa reversa. Devido às características construtivas do
transistor, não há sentido prático em polarizá-lo na região ativa reversa. Logo, estudaremos
exclusivamente para o comportamento do transistor quando polarizado na região ativa direta
(junção base-emissor diretamente polarizada e junção base-coletor reversamente polarizada), à
qual nos referiremos simplesmente como “região ativa”. As características de funcionamento de
um transistor nessa região são tão peculiares que as estudaremos com mais detalhes no item
seguinte. A principal aplicação de um transistor polarizado na região ativa é a amplificação.
62
 C E C E
N P N N P N
IB IE IB IE
IC B IC B

VCB VCE VCB VCE

Figura 74 – Transistor NPN Polarizado nas Regiões Ativa Direta e Ativa Reversa

Funcionamento do Transistor Polarizado na Região Ativa – Efeito Transistor

Observando-se o comportamento de um transistor na região ativa, constata-se que, ao

contrário do que se poderia supor, a corrente no coletor (que percorre uma junção reversamente
polarizada) é bem maior do que a corrente na base (que percorre uma junção diretamente
polarizada). Observa-se também que a corrente no emissor é a soma das outras duas.
Para compreender esse comportamento "inesperado" é preciso analisar o dispositivo do
ponto de vista microscópico. Os portadores majoritários do emissor são os elétrons livres (lembrar
que estamos trabalhando com um transistor NPN). Impulsionados pela tensão VBE, esses
elétrons livres atravessam a junção em direção à base, onde tenderiam a se recombinar com as
lacunas, que são majoritárias nessa região. Mas, como vimos anteriormente, a base é muito
estreita e muito pouco dopada, de forma que somente uma pequena parte dos elétrons livres
provenientes do emissor realmente se recombina com lacunas na base. Em sua maioria, os
elétrons livres que chegam à base acabam atravessando a junção base-coletor, atraídos pelo
potencial positivo VCB (que é muito maior do que VBE).
A Figura 75 mostra a composição das correntes no interior de um transistor NPN. As
setas mais claras representam os deslocamentos de elétrons livres e as mais escuras
representam o deslocamento de lacunas. Deve-se ter em mente que o deslocamento de
portadores negativos (elétrons livres) num certo sentido corresponde a uma corrente
convencional (deslocamento de portadores positivos) no sentido oposto.

5
6

1 4

3
2

IE (corrente de emissor) IC (corrente de coletor)

VBE VCB
IB (corrente de base)

Figura 75 – Configuração de Correntes Num Transistor NPN Polarizado na Região Ativa

63
 O deslocamento com o número “1” representa a difusão de elétrons livres do emissor para
a base, impulsionados pela polarização direta VBE. O número “2” representa o movimento
correspondente de lacunas da base para o emissor, que é bem menor do que o deslocamento “1”
(pelo fato de que a base é bem menos dopada do que o emissor). A soma dessas duas
componentes constitui a corrente de emissor IE, que é a maior das correntes de um transistor
bipolar polarizado na região ativa.
Os deslocamentos com o número “3” representam a recombinação na base dos elétrons
livres provenientes do emissor. Como a largura WB da região de base é muito menor do que o
comprimento de difusão Ln dos elétrons livres e o nível de dopagem da região de base é muito
baixo, é fácil compreender a razão para a pequena magnitude dessa corrente, que é a corrente
de base IB, a menor das corrente num transistor bipolar polarizado na região ativa.
O deslocamento com o número “4” representa os elétrons livres que conseguiram
atravessar a região de base e chegar à região de coletor, atraídos pelo potencial “favorável” VCB.
Os deslocamentos com os números “5” e “6” representam, respectivamente, as lacunas que
circulam do coletor para a base e os elétrons livres que circulam da base para o coletor,
impulsionados, em ambos os casos, pelo potencial reverso VCB. Em outras palavras, a soma
de “5” e “6” constitui a corrente de saturação reversa entre base e coletor. Essa corrente é
chamada de ICBo ou ICo (corrente entre coletor e base com o emissor aberto) e possui o valor
típico de uma corrente de saturação reversa numa junção PN (nA para transistores de silício e µA
para transistores de germânio, à temperatura ambiente). A soma algébrica dos deslocamentos
“4, “5” e “6” constitui a corrente de coletor IC.
Em função do que foi exposto, conclui-se que apesar de a junção base-coletor estar
reversamente polarizada, a corrente que a atravessa possui magnitude muito superior à de uma
corrente de saturação reversa, uma vez que a corrente da junção de entrada (base-emissor), que
tem baixa resistência (por estar diretamente polarizada), é transferida para a junção de saída
(base-coletor), de alta resistência (por estar reversamente polarizada). A essa característica, que
é responsável pelas propriedades amplificadoras do transistor polarizado na região ativa,
chamamos de efeito transistor (TRANSfer resISTOR). Esse efeito é determinado
principalmente pela injeção de portadores provenientes do emissor.
Assim, o valor da corrente de coletor IC é praticamente independente do valor da tensão
entre coletor e base (VCB), sendo controlado na prática pela corrente de emissor IE, que por sua
vez é determinada pela tensão entre base e emissor, VBE. Logo, o transistor bipolar de junção
se comporta como uma fonte de corrente (IC) controlada por corrente (IB). Em outras palavras,
um transistor bipolar de junção é um amplificador de corrente por excelência.
Caso seja polarizado na região ativa reversa (junção base- emissor reversamente
polarizada e junção base-coletor diretamente polarizada), a eficiência de um transistor se reduz
drasticamente. Isso ocorre porque tudo se passa como se o emissor e o coletor invertessem os
seus papéis. Como, tanto em termos geométricos quanto em termos de dopagem, a região de
emissor é apropriada para emitir e não para coletar portadores (e vice-versa para o caso da
região de coletor), compreende-se a causa da queda no desempenho do dispositivo. Esse é o
motivo pelo qual a polarização ativa reversa não é empregada na prática.

Parâmetros Construtivos de um Transistor

Lembrando que a corrente de emissor é formada soma dos deslocamentos dos portadores
majoritários provenientes de ambos os lados da junção base-emissor, podemos definir a
eficiência de emissor λ como a fração da corrente de emissor devida exclusivamente aos
portadores majoritários provenientes da região de emissor. Assim, temos:

= IE
emissor
= 1 − IEbase , onde IEemissor e IEbase representam, respectivamente, as
λ
IE IE
parcelas da corrente de emissor devidas aos portadores majoritários de emissor e de base.
Sendo a região de emissor muito mais dopada do que a de base, conclui-se que a eficiência de

64
emissor será um número bastante próximo à unidade. Em termos construtivos, a eficiência de
emissor pode ser calculada pela equação (válida para transistores NPN):

Dp × WB × Na
λ =1 − , onde Dp e Dn são os respectivos coeficientes de difusão
Dn × Ln × Nd
de lacunas e elétrons livres, Na e Nd são respectivamente as concentrações de lacunas na base
e de elétrons livres no emissor, WB é a largura da região de base e Ln é o comprimento de
difusão dos elétrons livres. Essa equação mostra que a diminuição da largura da região de base
e o aumento da concentração de portadores na região de emissor colaboram para o aumento da
eficiência. Para o caso de um transistor PNP, devem-se inverter na equação os índices
referentes a elétrons livres e lacunas.
Outro parâmetro construtivo importante de um transistor é o chamado fator de transporte
de base B, que pode ser interpretado como a probabilidade de que um portador injetado na
região de base a partir da região de emissor alcance a região de coletor. Desprezando-se a
parcela da corrente de coletor devida à corrente de saturação reversa da junção base-coletor,
vale a relação:

IC = B× IE emissor
. O fator de transporte de base pode ser calculado através das equações:
2 2

B = 1 − WB 2
(transistores NPN) e B = 1 − WB 2
(transistores PNP).
2 × Ln 2 × Lp

O Transistor Como um Quadripólo

A principal aplicação de um transistor polarizado na região ativa é como amplificador, ou

seja, um circuito capaz de fornecer em sua saída um sinal com potência maior do que o sinal
aplicado à sua entrada. Um conceito muito importante no estudo de amplificadores é a noção de
quadripólo, que nada mais é do que um circuito (que muita vezes pode ser encarado como uma
“caixa preta”) que possui quatro terminais de acesso, sendo dois de entrada e dois de saída. Um
exemplo bastante conhecido de quadripólo é o transformador de tensão, mostrado na Figura 76.

io
ii

vi vo

TRAFO

Figura 76 – Transformador de Tensão Ilustrando o Conceito de Quadripólo

Nessa figura podemos ver as principais grandezas de interesse do quadripólo

transformador: a tensão de entrada vi, a corrente de entrada ii, a tensão de saída vo e a
corrente de saída io.
Num quadripólo é importante também conhecer as relações entre as grandezas de
interesse. Algumas dessas relações recebem nomes especiais:
65
Ganho de Tensão (Av) → relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada, ou seja:
vo
Av = .
vi
Ganho de Corrente (Ai) → relação entre a corrente de saída e a corrente de entrada, ou seja:
io
Ai = .
ii
Impedância de Entrada (Zi) → relação entre a tensão de entrada e a corrente de entrada, ou
vi
seja: Zi = .
ii

Impedância de Saída (Zo) → relação entre a tensão de saída e a corrente de saída, ou seja:
vo
Zo = .
io
Como o transistor possui apenas 3 terminais, para analisá-lo como um quadripólo é
necessário fazer com que um dos seus terminais seja comum à entrada e à saída, ou seja,
apareça em ambas ao mesmo tempo. Seguindo-se este conceito, temos as chamadas
configurações básicas dos circuitos transistorizados, que são: base comum, coletor comum e
emissor comum. Examinaremos de forma sucinta as características principais de cada uma
dessas configurações, sempre supondo um transistor NPN operando na região ativa.

Configuração Base Comum

Nessa configuração, como o nome sugere, o terminal de base aparece simultaneamente

na entrada e na saída, como mostra a Figura 77. A entrada é feita pelo emissor e a saída pelo
coletor.

ii = IE io = IC

vi = VBE vo = VBC

Figura 77 – Diagrama Simplificado de um Transistor NPN na Configuração Base Comum

Para essa configuração, o ganho de tensão vale:

vo VBC
Av = = . Como VBC é a tensão sobre uma junção PN reversamente polarizada
vi VBE
(junção base-coletor), seu valor numérico será maior do que o de VBE, que é a tensão sobre
uma junção diretamente polarizada (junção base-emissor). Logo, teremos AV >> 1 (ganho de
tensão muito superior à unidade). Das três configurações, a base comum é a que possui maior
ganho de tensão.

io IC
O valor do ganho de corrente será: Ai = = =α .
ii IE
Por esse motivo, o parâmetro α é chamado de ganho de corrente da configuração
base comum. Lembrando do que foi visto no estudo dos parâmetros construtivos de um
transistor, podemos escrever:
66
  Dp × WB × Na   2 

=
IC = B × IE emissor
= λ ×B ⇒ α

= 1 −
  WB 
,
α  × 1 − 2
para
IE IE emissor 
 Dn × Ln × Nd  
  2 × Lp 

λ
transistores NPN. Para transistores de baixa e média potência, o valor de α é pouco menor que
a unidade (α ≈ 1).
O ganho de potência da configuração é obtido através do produto do ganho de tensão
pelo ganho de corrente:

Ap = Av × Ai > 1 , o que significa que a configuração base comum fornece em sua saída um
sinal com potência maior do que a do sinal de entrada. Isso não ocorre, por exemplo, com um
transformador de tensão, que sempre fornece no enrolamento secundário uma potência inferior à
aplicada no enrolamento primário. Esse fato, obviamente, não constitui uma violação do princípio
de conservação de energia: a amplificação realizada por um transistor ocorre às custas da
energia fornecida pela fonte de alimentação necessária para a polarização do dispositivo.
A Figura 78 apresenta o conjunto de curvas características de entrada (IE em função de
VBE) e de saída (IC em função de VCB) para a configuração base comum. Sendo a junção
base-emissor um diodo, a curva característica de entrada tem o aspecto visto anteriormente por
ocasião do estudo das junções PN. O conjunto de curvas características de saída permite
visualizar as diferentes regiões de operação do transistor e a dependência da corrente de coletor
em relação à corrente de emissor. Note que a região de saturação corresponde à polarização
direta da junção base-coletor (VCB < 0, para um transistor NPN). Caso a polarização reversa da
junção base-coletor ultrapasse determinado valor, ela entra na região de avalanche, ocorrendo
um aumento considerável no valor da corrente de coletor. Essa região não aparece no conjunto
de curvas características representado na figura.

IE
IC
região de saturação
IE4

IE3

IE2

IE1

VBE IE = 0
região de corte
VCB

Figura 78 – Conjuntos de Curvas Características da Configuração Base Comum

A configuração base comum é caracterizada por uma baixa impedância de entrada e uma
elevada impedância de saída, o que a torna apropriada para realizar o casamento de impedâncias
entre uma carga e um circuito ou entre dois circuitos. Possui como vantagens sobre um
transformador o ganho de potência e a possibilidade de trabalhar com sinais que não sejam
senoidais. Sob a configuração base comum o transistor apresenta melhor desempenho em altas
freqüências, razão pela qual essa configuração é utilizada como estágio amplificador em circuitos
que operam nessa faixa de freqüências. Na configuração base comum os sinais de entrada e
saída estão em fase.

67
Configuração Coletor Comum

Neste caso, o terminal comum à entrada e à saída é o coletor. Seu diagrama simplificado
é mostrado na Figura 79. O sinal de entrada é aplicado à base e o sinal de saída é obtido no
emissor. Essa configuração é também conhecida como seguidor de emissor.

ii = IB io = IE

vi = VBC vo = VCE

Figura 79 – Diagrama Simplificado de um Transistor NPN na Configuração Coletor Comum

vo VCE
O ganho de tensão da configuração coletor comum vale: Av =
= . O valor
vi VBC
numérico de VBC será ligeiramente maior do que o de VCE. Logo, teremos AV ≈ 1 (ganho de
tensão próximo à unidade).
io IE
O ganho de corrente nessa configuração vale: Ai = = =γ . O parâmetro γ (gama)
ii IB
é chamado ganho de corrente da configuração coletor comum.
Como a corrente de emissor IE é a maior corrente de um transistor na região ativa e a
corrente de base IB a menor delas, teremos γ >> 1. Logo, das três configurações básicas, o
coletor comum é a que apresenta o maior ganho de corrente.
Multiplicando o ganho de tensão pelo ganho de corrente, obtemos o ganho de potência da
configuração: Ap = Av × Ai > 1 , o que significa que a configuração coletor comum também
fornece em sua saída um sinal com potência maior do que a do sinal de entrada. O ganho de
potência do coletor comum é inferior ao das outras duas configurações.
Como o valor da tensão entre base e coletor possui influência praticamente nula sobre o
valor da corrente de base, o conjunto de curvas características de entrada (IB em função de VCB)
não tem utilidade nessa configuração. A Figura 80 apresenta o conjunto de curvas características
de saída (IE em função de VCE) para a configuração coletor comum. Esse conjunto de curvas é
bastante semelhante ao da configuração emissor comum, como veremos a seguir.

IE IB5
IB4

IB3
IB2

IB1

IB = 0
VCE

Figura 80 – Conjunto de Curvas Características de Saída da Configuração Coletor Comum

68
 Outras características importantes da configuração coletor comum são elevada
impedância de entrada, baixa impedância de saída e sinal de saída em fase com o sinal de
entrada. Essas características tornam o coletor comum apropriado como casador de
impedâncias e como “buffer” (isolador) entre dois circuitos ou entre um circuito e uma carga.
Essa configuração melhora o desempenho do transistor em baixas freqüências e proporciona
uma maior banda passante.

Configuração Emissor Comum

Nessa configuração, o emissor é o terminal comum à entrada (que é aplicada à base) e à

saída (que é obtida no coletor). Seu diagrama simplificado é mostrado na Figura 81.

ii = IB io = IC

vi = VBE vo = VCE

Figura 81 – Diagrama Simplificado de um Transistor NPN na Configuração Emissor Comum

vo VCE
Para essa configuração, o ganho de tensão vale: Av = = . O valor numérico de
vi VBE
VBE será muito menor do que o de VCE. Logo, teremos AV >> 1 (ganho de tensão muito maior
do que a unidade).
io IC
O ganho de corrente nessa configuração vale: Ai = = =β. O parâmetro β (beta) é
ii IB
chamado de ganho de corrente da configuração emissor comum. Esse parâmetro é
tecnicamente conhecido como hFE, que é a denominação que adotaremos daqui em diante.
Sendo IC praticamente igual a IE (maior corrente de um transistor na região ativa) e IB a menor
delas, teremos hFE >> 1.
Assim, a configuração emissor comum possui tanto o ganho de tensão quanto o ganho de
corrente com valores bem superiores à unidade. Logo, o ganho de potência dessa configuração
será o maior de todas as configurações básicas, pois Ap = Av × Ai >> 1 .
A Figura 82 apresenta o conjunto de curvas características de entrada (IB em função de
VBE) e de saída (IC em função de VCE) para a configuração emissor comum.
IB
VCE1 IC
região de saturação
VCE2 IB5
VCE3
IB1 IB4

IB3

IB2

IB1
região de
IB = 0 corte
VBE
VBE1VBE2 VBE3 VCE
Figura 82 – Conjuntos de Curvas Características da Configuração Emissor Comum
69
 As curvas características de entrada mostram que a tensão VCE influi sobre o
comportamento da junção base-emissor: quanto maior o valor da tensão entre coletor e emissor,
há necessidade de maior tensão entre base e emissor para se conseguir um determinado valor de
corrente de base (no conjunto de curvas características de entrada mostrado na Figura 82, temos
VCE3 > VCE2 > VCE1).
As curvas características de saída mostram o relacionamento entre a corrente de coletor e
a tensão entre coletor e emissor. Podemos notar que, com exceção da parte inicial das curvas, o
valor da tensão entre coletor e emissor VCE tem pequena influência sobre o valor da corrente de
coletor IC, que por sua vez é bastante dependente do valor da corrente de base IB. As curvas
características de saída permitem a visualização das três regiões de operação do transistor:
abaixo de IB = 0 temos a região de corte; à esquerda da região de linearidade entre IC e IB
temos a região de saturação e, entre as duas, temos a região linear ou ativa.
A região ativa reversa, que não está representada no conjunto de curvas, teria um aspecto
semelhante ao da região ativa “rebatida” no 3º quadrante. A diferença fundamental em relação às
curvas da região ativa direta seria que, para um dado valor de corrente de base IB, a corrente de
coletor IC teria um valor bastante inferior. Em outras palavras, o hFE na região ativa reversa tem
um valor muito menor do que o da região ativa direta.
Pelo fato de possuir maior ganho de potência, que é o objetivo principal de um
amplificador, a configuração emissor comum é a mais utilizada entre as três configurações
básicas e será a escolha natural, a menos que estejam envolvidas questões referentes ao
casamento de impedâncias ou ao desempenho numa determinada faixa de freqüências de
operação.
As características gerais do emissor comum são: altos ganhos de tensão, corrente e
potência, valores médios de impedâncias de entrada e saída, sinais de entra e saída defasados
em 180º, bom desempenho em médias freqüências.

Influência da Corrente de Saturação Reversa ICBo

As equações relacionando as correntes num transistor apresentadas no estudo das três

configurações básicas do transistor são, na verdade, expressões aproximadas, pois não levam
em conta a corrente de saturação reversa ICBo. Voltando à Figura 75, a aplicação da Lei de
Kirchoff das Correntes no transistor conduz à equação IE = IC + IB. Observando a região de
coletor, e lembrando que α representa a porcentagem de portadores que partem do emissor e
chegam ao coletor, obtemos a relação:
IC = α × IE + ICBo . A partir da primeira equação, obtemos:
+
IB = IE – IC ⇒ IB = (1 - α) × IE - ICBo ⇒ I = IB ICBo .
E
1− α
À temperatura ambiente, a influência da corrente de saturação reversa é desprezível e as
equações aproximadas podem ser utilizadas sem que se incorra em erro significativo.

Relação Entre os Ganhos de Corrente de um Transistor

Dos três ganhos de corrente vistos acima, os manuais dos fabricantes de transistores
fornecem em geral apenas um deles, hFE. Além disso, existem multímetros que possuem
escalas próprias para a medição desse mesmo parâmetro (hFE). Por esse motivo, é bastante
útil que se conheça o relacionamento entre os três valores de ganho de corrente, de forma que
seja possível, a partir do conhecimento do valor de um deles, calcular os valores dos outros dois.
Para tanto, basta utilizar as relações acima, e lembrar que IE = IC + IB. Manipulando-se
essas equações, obtém-se:
70
 hFE
♦ α= e γ = hFE + 1, fórmulas que permitem calcular α e γ em função de hFE.
hFE + 1
α 1
♦ hFE = e γ = , fórmulas que permitem calcular hFE e γ em função de α.
1− α 1− α
γ -1
♦ α= e hFE = γ − 1 , fórmulas que permitem calcular α e hFE em função de γ.
γ

Circuitos de Polarização Para Transistores

O objetivo da polarização de um transistor é fazê-lo operar na região de interesse para a

aplicação específica em que ele esteja sendo utilizado (linear, corte ou saturação). Em outras
palavras, seu objetivo é determinar o chamado ponto de operação estática (POE) ou ponto
quiescente do transistor, ou seja, o valor da sua tensão entre coletor e emissor e de sua corrente
de coletor na ausência de sinal alternado (VCEq e ICq). A localização desse ponto nas curvas
características de saída determina a região de operação do transistor.
Embora o transistor tenha duas junções a ser polarizadas, a utilização de duas fontes de
tensão independentes para esse propósito seria antieconômica, de forma que se desenvolveram
circuitos capazes de polarizar um transistor utilizando uma única fonte de alimentação.
Estudaremos agora alguns desses circuitos, utilizando como exemplos transistores NPN. Para
transistores PNP, basta inverter as polaridades das tensões e os sentidos das correntes.

1) Circuito de Polarização Fixa

É o mais simples dos circuitos de polarização para transistores. Seu diagrama é

apresentado na Figura 83.

+VCC
IBq + ICq + IBq + ICq + malha
de
R R R R coletor
B VRB C VRC B VRB C VRC
+

+ + VCC

+ VCEq + VCEq
malha
VBEq VBEq
IEq IEq de base

malha de coletor
malha de base

Figura 83 – Circuito de Polarização Fixa Para um Transistor NPN

Como podemos ver, o resistor RB “leva” o potencial positivo da fonte de alimentação VCC
até a base, fazendo com que ela fique positiva em relação ao emissor. Como se trata de um
transistor NPN, isso significa que a junção base-emissor está diretamente polarizada. Da mesma
forma, o resistor RC “leva” o potencial positivo de VCC até o coletor. Se a queda de tensão
sobre RC for menor do que a queda de tensão sobre RB, o potencial do coletor será mais positivo
do que o da base, o que equivale a dizer que a junção base-coletor está reversamente polarizada.
As duas condições ocorrendo simultaneamente colocam o transistor na região ativa.
71
 Antes de fazer a análise do circuito, vamos estabelecer alguns pontos que serão bastante
úteis daqui para a frente. Em primeiro lugar, devemos notar que os dois diagramas acima são
absolutamente idênticos, ou seja, são duas formas distintas de representar o mesmo circuito.
Embora já estejamos familiarizados com a representação da direita, utilizaremos com mais
freqüência a representação da esquerda, por que ela é a mais utilizada para circuitos eletrônicos
de maior complexidade. Nessa representação, temos assinalado um ponto que serve como
referência de tensão para os demais pontos do circuito. Esse ponto ( ) é chamado de terra
ou massa, e não é positivo, nem negativo (os demais pontos do circuito é que serão positivos ou
negativos em relação a ele). Como se pode notar, no diagrama da esquerda apenas um dos
pólos (o positivo) da fonte de alimentação VCC está representado. Quando isso ocorre, o outro
pólo está, necessariamente, ligado ao terra.
Em segundo lugar, no caso particular da análise de circuitos de polarização de
transistores, faremos as seguintes considerações:
♦ VBEq ≈ 0,6 V (a junção base-emissor é um diodo diretamente polarizado)
♦ ICq = hFE × IBq
♦ IEq ≈ ICq (consideração opcional, válida somente para transistores de baixa potência)

Essas considerações são válidas apenas se o transistor estiver operando na região linear.
No entanto, como veremos adiante, se por acaso o transistor estiver fora dessa região, os
resultados obtidos serão absurdos, o que nos permite facilmente perceber o equívoco.
Por último, temos basicamente dois tipos de problema. Um deles é, conhecidos os valores
das resistências de polarização e das características do transistor (hFE), determinar as
coordenadas do POE (VCEq e ICq). O outro, mais comum em projetos práticos, é determinar os
valores das resistências de polarização a partir do conhecimento do ponto de operação desejado
e das características do transistor e da tensão de alimentação disponível. Suponhamos que
nosso objetivo com o circuito acima seja determinar as coordenadas do POE. Escrevendo a
equação LKT da malha de base:
VCC − VBEq
+VCC – IBq × RB – VBEq = 0 ⇒ IBq = . Lembrando que estamos considerando
RB
que VBEq ≈ 0,6 V, o valor de IBq está determinado. Lembrando agora que ICq = hFE × IBq,
chegamos à primeira das coordenadas do POE.
Aplicando a LKT à malha de coletor:
+VCC – ICq × RC – VCEq = 0 ⇒ VCEq = VCC – ICq × RC, obtendo-se assim a segunda
coordenada do POE. É simples notar que as equações acima poderão ser utilizadas para se
determinar os valores das resistências, caso as demais grandezas sejam conhecidas.

Determinação Gráfica do Ponto de Operação – Reta de Carga Para o Transistor

Da mesma forma como fizemos no estudo do diodo, podemos também determinar o POE
de um transistor por meio de um processo gráfico, bastando traçar a reta de carga do circuito
transistorizado sobre o conjunto de curvas características de saída.
A metodologia para o traçado da reta de carga é semelhante à utilizada no caso do diodo.
A partir da equação LKT da malha de coletor: VCE = VCC – IC × RC, obtêm-se dois pontos para
determinar a reta. Para o 1o ponto faz-se IC = 0 , obtendo-se VCE = VCC. Para o 2o ponto, faz-
se VCE = 0, obtendo-se IC = VCC / RC.
Com estes dois pontos, traça-se a reta de carga, que é representada na Figura 84 no
mesmo sistema de coordenadas onde aparecem as curvas características de saída da
configuração emissor comum, o que permite a desejada determinação gráfica do ponto de
operação do transistor, desde que se conheça o valor quiescente da corrente de base (IBq). A
localização do POE será determinada pela interseção entre a reta de carga e a curva relativa a
esse valor de corrente de base, conforme mostra a figura.
72
 IC

VCC
reta de carga ponto de operação estática IB5
RC
IB4

IB3

ICq
IBq = IB2

IB1

IB = 0

VCE
VCEq

Figura 84 – Determinação Gráfica do Ponto de Operação Através da Reta de Carga

EXEMPLOS NUMÉRICOS:
1) Calcular os resistores de polarização para fazer um transistor que possui hFE = 100 operar em
ICq = 5 mA e VCEq = 10 V. A tensão de alimentação disponível é de 15 V.

2) Suponha que no mesmo circuito do exemplo anterior, o resistor de coletor é substituído por
outro de 10 KΩ. Determinar as novas coordenadas do POE.

73
Influência da Temperatura Sobre o Ponto de Operação de um Transistor

Como o último exemplo numérico demonstrou, a alteração de uma das resistências de

polarização pode levar a alterações radicais no POE, a ponto de fazê-lo passar de uma região de
operação para outra. No entanto, como veremos agora, tais alterações podem ocorrer apenas
em função da temperatura, sem que haja qualquer mudança nas resistências de polarização.
A temperatura da junção tem influência sobre três fatores que determinam alterações no
valor da corrente de coletor ICq, e, em conseqüência, na localização do ponto de operação do
transistor. O primeiro desses fatores é a corrente de saturação reversa ICBo que, como visto
por ocasião do estudo de diodos, dobra de valor a cada 10 ºC de acréscimo na temperatura. O
segundo fator é o ganho de corrente hFE, que aumenta com a temperatura numa taxa que
depende do processo de fabricação do transistor. O terceiro fator é a tensão entre base e
emissor VBE, que diminui cerca de 2,5 mV a cada acréscimo de 1 ºC na temperatura. Por esse
motivo, definem-se os seguintes fatores de estabilidade S para a corrente de coletor:
dIC
• Fator de Estabilidade em Relação à Corrente de Saturação Reversa: S(ICBo ) = .
dICBo
dIC
• Fator de Estabilidade em Relação à Tensão Entre Base e Emissor: S(VBE ) = .
dVBE
dIC
• Fator de Estabilidade em Relação ao Ganho de Corrente: S(hFE ) = .
dhFE

A melhor denominação para as derivadas acima é fatores de instabilidade ou fatores de

sensibilidade, pois quanto maior o seu valor menor é a estabilidade do ponto de operação. O
que se deseja, portanto, é obter os menores valores possíveis para esses parâmetros.
Voltando à expressão exata da corrente de coletor: ICq = hFE × IBq + ICBo × (hFE + 1),
podemos obter uma expressão para o fator de estabilidade S(ICBo):
dIC d
S(ICBo ) = = [hFE × IB + ICBo × (hFE + 1)] ⇒ S(ICBo ) = hFE + 1 .
dICBo dICBo
Lembrando que a corrente de base IBq tem uma correlação direta com o valor da tensão
entre base e emissor VBEq, é possível avaliar o efeito da variação de temperatura sobre o valor
da corrente de coletor. O exemplo numérico a seguir permite uma idéia quantitativa a esse
respeito.

EXEMPLO NUMÉRICO: Supondo que no circuito do exemplo numérico 1 acima o transistor

tenha ICBo igual a 80 nA a 25 ºC, calcular as coordenadas do POE nessa temperatura, levando
em conta essa corrente. Calcular depois o POE a 125 ºC, supondo que nessa temperatura o
novo valor de hFE seja de 120. Desprezar variações no valor de VBE.

Esse exemplo permite compreender a razão pela qual o circuito de polarização fixa,
apesar de sua simplicidade e baixo custo, é pouco utilizado: ele não possui recursos para conferir
estabilidade térmica ao ponto de operação do transistor, ou seja, tornar a localização do ponto
de operação mais estável em função de flutuações na temperatura. Para se alcançar tal objetivo,
é necessário o uso de circuitos de polarização mais elaborados, alguns dos quais veremos a
seguir.
74
2) Circuito de Polarização Com Resistência de Emissor

Como indica o nome e pode ser constatado na Figura 85, a diferença entre esse circuito
de polarização e o estudado anteriormente consiste no acréscimo de uma resistência entre o
emissor e o terra.
+VCC
IBq
+ ICq +
R R
B VRB C VRC

+
+ VCEq
VBEq

+ IEq
R
VRE E

malha de base
malha de coletor

Figura 85 – Circuito de Polarização Com Resistência de Emissor

O efeito estabilizador da resistência de emissor RE pode ser compreendido da seguinte

forma: a equação LKT da malha de base é +VCC – IBq × RB – VBEq - IEq × RE = 0. A partir
VCC − VBEq − IEq × RE
dessa equação, obtenho o valor de IBq = .
RB
Lembrando que as variações de VBE são muito pequenas, caso o valor da corrente de
coletor ICq aumente por qualquer motivo, isso causará um aumento na corrente de emissor IEq.
A equação acima mostra claramente que um aumento da corrente de coletor causa uma redução
na corrente de base, o que por sua vez reduz o valor da corrente de coletor, compensando o
aumento inicial no valor dessa corrente.
Caso o que ocorra seja uma redução no valor da corrente de coletor, tudo ocorre de forma
oposta ao descrito acima, levando no final do processo a uma elevação do valor de ICq,
deixando-o próximo do valor original. Em resumo:

• Ocorre um aumento de ICq: ICq ↑ ⇒ IEq↑

↑ ⇒ IEq × RE ↑ ⇒ IBq ↓ ⇒ ICq ↓
• Ocorre uma redução de ICq: ICq ↓ ⇒ IEq ↓ ⇒ IEq × RE ↓ ⇒ IBq ↑ ⇒ ICq ↑

Podem-se demonstrar que, para esse circuito de polarização, os fatores de estabilidade da

corrente de coletor IC são dados pelas equações:

hFE × (RB + RE ) RB × (VBB − VBE ) hFE

S(ICBo ) = , S(hFE ) = , S(VBE) = −
RB + RE × (hFE + 1) (RB + hFE × RE) 2
RB + hFE× RE

Nas três equações, quanto maior o valor da resistência de emissor RE, menor o valor do
fator de estabilidade, ou seja, mais próximo do ideal será o comportamento do circuito. Isso
significa que quanto maior for o valor de RE, maior será o seu efeito de estabilização térmica do
ponto de operação. Obviamente, existem restrições relacionadas ao rendimento do circuito que
impõem um limite superior para o valor dessa resistência. De qualquer forma, torna-se evidente
a razão pela qual a grande maioria dos circuitos de polarização inclui a resistência de emissor.

75
 Esse circuito de polarização tem como peculiaridade o fato de que a tensão sobre o
resistor RE (que é produzida pela corrente de saída IEq) influi sobre o valor da corrente de base,
que é a corrente de entrada do circuito. Essa influência de uma grandeza de saída sobre o valor
de uma grandeza de entrada é chamada de realimentação, sendo nesse caso uma
realimentação negativa, pois quando a grandeza de saída aumenta, a grandeza de entrada
diminui e vice-versa. Por esse motivo, esse circuito de polarização é conhecido também como
circuito de polarização por realimentação de emissor.
Para o cálculo dos valores das resistências, caso sejam conhecidas as coordenadas do
POE, partiremos das mesmas premissas utilizadas para o circuito de polarização fixa: o transistor
está na região ativa e, por isso, VBEq ≈ 0,6 V e ICq = hFE × IBq. Outra aproximação, para
simplificar os cálculos, é que IEq ≈ ICq. Desenvolvendo a equação da malha de coletor:

+VCC – ICq × RC – VCEq – IEq × RE = 0 ⇒ +VCC – ICq × RC – VCEq – ICq × RE = 0 ⇒

VCC − VCEq
⇒ +VCC – VCEq – ICq × ( RC + RE) = 0 ⇒ RC + RE = . Como se trata de uma
ICq
única equação com duas incógnitas (RC e RE), é comum atribuir-se uma relação arbitrária entre
RC e RE, o que permite obter os valores de ambas as resistências.
Desenvolvendo agora a equação da malha de base:

VCC − VBEq − IEq × RE VCC − VBEq − ICq × RE

RB = = . A essa altura, todas as grandezas
IBq IBq
envolvidas na fórmula já são conhecidas, o que permite calcular o valor de RB.

EXEMPLOS NUMÉRICOS:
1) Calcular os resistores de polarização para fazer um transistor que possui hFE = 100 e ICBo =
80 nA a 25 ºC operar em ICq = 5 mA e VCEq = 10 V. A tensão de alimentação disponível é de
15 V. Utilizar um circuito de polarização com resistência de emissor no qual RC = 4 × RE.

2) Recalcular as coordenadas do POE do transistor do exemplo anterior para uma temperatura de

125 ºC, supondo que nessa temperatura o novo valor de hFE seja igual a 120.

76
 Comparando os resultados dos exemplos acima com os obtidos quando o circuito de
polarização não tinha a resistência de emissor, podemos avaliar a importância dessa resistência
na estabilização térmica do ponto de operação. Por esse motivo, praticamente todos os circuitos
de polarização práticos utilizam resistência no emissor, embora existam também circuitos que
utilizam realimentação de coletor. Os circuitos de polarização fixa são apropriados apenas em
aplicações onde o transistor opera do corte para a saturação e vice-versa. Em circuitos onde o
transistor opera na região linear, os circuitos de polarização sem nenhum tipo de realimentação
só devem ser utilizados quando a temperatura de operação é rigorosamente controlada.

3) Circuito de Polarização Autopolarizante

Apesar de ter um desempenho superior ao do circuito de polarização fixa, o circuito de

polarização com resistência de emissor estudado acima possui alguns inconvenientes. Para
garantir uma boa estabilidade térmica, é necessário que o resistor de emissor de emissor seja
dimensionado de tal forma que a queda de tensão sobre ele seja aproximadamente igual à
metade da tensão da fonte de alimentação VCC. Dessa forma, uma parcela considerável da
potência aplicada ao circuito será dissipada sobre o resistor de emissor, o que reduz a sua
eficiência.
Para contornar esses inconvenientes, é utilizado o circuito chamado de autopolarizante
ou de polarização por divisor de tensão na base, cujo diagrama é mostrado na Figura 86.

+VCC
+ ICq +
I1 R
R
B VRB1
1
C VRC

IBq +
M2
+ VCEq
VBEq
+
R
VRB2 B +
2
M1 R
VRE
I2 E
IEq

Figura 86 – Circuito de Polarização Com Divisor de Tensão na Base

Como se pode ver pelo diagrama, este circuito também utiliza a realimentação de emissor.
A diferença em relação ao circuito anterior é a presença de um segundo resistor de base (RB2),
que fica praticamente em paralelo com o resistor de emissor RE (se desprezarmos a pequena
tensão VBEq). Isso faz com que a corrente de base IBq seja muito mais sensível a eventuais
variações na tensão sobre o resistor de emissor, o que torna a estabilização térmica mais
eficiente.
Essa maior eficiência permite trabalhar com valores de RE que proporcionem uma queda
de tensão entre 10% e 20% da tensão de alimentação VCC. Dessa forma, a potência dissipada
sobre o resistor de emissor será bem menor do que no caso anterior, o que aumenta o
rendimento do circuito.
77
 Os resistores de base devem ser dimensionados de forma que a corrente I1 que percorre
o primeiro resistor seja entre 20 e 50 vezes maior do que a corrente de base IBq, o que permite
considerar que a corrente I2 terá praticamente o mesmo valor da corrente I1.
O cálculo dos resistores deste circuito de polarização segue o seguinte roteiro:
VCC − VCEq
♦ Através da equação LKT da malha de coletor, chega-se a RC+ RE = .
ICq
Existindo uma relação conhecida entre RC e RE, obtêm-se os valores dessas duas
resistências.
ICq
♦ Calcula-se o valor da corrente de base pela equação IBq = . Escolhe-se o valor da
hFE
corrente I1 de tal forma que 20 IBq < I1 < 50 IBq. Feito isso, pode-se considerar I2 ≈ I1.

♦ Calcula-se o valor de RB2 através da equação LKT da malha M1:

VBE + IEq × RE VBE + ICq × RE
RB2 = ≅
I2 I1
♦ Por fim, obtém-se o valor de RB1 através da equação LKT da malha M2:
VCC − I2 × RB2 VCC
RB1 = ≅ − R2
I1 I1

Todas as deduções feitas acima mostram de modo claro que, uma vez conhecidos alguns
princípios básicos do funcionamento dos transistores na região ativa, os valores das resistências
de polarização podem ser obtidos por meio da aplicação das leis de Kirchoff e de Ohm. Isso é
válido qualquer que seja o circuito utilizado para polarizar o transistor.

Determinação das Coordenadas do POE a Partir dos Valores das Resistências

No caso do circuito autopolarizante, a determinação direta das coordenadas do POE a

partir dos valores das resistências de polarização é mais complicada do que no caso dos outros
circuitos de polarização estudados. Para facilitar essa tarefa, utiliza-se o artifício de aplicar o
teorema de Thèvenin à base do transistor, obtendo-se o circuito equivalente da Figura 87.

+VCC
ICq +
R
C VRC

+ VRBB
+
RBB VCEq
+
IBq VBEq
+ +
VBB R VRE
IEq E

Figura 87 – Aplicação do Teorema de Thèvenin à Base do Circuito Autopolarizante

78
 Segundo os princípios do teorema de Thévenin, para esse circuito equivalente teremos
(caso tenha sido respeitada a exigência de I1 >> IBq):
RB2
VBB = VCC × (gerador equivalente de Thévenin)
RB1 + RB2
RB1 × RB2
RBB = RB1//RB2 = (resistência equivalente de Thèvenin)
RB1 + RB2

A partir desse circuito, é possível chegar ao valor da corrente de base IBq através da
equação LKT da malha de base (lembrando que IEq ≈ ICq):

+ VBB − IBq × RBB − VBEq − IEq × RE = 0 ⇒ + VBB − IBq × RBB − VBEq − ICq × RE = 0 ⇒
VBB − VBEq
+ VBB − IBq × RBB − VBEq − hFE × IBq × RE = 0 ⇒ IBq =
RBB + hFE × RE
A partir do valor de IBq, calcula-se ICq = hFE × IBq e chega-se ao valor de VCEq por
meio da equação LKT da malha de coletor:
VCEq = VCC – ICq × (RC + RE). Ficam, assim, determinadas as coordenadas do POE.

EXEMPLO NUMÉRICO: Refazer o exemplo 1 da página 74 utilizando agora um circuito de

polarização autopolarizante. Depois, calcular as coordenadas do POE em função dos valores
obtidos para as resistências de polarização.

79
Polarização de um Transistor nas Regiões de Saturação e de Corte

Em todos os circuitos de polarização estudados partiu-se da premissa de que o transistor

estivesse operando na região ativa. No caso dessa premissa não ser verdadeira, eram obtidos
resultados fisicamente impossíveis, indicando que o transistor, na verdade, se encontrava na
região de saturação. Como existem aplicações nas quais se deseja polarizar o transistor na
região de saturação e/ou na região de corte, estudaremos agora as técnicas para se atingir esse
objetivo. Como nessas duas regiões de operação a estabilização térmica não é um requisito
importante, utiliza-se o circuito de polarização fixa, de menor custo e de projeto mais simples.

1) Polarização na região de saturação

Consideremos o circuito de polarização fixa, representado na Figura 88, no qual a

resistência de base é um potenciômetro de valor nominal PB.

+ + +VCC
ICq
P VRB R
B C VRC
IBq

+
VCEq
+
VBEq
IEq

Figura 88 – Circuito de Polarização Fixa Com Potenciômetro na Base

VCC − VBEq
A corrente de base vale: IBq = (1), onde RB é o valor para o qual o
RB
potenciômetro PB está ajustado. A corrente de coletor pode ser calculada de duas formas
diferentes. A primeira é através da relação com a corrente de base:

ICq = hFE × IBq (2). A segunda é através da equação LKT da malha de coletor:

VCC − VCEq
ICq = (3). Uma vez que o potenciômetro P pode ser ajustado inclusive para o
RC
valor zero, não há limite matemático para o valor da corrente de base, que pode chegar a ter valor
infinito. No entanto, a equação (3) para a determinação da corrente de coletor deixa claro que
ela tem um valor limite, acima do qual não pode mais aumentar. Esse valor será alcançado
quando a tensão entre coletor e emissor VCEq for igual a zero.
Em resumo, ao se diminuir o valor ajustado no potenciômetro PB, aumenta o valor da
corrente de base. A corrente de coletor, de acordo com a equação (2) aumenta na mesma
proporção, enquanto não chegar ao limite imposto pela equação (3). Quando esse limite é
alcançado, deixa de existir a relação direta entre o valor da corrente de coletor e o valor da
corrente de base, ou seja, a corrente de base aumenta, mas a corrente de coletor continua com o
mesmo valor e temos ICq < hFE × IBq. Essa condição indica que o transistor chegou à região
de saturação.
As coordenadas do POE de um transistor saturado possuem uma notação especial: o
valor da corrente de coletor é simbolizado por ICsat e o valor da tensão entre coletor e emissor é
80
simbolizado por VCEsat. O valor de VCEsat não é nulo, mas de alguns décimos de volt. Em
nossos problemas consideraremos VCEsat = 0,2 V, salvo indicação contrária. O valor da tensão
entre base e emissor de um transistor saturado também recebe uma denominação especial,
VBEsat. Consideraremos, salvo indicação em contrário, VBEsat = 0,8 V . Podemos então
calcular o valor da corrente de coletor de um transistor saturado (equação válida para o circuito
acima):
VCC − VCEsat VCC − 0,2 VCC
ICsat = = ≅ .
RC RC RC
Podemos então calcular o valor-limite de corrente de base que leva o transistor a operar
na região de saturação:
ICsat VCC
IBlim = ≅ . A partir da equação LKT da malha de base, podemos
hFE hFE × RC
determinar o valor-limite da resistência de base para que o transistor sature:
VCC − VBEsat
+ VCC - IBlim × RBlim - VBEsat = 0 ⇒ RBlim = . Assim, para valores de
IBlim
resistência de base iguais ou inferiores a RBlim, o transistor estará operando na região de
saturação.
Em projetos práticos, para que se garanta a saturação mesmo com as inevitáveis
variações nos parâmetros do transistor, deve-se calcular o valor-limite acima para a resistência de
RBlim
base e utilizar-se no circuito uma resistência com valor 10 vezes menor, ou seja: RB = .
10

2) Polarização na Região de Corte

Como vimos no início de nosso estudo sobre transistores, a operação na região de corte é
caracterizada pela polarização reversa de ambas as junções. No entanto, como na prática é
necessária uma tensão mínima para que uma junção comece efetivamente a conduzir (a tensão
de limiar Vγ), não é necessário realmente aplicar uma tensão reversa entre base e emissor para
levar o transistor ao corte – basta fazer com que VBE seja igual a zero. Isso pode ser feito de
duas maneiras:
A – Deixando a base em aberto → Como se pode ver pelo 1º diagrama abaixo, a corrente de
base será nula e a corrente de coletor será praticamente zero (apenas o valor da corrente de
saturação reversa da junção base-coletor, que é desprezível à temperatura ambiente).
B – Aterrando a base → Exatamente como no caso anterior, teremos corrente de base nula.
Assim, não há necessidade de cálculos para se levar um transistor ao corte. As correntes
de base e de coletor serão nulas e a tensão entre coletor e emissor terá praticamente o valor da
tensão de alimentação. As duas possibilidades para levar um transistor ao corte são mostradas
na Figura 89.
+VCC +VCC
ICq ≈ 0 ICq ≈ 0
R R
C Base Aterrada C
Base Aberta
IBq = 0
IBq = 0 +
+ VCEq ≈ VCC
PB
PB VCEq ≈ VCC +
+
VBEq = 0
VBEq = 0

Figura 89 – Métodos Para Polarizar Um Transistor na Região de Corte

81
 Aplicações do Transistor no Corte e na Saturação

Estudaremos agora algumas aplicações em que o transistor deve operar nas regiões de
corte ou saturação: portas lógicas (circuitos digitais), acionamento de cargas DC e geradores de
sinais. Para efeito de simplificação, consideraremos que o valor de VCEsat em todos os
circuitos seja igual a 0. Adotaremos para VBEsat o valor padrão de 0,8 V.

Utilização do Transistor como Inversor Lógico Binário

Considere o circuito da Figura 90, cuja entrada é no ponto A e cuja saída é no ponto B.
+VCC

R
C
B
vo
A
vi RB

Figura 90 – Inversor Lógico Transistorizado

Supondo que o sinal de entrada vi seja uma onda quadrada cuja tensão varie entre os
valores 0 e VB e que RB está dimensionado de tal forma que quando vi = VB o transistor chegue
à saturação, o diagrama de tempos mostrando o comportamento do sinal de saída em função do
sinal de entrada terá o aspecto mostrado na Figura 91.

vi

VB

0
t
vo
VCC

0
t

Figura 91 – Diagrama Temporal dos Sinais de Entrada e Saída do Inversor

Podemos constatar que quando o sinal de entrada é “baixo” (OFF, nível lógico 0), o sinal
de saída é “alto” (ON, nível lógico 1), e vice-versa. Este é exatamente o comportamento de uma
porta lógica inversora, mostrando que o circuito acima pode ter essa aplicação. O detalhe
principal é o correto dimensionamento dos resistores RB e RC, que devem garantir a saturação
do transistor quando o sinal de entrada estiver “alto”. Conhecendo-se o valor de VB e as
características do transistor, os resistores podem ser calculados através das equações e dos
conceitos vistos quando estudamos polarização de transistores.

82
 É importante notar que os valores de VB e VCC não precisam ser iguais. Isso significa
que o valor de tensão correspondente ao nível “1” do sinal de entrada pode ser diferente do valor
de tensão correspondente ao nível “1” do sinal de saída. Essa propriedade é extremamente útil
no projeto de circuitos de interface (casadores), que servem para interligar portas de famílias
lógicas diferentes (TTL e CMOS, por exemplo).
Relembrando o que foi visto por ocasião do estudo sobre polarização de transistores, o
roteiro para o cálculo dos resistores do circuito acima é:
♦ Conhecido o valor desejado para ICsat, o resistor de coletor pode ser calculado através da
VCC
fórmula: RC = (já que estamos considerando VCEsat = 0).
ICsat
ICsat
♦ O valor-limite de corrente de base que leva o transistor à saturação é: IBlim = .
hFE
♦ A parir desse valor de corrente, obtenho o valor-limite para a resistência de base que leva o
VB - VBEsat VB - 0,8
transistor à saturação: RBlim = = , onde VB é o valor da tensão de
IBlim IBlim
nível “1” do sinal aplicado à entrada.
♦ Uso, na prática, um resistor de base com valor resistência 10 vezes menor do que o calculado
RBlim
pela fórmula acima: RB = . Isso garante a saturação ainda que haja variações nos
10
parâmetros do transistor

EXEMPLO NUMÉRICO: Para “casar” um sinal digital que varia entre 0 e 2 V, proveniente de
um circuito CMOS (um tipo de família lógica) com um circuito TTL, utiliza-se um inversor
construído com um transistor cujo hFE vale 50. Sabendo que a corrente de saturação deve ser de
1 mA, projetar o inversor.

Circuito de Interface sem Inversão (Buffer)

Muitas vezes é necessário que uma interface como a realizada por meio do circuito do
exemplo anterior tenha um sinal de saída com o mesmo nível lógico do sinal de entrada, ou seja,
em que não ocorra inversão lógica, de forma que para uma entrada em “1” apresente uma saída
também em “1” e para uma entrada em “0” apresente uma saída também em “0”. Tal dispositivo
é conhecido como buffer e têm como função apenas permitir a interligação de circuitos que
possuam níveis diferentes de tensão e/ou corrente. O símbolo de um buffer, sua expressão
lógica e sua tabela-verdade são mostrados na Figura 92.

X Y
Y=X
X Y 0 0
1 1

Figura 92 – Símbolo, Tabela-Verdade e Expressão Lógica de Um Buffer

Para se obter um buffer transistorizado basta simplesmente que se liguem dois inversores
em série, como na Figura 93, que apresenta o diagrama em blocos e o diagrama completo de
uma ligação desse tipo.
83
 +VCC
R
R C
C Y=X
X Y=X
RB
X
RB

1º Inversor 2º Inversor
Figura 93 – Diagrama em Blocos e Diagrama Esquemático de Um Buffer

Implementação de uma Porta Lógica NOR de n Entradas

Suponhamos que no circuito da Figura 94 todos as tensões aplicadas às bases dos

transistores sejam do tipo digital (ora em nível “0”, ora em nível “1”) e que todos os resistores de
base foram dimensionados de tal forma que quando a tensão aplicada a eles estiver em nível “1”
o respectivo transistor esteja saturado. Apenas se todas a tensões de entrada (de V1 a Vn)
estiverem em “0” (isto é, se todos os transistores estiverem na região de corte) é que a tensão de
saída vo estará em nível “1”. Caso pelo menos uma das tensões de entrada esteja em nível “1”,
o transistor correspondente a essa entrada estará saturado, levando a tensão do ponto X a zero.
Como os coletores de todos os transistores estão ligados a esse ponto, basta que um deles
sature para que os demais também sejam levados à saturação, mesmo que não tenham tensão
aplicada à sua base. Logo, esse circuito funciona como uma porta lógica NOR de n entradas.
+VCC

R
C

X
VS = V 1 + V 2 + ... + Vn
T1 T2 Tn
R R R
B B B
1 2 n

V1 V2 V3

Figura 94 – Diagrama de uma Porta NOR de N Entradas

Utilizando-se as leis de de Morgan, é possível construir qualquer porta lógica a partir de

um conjunto de portas NOR ou a partir de um conjunto de portas NAND. Logo, combinando-se
convenientemente um certo número de portas como a mostrada acima podemos obter qualquer
porta lógica que seja necessária.

EXEMPLO: A partir das portas lógicas estudadas, desenhar o diagrama de uma porta AND de
duas entradas.

84
Porta Lógica NAND da Família TTL

Das diversas famílias de circuitos integrados digitais, a TTL continua sendo a mais
utilizada. A porta lógica “básica” da família TTL, ou seja, aquela que é mais facilmente
implementada, servindo de base para as demais portas lógicas da família é a porta NAND.
Estudaremos essa porta para ilustrar os princípios básicos que regem a família TTL.
A Figura 97 mostra o diagrama de uma porta NAND de três entradas da família TTL, com
os valores típicos das resistências empregadas.

+ 5V
R1
R2 R4
4
1,6 130
KΩ
Ω
KΩ
Ω Ω

T3

T1
A T2 D1

B S=A•B•C
C
T4

R3
1
KΩ
Ω

Figura 97 – Diagrama de Uma Porta NAND TTL Com Três Entradas

O primeiro detalhe que chma a atenção é o fato de que o transistor T1 possui 3 emissores
(na verdade, o número de emissores será igual ao número de entradas da porta lógica). Essa
técnica, denominada de transistor multiemissor, é largamente utilizada em circuitos integrados.
Caso pelo menos um dos emissores estiver aterrado (vi = “0”), o transistor T1 estará saturado, o
que leva a base do transistor T2 ao nível lógico “0”, ou seja, leva T2 ao corte. Com T2 cortado, o
transistor T3 é levado à saturação através do resistor R2, enquanto T4, sem corrente de base,
permanece cortado. Logo, a saída S estará em nível “1”. Podemos calcular a corrente IS que a
saída fornecerá a uma carga a ela conectada:
+ VCC − VCEsat − VD1
IS = . O valor numérico aproximado da corrente de curto circuito será:
R4 + RL
5 − 0,2 − 0,7
IS = ≅ 32 mA. Fica evidente, portanto, que a função do resistor R4 é limitar a
130
corrente de saída caso ocorra um curto-circuito acidental com o terra.
Caso as três entradas estejam simultaneamente em nível “1”, teremos a junção base-
emissores de T1 reversamente polarizada e a junção base-coletor diretamente polarizada, isto é,
o transistor T1 passa a operar na região ativa reversa. Lembrando que nessa região o valor de
hFE é muito baixo (nos CIs TTL os transistores são projetados para hFE por volta de 0,02 nessa
região), a corrente de emissor terá um valor muito baixo, enquanto as correntes de coletor e de
base terão valores elevados e aproximadamente iguais. Como a corrente de coletor do transistor

85
T1 é também a corrente de base do transistor T2, este estará saturado, levando o transistor T4 à
saturação e a saída S ao nível “0”. A tensão no coletor do transistor T2 será, então:
VCT2 = VCEsatT2 + VBEsatT3 ≈ 0,2 + 0,8 = 1 V. Logo, caso o circuito não tivesse o
diodo D1, essa tensão poderia ser suficiente para levar o transistor T3 à saturação. Explica-se,
portanto a inclusão do diodo no circuito.
O estágio de saída do circuito analisado, formado pelo resistor R4, pelo diodo D1 e pelos
transistores T3 e T4 é conhecido pelo nome de totem-pole. Em portas cujas saídas deverão ser
utilizadas para o acionamento de cargas que requeiram correntes elevadas ou em portas lógicas
utilizadas como interface entre circuitos com níveís lógicos de tensões diferentes, utiliza-se um
outro tipo de estágio de saída, denominado de coletor aberto ou open collector.

Utilização do Transistor Como Chave de Controle

Em algumas situações, um transistor operando entre o corte e a saturação pode ser

utilizado como uma chave eletrônica de estado sólido, substituindo chaves eletromecânicas, como
os relés. A Figura 98 ilustra essa situação.

+VCC

R
Tensão de B
controle

Acionamento de uma Acionamento de uma Acionamento de uma

lâmpada através de um lâmpada através de um lâmpada através de um
interruptor manual. relé. transistor.

Figura 98 – Diferentes Opções Para o Acionamento de Uma Lâmpada

Uma dúvida bastante razoável que pode surgir comparando-se o primeiro e o terceiro
circuitos é sobre que vantagem haveria em se utilizar um transistor para o acionamento da
lâmpada, uma vez que foi necessário utilizar, além da chave, um transistor e um resistor, dos
quais o primeiro circuito não precisa. Para compreendermos essa questão, suponhamos que a
lâmpada seja de 12 V e 50 W. Logo, a sua corrente vale aproximadamente 4 A, de forma que o
interruptor utilizado no primeiro circuito tem que ser dimensionado para suportar esse nível de
corrente. Se no terceiro circuito o transistor tiver um hFE igual a 50, a corrente de base
necessária para a saturação será de cerca de 100 mA. Como nesse circuito a chave está na
malha de base, será possível utilizar uma unidade que suporte apenas 100 mA de corrente, o
que na prática significa uma chave menor e mais barata do que a requerida pelo primeiro circuito.
Em muitos casos, a diferença de preço entre as duas chaves é mais do que suficiente para pagar
o transistor e o resistor de base que são utilizados a mais pelo terceiro circuito.
Mesmo quando isso não ocorre, o circuito transistorizado possui uma grande vantagem
sobre o circuito manual: seu acionamento pode ser automatizado, ou seja, a tensão de base não
precisa vir da mesma fonte que alimenta a malha de coletor (VCC), mas pode ser proveniente,
por exemplo, de um sensor ou da porta serial de um computador. Nesse caso, a chave que
aparece na malha de base pode ser eliminada, sendo substituída pela ligação ao elemento de
controle. Isso permite que a lâmpada seja acesa ou apagada automaticamente, em condições
bem específicas, determinadas por esse elemento. A Figura 99 ilustra essa situação.

86
 +VCC

Sensor ou
Equipamento RB
Microprocessado
tensão
de
controle

Figura 99 – Acionamento Automatizado de Uma Carga DC

O princípio da utilização do transistor no acionamento da lâmpada é bastante simples.

Supondo-se que o resistor de base foi calculado de tal forma que ao ser fechada a chave (ou
quando a tensão de controle assume o seu nível “1”) a corrente de base seja suficiente para
saturar o transistor (IB > IBlim), a tensão entre coletor e emissor cai a zero e toda a tensão de
alimentação estará sobre a lâmpada. Quando a chave estiver aberta, a base fica sem
alimentação, o transistor vai para a região de corte e a corrente de coletor (bem como a tensão
sobre a lâmpada) será igual a zero.
Para se projetar esse circuito é necessário que se conheçam, além das características do
transistor, as características da carga a ser controlada (tensão e corrente requeridas). Quando a
tensão disponível é igual à tensão requerida pela carga, a mesma será ligada diretamente na
malha de coletor. No caso de a tensão ser superior à da carga, deve-se utilizar uma resistência
limitadora em série. Em ambos os casos, a corrente de coletor na saturação ICsat deve ser
igual à corrente requerida pela carga. De posse destes dados e aplicando-se os princípios já
estudados, obtém-se o circuito apropriado.

EXEMPLOS NUMÉRICOS:

1) O LED (Ligth Emitting Diode - Diodo Emissor de Luz) é um tipo especial de diodo que ao ser
diretamente polarizado emite luminosidade. Projetar um circuito de acionamento do LED
utilizando um transistor NPN de hFE igual a 200, a partir de uma tensão disponível de 9 V. O
LED, quando aceso, fica submetido a uma queda de tensão VLED = 1,4 V e a corrente ILED que
o percorre deve ser de 30 mA.

2) Modificar o circuito do exemplo anterior para acionar o mesmo LED, desta vez a partir de um
sinal enviado pela porta serial de um computador, que tem nível “1” igual a –5 V e nível “0” igual a
0 V.

87
Multivibrador Astável Transistorizado

Os circuitos capazes de gerar sinais periódicos com determinadas formas de onda

(senoidais, quadradas, triangulares, dente-de-serra, etc.) são chamados de osciladores. Entre os
vários tipos de osciladores existentes encontram-se os multivibradores astáveis, que são
apropriados para a geração de ondas quadradas e dente-de-serra, podendo, por isso, ser usados
na geração de pulsos de clock em circuitos digitais.
Existem muitas maneiras de se implementar um multivibrador astável. Estudaremos um
circuito que utiliza transistores bipolares operando nas regiões de corte e saturação. Temos na
Figura 100 o diagrama esquemático de um multivibrador astável transistorizado. Notar que não
há ligação entre as bases dos dois transistores.

+VCC
R R R R
1 2 3 4

vo1 C1 C2 vo2
1 2
T1 T2

Figura 100 – Multivibrador Astável Transistorizado

Princípio de Funcionamento

As premissas iniciais são as seguintes:

• No momento em que o circuito é ligado (t = 0), ambos os capacitores estão descarregados,

sendo equivalentes, portanto, a curto-circuitos.
• Os resistores de base (R2 e R3) e de coletor (R1 e R4) de ambos os transistores foram
calculados de modo a garantir a saturação dos transistores.
Com essas condições, ambos os transistores tenderiam à saturação. Contudo, mesmo
que os dois transistores sejam de igual especificação, será muito pouco provável que ambos
tenham características exatamente iguais. Logo, um deles irá atingir a saturação primeiro do que
o outro. Vamos supor que o transistor T1 tenha sido o primeiro a chegar à saturação. Logo,
sua tensão vCE será praticamente nula, e o circuito equivalente no instante inicial é o mostrado
na Figura 101.

+VCC
R carga R R carga R
1 de C1 2 3 de C2 4

+ +
vo1 vo2
C1 C2
T2
T1
cortado
saturado

Figura 101 – Circuito Equivalente Para o Transistor T1 Saturado

88
 Como C1 está inicialmente descarregado, a base de T2 está aterrada em t = 0. Logo, T2
estará inicialmente cortado. O capacitor C1 começa a se carregar através de R2. Ao mesmo
tempo, o capacitor C2 começa a se carregar através de R4. Note bem a polaridade da tensão
nos capacitores. Esse processo continua até que a tensão no capacitor C1 atinja o valor
suficiente para levar o transistor T2 à saturação (vC1 ≈ 0,8 V). Nesse instante vCE2 passa a ser
praticamente 0 e o novo circuito equivalente será o mostrado na Figura 102.

+VCC
R carga R R carga R
1 de C1 2 3 de C2 4

+ +
vo1 vo2
C1 C2
T1 T2
cortado + saturado
C2 C1
+

Figura 102 – Circuito Equivalente Para o Transistor T2 Saturado

Note que a polaridade da tensão sobre C2, agora aplicada à base do transistor T1, leva-o
imediatamente ao corte (já que polariza reversamente a junção base-emissor). Temos agora T2
saturado e T1 cortado, e o capacitor C1 passa a se carregar através de R1, enquanto o capacitor
C2 começa a se carregar através de R3. Como podemos notar, a polaridade da tensão nos
capacitores se inverte ao longo do tempo, isto é, a tensão nos capacitores é alternada.
No momento em que a tensão em C2 atinge o valor suficiente para levar T1 novamente à
saturação, a tensão armazenada em C1 “aparece” entre a base e o emissor de T2, levando-o ao
corte e recomeçando todo o ciclo, que se repete indefinidamente. O diagrama de tempos da
Figura 103 mostra o comportamento ideal das tensões em vários pontos do circuito. Na prática,
as ondas não apresentam a “perfeição” mostrada nos gráficos, apresentando arredondamentos e
picos nos instantes de transição (passagem do corte para a saturação ou vice-versa).
É fácil concluir que o tempo em que cada transistor ficará cortado dependerá do tempo
necessário para que a tensão no capacitor correspondente atinja o valor necessário para levá-lo à
saturação. Em outras palavras, depende da constante de tempo τ = R x C. Pode-se demonstrar
que:

t1
= 0,693 × R2 × C1 , onde t1 é o tempo em que o transistor T1 permanece cortado (e a
tensão entre o seu coletor e o seu emissor permanece “alta”, isto é, vCE1 ≈ VCC).

t 2
= 0,693 × R3 × C2 , onde t2 é o tempo em que o transistor T2 permanece cortado (e a
tensão entre o seu coletor e o seu emissor permanece “baixa”, isto é, vCE2 = VCEsat ≈ 0).
O período T das formas de onda, que é o tempo necessário para um ciclo completo, será
dado por:
T = t1 + t 2 ⇒ T = 0,693 × (R 2 × C1 + R 3 × C2) .

1 1,443
Logo, a freqüência f das ondas será: f= = .
T R 3 × C2 + R 2 × C1

89
 vo1 T
T1 cortado
+VCC
t1 t2

vB1
VBEsat
t

vo2
T2 cortado
+VCC

vB2
VBEsat
t

Figura 103 – Diagrama de Tempos das Diversas Tensões Num Multivibrador Astável

Observando os gráficos, constata-se que as tensões vCE1 e vCE2 são complementares,

isto é, uma é o inverso lógico da outra. Para essas duas formas de onda, define-se o chamado
ciclo de trabalho (DC - do inglês duty cycle), como sendo a relação entre o tempo tH em que a

onda permanece em nível “alto” e o seu período T, isto é: DC = tH . Assim, para o transistor
T
T1, teremos:

t 0,693 × R 2 × C 1 R × C1
DC 1 = 1
= ⇒ DC 1 =
2
.
T 0,693 × ( R 2 × C 1 + R 3
× C 2) R ×C
2 1
+ R 3
× C2

Para o transistor T2:

t 0,693 × R 3 × C 2 R ×C
DC = 2
= ⇒ DC = 3 2
2
T 0,693 × ( R 2 × C 1 + R ×C3 2
) 2
R ×C + R ×C
2 1 3 2

90
 É fácil demonstrar que DC1 + DC2 = 1. O ciclo de trabalho é freqüentemente expresso
na forma de porcentagem.

EXEMPLO NUMÉRICO: Utilizando transistores que possuem hFE = 200, projetar um

multivibrador astável com freqüência de 1 KHz. A corrente de saturação de ambos os
transistores deverá ser igual a 5 mA e a tensão de alimentação igual a 12 V. O ciclo de trabalho
de um dos transistores deverá ser quatro vezes maior do que o do outro.

91
 Amplificador Transistorizado de Pequenos Sinais

Vimos que uma vez estabelecida a tensão de alimentação e o circuito de polarização de

um transistor, seu ponto de operação, dado pelas coordenadas ICq e VCEq, permanecerá fixo,
desde que não haja variações na temperatura nem nos parâmetros do transistor. Chegamos a
essa conclusão considerando a tensão entre base e emissor (VBEq) como uma constante, o que
resulta numa corrente de base (IBq) também constante.
Utilizando as curvas características de entrada e de saída do transistor configurado em
emissor comum, vamos avaliar graficamente o efeito que uma variação da tensão entre base e
emissor produz sobre a tensão entre o coletor e o emissor. Para que tenhamos uma idéia
quantitativa, utilizaremos valores numéricos.
Suponhamos que no circuito da Figura 104 o valor quiescente da tensão entre base e
emissor seja VBEq = 0,65 V e que, de alguma forma, ele sofra uma variação de 0,1 V para
cima e para baixo, conforme indicado na curva característica de entrada, mostrada ao lado.

+VCC IB (µ
µA)
12 V Ponto de operação
IBq + ICq + quiescente
R R 1 KΩ
Ω
B VRB C
60

+ ∆IB 40
20
+ VCEq
0,55 0,65 0,75
VBE (V)
VBEq

∆VBE
Figura 104 – Efeito da Variação da Tensão Entre Base e Emissor Sobre a Corrente de Base

Podemos notar que uma variação de 0,2 V na tensão VBE originou uma variação de 40
µA na corrente de base IB. Com o auxílio do conjunto de curvas características de saída
mostrado na Figura 105, podemos determinar o efeito dessa variação de corrente de base sobre
a corrente de coletor IC e sobre a tensão entre coletor e emissor VCE.
IC
12 mA reta de carga ponto de operação estática
 VCC  IB = 100 µA
 
 RC 
IB = 80 µA

IB = 60 µA
7 mA (IC2)

5 mA (ICq)
IB = 40 µA (IBq)

3 mA (IC1) IB = 20 µA

IB = 0

5V 9V VCE
7V 12 V
(VCE2) (VCEq) (VCE1) (VCC)
Figura 105 – Efeito da Variação da Corrente de Base Sobre a Malha de Saída

92
 Como já vimos, o ponto de operação estará necessariamente localizado sobre a reta de
carga. Dessa forma determinamos os pontos de operação correspondentes às variações da
corrente de base e chegamos aos seguintes valores de ∆VCE (variação da tensão entre coletor e
emissor) e de ∆IC (variação da corrente de coletor):

∆VCE = VCE2 - VCE1 = 5 - 9 = -4 V ∆IC = IC2 - IC1 = 7 - 3 = 4 mA.

Assim, constatamos que as variações na tensão entre base e emissor e na corrente de
base (grandezas de entrada do circuito) ocasionaram variações de magnitude muito superior na
tensão entre coletor e emissor e na corrente de coletor (grandezas de saída do circuito). Esse é
o princípio fundamental para a principal aplicação do transistor quando polarizado na região ativa:
com amplificador de tensão e/ou de corrente.
Os números do exemplo mostram também que uma variação positiva da corrente de base
ocasiona uma variação negativa da tensão entre coletor e emissor e uma variação positiva da
corrente de coletor. Os sinais contrários dessas variações já eram esperados, uma vez Qua a
inclinação da reta de carga (sobre a qual necessariamente todos os pontos de operação estão
localizados) é negativa.
Considerando ∆VBE como sinal de entrada e ∆VCE como sinal de saída, podemos
∆V CE −4
calcular o ganho de tensão Av do circuito: A = = = −20 .
V
∆V BE 0,2
Da mesma forma, podemos calcular o ganho de corrente Ai do circuito:
∆ IC 4
A = = = 100 .
V
∆IB 0,04
O ganho de potência Ap será: Ap = | Av x Ai | = | -20 x 100 | = 2000.
O sinal negativo do ganho de tensão é a tradução matemática do fato de que a um
aumento de VBE corresponde uma diminuição de VCE e vice-versa, isto é: as variações de
VCE e VBE ocorrem em sentidos opostos. Para o caso de sinais de entrada senoidais, que
veremos adiante, isso significa que existe uma defasagem de 180o entre o sinal de saída e o sinal
de entrada correspondente.

Utilização de Sinais Alternados Para Produzir Variações em VBE

A maneira usual de obter variações na tensão entre base e emissor é através da aplicação
de um sinal variável à entrada do circuito, conforme ilustrado na Figura 106. A presença dos
capacitores Ci e Co é necessária para que a fonte geradora do sinal de entrada ou uma carga
eventualmente ligada à saída do circuito não venham a interferir na polarização DC do transistor,
alterando dessa forma o POE originalmente projetado. Esses capacitores são chamados de
capacitores de desacoplamento DC.

+VCC
R R
B C
Co vo
Ci

VCEq
VBEq
vi

Figura 106 – Diagrama de um Amplificador Transistorizado com Acoplamento Capacitivo

93
 A fonte do sinal de entrada vi pode ser um microfone, uma cápsula cerâmica, a saída de
um outro amplificador, etc. Em nosso estudo, consideraremos como sinal de entrada uma tensão
alternada senoidal.
Lembrando que, na região ativa, a junção base-emissor é um diodo real diretamente
polarizado, que pode ser representado como um diodo ideal em série com uma fonte de tensão
igual a VBE, concluímos que a entrada do circuito comporta-se como um circuito grampeador de
tensão com tensão de referência igual a VBEq. O comportamento desse “grampeador” pode ser
visto na Figura 107.
Ci
vi vo
VBEq
+vimáx base
t
vi vo
-vimáx VBEq t
emissor

Figura 107 – Representação da Entrada do Amplificador Transistorizado Como um Grampeador

Nota-se claramente que se o sinal de entrada tiver valor de pico-a-pico superior ao valor
quiescente da tensão entre base e emissor (algumas centenas de milivolts), o sinal de saída do
“grampeador” atingirá valores inferiores a zero. Isso significa que a junção base-emissor ficará
reversamente polarizada durante esse intervalo, resultando no corte do transistor. Logo, o sinal de
saída será constante e igual a VCC durante esse intervalo.
Por outro lado, se o valor positivo de vi for muito elevado, a corrente de base poderá ser
suficiente para levar o transistor à saturação, resultando num sinal de saída igual a VCEsat
(aproximadamente zero) enquanto perdurar essa situação.
Em ambos os casos, teremos o sinal de saída com forma de onda diferente da forma de
onda do sinal de entrada. A essa diferença entre as formas de onda dos sinais de entrada e
saída chamamos de distorção.
Visto que a distorção é quase sempre uma característica indesejável, os amplificadores
que estudaremos devem utilizar como sinal de entrada os chamados pequenos sinais, que são
aqueles com amplitude tal que mantenham o transistor sempre dentro da região ativa, não o
levando ao corte nem à saturação.

Notação Utilizada Para os Sinais Num Amplificador

Com a inclusão de sinais variáveis (senoidais, em nosso caso) temos no circuito

componentes constantes (referentes à polarização DC) somadas a componentes variáveis
(referentes ao sinal aplicado à entrada), sendo por isso necessário convencionar uma notação
que permita identificar corretamente o sinal em questão. A convenção adotada é a seguinte:

• Todas as letras maiúsculas: refere-se exclusivamente à parcela constante, isto é, ao ponto

de operação estática escolhido para o circuito. Tratam-se dos valores presentes no circuito
quando não há sinal de entrada aplicado. Exemplos: VCC (tensão de alimentação) - IC
(corrente quiescente de coletor) - VCE (tensão quiescente entre coletor e emissor).

• Todas as letras minúsculas: refere-se exclusivamente à parcela variável, ou seja, às

variações de tensão e corrente no circuito ocasionadas pelo sinal variável aplicado à entrada.
Essas variações são chamadas de variações incrementais. Exemplos: ib (variação da
corrente de base em torno de IBq, devida à aplicação do sinal de entrada) - vce (variação da
tensão entre coletor emissor em torno de VCEq).

• Primeira letra minúscula e as demais maiúsculas: refere-se à totalidade do sinal, ou seja, à

soma das duas componentes citadas anteriormente. Desse modo, vCE = VCE + vce.
94
 Os gráficos da Figura 108 ajudam a visualizar o significado das parcelas que compõem as
tensões e correntes num amplificador transistorizado.

VCE (V) vce

vCE (V)
(V)
6
5
1 5
t 4
-1

t t
VCE (polarização) vce (sinal de entrada) vCE (sinal completo)

Figura 108 – Componentes das Tensões e Correntes Num Amplificador Transistorizado

Em nosso estudo sobre os amplificadores de pequenos sinais, levaremos em conta

apenas a parcela incremental, de modo que ao nos referirmos, por exemplo, a ganho, teremos:
vce ic
AV = e Ai = .
vbe ib

Influência do Ponto de Operação Sobre o Sinal de Saída

Suponhamos que o POE de um transistor utilizado como amplificador esteja localizado

nas proximidades da região de saturação (extremidade superior da reta de carga). Com muita
facilidade, uma variação positiva da tensão VBE levarão transistor a ficar saturado (ou seja, fora
da região linear), distorcendo a parte inferior do sinal de saída. Da mesma forma, se o POE
estiver localizado próximo à região de corte (extremidade inferior da reta de carga), qualquer
variação negativa de VBE levará o transistor ao corte, distorcendo a parte superior do sinal de
saída. Essas situações são ilustradas na Figura 109.

IC
ponto de operação muito próximo à saturação
VCC IB5
RC
IB4
ponto de operação “ideal”
IB3
IB2
ponto de operação muito próximo ao corte
IB1

IB = 0

VCE
Figura 109 – Efeito da Escolha do Ponto de Operação

Logo, supondo-se um sinal de entrada simétrico (como os sinais senoidais) e tendo como
objetivo obter-se a máxima variação possível (compliância) do sinal de saída sem que ocorra
distorção, deve-se polarizar o transistor no meio da reta de carga. Assim fazendo, garante-se
que o transistor permaneça sempre na região ativa. Os amplificadores que usam essa técnica
são chamados de amplificadores Classe A.

95
EXEMPLO NUMÉRICO: O amplificador esquematizado abaixo possui ganho de tensão com
módulo igual a 200. Sabendo que o transistor utilizado possui hFE = 100: a) Calcular o máximo
sinal de entrada senoidal que pode ser aplicado a ele sem que ocorra distorção do sinal de saída.
b) Calcular o valor de RB necessário para colocar o POE na posição “ideal”.

+VCC
10 V
R R
470 KΩ
Ω 1 KΩ
Ω
B C
Co
vo
Ci

1 µF
1 µF
vi

Efeito da Resistência de Emissor Sobre o Ganho de um Amplificador

Já consideramos anteriormente a necessidade de uma resistência no emissor para

proporcionar estabilidade térmica ao ponto de operação de um transistor. Consideraremos agora
o efeito dessa resistência sobre o ganho de tensão de um amplificador. Para tanto,
compararemos, levando em conta apenas a parte incremental, as malhas de entrada de um
amplificador sem RE e de outro que utiliza essa resistência, como mostrados na Figura 110.

Ci
Ci
+
+ + vbe
+
vbe +
vi
R
vi vRE
E

Circuito sem RE Circuito com RE

Figura 110 – Efeito da Resistência de Emissor Sobre um Amplificador de Tensão

Como vimos, o sinal efetivamente amplificado pelo transistor é a tensão vbe. No primeiro
circuito acima, a tensão vbe é exatamente igual ao sinal aplicado à entrada vi. Isso significa que
todo o sinal aplicado à entrada será amplificado pelo circuito.
No segundo circuito, podemos notar que uma parte do sinal de entrada fica sobre a
resistência de emissor, resultando numa tensão vbe menor do que no caso anterior, para um
mesmo valor de sinal de entrada. Assim, sinal de saída será menor do que o do primeiro circuito.
Conclui-se então que a presença da resistência de emissor provoca uma redução no
ganho de tensão de um amplificador transistorizado. Será demonstrado oportunamente que o
valor do ganho de tensão dos circuitos que possuem resistência de emissor é dado,
RC
aproximadamente, por: A v ≅ − .
RE

96
EXEMPLO NUMÉRICO: O transistor abaixo possui hFE = 100. Calcular o máximo valor de
pico de um sinal de entrada senoidal para que não ocorra distorção na saída.
+VCC

12 V
R
B 47 KΩ
Ω R 1K5Ω
Ω
1 C

R
B 33 KΩ
Ω R 1 KΩ
Ω
2 E

Capacitor de Emissor (ou de “By-Pass”)

Já vimos que os “bons” circuitos de polarização de transistores possuem resistência no

emissor para garantir a estabilidade térmica do ponto de operação. Vimos também que a
presença dessa resistência reduz o ganho de tensão do amplificador. Nos casos em que essa
redução de ganho é inconveniente, a solução é colocar um capacitor em paralelo com a
resistência de emissor, como mostra a Figura 111. Esse capacitor é chamado de capacitor de
emissor ou capacitor de by-pass (desvio).

+VCC
R R
B
1 C
vo
vi
Co
Ci
R
B R
2 E CE

Figura 111 – Amplificador de Tensão Transistorizado com Capacitor de Desvio

O princípio envolvido na utilização desse capacitor é “desviar” as componentes alternadas,

de modo que elas não passem pela resistência de emissor. O capacitor provê um caminho de
baixa reatância para essas componentes.
97
 1
Como sabemos, a reatância do capacitor CE vale: X CE = , onde f é a freqüência
2π
πf C E
do sinal senoidal que percorre o capacitor. A fórmula nos mostra que a reatância capacitiva é
inversamente proporcional aos valores da freqüência e da capacitância. Assim, caso o capacitor
seja corretamente dimensionado, sua reatância na faixa de freqüências em que o circuito opera
será tão baixa que poderá ser considerada como se fosse um curto-circuito. Essa dimensão
correta, em geral, resultará numa capacitância da ordem de microfarads, exigindo o uso de
capacitores eletrolíticos ou de tântalo. Desse modo, o amplificador funcionará, do ponto de vista
AC, como se não tivesse resistência de emissor, evitando-se a redução no ganho de tensão do
circuito.
Do ponto de vista DC, sabemos que um capacitor totalmente carregado se comporta como
um circuito aberto. Logo, a inclusão do capacitor de desvio mantém o valor do POE original do
circuito, bem como a estabilização térmica proporcionada pela resistência de emissor RE.
Uma fórmula aproximada para calcular um “bom” valor para a capacitância de desvio é:

20
CE = . Esse valor garante que o módulo da reatância
2 π × f mín × RE
capacitiva do capacitor de emissor será, de fato, muito menor (20 vezes) do que a resistência do
resistor de emissor. Nesta fórmula, fmín é a freqüência mínima do sinal de entrada do
amplificador.

Parâmetros Híbridos - Modelo Híbrido Para o Transistor

Ao se projetar um amplificador transistorizado, é de fundamental importância que seja

possível estimar o valor dos ganhos e demais características desse amplificador, com base no
circuito de polarização e nos parâmetros dos transistores utilizados. Para se alcançar esse
objetivo, é necessário utilizar um modelo apropriado para o transistor.
Dentre os vários modelos capazes de representar o funcionamento do transistor operando
na região ativa, utilizaremos o chamado modelo híbrido, que é adequado para descrever o
transistor operando como amplificador de pequenos sinais (aqueles que não tiram o transistor
da região ativa) em baixas freqüências (aquelas em que a influência das capacitâncias internas
é desprezível). Esse modelo é caracterizado por quatro parâmetros, que, por terem unidades
dimensionais diferentes são chamados de parâmetros h (de “híbridos”), vindo daí o nome dado
ao modelo.
Retomando o conceito de quadripólo já abordado anteriormente, analisemos o circuito da
Figura 112, supondo que a corrente de entrada ii e a tensão de saída vo sejam as variáveis
independentes do quadripólo e que a tensão de entrada vi e a corrente de saída io sejam as
variáveis dependentes, podemos escrever as equações que regem o funcionamento do
quadripólo.
ii io
+ +
vi
Quadripólo vo
− −

Figura 112 – Quadripólo Para a Determinação dos Parâmetros Híbridos

 vi = K 1 × ii + K 2 × vo. . .( 1)
 , onde K1, K2, K3 e K4 são os chamados parâmetros híbridos do
io = K 3 × ii + K 4 × vo.. . ( 2)
quadripólo.

98
 Analisando a equação (1), constatamos que K1 x ii e K2 x vo devem obrigatoriamente
ter a dimensão de tensão (volts). Assim, é fácil concluir que a dimensão de K1 é resistência
(ohms) e que K2 é adimensional.
Usando o mesmo raciocínio em relação à equação (2), concluímos que K3 x ii e K4 x vo
têm a dimensão de corrente (Ampères) e, conseqüentemente, K3 é adimensional e K4 possui a
dimensão de condutância (inverso de resistência - ampère por volt).
A partir das equações (1) e (2), é possível determinar o circuito elétrico que representa o
funcionamento do quadripólo. Esse circuito é mostrado na Figura 113.

ii + − io
K1
+ −
+
vi K2 x vo K3 x ii
1/ vo
K4
−
− +

Figura 113 – Circuito Elétrico Equivalente a um Quadripólo Descrito Pelos Parâmetros Híbridos

Trata-se de um circuito em que aparece na entrada um gerador de tensão controlado pela

tensão de saída e que tem saída um gerador de corrente controlado pela corrente de entrada. A
equação (1) corresponde à aplicação da LKT à malha de entrada e a equação (2) à aplicação da
LKC ao nó onde está ligado o “resistor” 1/K4.
Para obter os valores numéricos dos parâmetros h de um quadripólo, voltemos às
equações (1) e (2), igualando as variáveis independentes ii e vo a zero (uma de cada vez).
Fazendo vo = 0 (o que equivale a curto-circuitar a saída do quadripólo):

vi
• Na equação (1), teremos vi = K 1 × ii ⇒ K 1 = . Assim, constatamos que K1 constitui uma
ii
relação entre duas grandezas da entrada do quadripólo. Por esse motivo, o parâmetro K1 é
simbolizado por hi (h de híbrido e i de input - entrada). Mais especificamente, ele é chamado
de impedância de entrada do quadripólo e é definido como a relação entre a tensão de
entrada e a corrente de entrada do quadripólo quando a sua saída está em curto-circuito.

io
• Na equação (2), teremos io = K 3 × ii ⇒ K 3 = . Assim, constatamos que K3 constitui uma
ii
relação entre uma grandeza da saída e uma grandeza da entrada do quadripólo. Por esse
motivo, o parâmetro K3 é simbolizado por hf (h de híbrido e f de forward - para a frente).
Trata-se do ganho de corrente do quadripólo e é definido como a relação entre a corrente de
saída e a corrente de entrada do quadripólo quando a sua saída está em curto-circuito.

Fazendo agora ii = 0, (o que equivale a deixar a entrada do circuito em aberto), teremos:

vi
• Na equação (1), teremos vi = K 2 × vo ⇒ K 2 = . Assim, constatamos que K2 constitui uma
vo
relação entre uma grandeza de entrada e uma grandeza de saída do quadripólo. Por esse
motivo, o parâmetro K2 é simbolizado por hr (h de híbrido e r de reverse - para trás). Mais
especificamente, ele é chamado de ganho reverso de tensão do quadripólo e é definido como
a relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída do quadripólo quando a sua entrada
está aberta.

99
 io
• Na equação (2), teremos io = K 4 × vo ⇒ K 4 = . Assim, constatamos que K4 constitui uma
vo
relação entre duas grandezas da saída do quadripólo. Por esse motivo, o parâmetro K4 é
simbolizado por ho (h de híbrido e o de output - saída). Trata-se da admitância de saída
do quadripólo, que é definida como a relação entra a corrente de saída e a tensão de saída do
quadripólo quando a sua entrada está aberta.

Quando o modelo híbrido é aplicado aos transistores, os nomes dos símbolos dos seus
parâmetros serão ainda acrescidos de uma terceira e última letra, que será b, c ou e, caso o
transistor a ser substituído pelo modelo esteja configurado, respectivamente, como base comum,
coletor comum ou emissor comum. Exemplificando, a impedância de entrada de um transistor
configurado em coletor comum será simbolizado por hic, o ganho de corrente de um transistor
configurado em base comum será simbolizado por hfb e o ganho reverso de tensão de um
transistor configurado em emissor comum será simbolizado por hre.
A Tabela 2 apresenta valores típicos dos parâmetros híbridos de um transistor de baixa
potência. Esses dados servem apenas para transmitir uma noção quantitativa da ordem de
grandeza dos parâmetros, uma vez que o seu valor exato depende de fatores como o ponto de
operação do transistor, a temperatura de trabalho, etc.

Configuração Impedância Ganho Admitância Ganho

do de de de Reverso
Transistor Entrada (Ω) Corrente Saída (A/V) de Tensão

Emissor Comum 3 2 -4 -4
hie = 10 hfe = 10 hoe = 10 hre = 10

Coletor Comum 3 2 -4 0
hic = 10 hfc = 10 hoc = 10 hrc =10

Base Comum 1 0 -6 -4
hib = 10 hfb = 10 hob = 10 hrb = 10

Tabela 2 – Ordem de Grandeza dos Parâmetros Híbridos nas Diversas Configurações

Modelo Híbrido Aplicado a um Transistor Configurado em Emissor Comum

Aplicando-se os princípios vistos acima a um transistor configurado em emissor comum,

desde que sua freqüência de operação esteja na faixa em que as capacitâncias internas ainda
possuem influência desprezível (baixas freqüências) e que o transistor opere sempre dentro da
região ativa (pequenos sinais), o transistor pode ser substituído pelo circuito da Figura 114.

ib ic
B hie C
+
+
vi = vbe 1 vo = vce
hre x vce hfe x ib
h oe

+
E E

Figura 114 – Modelo Híbrido Para o Transistor na Configuração Emissor Comum

100
 É importante lembrar que o circuito acima equivale a um transistor apenas para fins de
análise incremental (AC). Ele não representa corretamente um transistor no que se refere aos
aspectos de polarização DC. É por esse motivo que os nomes dos parâmetros possuem apenas
IC
letras minúsculas. Por exemplo, até então vínhamos trabalhando com o parâmetro hFE = ,
IB
que pode ser definido como o ganho DC de corrente de um emissor comum. Agora entramos
ic ∆IC
em contato com o parâmetro híbrido h fe
= = , que é o ganho de corrente incremental (AC)
ib ∆IB
do emissor comum. Em geral hFE ≠ hfe, ou seja, os valores desses parâmetros não são iguais.
Apesar disso, para simplificar nossos cálculos, consideraremos esses dois parâmetros como
tendo o mesmo valor, salvo indicação explícita em contrário.
Como o modelo híbrido refere-se exclusivamente ao aspecto incremental do circuito
transistorizado, ele pode ser utilizado, sem qualquer modificação, tanto para transistores NPN
como para transistores PNP.
Temos a seguir os passos que devem ser seguidos para utilizar o modelo híbrido do
transistor para obter as características de interesse.

1. Em lugar do transistor, desenhar o circuito equivalente modelo híbrido.

2. Desenhar os demais componentes do circuito original em suas posições correspondentes.

3. Substituir todos os geradores de tensão constantes pela sua resistência interna. Como
sempre trabalhamos com geradores ideais, isso equivale a substituí-los por um curto-circuito.

4. Substituir todos os capacitores do circuito por curto-circuitos. Ao fazer isso, estaremos

considerando apenas a faixa de freqüências em que os capacitores externos ao transistor
possuem influência desprezível sobre o desempenho do circuito.

5. A partir do circuito equivalente AC obtido, que é um circuito puramente elétrico, aplicar as leis
de Kirchoff e de Ohm para obter as relações desejadas.

EXEMPLO: Obter o circuito equivalente AC do amplificador transistorizado abaixo utilizando o

modelo híbrido. Obter a expressão matemática do ganho de tensão do circuito, provando que
RC
essa expressão pode ser aproximada por A v ≅ −
RE

R R +VCC
B C
1 vo
vi
Co
Ci
R
B R
2 E

101
Modelo Híbrido Simplificado

Como pudemos notar no exemplo anterior, a utilização do modelo híbrido conduz a

equações de razoável complexidade. Observando a tabela de ordem de grandeza dos valores
dos parâmetros híbridos, nota-se que hre e hoe possuem valores absolutos muito reduzidos.
Logo, é possível desprezar esses valores (considerando-os iguais a zero), sem que se introduza
um erro considerável. Fazendo isso, chega-se ao modelo híbrido simplificado para o transistor,
também conhecido como modelo T. O circuito equivalente desse modelo é mostrado na Figura
115.

hfe x ib
ib
C
hie
B

E
Figura 115 – Modelo Híbrido Simplificado Para o Transistor

O modelo híbrido simplificado pode ser utilizado sempre que for satisfeita a condição:
hoe x (RC // RL) < 0,1.
Daqui para a frente, utilizaremos apenas o modelo simplificado. A utilização desse
modelo simplifica significativamente as equações na análise de um amplificador. Além disso,
tem a vantagem de ser aplicável a qualquer que seja a configuração do transistor (base comum,
coletor comum ou emissor comum), sem que seja necessária qualquer alteração no circuito
equivalente. Desse modo, só é necessário conhecer os valores dos parâmetros hie e hfe,
mesmo que no circuito analisado o transistor esteja nas configurações base comum ou coletor
comum.

EXEMPLO: Refazer o exemplo anterior, utilizando o modelo híbrido simplificado.

102
Impedâncias de Entrada e Saída de um Amplificador

Além dos ganhos e da curva de resposta em freqüência, as impedâncias de entrada (Zi) e

de saída (Zo) são características de grande importância num amplificador. É o valor dessas
impedâncias que irá determinar a maneira como devem ser feitas as conexões entre um gerador
e um amplificador, entre um amplificador e uma carga ou entre dois amplificadores, de modo que
se obtenha a máxima transferência de potência.
A impedância de entrada Zi de um amplificador pode ser definida como a impedância que
o amplificador apresenta à fonte de sinal de entrada vi. O diagrama da Figura 116 mostra como
obter experimentalmente essa impedância.

+VCC
R R
B C
Co
vo vi
ii Ci Zi =
ii
A

V vi

Figura 116 – Método Experimental Para a Determinação da Impedância de Entrada

Uma forma alternativa (e mais simples) de se medir a impedância de entrada é utilizar um

potenciômetro em série, como ilustrado na Figura 117.

+VCC
R R
B C
Co
Ci

POT
V vo
vi

Figura 117 – Método Experimental Alternativo Para a Determinação da Impedância de Entrada

O princípio da medição é bastante simples. Em primeiro lugar, ajusta-se o potenciômetro

na sua resistência mínima (curto-circuito), de forma que ele não tenha nenhuma influência sobre
o desempenho do amplificador. Nessa condição, mede-se o valor da tensão de saída vo. Em
seguida, varia-se gradativamente o cursor do potenciômetro, aumentando a sua resistência, ao
mesmo tempo em que se acompanha a variação no valor da tensão de saída. Quando essa
atingir a metade do valor original, isso significa que metade da tensão de entrada está sobre o
potenciômetro. Logo, nesse ponto o valor da resistência ajustada no potenciômetro é igual à
impedância de entrada do amplificador. Basta, portanto, retirar o potenciômetro do circuito e
medir o valor da sua resistência. Esse será também o valor da impedância de entrada Zi.

103
 A impedância de saída Zo é aquela “enxergada” pela resistência de carga RL do
amplificador. Devemos lembrar que RL é um elemento externo e, como tal, não faz parte do
amplificador. Por isso, ao determinar o valor da impedância de saída de um amplificador, a
influência da resistência de carga deve ser neutralizada. Para tanto, ao se obter o valor da
tensão de saída, a resistência de carga deve ser desconectada do circuito, para que a sua
influência sobre o valor dessa tensão seja eliminada. Da mesma forma, ao se determinar a
corrente de saída do amplificador, a resistência de carga deve ser curto-circuitada, para que não
venha a influir no valor da corrente. A impedância de saída do amplificador será a relação entre
a tensão de saída e a corrente de saída assim obtidas. Os diagramas da Figura 118 ilustram a
determinação experimental da impedância de saída de um amplificador.

+VCC vo +VCC
R R Zo = R R
B C io B C
Co Co
S S
Ci Ci

io
R R
vo V A
vi L vi L

Figura 118 – Determinação Experimental da Impedância de Saída de um Amplificador

A Tabela 3 mostra a ordem de grandeza das principais características de cada uma das
três configurações básicas de amplificadores transistorizados. A configuração apropriada para
cada aplicação específica de um amplificador é escolhida a partir dessas características.

Configuração Ganho de Ganho de Ganho de Impedância Impedância

do Tensão Corrente Potência de Entrada de Saída
Transistor (Av) (Ai) (Ap) (Zi) (Zo)

Emissor Comum ALTO ALTO ALTO MÉDIA MÉDIA

Coletor Comum UNITÁRIO ALTO MÉDIO ALTA BAIXA

Base Comum ALTO UNITÁRIO MÉDIO BAIXA ALTA

Tabela 3 – Ordem de Grandeza das Principais Caraterísticas das Três Configurações Básicas

104
Resposta em Freqüência de um Amplificador

Como vimos, é comum que o circuito de um amplificador transistorizado inclua capacitores

(por exemplo, os capacitores de desacoplamento e o capacitor de desvio). Além desses
capacitores, o circuito apresenta ainda outras capacitâncias, entre as quais aquelas apresentadas
pelas junções do transistor, conforme visto em nosso estudo sobre as junções PN. Completando
a lista dos elementos reativos presentes num circuito de amplificador, temos as capacitâncias e
indutâncias parasitas resultantes da fiação, do layout e de outras características da montagem do
circuito.
Sendo que as reatâncias capacitiva e indutiva possuem valor dependente da freqüência
de operação, podemos concluir que o comportamento de um amplificador será uma função da
freqüência do sinal a ele aplicado. Assim, os valores de características como os ganhos e as
impedâncias de entrada e saída de um amplificador real irão variar à medida em que se varia a
freqüência. Para compreender melhor essa questão, analisemos o “diagrama completo” de um
estágio amplificador, mostrado na Figura 119, no qual estão assinaladas (em linha pontilhadas)
as capacitâncias internas que existem entre as regiões de um transistor (cbc entre base e coletor
e cbe entre base e emissor). No diagrama, desprezam-se as capacitâncias e indutâncias
parasitas, que só terão influência perceptível no desempenho do circuito em freqüências muito
elevadas.

+VCC
R R
B cbc C
1 vo

Co
vi

Ci
R
B
2 cbe R
E CE

Figura 119 – Diagrama de um Amplificador Mostrando as Capacitâncias Internas do Transistor

 1 
Relembrando a fórmula da reatância capacitiva  X C =  , analisemos a influência das
 πfC 
2π
capacitâncias dos capacitores “reais” (Ci, Co e CE) nas baixas freqüências:

Ci → Apresenta “alta” reatância, retendo parte do sinal de entrada vi, impedindo que ele seja
amplificado pelo transistor. Isso reduz o ganho de tensão do circuito.

Co → Apresenta “alta” reatância, retendo parte do sinal de saída vo, impedindo que ele seja
transferido para a carga. Isso também reduz o ganho de tensão.

CE → Apresenta “alta” reatância, de modo que não pode ser considerado como um curto-circuito
para os sinais alternados. Logo, uma parte do sinal de entrada fica sobre o paralelo RE-CE,
reduzindo o ganho.

105
 Ainda nas baixas freqüências, as capacitâncias internas também terão “alta” reatância,
mas não terão nenhuma influência sobre o comportamento do amplificador, pois se encontram
em paralelo com o percurso da corrente (ou seja, a corrente não passa por essas capacitâncias
porque encontram em paralelo com elas um caminho com resistência muito menor).
Em altas freqüências, todas as capacitâncias apresentarão “baixa” reatância, e ocorre
justamente o contrário: as capacitâncias dos capacitores Ci, Co e CE, que ficam em série com o
caminho da corrente, terão pouca influência sobre o comportamento do circuito (pois a parcela de
sinal que fica sobre elas é desprezível), enquanto que as capacitâncias internas do transistor, que
ficam em paralelo com o caminho da corrente, começam a desviar o sinal do amplificador,
reduzindo dessa forma o seu ganho.
Resumindo, em baixas freqüências prevalece a influência das capacitâncias que estão em
série com o caminho da corrente, enquanto em altas freqüências prevalece a influência das
capacitâncias internas do transistor, que ficam em paralelo com o caminho da corrente. Para
minimizar o efeito das primeiras, devem-se utilizar os maiores valores possíveis de capacitância.
Com relação às últimas, que se tratam de características internas do transistor e que não podem
ser modificadas, a única solução é escolher outro tipo de transistor, que possua menor valor para
as capacitâncias internas, de modo a minimizar sua influência.
Pelo que vimos acima, o ganho de um amplificador é reduzido nas freqüências baixas
pelas capacitâncias em série (capacitores Ci, Co e CE) e nas freqüências altas pelas
capacitâncias em paralelo (capacitâncias internas do transistor). Conclui-se que haverá uma
faixa intermediária de freqüências em que a influência das capacitâncias em série já se tornou
desprezível, mas a influência das capacitâncias em paralelo ainda não é significativa. Logo, o
ganho do amplificador será reduzido em freqüências muito altas ou muito baixas e será máximo
na faixa intermediária.
O gráfico que representa o módulo do ganho de tensão de um amplificador em função da
freqüência do sinal de entrada é chamado de curva de resposta em freqüência. O aspecto
típico da curva de resposta de um amplificador transistorizado com acoplamento capacitivo é
mostrado na Figura 120.

|Av| resposta plana

Avmáx

Av max

banda passante
f
fci fcs
Figura 120 – Aspecto Típico da Curva de Resposta em Freqüência de um Amplificador

A curva acima possui as seguintes características notáveis:

• Resposta Plana: É a faixa de freqüências em que o valor do ganho se mantém constante e

igual ao valor máximo. Podemos chamá-la de faixa média de freqüências. Nesta faixa, a
influência dos capacitores externos (Ci, Co e CE) no sentido de reduzir o valor do ganho já é
desprezível e a influência das capacitâncias internas do transistor ainda não se faz sentir.
Desse modo, o ganho atinge o seu valor máximo (Avmáx).

106
• Freqüências de Corte Inferior (fci) e Superior (fcs): Observando o gráfico, notamos que
existem dois valores de freqüência em que o valor do ganho é aproximadamente igual a 70%

do valor máximo  A V = A Vmax  . A menor dessas freqüências é chamada de freqüência de

 
 2 
corte inferior (fci) e a maior delas é chamada de freqüência de corte superior (fcs),
exatamente como no casos dos filtros. Essas freqüências também são conhecidas como
pontos de meia potência, pois nelas a potência de saída vale a metade da potência máxima.

• Banda Passante (BW, do inglês Band Width - Largura de Faixa): É a diferença entre a
freqüência de corte superior e a freqüência de corte inferior. BW = fcs - fci.

Estimativa do Valor da Freqüência de Corte Inferior

Como vimos, o valor da freqüência de corte inferior é determinado pela capacitância dos
capacitores externos do circuito (Ci, Co e CE). Lembrando que num filtro RC a freqüência de
corte é aquelas em que o módulo da reatância capacitiva é igual ao valor da resistência associada
ao capacitor, podemos calcular os valores das freqüências relativas a cada um desses três
capacitores.
O circuito equivalente “visto” pelo capacitor de desacoplamento de entrada Ci é o
mostrado na Figura 121.

Ci
Z
vi i

Figura 121 – Circuito Equivalente “Visto” Pelo Capacitor de Desacoplamento de Entrada

Zi é a impedância de entrada do circuito, cuja determinação já estudamos anteriormente.

Através do circuito equivalente, podemos determinar a expressão da freqüência de corte relativa
ao capacitor de desacoplamento de entrada Ci:
1
fci = .
Ci
2 × π × Zi × Ci

O circuito equivalente “visto” pelo capacitor de desvio CE é o mostrado na Figura 122.

RB’
R
CE
E

Figura 122 – Circuito Equivalente “Visto” Pelo Capacitor de Desvio

RB’ é a impedância de base refletida no emissor, ou seja, dividida por um fator igual a hfe.
Logo, a expressão da freqüência de corte relativa ao capacitor de desvio CE será:
1  hie + RB1//RB2 
fci = , onde Zeq vale: Zeq =   //RE .
CE
2 × π × Zeq × CE  hfe 

107
 O circuito equivalente “visto” pelo capacitor de desacoplamento de saída Co é o mostrado
na Figura 123.

Co
R R
C L

Figura 123 – Circuito Equivalente “Visto” Pelo Capacitor de Desacoplamento de Saída

RL é a resistência de carga ligada à saída do circuito, sem a qual não haverá queda de
tensão sobre o capacitor Co e, conseqüentemente, não haverá freqüência de corte relacionada a
esse capacitor. Através do circuito equivalente, podemos determinar a expressão da freqüência
de corte relativa ao capacitor de desacoplamento de saída Co:
1
fci = .
Co
2 × π × (RC + RL ) × Co

Com o objetivo de simplificar o cálculo do valor efetivo da freqüência de corte inferior,

devem-se escolher valores para os capacitores de tal forma que uma das três fórmulas acima
resulte num valor no mínimo 10 vezes superior ao produzido pelas outras duas fórmulas. Assim
sendo, o valor da freqüencia de corte superior pode ser aproximado pela maior das frequüências
relativas. Essa é a chamada técnica do pólo dominante. Em geral, faz-se com que o pólo
dominante seja determinado pelo capacitor de desvio CE, ou na ausência deste, pelo capacitor
de desacoplamento de entrada Ci.
Uma vez determinada a freqüência de corte inferior fci, a expressão que relaciona o
ganho de tensão do amplificador com a freqüência de operação, na faixa que vai de 0 até fci é:

Av
Av (f) = fci
máx
, onde Avmáx, como vimos, representa o valor máximo do ganho, obtido na
1+
f
região de resposta plana.

Considerações Relativas à Freqüência de Corte Superior

O valor da freqüência de corte superior de um amplificador transistorizado é determinado

por vários fatores, alguns deles de difícil mensuração: as capacitância internas do transistor, a
dependência do hfe do transistor em relação à freqüência de operação e as capacitâncias e
indutâncias parasitas do circuito.
Existem modelos do transistor que contemplam essas características, mas sua
complexidade vai além do escopo de nosso curso. Assim, com relação ao comportamento de um
amplificador em altas freqüências, é mais prático realizar uma determinação experimental da
freqüência de corte superior fcs. Conhecido o valor de fcs, a expressão que relaciona o ganho
de tensão do amplificador com a freqüência de operação, na faixa que vai de fcs até o infinito é:

Av
Av (f) = f
máx
, onde Avmáx é o valor máximo do ganho, obtido na região de resposta plana.
1+
fcs

108
 Em sendo impossível a determinação experimental da freqüência de corte superior, uma
fT
boa estimativa do seu valor é: fcs ≅ , onde hfe é o valor nominal do ganho de corrente
hfe
incremental na resposta plana e fT é um parâmetro do transistor chamado de freqüência de
transição, que se caracteriza pelo fato de que, nessa freqüência, o valor efetivo de hfe é unitário,
ou seja, a partir dessa freqüência o transistor deixa de ser um amplificador de corrente.
Note-se que a aproximação dada pela fórmula acima só é válida para circuitos de banda
larga, ou seja, nos quais não se utiliza nenhum tipo de recurso para, intencionalmente, restringir a
banda passante do amplificador. A Figura 124 mostra dois exemplos de circuitos em que a banda
passante é deliberadamente restringida. No primeiro, isso é feito através da inclusão de um
capacitor de realimentação (CF) entre o coletor e a base do transistor. Quanto maior a
capacitância desse capacitor, menor será o valor da freqüência de corte superior e mais restrita
será a banda passante. No segundo circuito, a restrição da banda passante é obtida por meio de
um filtro LC ressonante que funciona como impedância de coletor. Logo, a banda passante será
uma faixa restrita em torno da freqüência de ressonância. Quanto maior o fator de qualidade do
filtro, mais estreita será a banda passante. Esse é um exemplo de amplificador sintonizado.

+VCC +VCC

R R R CC
B CF C B vo
1 vo 1

Co TC
vi vi

Ci Ci
R R
B B
2 R 2 R
E CE E CE

Figura 124 – Dois Exemplos de Amplificador com Banda Passante Restrita

Ganho em deciBéis (dB)

Nos amplificadores práticos, o ganho que realmente importa é o ganho de potência Ap, o
qual costuma apresentar valores muito elevados. Considere-se, por exemplo, o ganho de
potência total proporcionado por um receptor de rádio: enquanto a potência captada pela antena
é da ordem de miliwatts ou de microwatts, a potência entregue aos auto-falantes é de ordem de
7
watts ou de dezenas de watts, ou seja, um ganho de potência da ordem de até 10 .
Por esse motivo, é bastante comum expressar o ganho dos amplificadores através de uma
unidade com características logarítmicas, o que, além de resultar em números menores, facilita
os cálculos (pois transforma operações de multiplicação e divisão em operações de soma e
subtração, respectivamente). Essa unidade é o Bel (B – nome originado de Alexander Graham
Bell), ou, mais especificamente, o seu submúltiplo deciBel (dB).
A definição do Bel baseia-se na característica logarítmica da percepção acústica do ser
humano. Isso significa que um acréscimo real de 10 vezes numa potência sonora é percebido
pelo ouvido humano como uma variação de duas vezes. Essa é a razão pela qual os
potenciômetros utilizados em controle de volume são do tipo logarítmico.
109
 O deciBel não é uma unidade absoluta, baseando-se na verdade na relação com um nível
referencial de potência. Esse nível de referência (1 dB) corresponde, à freqüência de 600 Hz, à
-16 2
densidade sonora de 1 × 10 W / cm , que é o nível mínimo perceptível pelo ser humano. O
valor máximo suportável (limiar da dor) corresponde a 130 dB.
Apesar de estar intimamente relacionado a potência, o deciBel também pode ser utilizado
para representar ganhos de tensão e de corrente. Valem as relações:

PO .
- Ganho de Potência em deciBéis: A P ( dB ) = 10 log
Pi
- Ganho de Tensão em deciBéis:
v
(dB) = 20 log O
.
A V
v i

- Ganho de Corrente em deciBéis: A (dB ) = 20 log

i O
.
i
i i

EXEMPLO NUMÉRICO: Calcular o ganho de tensão máximo, em dB, do amplificador abaixo,

bem como o ganho de tensão, também em dB, nas freqüências de corte do amplificador: a)
Quando a chave S estiver aberta. b) Quando a chave S estiver fechada. Dados: hfe = 200 – hie
= 1,5 KΩ. Esboçar a curva de resposta em freqüência em ambos os casos, supondo que a
freqüência de corte superior seja constante e igual a 500 KHz.

+VCC
33 2
K K
Ω 7
Ω
vo
vi
1 nF
S
1 nF
15
K 1
Ω 8 10
0 µF
Ω

Com o resultado do exemplo acima, podemos concluir que quando o ganho de tensão de
um amplificador é expresso em dB, as freqüências de corte terão ganho 3 dB inferior ao ganho
máximo.

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