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Prof.
Vinicius Karlinski de Barcellos
Tecnologia Mecnica I 2011 ESTRUTURA CRISTALINA 2 ASSUNTO 3. Materiais cristalinos -Estrutura cristalina: conceitos fundamentais clula unitria - Sistemas cristalinos - Polimorfismo e alotropia - Direes e planos cristalogrficos ARRANJAMENTO ATMICO As propriedades dos materiais dependem dos arranjos dos seus tomos. Esses arranjos podem ser classificados em: Estruturas moleculares: agrupamento dos tomos Estruturas cristalinas: arranjo repetitivo de tomos Estruturas amorfas: sem nenhuma regularidade 4 ARRANJAMENTO ATMICO Os materiais slidos podem ser classificados em cristalinos ou no- cristalinos de acordo com a regularidade na qual os tomos ou ons se dispem em relao seus vizinhos. Material cristalino aquele no qual os tomos encontram-se ordenados sobre longas distncias atmicas formando uma estrutura tridimensional que se chama de rede cristalina Todos os metais, muitas cermicas e alguns polmeros formam estruturas cristalinas sob condies normais de solidificao 5 CLULA UNITRIA (unidade bsica repetitiva da estrutura tridimensional) Consiste num pequeno grupos de tomos que formam um modelo repetitivo ao longo da estrutura tridimensional A clula unitria escolhida para representar a simetria da estrutura cristalina 6 CLULA UNITRIA (unidade bsica repetitiva da estrutura tridimensional) Clula Unitria Os tomos so representados como esferas rgidas 7 ESTRUTURA CRISTALINA DOS METAIS Como a ligao metlica no-direcional no h restries quanto ao nmero e posies dos vizinhos mais prximos. Ento, a estrutura cristalina dos metais tm geralmente um nmero grande de vizinhos e alto empacotamento atmico. Trs so as estruturas cristalinas mais comuns em metais: Cbica de corpo centrado, cbica de face centrada e hexagonal compacta. 8 SISTEMAS CRISTALINOS AS 14 REDES DE BRAVAIS Dos 7 sistemas cristalinos podemos identificar 14 tipos diferentes de clulas unitrias, conhecidas com redes de Bravais. Cada uma destas clulas unitrias tem certas caractersticas que ajudam a diferenci-las das outras clulas unitrias. Estas caractersticas tambm auxiliam na definio das propriedades de um material particular. SISTEMA CBICO Os tomos podem ser agrupados dentro do sistema cbico em 3 diferentes tipos de repetio Cbico simples Cbico de corpo centrado Cbico de face centrada SISTEMA CBICO SIMPLES Apenas 1/8 de cada tomo cai dentro da clula unitria, ou seja, a clula unitria contm apenas 1 tomo. Essa a razo que os metais no cristalizam na estrutura cbica simples (devido ao baixo empacotamento atmico) Parmetro de rede a 12 NMERO DE COORDENAO PARA CCC Nmero de coordenao corresponde ao nmero de tomos vizinhos mais prximos Para a estrutura cbica simples o nmero de coordenao 6. 13 RELAO ENTRE O RAIO ATMICO (R) E O PARMETRO DE REDE (a) PARA O SITEMA CBICO SIMPLES No sistema cbico simples os tomos se tocam na face a= 2 R 14 O FATOR DE EMPACOTAMENTO PARA A EST. CBICA SIMPLES O,52 Fator de empacotamento= Nmero de tomos x Volume dos tomos Volume da clula unitria FATOR DE EMPACOTAMENTO ATMICO PARA CBICO SIMPLES (CS) Vol. dos tomos=nmero de tomos x Vol. Esfera (4tR 3 /3) Vol. Da clula=Vol. Cubo = a 3 Fator de empacotamento = 4tR 3 /3 (2R) 3 15 EST. CBICA DE CORPO CENTRADO (CCC) O PARMETRO DE REDE E O RAIO ATMICO ESTO RELACIONADOS NESTE SISTEMA POR: a ccc = 4R /(3) 1/2 Na est. ccc cada tomo dos vertices do cubo dividido com 8 clulas unitrias J o tomo do centro pertence somente a sua clula unitria. Cada tomo de uma estrutura ccc cercado por 8 tomos adjacentes H 2 tomos por clula unitria na estrutura ccc O Fe, Cr, W cristalizam em ccc Filme 16 RELAO ENTRE O RAIO ATMICO (R) E O PARMETRO DE REDE (a) PARA O SITEMA CCC No sistema CCC os tomos se tocamao longo da diagonal do cubo: (3) 1/2 .a=4R a ccc = 4R/ (3) 1/2 Calcular a Diagonal do Cubo 17 NMERO DE COORDENAO PARA CCC Nmero de coordenao corresponde ao nmero de tomos vizinhos mais prximos Para a estrutura ccc o nmero de coordenao 8. 18 NMERO DE COORDENAO Para a estrutura ccc o nmero de coordenao 8 1/8 de tomo 1 tomo inteiro 19 FATOR DE EMPACOTAMENTO ATMICO PARA CCC Fator de empacotamento= Nmero de tomos x Volume dos tomos Volume da clula unitria O FATOR DE EMPACOTAMENTO PARA A EST. CC O,68 (demonstre) 20 EST. CBICA DE FACE CENTRADA O PARMETRO DE REDE E O RAIO ATMICO ESTO RELACIONADOS PARA ESTE SISTEMA POR: a cfc = 4R/(2) 1/2 =2R . (2) 1/2 Na est. cfc cada tomo dos vertices do cubo dividido com 8 clulas unittias J os tomos das faces pertencem somente a duas clulas unitrias H 4 tomos por clula unitria na estrutura cfc o sistema mais comum encontrado nos metais (Al, Fe, Cu, Pb, Ag, Ni,...) Filme 25 21 NMERO DE COORDENAO PARA CFC Nmero de coordenao corresponde ao nmero de tomos vizinhos mais prximo Para a estrutura cfc o nmero de coordenao 12. 22 NMERO DE COORDENAO PARA CFC Para a estrutura cfc o nmero de coordenao 12. 23 Demonstre que a cfc = 2R (2) 1/2 a 2 + a 2 = (4R) 2 2 a 2 = 16 R 2 a 2 = 16/2 R 2 a 2 = 8 R 2 a= 2R (2) 1/2 FATOR DE EMPACOTAMENTO ATMICO PARA CFC Fator de empacotamento= Nmero de tomos X Volume dos tomos Volume da clula unitria O FATOR DE EMPACOTAMENTO PARA A EST. CFC O,74 DEMONSTRE 25 DEMONSTRE QUE O FATOR DE EMPACOTAMENTO PARA A EST. CFC O,74 Fator de empacotamento= Nmero de tomos X Volume dos tomos Volume da clula unitria Vol. dos tomos=Vol. Esfera= 4tR 3 /3 Vol. Da clula=Vol. Cubo = a 3 Fator de empacotamento = 4 X 4tR 3 /3 (2R (2) 1/2 ) 3 Fator de empacotamento = 16/3tR 3 16 R 3 (2) 1/2 Fator de empacotamento = 0,74 26 CLCULO DA DENSIDADE O conhecimento da estrutura cristalina permite o clculo da densidade (): = nA VcNA n= nmero de tomos da clula unitria A= peso atmico Vc= Volume da clula unitria NA= Nmero de Avogadro (6,02 x 10 23 tomos/mol) 27 EXEMPLO: Cobre tm raio atmico de 0,128nm (1,28 ), uma estrutura cfc, um peso atmico de 63,5 g/mol. Calcule a densidade do cobre. Resposta: 8,89 g/cm 3 Valor da densidade medida= 8,94 g/cm 3 28 TABELA RESUMO PARA O SISTEMA CBICO tomos Nmero de Parmetro Fator de por clula coordenao de rede empacotamento CS 1 6 2R 0,52 CCC 2 8 4R/(3) 1/2 0,68 CFC 4 12 4R/(2) 1/2 0,74 29 SISTEMA HEXAGONAL SIMPLES Os metais no cristalizam no sistema hexagonal simples porque o fator de empacotamento muito baixo Entretanto, cristais com mais de um tipo de tomo cristalizam neste sistema 30 EST. HEXAGONAL COMPACTA O sistema Hexagonal Compacta mais comumnos metais (ex: Mg, Zn) Na HC cada tomo de uma dada camada est diretamente abaixo ou acima dos interstcios formados entre as camadas adjacentes 31 EST. HEXAGONAL COMPACTA Cada tomo tangencia 3 tomos da camada de cima, 6 tomos no seu prprio plano e 3 na camada de baixo do seu plano O nmero de coordenao para a estrutura HC 12 e, portanto, o fator de empacotamento o mesmo da cfc, ou seja, 0,74. Relao entre R e a: a= 2R 32 EST. HEXAGONAL COMPACTA H 2 parmetros de rede representando os parmetros Basais (a) e de altura (c) 33 POLIMORFISMO OU ALOTROPIA Alguns metais e no-metais podem ter mais de uma estrutura cristalina dependendo da temperatura e presso. Esse fenmeno conhecido como polimorfismo. Geralmente as transformaes polimorficas so acompanhadas de mudanas na densidade e mudanas de outras propriedades fsicas. 34 EXEMPLO DE MATERIAIS QUE EXIBEM POLIMORFISMO Ferro Titnio Carbono (grafite e diamente) SiC (chega ter 20 modificaes cristalinas) Etc. ALOTROPIA DO FERRO Na temperatura ambiente, o Ferro tmestrutura ccc, nmero de coordenao 8, fator de empacotamento de 0,68 e um raio atmico de 1,241. A 910C, o Ferro passa para estrutura cfc, nmero de coordenao 12, fator de empacotamento de 0,74 e um raio atmico de 1,292. A 1394C o ferro passa novamente para ccc. 36 ALOTROPIA DO TITNIO FASE o Existe at 883C Apresenta estrutura hexagonal compacta mole FASE | Existe a partir de 883C Apresenta estrutura ccc dura 37 EXERCCIO O ferro passa de ccc para cfc a 910 C. Nesta temperatura os raios atmicos so respectivamente , 1,258 e 1,292. Qual a percentagemde variao de volume percentual provocada pela mudana de estrutura? Vccc= 2a 3 Vcfc= a 3 a ccc = 4R/ (3) 1/2 a cfc = 2R (2) 1/2 Vccc= 49,1 3 Vcfc= 48,7 3 V%= 48,7 - 49,1 /48,7 = - 0,8% de variao Para o clculo foi tomado como base 2 clulas unitrias ccc, por isso Vccc= 2a 3 uma vez que na passagemdo sistema ccc para cfc h uma contrao de volume 38 DIREES NOS CRISTAIS a, b e c definem os eixos de um sistema de coordenadas em 3D. Qualquer linha (ou direo) do sistema de coordenadas pode ser especificada atravs de dois pontos: um deles sempre tomado como sendo a origem do sistema de coordenadas, geralmente (0,0,0) por conveno; 39 DIREES NOS CRISTAIS O ndice de Miller so usados para descrever estas direes. Direcoes so representadas entre colchetes [hkl] Famlia de direes: <uvw> DIRECAO=ALVO-ORIGEM Eliminar fracoes e reduzir ao mmc Valor negativo colocado sobre o numero (x, y, z) 40 DIREES NOS CRISTAIS So representadas entre colchetes= [hkl] Se a subtrao der negativa, coloca-se uma barra sobre o nmero 41 DIREES NOS CRISTAIS 42 DIREES NOS CRISTAIS Os nmeros devem ser divididos ou multiplicados por um fator comum para dar nmeros inteiros 43 DIREES? (o,o,o) 44 Algumas direes da famlia de direes <100> FAMILIA DE DIRECOES: conjunto de indices de Miller onde todos tem mesma simetria. 45 DIREES PARA O SISTEMA CBICO A simetria desta estrutura permite que as direes equivalentes sejam agrupadas para formar uma famlia de direes: <100> para as faces <110> para as diagonais das faces <111> para a diagonal do cubo <110> <100> <111> 46 DIREES PARA O SISTEMA CCC No sistema ccc os tomos se tocam ao longo da diagonal do cubo, que corresponde a famlia de direes <111> Ento, a direo <111> a de maior empacotamento atmico para o sistema ccc 47 DIREES PARA O SISTEMA CFC No sistema cfc os tomos se tocam ao longo da diagonal da face, que corresponde a famlia de direes <110> Ento, a direo <110> a de maior empacotamento atmico para o sistema cfc Filme 22 48 PLANOS CRISTALINOS Por qu so importantes? Para a deformao plstica A deformao plstica (permanente) dos metais ocorre pelo deslizamento dos tomos, escorregando uns sobre os outros no cristal. Este deslizamento tende a acontecer preferencialmente ao longo de planos direes especficos do cristal. Os metais se deformamao longo da direo e planos de maior empacotamento (ou densidade atomica): CFC = [110] CCC = [111] 49 PLANOS CRISTALINOS So representados de maneira similar s direes So representados pelos ndices de Miller = (hkl) Planos paralelos so equivalentes tendos os mesmos ndices 50 PLANOS CRISTALINOS 51 PLANOS CRISTALINOS Planos (010) So paralelos aos eixos x e z (paralelo face) Cortam um eixo (neste exemplo: y em 1 e os eixos x e z em ) 1/ , 1/1, 1/ = (010) 52 PLANOS CRISTALINOS Planos (110) So paralelos a um eixo (z) Cortam dois eixos (x e y) 1/ 1, 1/1, 1/ = (110) 53 PLANOS CRISTALINOS Planos (111) Cortam os 3 eixos cristalogrficos 1/ 1, 1/1, 1/ 1 = (111) 54 FAMLIA DE PLANOS {110} paralelo um eixo 55 FAMLIA DE PLANOS {111} Intercepta os 3 eixos 56 PLANOS NO SISTEMA CBICO A simetria do sistema cbico faz com que a famlia de planos tenhamo mesmo arranjamento e densidade Deformao emmetais envolve deslizamento de planos atmicos. O deslizamento ocorre mais facilmente nos planos e direes de maior densidade atmica 57 PLANOS DE MAIOR DENSIDADE ATMICA NO SISTEMA CCC A famlia de planos {110} no sistema ccc o de maior densidade atmica 58 PLANOS DE MAIOR DENSIDADE ATMICA NO SISTEMA CFC A famlia de planos {111} no sistema cfc o de maior densidade atmica 59 DENSIDADE ATMICA LINEAR E PLANAR Densidade linear= tomos/unidade de comprimento (igual ao fator de empacotamento emuma dimenso) Densidade planar= tomos no plano/unidade de rea (igual ao fator de empacotamento em duas dimenses) Prof. Vinicius Karlinski de Barcellos Tecnologia Mecnica I 2011 CONCEITOS FUNDAMENTAIS DA SOLIDIFICAO Prof. Vinicius Karlinski de Barcellos Tecnologia Mecnica I 2011 Estruturas Cristalinas fundamentais no materiais metlicos: A menor estrutura na organizao dos tomos, que iro compor a estrutura cristalina conhecida por clula unitria. Nos metais observam-se fundamentalmente 3 clulas unitria: CCC; CFC e HC. (A) - Cbica de Corpo Centrado - CCC (B) - Cbica de Face Centrada - CFC (C) - Hexagonal Compacta - HC CONCEITOS FUNDAMENTAIS DA SOLIDIFICAO Prof. Vinicius Karlinski de Barcellos Tecnologia Mecnica I 2011 Estruturas Cristalinas fundamentais no materiais metlicos: CBICA DE CORPO CENTRADO Metais: Cr, V, Nb, Ta, Mo, W, Fe (T > 1394 o C e T < 912 o C) Clula Unitria da estrutura CCC Empacotamento atmico da estrutura CCC CONCEITOS FUNDAMENTAIS DA SOLIDIFICAO Prof. Vinicius Karlinski de Barcellos Tecnologia Mecnica I 2011 Estruturas Cristalinas fundamentais no materiais metlicos: CBICA DE FACE CENTRADA Metais: Cu, Ag, Au, Ca, Sr, Al, Pb, Ni, Fe (1394 o C < T < 1394 o C) Clula Unitria da estrutura CFC Empacotamento atmico da estrutura CFC CONCEITOS FUNDAMENTAIS DA SOLIDIFICAO Prof. Vinicius Karlinski de Barcellos Tecnologia Mecnica I 2011 Prof. Vinicius Karlinski de Barcellos Tecnologia Mecnica I 2011 O fenmeno de solidificao pode ser dividido em dois fenmenos distintos que ocorrem seqencialmente: Nucleao Modo pela qual a fase slida surge na fase lquida na forma de pequenos aglomerados cristalinos, chamados embries. Em funo do tamanho inicial destes embries, eles podem crescer originando um ncleo, ou refundir-se novamente no banho do metal lquido. Formao de clusters ou embries Lquido - Desorganizao Cristalina Reduo da Temperatura Crescimento Modo pelo qual os ncleos crescem sob a forma de gros com orientao cristalogrfica definida. Prof. Vinicius Karlinski de Barcellos Tecnologia Mecnica I 2011 NUCLEAO NA SOLIDIFICAO (TRANFORMAO LQUIDO/SLIDO) Formao de um aglomerado de tomos ORGANIZADOS CRISTALOGRAFICAMENTE, que se renem dentro do banho lquido, em quantidade de tomos suficiente para manter a estabilidade da estrutura em um temperatura logo abaixo de T L (Temperatura Liquidus); Um nico tomo, dentro do banho lquido, dever possuir isoladamente uma elevada energia interna, devido a sua agitao trmica; Este tomo ao se unir a outro de modo organizado (cristalino) dever reduzir sua energia transferindo esta ao sistema na forma de liberao de calor latente; Conforme mais e mais tomos se renem na estrutura, maior dever ser a liberao de energia e com isto o aglomerado de tomos dever gradativamente reduzir sua ENERGIA INTERNA tornando-se gradativamente mais estvel; Prof. Vinicius Karlinski de Barcellos Tecnologia Mecnica I 2011 Para garantir uma diminuio da variao da energia livre total do corpo, e consequentemente sua estabilidade, deve-se buscar uma geometria que associe um valor mximo de volume, para um valor mnimo de superfcie, ou seja: MNIMA VOLUME REA Razo | | . | = Na natureza, sabe-se que a forma esfrica a mais realista para descrever a geometria de um embrio, ou ncleo, pois esta forma geomtrica associa a menor superfcie para o maior volume: A G S A G S A G V A G V t 4. 2 .r t 4. 2 .r .t 4 3 .r 3 .t 4 3 .r 3 Ncleo Slido r CONCEITOS FUNDAMENTAIS DA NUCLEAO O raio crtico para a nucleao ocorre dentro da ordem de 10. Esse valor corresponde a um raio mdio da ordem de 5 dimetros atmicos. Dentro dessa razo D atmico /R crtico um ncleo slido no pode apresentar o formato esfrico exato, como admitido no tratamento da nucleao. Representao esquemtica da possvel estrutura de um ncleo crtico de um CFC Uma vez que os ncleos se formaram eles crescero enquanto existir lquido que possa ser consumido na transformao, at que toda a estrutura esteja completamente slida; Este fenmeno denomina-se CRESCIMENTO. Nucleao e crescimento de novas fases; Aps a formao de um ncleo estvel, o crescimento desse sofre uma instabilizao e o crescimento continua em direes especficas de um eixo cartesiano. No crescimento novos braos surgem e o sistema toma a forma de um slido avanando no interior do lquido Estruturas dendrticas Estrutura dendrtica DENDRON = RVORE Aspecto microgrfico de uma dendrta em um lingote de ao Formao Dendrtica de Ao Microestrutura da liga Cu-40%Ni Microestrutura dendrtica de um ao 1020 Formao de dendrtas nos materiais metlicos VER ANIMAO CRESCIMENTO DENDRTICO Representao esquemtica da microestrutura de solidificao [Tese Doutorado de No Cheung-UNICAMP] Representao esquemtica da microestrutura de solidificao [Tese Doutorado de Daniel Monteiro Rosa-UNICAMP 2007] 1.) Zona coquilhada Consiste de uma camada perifrica (regio de contato direto com o molde) de granulometria bastante fina, de orientao randmica (equiaxial); 2.) Zona colunar Consiste de uma banda que cresce de modo alinhado (em geral na direo do fluxo de calor) com gros grandes e alongados; 3.) Zona equiaxial central Consiste de uma zona de gros equiaxiais, com dimenses superiores a zona coquilhada. As propriedades mecnicas da zona equiaxial central so isotrpicas quando comparadas com as propriedades da zona colunar. ZONAS COQUILHADA, COLUNAR E EQUIAXIAL ESTRUTURA DE SOLIDIFICAO 1.) Zona coquilhada ZONAS COQUILHADA, COLUNAR E EQUIAXIAL Quando o metal lquido vazado em uma lingoteira (ou molde), a parte que entra em contato com as paredes frias deste, rapidamente super-resfriada fazendo com que exista uma fina camada, prxima a superfcie, na qual ocorre uma intensa nucleao de gros cristalinos de orientao aleatria. A nucleao ocorre de maneira chamada copiosa e devido ao fato de muitos gros, surgirem e crescerem de modo competitivo, esta formar uma cada de gros bastante pequenos. Esta camada de pequenos gros finamente dispersos e localizada na superfcie do lingote denominada ZONA COQUILHADA. 2.) Zona colunar ZONAS COQUILHADA, COLUNAR E EQUIAXIAL Aps a nucleao e crescimento de gros equiaxiais (zona coquilhada), randomicamente orientados na parede do molde instantes aps o vazamento, ocorre um decaimento do gradiente trmico na parede do molde, induzido pelo calor que flui do lquido superaquecido. A orientao do fluxo de calor ocasiona um gradiente trmico positivo a partir da parede e em direo ao centro do metal lquido. Em funo da unidirecionalidade do fluxo de calor, um gradiente trmico positivo induzido em sentido definido e deste modo certos braos dendrticos da regio coquilhada tm seu crescimento favorecido. Esta regio de crescimento conhecida por ZONA COLUNAR. A regio onde o crescimento colunar se faz presente facilmente identificada atravs de seus gros alongados revelados na anlise macrogrfica da seo paralela ao fluxo de calor. 1.) Zona Coquilhada ZONAS COQUILHADA, COLUNAR E EQUIAXIAL Representao esquemtica do crescimento de gros na regio coquilhada e do surgimento de gros colunares a partir de gros coquilhados com orientao favorvel 2.) Zona colunar ZONAS COQUILHADA, COLUNAR E EQUIAXIAL Influncia do Contedo de Carbono no Comprimento da Zona Colunar de Aos 0,09 0,17 0,53 SOLUO SLIDA 82 LIGAS METLICAS Algumas impurezas (chamadas elementos de liga) so adicionadas intencionalmente com a finalidade: - aumentar a resistncia mecnica - aumentar a resistncia corroso - Aumentar a condutividade eltrica - Etc. 83 A ADIO DE ELEMENTOS DE LIGA PODE FORMAR Solues slidas % elemento < limite de solubilidade Segunda fase % elemento > limite de solubilidade A solubilidade depende : Temperatura Tipo de elemento (ou impureza) Concentrao do elemento (ou impureza) 84 Termos usados Elemento de liga ou Impureza soluto (< quantidade) Matriz ou solvente Hospedeiro (>quantidade) 85 SOLUES SLIDAS A estrutura cristalina do material que atua como matriz mantida 86 SOLUES SLIDAS Nas solues slidas as impurezas ou elementos de liga podem ser do tipo: - Intersticial - Substitucional Ordenada Desordenada 87 SOLUES SLIDAS INTERSTICIAIS Os tomos de impurezas ou os elementos de liga ocupam os espaos dos interstcios Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o hospedeiro Como os materiais metlicos tem geralmente fator de empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios INTERSTICIAL EXEMPLO DE SOLUO SLIDA INTERSTICIAL Fe + C solubilidade mxima do C no Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC) O C tem raio atmico bastante pequeno se comparado com o Fe rC= 0,071 nm= 0,71 A rFe= 0,124 nm= 1,24 A 89 INTERSTICIAIS NA CCC E CFC Nessas estruturas existem 2 tipos de intersticiais, um stio menor e um maior A impureza geralmente ocupa o stio maior 90 INTERSTICIAIS NA CFC Existem 13 posies intersticiais (octaedros- formados por 6 tomos) e 8 posies intersticiais (tetraedros formados por 4 tomos)= 21 O Stio maior o octadrico 91 INTERSTICIAIS (octaedros) NA CFC Existem 13 posies intersticiais (octaedros) 1 Centro do octaedro de coordenadas (, , ) 12 localizado no centro das arestas (, 0,0) 92 INTERSTICIAIS (tetraedros) NA CFC Existem 8 posies intersticiais (tetraedros) 1 Centro do tetraedro de coordenadas (1/4, 1/4, 1/4) 93 Calcule o raio da impureza que se ajusta perfeitamente no stio intersticial maior (octadrico) para a estrutura cfc r= 0,41R 94 INTERSTICIAIS NA CCC Existem 18 posies intersticiais (octaedros) e 24 posies intersticiais (tetraedros)= 42 O Stio maior o tetradrico 95 INTERSTICIAIS (octaedro) NA CCC Existem 18 posies intersticiais (octaedro) 6 Centro das faces posies (, , 0) 12 Centro de arestas (, 0,0) 96 INTERSTICIAIS (tetraedros) NA CCC Existem 24 posies intersticiais (tetraedros) 4 tetraedros Para cada uma das seis faces (1/2, 1/4, 0) 97 Calcule o raio da impureza que se ajusta perfeitamente no stio maior (tetradrico) para a estrutura ccc r= 0,29R 98 Carbono intersticial no Ferro O carbono mais solvel no Ferro CCC ou CFC, considerando a temperatura prxima da transformao alotrpica? ccc cfc 99 SOLUBILIDADE DO CARBONO NO FERRO Apesar da clula unitria CCC apresentar diversas posies intersticiais, a solubilidade de carbono no Fe maior em clulas CFC, pois as mesmas concentram o espao vazio da clula, nas posies intersticiais octadricas. 100 SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS (TIPOS) SUBSTITUCIONAL ORDENADA SUBSTITUCIONAL DESORDENADA 101 As solues slidas substitucionais formam-se mais facilmente quando o elemento de liga (impureza) e matriz apresentam estrutura cristalina e dimenses eletrnicas semelhantes SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS FATORES QUE DETERMINAM A FORMAO DE SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS Raio atmico deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso contrrio pode promover distores na rede e assim formao de nova fase Estrutura cristalina mesma