Lezione 4

Il transistor

1
 Un po’ di storia
• Nel 1947, Bardeen, Brattain e Schockley, tre
scienziati americani (due fisici e un
ingegnere) che lavoravano ai Bell
Laboratories dimostrarono
sperimentalmente un nuovo componente
elettronico, e lo chiamarono transistor.
• Dieci anni dopo, nel 1956, i tre ricevettero il
premio Nobel per la fisica
• L’invenzione del transistor ha posto le basi
per gran parte degli strumenti che oggi
consideriamo normali. Computer,
smartphone, tablet, internet non
esisterebbero se non fosse stato per questa
scoperta!

2
Dalla giunzione p-n al transistor
• Partiamo da una giunzione p-n e,
all’interno della regione p,
impiantiamo degli atomi di
fosforo in maniera che la
concetrazione di elettroni risulti
maggiore di quella di lacune
• Ovvero nella regione p, creiamo
una nuova regione con
drogaggio di tipo n
• Osserviamo di nuovo la struttura
realizzata lungo il profilo x’-x

3
 Il transistor npn
• Incontrimo tre regioni distinte , a partire
dalla superficie.
• Una regione di tipo n con concentrazioni
di elettroni molto elevata,
• Una regione di tipo p, con concentrazioni
di lacune inferiore agli elettroni della
prima zona
• Una regione finale con concentrazione di
elettroni ancora più bassa
• La sequenza del tipo di drogante definisce
il nome n-p-n
• Esiste ovviamente anche il transistor p-n-p Profilo di drogaggio di un transistor npn

4
Una vista schematica del transistor npn
La regione di base si trova al centro del
dispositivo ed è quella a drogaggio
intermedio

La regione di emettitore si trova in La regione di collettore si trova alla

superificie ed è quella a drogaggio più fine ed è quella a drogaggio più basso
elevato

5
 Simboli circuitali del transistor

C: collettore B: base E: emettitore

Il simbolo ci indica la direzione della corrente di emettitore, uscente per il transistor npn,
entrante per il transistor pnp.
Così come abbiamo fatto per il diodo, anche per il transistor ci accontenteremo di una
trattazione fenomenologica assai semplificata 6
L’effetto transistor
• Se osserviamo la struttura di un transistor, ci
accorgiamo che esso è formato da due giunzioni p-n
contrapposte.
• Dal momento che ciascuna giunzione lascia passare
corrente da anodo a catodo, questa semplice
considerazione ci porterebbe a concludere che in un
transistor la corrente che fluisce da collettore ad
emettitore è sempre zero
• Gli inventori del transistor scoprirono che, se la
regione di base è sottile, ovvero se collettore ed
emettitore sono “più vicini”, iniettando una corrente
nella regione di base era possibile controllare la
corrente che fluiva tra collettore ed emettitore.
• E’ il cosiddetto effetto transistor, ovvero il transistor
consente di variare la corrente di collettore in
funzione della corrente iniettata nella basa

7
L’effetto transistor
• Il transistor è capace di controllare la corrente che fluisce tra i terminali di
collettore ed emettitore attraverso la corrente iniettata nel terminale di
base (o estratta nel caso del transistor pnp)
• In altre parole possiamo considerare il transistor come un generatore di
corrente controllato in corrente

• Questa proprietà rende il transistor il componente ideale per realizzare

circuiti amplificatori!

• Prima però dobbiamo approfondire alcuni concetti riguardo il

comportamento di questo nuovo dispositivo a tre terminali

8
Caratteristiche I-V del transistor
• Colleghiamo due batterie ad un
transistor, la prima tra base ed
emettitore e la seconda tra
collettore ed emettitore.
Quest’ultimo nodo sia collegato a
massa.
• Fissata la tensione tra base ed
emettitore VBE facciamo variare la
VCE tra 0 ed una tensione positiva,
ad esempio 10V.
• Misuriamo, con un amperometro,
la corrente di collettore.

9
Caratteristiche di uscita
• Ripetiamo l’operazione per differenti valori di saturazione
VBE e riportiamo su un grafico l’andamento di IC regione attiva
IC al variare di VCE nei vari casi IC4
VBE4
• Dal nostro esperimento notiamo che: IC3
• Se VBE<0.6V IC=0. Il transistor si dice interdetto VBE3
IC2
• Quando VBE>0.6 distinguiamo due regioni, una in VBE2
cui la corrente è costante che chiameremo regione IC1
attiva ed una regione in cui IC varia molto in VBE1
funzione di VCE che chiameremo regione di
saturazione VCESAT 0.2V VCE
• In regione attiva le caratteristiche IC-VCE
assomigliano a quelle di un generatore di
corrente ideale!
10
Le regioni di funzionamento di un transistor
Giunzione base-emettitore Giunzione base-collettore
Regione di interdizione inversa -
Regione di saturazione diretta diretta
Regione attiva diretta inversa

• Dal momento che il nostro interesse risiede nel funzionamento del transistor come
generatore di corrente controllato, dobbiamo studiare dei modi possibili di garantire il suo
funzionamento nella regione attiva!

• Per un transistor che funziona in regione attiva si osserva che:

• VBE è approssimativamente pari a 0.7V

• IC è proporzionale a IB. Il fattore di proporzionalità viene chiamato bF.
11
La regione attiva: riepilogo
• In regione attiva la giunzione base-emettitore è polarizzata direttamente.
Analogamente a quanto fatto per il diodo possiamo approssimare questa
condizione con una caduta di tensione pari VBE=0.7V
• Se un transistor è polarizzato in regione attiva vale il legame IC=bFIB
• Se consideriamo il transistor come un unico nodo, scrivendo un bilancio di
correnti si ha IE=IB+IC=(bF+1)IB. Sostituendo si ha IC=bF/(bF+1)IE. Possiamo
definire il rapporto tra IC e IE come aF=bF/(bF+1)
• Per un transistor comune il parametro bF può variare da 40 a 200 in
dipendenza dal tipo di transistor, dai drogaggi delle regioni di base, collettore
ed emettitore, della sua area etc.
• Studieremo quindi circuiti che consentano il funzionamento del transistor in
regione attiva

12
La polarizzazione del transistor
• Per imporre il funzionamento del transistor in regione attiva, e
prepararlo ad essere utilizzato come amplificatore di segnale, non è
possibile semplicemente collegare la batteria VBE=0.7V tra base ed
emettitore
• Così facendo, se pur ci garantiamo la polarizzazione in regione attiva,
vincoliamo il potenziale della base a 0.7V con un generatore ideale di
tensione.
• Il potenziale della base non potrà quindi più variare quando
utilizzaremo il transistor come amplificatore.
• Abbiamo quindi necessità di sviluppare un approccio differente
utilizzando generatori di tensione costanti (batterie) e resistenze.
13
 Polarizzazione con due resistenze
• I tre circuiti che vedete sono tutti equivalenti tra loro. Nel primo è
esplicitamente riportata la batteria che collega collettore ed emettitore.
Nel secondo ne è riportato solo il valore, vicino ad una freccia che punta in
alto, nel terzo viene eliminato anche il collegamento tra RB e RC ed
entrambe le resistenze puntano verso l’alto.
VCC VCC Utilizzeremo la
rappresentazione di questo
circuito. Ogni volta che
RB RC RB RC RB RC vedremo frecce rivolte verso
l’alto, significa che quel nodo è
IC IC IC collegato ad una batteria del
IB VCC IB IB
VCE VCE VCE valore VCC riferita a massa.
VBE VBE VBE Questa notazione è più
compatta e ci consente di
concentrarci sui componenti
del circuito e non sui
collegamenti. 14
Polarizzazione con due resistenze
• Ogni qualvolta si studia la polarizzazione di un VCC
circuito a transistor, prima di iniziare si ipotizza il suo
funzionamento in regione attiva.
• Si impongono quindi le condizioni VBE=0.7V e IC=bFIB. RB RC
• Si svolgono quindi tutti i conti scrivendo le equazioni
IC
di Kirchhoff e calcolando le correnti in tutti I rami e i IB
potenziali in tutti i nodi. VCE
• Si verifica, a posteriori, che la giunzione base- VBE
emettitore sia polarizzata direttamente e quella base-
collettore invece inversamente.
• Dal momento che conosciamo il valore della
differenza di potenziale VBE, conviene scrivere prima
l’equazione alla maglia che contiene quest’ultima
15
Polarizzazione con due resistenze
• Dal momento che conosciamo il valore della VCC
differenza di potenziale VBE, conviene scrivere prima
la LKT alla maglia che contiene quest’ultima,
partendo da VCC ed arrivando alla massa. RB RC

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 IC
IB
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 0.7 VCE
𝑉𝐶𝐶 − 0.7 VBE
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Noto quindi il valore di VCC e RB, siamo in grado di
determinare IB.
16
 Polarizzazione con due resistenze
VCC
• Avendo ipotizzato il transistor in regione attiva di
funzionamento, vale la relazione IC=bFIB, per cui
RB RC
𝑉𝐶𝐶 − 0.7
𝐼𝐶 = 𝛽𝐹 IC
𝑅𝐵 IB
VCE
• Possiamo infine valutare la corrente di emettitore VBE
IE
𝑉𝐶𝐶 − 0.7
𝐼𝐸 = 𝛼𝐹 𝐼𝐶 = 𝛽𝐹 + 1 𝐼𝐵 = 𝛽𝐹 + 1
𝑅𝐵
17
Polarizzazione con due resistenze
VCC
• Note le correnti di base, collettore ed emettitore,
scrivendo le leggi di Ohm sulle resistenze RB e RC
possiamo infine determinare il potenziale del
RB RC
collettore :
VC
𝑉𝐶𝐶 − 0.7 VB
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝛽𝐹 VCE
𝑅𝐵 VBE

• Possiamo infine verificare la nostra assunzione di partenza che il

transistor sia polarizzato in regione attiva, ovvero che la
gunzione base collettore sia polarizzata inversamente: 𝑉𝐶 > 𝑉𝐵
18
Commenti: analisi e dimensionamento
• La polarizzazione di un transistor può essere affrontata da due punti
di vista speculari:
• Ricavare, come abbiamo appena fatto, le correnti ai terminali del transistor ed
i potenziali ai suoi nodi supponendo noti i valori della tensione di
alimentazione VCC, delle resistenze e le proprietà del transistor (bF). Facendo
ciò stiamo analizzando il circuito.
• Assegnare il valore della corrente di collettore e, noti il valore della tensione
di alimentazione VCC e le propietà del transistor (bF), determinare il valore
delle resistenze. In questo caso stiamo dimensionando la rete di
polarizzazione.
• In entrambi i casi le equazioni sono le stesse, ma si scambiano i ruoli di
termini noti e incognite.
19
Polarizzazione con tre resistenze
VCC
• Invece di collegare la base del transistor
all’alimentazione utilizzando la resistenza RB dello
schema a due resistenze, in questo nuovo schema R1 RC
si utilizzano due resistenze R1 e R2 per
determinare il potenziale sulla base e la corrente IC
IB A
di base del transistor. VCE
• Come vedremo a breve, il funzionamento di
questo schema è analogo al precedente. R2
• Ci accorgiamo di ciò se applichiamo il teorema di B
Thevenin ai nodi A e B guardando il lato sinistro
del circuito nella direzione della freccia rossa

20
Equivalente di Thevenin
VCC VCC
I due circuiti sono equivalenti se si ha che
VB è equivalente alla tensione a circuito
R1 RC aperto, e RB è eqivalente alla resistenza RC
vista ai terminali A e B spegnendo I
IC generatori indipendenti: RB IC
IB A A IB
VCE VCE
𝑅2 VBE
R2
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 VB
𝑅1 + 𝑅2
B B
𝑅1 𝑅2
𝑅𝐵 = 𝑅1 ||𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
21
Esercizio: polarizzazione tra base e collettore

VCC

RC
• Studiare la polarizzazione del transistor nel RF
circuito qui rappresentato, considerato che IE
IB IC
VCC=15V, RC=5kOhm, RF=700kOhm VCB
VCE
VBE
• Per il transistor si consideri bF=100
Svolgimento
VCC
• Una maniera efficace e molto utilizzata di
polarizzare un transistor in regione attiva
consiste nel collegare base e collettore RC
attraverso una resistenza RF. RF
• Notiamo subito che la corrente che scorre nella IE
resistenza RC è data dalla somma della corrente IC
IB VCB
di base e della corrente di collettore, ovvero è VCE
pari alla corrente di emettitore IE.
VBE
• Scriviamo a questo punto la LKT partendo
dall’alimentazione verso la massa e, al solito
scegliamo la maglia in cui è presente la VBE
 Svolgimento
VCC

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐸 + 𝑅𝐹 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐵 𝛽𝐹 + 1 + 𝑅𝐹 𝐼𝐵 + 0.7 = 𝑅𝐶 𝛽𝐹 + 1 + 𝑅𝐹 𝐼𝐵 + 0.7 RC
RF
𝑉𝐶𝐶 − 0.7 IE
da cui 𝐼𝐵 =
𝑅𝐶 𝛽𝐹 + 1 + 𝑅𝐹 IB VCB
IC

VCE
Ricordando che VCC=15V, RC=5kOhm, RF=700kOhm e bF=100
VBE
15 − 0.7
𝐼𝐵 = = 11.8𝜇𝐴
5000 100 + 1 + 700000
Svolgimento
VCC

ancora 𝐼𝐸 = 𝛽𝐹 + 1 𝐼𝐵 = 101 ∙ 11.8 ∙ 10−6 = 1.19mA

RC
Possiamo quindi calcolare il potenziale sul terminale di
collettore: RF
VC
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐸 = 15 − 5000 ∙ 0.00119 = 6.075𝑉 VCB
e verificare che la giunzione base-collettore sia polarizzata VCE
inversamente, ovvero che VCB>0: VBE

𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 6.075 − 0.7 = 5.375𝑉

Polarizzazione con tre resistenze
VCC
• E’ assai comune polarizzare il transistor con
l’inserimento di una resistenza sul terminale di
emettitore RE:
RB RC
• Al solito scriviamo una LKV alla maglia di ingresso
VC
VB
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 VCE
VBE VE
RE
• Ricordando il legame che in regione attiva c’è tra corrente di
base e corrente di emettitore possiamo scrivere

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐵 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸 𝛽𝐹 + 1 𝐼𝐵 26
Polarizzazione con tre resistenze
VCC
• Da cui ricavare il valore di IB:

RC
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 RB
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽𝐹 + 1 VB
VC
VCE
• A partire da IB si possono ricavare IC e IE e di conseguenza i VBE VE
potenziali ai nodi di collettore, base ed emettitore.
RE
• Al solito, calcolati i potenziali ai capi del transistor bisogna
verificare che la giunzione base-collettore sia polarizzata
inversamente.
27
Polarizzazione con quattro resistenze
VCC
• Lo schema più completo è il cosiddetto schema di
polarizzazione a 4 resistenze. RC
R1
• Applicando la trasformazione di Thevenin tra i
nodi A e B lo si riconduce allo schema a tre IC
IB A
resistenze appena analizzato. VCE
• A partire da questo schema possiamo risalire agli IE
altri schemi di polarizzazione semplicemente R2
facendo tendere a zero o all’infinito RE ed R2. B RE

28
Esercizio
VCC
• Considerato lo schema a tre resistenze in cui
RB=900kohm, RC=3kohm e RE=150ohm, determinare il
punto di funzionamento del transistor (correnti e
potenziali ai terminali). RB RC
• Verificare che il transistor sia correttamente polarizzato
in regione attiva VC
• Si consideri VCC=10V ed inoltre, in regione attiva, VB
VBE=0.7V e BF=200.
VBE VE
RE
• Utilizzando il modello di transistor 2N2222 valutare il
punto di funzionamento (.op) con il simulatore LTSpice
e confrontare il risultato con quello ottenuto con carta e
penna.
29
Il transistor come amplificatore
• Sappiamo dunque configurare il transistor in circuiti che gli
consentono di funzionare in regione attiva. In tale regione sappiamo
che il transistor si comporta come generatore di corrente controllato.
• Dal momento che la corrente di collettore varia in funzione della
corrente di base, consideriamo il collettore (e di conseguenza
l’emettitore) come terminali di uscita, mentre la base sarà il nostro
terminale di controllo.
• Proviamo quindi a vedere se il transistor consente di amplificare
segnali posti sul terminale di controllo

30
Un po’ di nomenclatura
• Useremo lettere maiuscole per indicare tensioni e correnti continue
• Useremo lettere minuscole per indicare tensioni e correnti variabili
• Utilizzeremo pedici maiuscoli se la grandezza considerata ha valore medio
diverso da zero
• Utilizzeremo pedici minuscoli se la grandezza considerta ha valor medio
nullo
• Ad esempio VBE indica la tensione continua tra base ed emettitore
• Ad esempio vBE indica la tensione variabile tra base ed emettitore ed ha
valor medio diverso da zero
• Infine vbe indica la tensione variabile e a valor medio nullo sul terminale di
emettitore. Si ha ovviamente vBE=VBE+vbe
31
Il transistor come amplificatore
• Per semplicita supponiamo che la polarizzazione VCC
in regione attiva venga fatta attraverso una
batteria VBE. Vederemo poi come estendere il
discorso al transistor polarizzato dai circuiti che RC
abbiamo appena analizzato
IC
• Sommiamo alla tensione di polarizzazione VBE RB
una componente di segnale a media nulla vbe(t) VCE
vbe(t)
• Utilizziamo il metodo grafico sovrapponendo alle
caratteristiche di uscita del transistor la retta di VBE
carico di RC (ribaltata rispetto all’asse delle
ascisse e traslata di VCC)
Il transistor come amplificatore
• Se un transistor è polarizzato in regione attiva, sappiamo che la
corrente di collettore consiste in una versione amplificata della
corrente di base e abbiamo chiamato bF il fattore di proporzionalità.
• Sappiamo anche che in una giunzione p-n polarizzata direttamente
la corrente è legata all’esponenziale della tensione. Cio vale anche
per la giunzione base-emettitore. Di conseguenza anche la corrente
di collettore è legata all’esponenziale della tensione vBE

𝑣𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸 +𝑣𝑏𝑒 𝑉𝐵𝐸 𝑣𝑏𝑒

𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑡 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑡 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑡 𝑒 𝑉𝑡
Il transistor come amplificatore
𝑉𝐵𝐸 𝑣𝑏𝑒
𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑡 𝑒 𝑉𝑡

• Quindi, se al transistor applpichiamo una tensione somma di una

tensione continua (la polarizzazione) ed una variabile a media nulla
(il segnale), la corrente di collettore è legata in maniera esponenziale
al nostro segnale. Il transistor non è, in generale, un generatore
lineare di corrente controllato in tensione.
• Fortunatamente, in alcune ipotesi, esso può essere approssimato
come generatore lineare.
Modello a piccolo segnale del transistor
• Per poter studiare il comportamento del transistor quando esso viene
sollecitato da segnali variabili bisogna restringere il campo della
nostra analisi
• Nei casi di nostri interesse ipotizzeremo che sia sempre verificata la
condizione vbe(t)<<VBE
• Stiamo dicendo che il segnale che vogliamo amplificare non modifica
in maniera consistente la polarizzazione del transistor
• Questa condizione viene indicata solitamente come condizione (o
ipotesi) di segnale piccolo
Ipotesi di piccolo segnale
𝑉𝐵𝐸 𝑣𝑏𝑒 𝑉𝐵𝐸
𝑣𝑏𝑒
𝑖𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑡 𝑒 𝑉𝑡 ≅ 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑡 1+
𝑉𝑡 𝑔𝑚
𝑉𝐵𝐸
𝑣𝑏𝑒 𝐼𝐶
𝐼𝐶 + 𝑖𝑐 ≅ 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑡 1+ = 𝐼𝐶 + 𝑣𝑏𝑒
𝑉𝑡 𝑉𝑡

• Se la variazione della tensione tra base ed emettitore è molto

minore della tensione di polarizzazione, possiamo linearizzare la
funzione esponenziale arrestandoci al primo ordine (𝑒 𝑥 ≅ 1 + 𝑥)
• Si vede dunque che, in ipotesi di piccolo segnale, il transistor
risponde linearmente, ad una somma di ingressi restituisce la
somma delle uscite!
Ipotesi di piccolo segnale
𝐼𝐶
𝑖𝑐 = 𝑣𝑏𝑒 = 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒
𝑉𝑡
𝑖𝑐 𝑔𝑚 𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑏𝑒 𝛽𝐹 𝑉𝑡 𝛽𝐹 𝑉𝑡
𝑖𝑏 = = = 𝑟𝜋 = = =
𝛽𝐹 𝛽𝐹 𝑟𝜋 𝑔𝑚 𝐼𝐶 𝐼𝐵
• Quindi, nell’ipotesi di piccolo segnale, un transistor eroga una
corrente di collettore proporzionale alle variazioni della tensione
base-emetittore ed assorbe nel terminale di base una corrente (più
piccola) legata linearmente alle variazioni della tensione applicata tra
base ed emettitore.
 Modelli a piccolo segnale del transistor
ib ic ic
B C C

vbe r g m  vbe g m  vbe

N
ib
B
ie
E
vbe re
• Se è verificata la ipotesi di piccolo segnale, il transistor può
essere approssimato da un modello circuitale lineare a tre E
ie
terminali. Ne esistono due versioni, denominate modello a  e
modello a T.
• Tra collettore ed emettitore troviamo un generatore di corrente
controllato dalla tensione vbe attraverso un parametro gm che
chiameremo transconduttanza del transistor
 Modello a 
ib ic
B C

vbe r g m  vbe
N
ie
E

• I parametri r e gm vengono detti parametri differenziali del transistor e sono

legati alla sua polarizzazione
𝐼𝐶 𝑉𝑡 𝐼𝐶 𝑉𝑡 𝐼𝐶
𝑔𝑚 = 𝑟𝜋 = 𝑔𝑚 𝑟𝜋 = = = 𝛽𝐹
𝑉𝑡 𝐼𝐵 𝑉𝑡 𝐼𝐵 𝐼𝐵
 Circuito equivalente a piccolo segnale
RC
B ib ic C RC
ic
C
ib B vbe(t)
vbe r g m  vbe
vbe(t)
E
ie ie
E

• Se consideriamo il circuito da cui siamo partiti nella sua versione

valida per le sole componenti variabili, in ipotesi di piccolo segnale,
possiamo sostituire al transistor il suo modello lineare
Il metodo grafico
IC

VCC
iC(t) RC vBE(t)
I1 P1 VBE +Vp
I*C VBE vbe (t ) = V p sent
I2 P2 VBE -Vp
I2 I1 VBE +Vp VBE -Vp

V*CE VCC VCE

• Dal momento che stiamo variando il potenziale vBE, varierà di conseguenza

la corrente iC che scorre nel transistor. Le intersezioni P1 e P2 proiettate
sull’asse delle ascisse indicheranno la tensione di uscita
 Il transistor come amplificatore
RC RC RC

iC VCC I C* VCC ic

vbe(t) vbe(t)

VBE VBE

• Lo studio di un circuito a transistor si può scomporre in due fasi. Dapprima

lo studio della polarizzazione per determinare I valori medi delle correnti,
successivamente lo studio delle sole componenti variabili 42
Come si costruisce il circuiti equivalente a
piccolo segnale
• A partire dal circuito che dobbiamo studiare
1. Si studia la polarizzazione e si calcolano i parametri differenziali.
2. I generatori costanti di tensione (l’alimentazione) vengono sostituiti con dei
corto-circuiti. Questo è giustificato dal fatto che I generatori continui non
variano il proprio potenziale, ovvero sono equivalenti alla massa quando
siamo interessati a studiare solo le variazioni (matematicamente, la derivata
di una grandezza continua e nulla).
3. I generatori costanti di corrente sono sostituiti con dei circuiti aperti
4. Il transistor viene sostituito dal suo modello lineare. In generale preferiamo
utilizzare il modello a .
5. A questo punto il circuito da studiare si è ridotto ad una rete lineare e può
essere risolto con i metodi dell’elettrotecnica
43