Buku Petunjuk Praktikum Piranti Elektronika 1

PRAKTIKUM 6
BIPOLAR TRANSISTOR TESTER

1. TUJUAN
1. Untuk mengetahui secara nyata fungsi dari transistor, dengan pengetesan transistor
secara sederhana.
2. Untuk mempelajari tentang methode untuk mengetahui apakah transistor dapat
berfungsi atau tidak.

2. TINJAUN TEORI
Ciri-ciri Bipolar Junction Transistor DC dapat di perkirakan atau dilihat pada dasar
dari gerak charge carrier junction. Dengan emitor junction forward bias dan kolektor
junction revers bias. Dalam keadaan yang disebut normal operation, carrier mation
dari suatu p-n-p transistor seperti ditunjukkan di dalam simbolik diagram pada
Gambar 6.1. Arus emitor IE (negatif di dalam n-p-n transistor) terdiri dari elektron
yang berasal dari n-p junction dan hole darj basis. Untuk menghasilkan suatu bentuk
transistor, basis didoping agak ringan. efisiensi emitor (gamma) hampir penuh, dan
sebagian besar dari arus terdiri dari elektron yang berasal dari emitor. Beberapa dari
elektron dikombinasikan kembali dengan hole dalam p-tipe basis, tetapi basis sangat
sempit, jadi sebagian besar dari elektron (minority carriers di dalam daerah p) berdifusi
dari antara basis dan kolektor junction. Faktor α (alpha) berubah dari 0.90 ke 0.999.
Untuk memikirkan hal ini, dari transistor yang dilukiskan diatas akan membantu anda
untuk mengerti. Ini akan membantu untuk mengecek dengan cepat apakah suatu low-
power bipolar transistor atau diode dapat berfungsi atau tidak. Untuk suatu bipolar
transistor, jawaban dari tiga pernyataan berikut akan segera diketahui :
i. Apakah kedua junction sempurna?
ii. Apakah leakage current ICEO pada temperaturkamar ?
iii. Apakah yang disebut current gain hFE ?

Prodi Teknik elektronika-PENS 6-1

 Buku Petunjuk Praktikum Piranti Elektronika 1

Gambar 6.1. Carrier Motion Dalam Operasi Normal Dari NPN Transistor

Konfigurasi rangkaian yang digunakan untuk mendapatkan leakage current ICBO

dan ICEO. Untuk suatu npn bipolar transistor terlihat dalam Gambar 6.2. Pabrik biasanya
melengkapi harga-harga dari I CBO dan hFE pada 20 oC pada harga ICEO dapat dihitung.
Apabila, untuk suatu contoh untuk low-power germanium bipolar transistor pada 20 oC
ICBO adalah 3 µA dan hFE = 100, ICEO = 300 µA. Leakage current ini kira-kira akan dua kali
besarnya (dalam hal ini untuk germanium) untuk setiap kenaikan temperatur 10 0C.
Untuk silikon bipolar transistor dengan pemakaian kapasitas power yang sama. ICEO
mungkin 1 µA dan perubahan ini tidak banyak berarti untuk setiap kenaikan
temperatur 10 0C.

Gambar 6.2. Konfigurasi Rangkaian ICBO Dan ICEO Untuk Transistor NPN

Marilah kita menyelidiki perencanaan dan rangkaian transistor tester (Gambar

6.3), dimana baterei dihubungkan untuk mengetes suatu piranti pnp. Hubungkan
baterei akan dibutuhkan. SI dan S2 adalah press-button switch yang mana akan
tertutup apabila ditekan. Suatu pnp transistor kita petakkan pada soket. Dengan
switch S3 dalam posisi ICEO, jika switch S1 ditekan, meter akan terbaca/menunjukkan

Prodi Teknik elektronika-PENS 6-2

 Buku Petunjuk Praktikum Piranti Elektronika 1

kira-kira I mA, transistor akan sia-sia karena E dan C pada hakekatnya dihubungkan
pendek yang oleh karena itu junction kolektor basis akan rusak (catatan bahwa total
resistance dalam rangkaian = 5,6 kΩ + 330 kΩ ≈ 6 kΩ, jadi arus = 6 /6000 = I mA).
Tetapi, jika junction kolektor-basis dari suatu transistor adalah sempuma. hanya
leakage current yang kecil akan dipilih bila S1 ditutup dan leakage current yang
sebenamya dapat juga diukur bila S2 ditutup karena baterei 6 volt dihubungkan seperti
yang ditunjukkan dalam Gambar 6.3. ICEO untuk suatu germanium bipolar transistor
diharapkan lebih kecil dari 400 µA padahal suatu silikon transistor tidak akan dapat
diketahui. Ketika S1 clan S2 di tekan dan ICEO ditentukan, leakage current dari
germanium transistor dapat terlihat naik apabila temperatur naik, sebagai contoh,
dengan menaruh jari transistor untuk silikon device. leakage current tidak tcrdeteksi.
Pada pengetesan Ieakage terlihat bahwa transistor tersebut memuaskan. switch
S3 dipindah ke posisi hFE. Meter sekarang ditempatkan I diukur 20 mA dan aru mengalir
dalam transistor basis Ib ini diherikan 6/150 x 103 A = 40 µA. karena daya disipasi
junction emitor-basis tidak perlu diperhatikan, jika S1 dan S2 ditekan, meter akan
membaca arus dari transistor. hFE = Ic/Ib, = 10 mA 40 µA = 250.

Gambar 6.3.
Bipolar Transistor Tester Ma Adalah Satuan Millimeter
Dengan Pusat Nol Pada Skala Terbaca 2-0-2 Ma

Prodi Teknik elektronika-PENS 6-3

 Buku Petunjuk Praktikum Piranti Elektronika 1

3. PERALATAN DAN BAHAN

1. DC Power supply (1 buah)
2. Miliamperemeter (2 buah)
3. Voltmeter (1 buah)
4. Resistor
5 . Transistor untuk dites

4. PROSEDUR

Gambar 6.4. Rangkaian Untuk Mengetes ICEO

a. Pengukuran ICEO
1. Buat rangkaian seperti yang ditunjukkan dalam Gambar 6.4 tanpa transistor.
yakinkan terlebih dahulu power dalam keadaan off.
2. Range dari meter: Voltmeter = 10 Volt
Ammeter = 200 mA
3. Hidupkan power switch ke ON.
4. Tentukan output voltmeter ke nol.
5. Letakkan Transistor untuk dites
6. Tentukan output Voltage ke 6 volt.
7. Ukur perubahan arus dengan merubah range dari pada Ammeter.
8. Jika arus yang diukur sangat kecil, tahanan 5.6 kΩ di short dan ukur ICEO.

Prodi Teknik elektronika-PENS 6-4

 Buku Petunjuk Praktikum Piranti Elektronika 1

Gambar 6.5. Rangkaian Untuk Mengetes Hfe

b. Pengukuran hFE
1. Buat rangkaian seperti Gambar 6.5 tanpa transistor, yakinkan bahwa power
switch dalam posisi OFF.
2. Lakukan percobaan dengan langkah yang sama dimulai dari a-2 sampai a-7
kemudian anda akan mendapat IC.
3. Ringkaslah hasil percobaan dalam form seperti Tabel 6.1 dan tentukan bahwa
transistor berfungsi atau tidak.
Tabel 6.1. Tabel Untuk Meringkas Data
Nama Transistor ICEO IC Ib ICBO hFE Berfungsi/Tidak
2 SC 828
2SC 535
2SC733
2SC829

5. PERTANYAAN
1. Uraikan untuk masing-masing transistor bahwa kerusakan macam apa yang dapat
terjadi dari hasil percobaan. Juga jelaskan alasannya.
2. Kenapa basis menjadi sempit untuk BJT (a bipolar junction transistor).
3. Jelaskan bagaimana penguatan dan penyambungan yang dicapai transistor.

Prodi Teknik elektronika-PENS 6-5