Pertemuan - 5 - BJT (Contd)

hendroagungs.blogspot.
com
3/18/2014
ELEKTRONIKA DASAR
Pertemuan Ke-5
Bipolar Junction Transistor (Contd.)
ALFITH, S.Pd,M.Pd
1
BJT sebagai Penguat dan sebagai Saklar
Pemakaian BJT:
◦ sebagai penguat:
 BJT bekerja pada mode aktif.
 BJT berperan sebagai sebuah sumber arus yang dikendalikan
oleh tegangan (VCCS).
 Perubahan pada tegangan base-emitter,vBE, akan
menyebabkan perubahan pada arus collector, iC.
 BJT dipakai untuk membuat sebuah penguatan
transkonduktansi.
 Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan melalukan arus
collector ke sebuah resistansi, RC.
 Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi
bias, dan sinyal akan ditumpangkan pada tegangan bias dan
sinyal yang akan diperkuat harus dijaga tetap kecil
◦ sebagai saklar
 BJT bekerja pada mode cutoff dan mode jenuh
1
hendroagungs.blogspot.com
3/18/2014
Cara kerja sinyal besar – Karakteristik Transfer
Gambar 26. (a) Rangkaian dasar penguat common – emitter

(b) Karakteristik transfer dari rangkaian (a)
Rangkaian dasar penguat common-emitter terlihat pada gambar 26.

◦ Tegangan masukan total vI (bias + sinyal) dipasang di antara base
dan emitter (ground)
◦ Tegangan keluaran total vO (bias + sinyal) diambil di antara
collector dan emitter (ground)
◦ Resistor RC mempunyai 2 fungsi:
 Untuk menentukan bias yang diinginkan pada collector
 Mengubah arus collector, iC, menjadi tegangan keluaran vOC atau
vO
◦ Tegangan catu VCC diperlukan untuk memberi bias pada BJT dan
untuk mencatu daya yang diperlukan untuk kerja penguat.
Karakteristik transfer tegangan dari rangkaian CE terlihat pada

gambar 26(b).
vO = vCE = VCC – RCiC
vI = vBE < 0,5 V → transistor cutoff.

0 < vI < 0,5 V, iC kecil sekali, dan vO akan sama dengan tegangan
catu VCC (segmen XY pada kurva)
2
3/18/2014
vI > 0,5 V → transistor mulai aktif, iC naik, vO turun.

Nilai awal vO tinggi, BJT bekerja pada mode aktif yang
menyebabkan penurunan yang tajam pada kurva karakteristik
transfer tegangan (segmen YZ), Pada segmen ini:
iC  I S e v EB V T
 I S e v I V T
v O  V CC  R C I S e v I V T
Mode aktif berakhir ketika vO = vCE turun sampai 0,4 V di bawah

tegangan base (vBE atau vI) → CBJ ‘on’ dan transistor memasuki
mode jenuh (lihat titik Z pada kurva).
Pada daerah jenuh kenaikan vBE menyebabkan vCE turun sedikit
saja. vCE = VCEsat berkisar antara 0,1 – 0,2 V. ICsat juga konstan
pada harga:
I 
V CC  V CEsat
Csat
R C
Pada daerah jenuh, BJT menunjukkan resistansi yang rendah,

RCEsat antara collector dan emitter. Jadi ada jalur yang mempunyai
resistansi rendah antara collector dan ground, sehingga dapat
dianggap sebagai saklar tertutup.
5
Sedangkan ketika BJT dalam keadaan cut off, arus sangat kecil
(idealnya nol), jadi beraksi seperti saklar terbuka, memutus
hubungan antara collector dan ground.
Jadi keadaan saklar ditentukan oleh harga tegangan kendali vBE.
Penguatan Penguat.
Agar BJT bekerja sebagai penguat, maka harus diberi bias pada
daerah aktif yang ditentukan oleh tegangan dc base – emitter VBE
dan tegangan dc collector – emitter VCE. Arus collector IC pada
keadaanI ini:
C  IS e V V BE T
V CE  V CC  R C I C
Jika sinyal vi akan diperkuat, sinyal ini ditumpangkan pada VBE

dan harus dijaga kecil (lihat gambar 26(b)) agar tetap pada
segmen yang linier dari kurva transfer di sekitar titik bias Q.
Koefiesin arah dari segmen linier ini sama dengan penguatan
tegangan dari penguat untuk sinyal kecil di sekitar titik Q.
6
3
3/18/2014
Penguatan sinyal kecil Av:

v O  V CC  R C I S e v i V T
dv
A v  O
dv I v  V
I BE
1
A v   I S e V BE V T
R C
V T
I R V
A v   C C
  RC
V T V T
V RC  V CC  V CE
Perhatikan:
• penguat CE: inverting, artinya sinyal keluaran berbeda 180°
dengan sinyal masukan.
• peguatan tegangan dari penguat CE adalah perbandingan
antara penurunan tegangan pada RC dengan tegangan termal VT.
• untuk memaksimumkan penguatan tegangan, penurunan
tegangan pada RC harus sebesar mungkin, artinya untuk harga
VCC tertentu penguatan harus bekerja pada VCE yang lebih rendah.
• pada gambar 26(b) terlihat, jika VCE lebih rendah → titik bias Q
dekat pada ujung daerah aktif, → tidak mempunyai ruang yang
cukup untuk simpangan negatif tegangan keluaran tanpa penguat
memasuki daerah jenuh → puncak negatif dari gelombang vO
akan terpotong. jadi diperlukan ruang yang cukup untuk
simpangan sinyal keluaran yang menentukan posisi yang efektif
untuk titik bias Q pada segmen daerah aktif YZ.
• jika Q ditempatkan pada posisi yang terlalu tinggi pada segmen
ini, tidak hanya akan mengurangi penguatan tapi juga membatasi
simpangan positif dari sinyal keluaran. Pada sisi positif,
pembatasan ini ditentukan oleh BJT memasuki cut off, pada
keadaan ini puncak positif akan terpotong pada level VCC. Secara
teoritis penguatan maksimum Av diperoleh dengan mem-bias BJT
pada ujung keadaan jenuh, tetapi tidak akan mempunyai ruang
untuk simpangan sinyal negatif.
V  V
A v   CC CEsat
V T
V
A v   CC
V T
8
4
3/18/2014
Contoh soal 2
Sebuah rangkaian CE menggunakan sebuah BJT yang
mempunyai IS = 10-15 A, sebuah resistansi collector RC = 6,8
kΩ dan catu daya VCC = 10 V.
a. Tentukan harga tegangan bias VBE yang diperlukan untuk
mengoperasikan transistor pada VCE = 3,2 V. Berapakah harga
IC nya?
b. Carilah penguatan tegangan Av pada titik bias. Jika sebuah
sinyal masukan sinusoida dengan amplitudo 5 mV
ditumpangkan pada VBE, carilah amplitudo sinyal keluaran
sinusoida.
c. Carilah kenaikan positif vBE (di atas VBE) yang mendorong
transistor ke daerah jenuh, dimana vCE= 0,3 V.
d. Carilah kenaikan negatif vBE yang mendorong transistor ke
daerah 1% cut off (vO = 0,99 VCC)
Jawab:I C 
V CC  V CE
a. R C
10  3 ,2
  1 mA
6 ,8
 3  15
1  10  10 e V BE V T
V BE  690 , 8 mV
9
b. V  V
A v   CC CE
V T
10  3 ,2
    272 V/V
0 , 025

V o  272  0 , 005  1 , 36 V
c. Untuk vCE = 0,3 V

10  0 ,3
iC   1 , 617 mA
6 ,8
Untuk menaikkan iC dari 1 mA ke 1,617 mA, vBE harus

dinaikkan:
 1 , 617 
 v BE  V T ln  
 1 
 12 mV
10
5
3/18/2014
d. Untuk vo = 0,99 VCC = 9,9 V

10  9 ,9
iC   0 , 0147 mA
6 ,8
Untuk menurunkan iC dari 1 mA ke 0,0147 mA, vBE harus

diturunkan
 0 , 0147 
 v BE  V T ln  
 1 
  105 , 5 mV
Analisis Grafis
Gambar 27 Rangkaian yang akan dianalisa secara grafis
11
Perhatikan gambar 27 yang mirip dengan rangkaian terdahulu

hanya ada tambahan resitansi pada base, RB.
Gambar 28. Konstruksi grafis untuk menentukan arus dc base

pada rangkaian di gambar 27
Analisis grafis dilakukan sebagai berikut:
1. Tentukan titik bias dc; set vi = 0 dan gunakan cara seperti
pada gambar 27 untuk menentukan arus dc pada base IB.
2. Gunakan karakteristik iC–vCE seperti yang terlihat pada gambar
29. Titik kerja akan terletak pada kurva iC–vCE yang
mempunyai arus base yang diperoleh (iB = IB)
12
6
3/18/2014
Gambar 29. Konstruksi grafis untuk menentukan arus dc collector

IC dan tegangan collector–emitter VCE pada rangkaian pada gambar
27
vCE = VCC – iCRC
V CC 1
iC   v CE
R C R C
Hubungan di atas adalah hubungan linier yang digambarkan

dengan sebuah garis lurus seperti pada gambar 29. Garis ini
dikenal dengan garis beban.
13
Gambar 30 (a). Penentuan grafis komponen sinyal vbe dan ib ketika

komponen sinyal vi ditumpangkan pada tegangan dc VBB.
14
7
3/18/2014
Gambar 30 (b). Penentuan grafis komponen sinyal vce dan ic ketika

komponen sinyal vi ditumpangkan pada tegangan dc VBB.
15
Pengaruh letak titik bias pada simpangan sinyal
Gambar 31. Pengaruh lokasi titik bias pada simpangan sinyal
16
8
3/18/2014
Cara kerja sebagai saklar.
BJT bekerja sebagai saklar: gunakan mode cut off dan mode
jenuh.
Gambar 32: Rangkaian sederhana yang digunakan untuk

menunjukkan mode operasi yang berbeda dari BJT.
Harga masukan vI bervariasi.

vI < 0,5 V → iB = 0, iC = 0 dan vC = VCC → simpul C terputus dari
ground → saklar dalam keadaan terbuka.
vI > 0,5 V → transistor ‘on’. Pada kenyataannya agar arus
mengalir, vBE harus sama dengan 0,7 V, dan vI harus lebih 17
tinggi.
Arus base akan menjadi:

v  V
i B  I BE
R B
Dan arus collector menjadi:

iC = βiB
Persamaan ini hanya berlaku untuk daerah aktif artinya CBJ tidak
forward bias atau vC > vB – 0,4 V.
vC = VCC – RCiC
Jika vI naik, iB akan naik, dan iC akan naik juga, Akibatnya vCE akan
turun. Jika vCE turun sampai vB– 0,4V, transistor akan
V CC  0 ,3
meninggalkanI C ( EOS daerah
)  aktif
R C
dan memasuki daerah jenuh. Titik
‘edge-of-saturation’ (EOS) ini didefinisikan:
Dengan asumsi VBE ≈ 0,7 V dan
I
I  C ( EOS )
B ( EOS )

18
9
3/18/2014
Harga vI yang diperlukan untuk mendorong transistor ke EOS

dapat ditentukan dengan persamaan:
VI(EOS) = IB(EOS)RB + VBE
Menaikkan vI > VI(EOS) → menaikkan arus base yang akan

mendorong transistor ke daerah jenuh yang semakin dalam. VCE
akan sedikit menurun.
Asumsikan I untuk transistor
V CC  V CEsat dalam keadaan jenuh, VCEsat ≈ 0,2 V.
Arus collector akan tetap
R C konstan pada I
Csat
Csat
Memaksakan lebih banyak arus pada base mempunyai pengaruh
yang kecil pada ICEsat dan VCEsat. Pada keadaan ini saklar tertutup
dengan resistansi RCEsat yang rendah dan tegangan offset VCEsat
yang rendah.
Pada keadaan jenuh, transistor dapat dipaksa bekerja pada harga

β yang diinginkan.yang
I CEsat lebih rendah harga normal.
 forced 
I B
Perbandingan antara IB dan IB(EOS) disebut faktor ‘overdrive’

19
Contoh soal 3:
Transistor pada gambar 33 mempunyai β berkisar antara 50 –
150.
Carilah harga RB yang menyebabkan transistor pada keadaan
jenuh dengan faktor ‘overdrive’ lebih besar dari 10.
Gambar 33
Jawab:
Transistor dalam keadaan jenuh, tegangan collector:
VC = VCEsat ≈ 0,2 V
 10  0 ,2
Arus collector:
ICsat 
1
 9 , 8 mA
20
10
3/18/2014
Untuk membuat transistor jenuh dengan β yang paling rendah,

diperlukan arus base paling sedikit:
I 9 ,8
I  Csat
  0 , 196 mA
B ( EOS )
 min 50
Untuk faktor ‘overdrive’ = 10, arus base harus:

IB = 10 x 0,196 = 1,96 mA
Jadi RB yang diperlukan:

 5  0 ,7
 1 , 96
R B
4 ,3
R B   2 ,2 k 
1 , 94
21
Rangkaian BJT pada DC
Rangkaian BJT pada contoh-contoh soal berikut ini, hanya

tegangan DC yang akan dipasangkan.
Rangkaian-rangkaian ini akan menggunakan model sederhana di
mana |VBE| pada saat transistor ‘on’ sama dengan 0,7V dan |VCE|
pada saat transistor jenuh sama dengan 0,2 V, dan pengaruh
tegangan Early diabaikan.
Dalam menganalisa sebuah rangkaian, langkah pertama harus

menentukan pada mode apa transistor bekerja. Caranya:
• asumsikan transistor beroperasi pada mode aktif.
• tentukan harga-harga tegangan dan arus yang terkait.
• periksa apakah hasil-hasilnya memenuhi syarat mode aktif
yaitu vCB dari transistor npn > – 0,4 V (atau vCB dari transistor
pnp < 0,4 V).
• jika hasilnya memenuhi syarat itu, maka analisa selesai.
• jika tidak memenuhi syarat, asumsikan transistor bekerja pada
mode jenuh.
• tentukan tegangan dan arus
• periksa apakah hasilnya memenuhi syarat mode jenuh yaitu
22
dengan menghitung perbandingan IC/IB < β yang paling rendah.
11
3/18/2014
Contoh soal 4:
Perhatikan gambar 34(a) dan 34(b). Analisa rangkaian ini untuk

menentukan tegangan semua simpul dan arus pada semua
cabang. Asumsikan β = 100
Gambar 34 23
Jawab:
Asumsikan EBJ forward bias dengan tegangan VBE = 0,7V

VE = 4 – VBE ≈ 4 – 0,7 = 3,3 V
V  0 3 ,3
I E  E
  1 mA
R E 3 ,3
Asumsikan transistor dalam mode aktif.

IC = αIE
 100
    0 , 99
  1 101
I C  0 , 99  1  0 , 99 mA
VC = 10 – ICRC = 10 – 0,99 x 4,7 ≈ +5,3 V
Karena VB = 4 V, CBJ reverse biased dengan tegangan 1,3 V, jadi

transistor dalam mode
I
aktif.
1
I  E
  0 , 01 mA
B
  1 101
24
12
3/18/2014
Contoh soal 5:
Perhatikan rangkaian pada gambar 35(a).
Gambar 35
25
Tentukan tegangan pada semua simpul dan arus pada semua

cabang. Rangkaian pada gambar 35 identik dengan rangkaian
pada gambar 34, kecuali tegangan pada base = +6 V. Asumsikan
transistor mempunyai β terkecil = 50.
Jawab:
Asumsikan Vtransistor
  6 bekerja
V BE  pada
6  0mode
, 7  aktif
5 ,3 V
E
5 ,3
I E   1 , 6 mA
3 ,3
V C   10  4 ,7  I C  10  4 ,7  1 ,6  2 , 48 V
Karena tegangan collector 3,52 V lebih rendah dari tegangan

base, maka transistor tidak mungkin bekerja pada mode aktif.
Berarti transistor bekerja pada mode jenuh.
V E   6  V BE  6  0 ,7  5 ,3 V
5 ,3
I E   1 , 6 mA
3 ,3
V C  V E  V CEsat   5 ,3  0 ,2  5 ,5 V
26
13
3/18/2014
 10  5 .5
I C   0 , 96 mA
4 ,7
I B  I E  I C  1 , 6  0 , 96  0 , 64 mA
IC 0 , 96
 forced    1 ,5
IB 0 , 64
Karena βforced < βmin, maka transistor memang bekerja pada mode
jenuh.
Contoh soal 6:
Tentukan tegangan pada semua simpul dan arus pada semua
cabang pada rangkaian pada gambar 36.
Catatan: rangkaian ini identik dengan rangkaian pada contoh 4
dan contoh 5 kecuali tegangan base = 0 V.
Jawab:
Karena tegangan base = 0 dan emitter terhubung ke ground
melalui RE, maka EBJ tidak dapat ‘on’ dan arus emitter = 0. CBJ
juga tidak dapat ‘on’ karena collector jenis –n terhubung ke catu
daya positif melalui RC dan base jenis –p terhubung ke ground.
27
Jadi arus collector = 0. Arus base juga akan = 0, sehingga
transistor bekerja pada mode cutoff. Tegangan emitter = 0,
tegangan collector = +10 V, karena tidak ada penurunan tegangan
pada RC.
Gambar 36.
28
14
3/18/2014
Contoh soal 7:
Hitung tegangan di semua simpul dan arus di semua cabang pada

rangkaian pada gambar 37.
Gambar 37
29
Jawab:
Pada transistor pnp, base terhubung ke ground dan emitter
terhubung ke catu daya positif (V+ = +10 V) melalui RC. Jadi EBJ
forward biased dengan
VE =
I V
 EB = 0,7 V

V  V 10  0 ,7
E
E
 4 , 65 mA
R E 2
Karena collector terhubung pada catu daya negatif (lebih negatif

daripada tegangan base) melalui RC, maka dapat diasumsikan
transistor bekerja pada mode aktif.
IC = αIE
Asumsikan β = 100 → α = 0,99
IC = 0,99 x 4,65 = 4,6 mA

VC = V- + ICRC
= -10 + 4,6 x 1 = -5,4 V
Jadi CBJ reverse

IB  biased
IE
 dengan 5,6
4 , 65
0 , 05V →
mA transistor dalam mode
aktif.   1 101
30
15
3/18/2014
Contoh soal 8:
Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus pada

semua cabang. Asumsikan β = 100
Gambar 38
31
Jawab:
EBJ forward biased, jadi:
 5  V 5  0 ,7
I B  BE
  0 , 043 mA
R B 100
Asumsikan transistor bekerja pada daerah aktif:
IC = βIB = 100 x 0,043 = 4,3 mA

VC = +10 – ICRC = 10 – 4,3 x 2 = +1,4 V
VB = VBE = +0,7 V
Jadi CBJ reverse biased dengan tegangan 0,7 V → transistor

bekerja pada aktif
IE = (β+1)IB = 101 x 0,043 ≈ 4,3 mA
Catatan:
Harga β sangat berpengaruh pada harga IB.
Pada contoh soal 7, harga β tidak terlalu berpengaruh pada mode
kerja transistor.
Pada contoh soal 8, kenaikan β 10% akan menyebabkan
transistor memasuki mode jenuh. 32
Jadi dalam merancang rangkaian BJT harus diperhatikan agar

kinerja rangkaian diusahakan tidak terlalu sensitif terhadap harga
β.
16
3/18/2014
Contoh soal 9:

semua cabang. Harga β minimum = 30
Gambar 39.
33
Jawab:
Asumsikan transistor bekerja pada mode aktif dan abaikan arus
base: VB ≈ 0, VE ≈ +0,7 V, IE ≈ 4,3 mA.
Arus collector maksimum yang dapat menunjang transistor
bekerja pada daerah aktif ≈ 0,5 mA, ternyata transistor bekerja
pada mode jenuh.
Asumsikan transistor bekerja pada mode jenuh.

VE =VB + VEB ≈ VB + 0,7
 5  V 5  V  0 ,7
I E  E
 B
 4 ,3  V B mA
VC = VE – VECsat
1
≈ VB + 0,7 1– 0,2 = VB + 0,5
V
I B  B
 0 ,1 V B mA
10
V  (  5 ) V  0 ,5  5
I C  C
 B
 0 ,1 V B  0 , 55 mA
10 10
I E  I B  IC
4 ,3  V B  0 ,1 V B  0 ,1 V B  0 , 55
3 , 75
V B   3 , 13 V
1,2
34
17
3/18/2014
V E  3 , 83 V
V C  3 , 63 V
I E  1 , 17 mA
I C  0 , 86 mA
I B  0 , 31 mA
Jadi jelas transistor bekerja pada mode jenuh

0 , 86
 forced   2 ,8
0 , 31
βforced < β
35
Contoh soal 10:

Gambar 40 36
18
3/18/2014
Jawab:
Gunakan teori Thévenin untuk menyederhanakan rangkaian pada
base.
R 50
V   15 B 2
 15   5 V
 R  50
BB
R B 1 B 2 100
R BB  R B 1 // R B 2    100 // 50   33 ,3 k 
V BB  I B R BB  V BE  I E R E
I
I  E
B
  1
V BB  V
I  BE
R E  R   1 
E
BB
5  0 ,7
I   1 , 29 mA
E
3   33 , 3 101 
1 , 29
I B   0 , 0128 mA
101
V B  V BE  I E R E
 0 ,7  1 , 29  3  4 , 57 V
Asumsikan transistor bekerja pada mode aktif:
IC = αIE = 0,99 x 1,29 = 1,28 mA

VC = +15 – ICRC = 15 – 1,28 x 5 = 8,6 V
Jadi tegangan collector > 4,03 V dari tegangan base → transistor 37
bekerja pada mode aktif
Contoh soal 11:

38
Gambar 41
19
3/18/2014
Jawab:
Rangkaian ini identik dengan rangkaian pada contoh soal 10.
Perbedaannya ada transistor Q2 dengan RC2 dan RE2 nya.
Asumsikan transistor Q1 bekerja pada mode aktif.
VB1 = +4,57 V IE1 = 1,29 mA

IB1 = 0,0128 mA IC1 = 1,28 mA
Tegangan collector akan berbeda karena ada bagian dari arus

collector yang mengalir ke base Q2 (IB2).
Asumsikan IB2 << IC1 → arus yang mengalir melalui RC1 hampir
sama dengan IC1.
VC1 ≈ +15 – IC1RC1

= 15 – 1,28 x 5 = +8,6 V
Perhatikan transistor Q2, emitter terhubung pada +15V melalui

RE2. Jadi dapat diasumsikan
 15  V
EBJ Q152 akan forward biased. Jadi
 9 ,3
emitter Q2 akan
I E 2  mempunyaiE tegangan
 V .  2 , 85 mA
2
R 2 E2
E 2
39
VE2 = VC1 + VEB|Q2 ≈ 8,6 +0,7 = +9,3 V
Karena collector Q2 terhubung dengan ground melalui RC2,

asumsikan Q2 bekerja di mode aktif
IC2 = α2IE2
= 0,99 x 2,85 = 2,82 ( asumsikan β= 100)
VC2 = IC2RC2 = 2,82 x 2,7 = 7,62 V
Tegangan collector <0.98 V dari tegangan base.

Jadi transistor Q2 bekerja dengan mode aktif.
I 2 , 85
I  E 2
  0 , 028 mA
Pada tahap ini kita harus
 1 memperbaiki kesalahan yang muncul
B 2
2 101
karena mengabaikan IB2.
Jadi harga-harga baru yang diperoleh:
IRC1 = IC1 – IB2 = 1,28 – 0,028 = 1,252 mA

VC1 = 15 – 5 x 1,252 = 8,74 mA
VE2 I = 8,74

15 + 0,7
 9 ,=
44 9,44 V
 2 , 78 mA
E 2
2
40
20
3/18/2014
IC2 = 0,99 x 2,78 = 2,75 mA

VC2 = 2,75 x 2,7 = 7,43 V
2 , 78
I B 2   0 , 0275 mA
101
Pada contoh-contoh ini kita gunakan harga α yang presisi untuk

menghitung arus collector. Karena α ≈ 1, kesalahan akan kecil
jika diasumsikan α = 1 dan iC = iE. Oleh karena itu kita dapat
meng-asumsikan α =1, kecuali dalam perhitungan yang
tergantung dari harga α (misal penghitungan arus base)
41
Contoh soal 12:

Gambar 42
42
21
3/18/2014
Jawab:
Transistor Q1 dan Q2 tidak akan sama-sama ‘on’.
Jadi jika Q1 ‘on’ maka Q2 ‘off’, dan sebaliknya.
Asumsikan Q2 ‘on’. Arus akan mengalir dari ground melalui resistor

beban 1 kΩ ke emitter Q2. Jadi tegangan base Q2 akan negatif dan
arus base akan mengalir keluar dari base melalui resistor 10 kΩ
dan ke catu +5 V.
Keadaan ini tidak mungkin, karena jika tegangan base negatif,
arus pada resistor 10 kΩ akan mengalir ke arah base.
Jadi asumsi bahwa Q2 ‘on’ tidak benar → Q2 akan ‘off’ dan Q1 akan
‘on’
Pertanyaan berikutnya: apakah Q1 aktif atau jenuh.

Karena base dicatu oleh +5 V dan karena arus base mengalir ke
base Q1, maka tegangan base akan lebih rendah dari +5V.Jadi CBJ
Q1 reverse biased dan Q1 bekerja pada mode aktif.
Untuk menghitung tegangan dan arus, gunakan teknik yang telah
dipakai secara rinci. Hasilnya terlihat pada gambar 42(b).
43
Pemberian bias pada rangkaian BJT
Masalah pemberian bias berkaitan dengan:

• penentuan arus dc pada collector yang harus dapat dihitung,
diprediksi dan tidak sensitif terhadap perubahan suhu dan variasi
harga β yang cukup besar.
• penentuan lokasi titik kerja dc pada bidang iC – vCE yang
Contoh pemberian
memungkinkan bias yang
simpangan tidaktetap
sinyal baik linier.
Gambar 43. Pemberian bias pada BJT

(a) Menetapkan harga VBE yang tetap
(b) Menetapkan harga IB yang tetap
44
22
3/18/2014
Cara klasik pengaturan bias untuk rangkaian diskrit
Gambar 44. Cara klasik pemberian bias untuk BJT menggunakan

sebuah catu daya.
Gambar 44(b) menunjukkan rangkaian yang sama dengan

menggunakan
V BB  rangkaian
R 2
Vekivalen Thévenin-nya.
 R
CC
R 1 2
R R
R  1 2
 R
B
R 1 2
V  V
I  BB BE
E
R E  R B   1 
45
Untuk membuat IE tidak sensitif terhadap suhu dan variasi β,

rangkaian harus memenuhi dua syarat berikut:
V BB  V BE
R
R  B
E
  1
Untuk memenuhi persyaratan di atas.

• Sebagai ‘rule of thumb’, VBB ≈ ⅓ VCC, VCB (atau VCE) ≈ ⅓ VCC dan
ICRC ≈ ⅓ VCC
• Pilih R1 dan R2 sehingga arus yang melaluinya berkisar antara
0,1IE – IE.
Pada rangkaian pada gambar 44, RE memberikan umpan balik

negatif sehingga dapat men-stabil-kan arus dc emitter.
Jika IE ↑ → VRE dan VE ↑. Jika tegangan pada base hanya
ditentukan oleh pembagi tegangan R1, R2, yaitu bila RB kecil,
maka tegangan ini akan tetap konstan, sehingga jika VE ↑ → VBE ↓
→ IC (dan IE) ↓.
46
23
3/18/2014
Contoh soal 13:

Rancanglah rangkaian pada gambar 44 sehingga IE = 1 mA
dengan catu daya VCC = +12V. Transistor mempunyai harga
nominal β = 100.
Jawab:
Ikuti ‘rule of thumb’:
⅓ tegangan catu daya dialokasikan untuk tegangan pada R2, ⅓
lainnya untuk tegangan pada RC dan sisanya untuk simpangan
sinyal pada collector.
V 3 ,3
R  E
  3 ,3 k 
VB = E+4 V I E 1
VE = 4 – VBE ≈ 3,3 V
Pilih arus pada pembagi tegangan = 0,1IE = 0,1 x 1
= 0,1 mA
Abaikan arus base, jadi12
R 1  R 2   120 k 
0 ,1
R 2
V  4 V
 R
CC
R 1 2
Jadi R2 = 40 kΩ dan R1 = 80 kΩ
47
Pada tahap ini, dapat dihitung IE yang lebih akurat dengan

memperhatikan arus base yang tidak nol.
4  0 ,7
 
I E
3 ,3 ( k  ) 
 80 // 40 k   0 , 93 mA
101
Ternyata lebih kecil dari harga yang diinginkan. Untuk

mengembalikan IE ke harga yang diinginkan kurangi harga RE dari
3,3 kΩ dengan suku kedua dari penyebut (0,267 kΩ). Jadi harga
RE yang lebih tepat adalah RE = 3 kΩ yang akan menghasilkan IE
= 1,01 mA ≈ 1 mA.
Disain 2:
jika diinginkan untuk menarik arus yang lebih tinggi dari catu
daya dan resistansi masukan penguat yang lebih kecil, kita dapat
menggunakan I E  arus pada pembagi
4  0 ,7
 0 , 99 tegangan
 1 mA sama dengan IE
(yaitu 1 mA), maka 3 , 3 R 0 ,=
027 8 kΩ dan R = 4 kΩ
1 2
Pada disain ini harga RE tidak perlu diganti
48
24
3/18/2014
12  V
R C  C
I C
I C   I E  0 , 99  1  0 , 99 mA  1 mA
12  8
R C   4 k 
1
Cara klasik pengaturan bias dengan menggunakan dua catu daya
Gambar 45. Pemberian bias pada BJT dengan menggunakan dua

catu daya
49
V  V
I  EE BE
E
R E  R B   1 
Persamaan ini sama dengan persamaan sebelumnya hanya VEE

menggantikan VBB. Jadi kedua kendala tetap berlaku.
Jika base dihubungkan dengan ground (konfigurasi common-
base), maka RB dihilangkan sama sekali.
Sebaliknya, jika sinyal masukan dihubungkan pada base, maka RB
tetap diperlukan.
Pemberian bias dengan menggunakan resistor umpan balik

collector-ke-base.
Gambar 46(a) menunjukkan sebuah rancangan pemberian bias

yang sederhana tapi efektif yang cocok untuk penguat common-
emitter.
Resistor RB berperan sebagai umpan balik negatif, yang

membantu kestabilan titik bias dari BJT
50
25
3/18/2014
Gambar 46 Penguat common-emitter yang diberi bias dengan

resistor umpan balik RB.
V CC  I E R C  I B R B  V BE
I
 I R  E
R  V
E C
  1
B BE
V  V
I  CC BE
E
R C  R B   1 
Untuk mendapatkan IE yang tidak sensitif terhadap variasi β,

RB/(β+1) << RC. Harga RB menentukan simpangan sinyal yang
terdapat pada collector, karenaR
V  I R  I B
CB B B E
  1
51
Pemberian bias dengan menggunakan sumber arus
Gambar 47(a) Sebuah BJT diberi bias dengan sumber arus I.

(b) Implementasi rangkaian sumber arus I.
Rangkaian ini mempunyai keunggulan:

• yaitu arus emitter tidak tergantung dari harga β dan RB → RB
dapat dibuat besar → resistansi masukan pada base meningkat
tanpa mengganggu kestabilan bias.
• menyederhanakan rangkaian.
52
26
3/18/2014
Implementasi sederhana dari sumber arus konstan I, terlihat

pada gambar 47(b). Rangkaian menggunakan sepasang transistor
yang ‘matched’ Q1 dan Q2, dengan Q1 dihubungkan sebagai dioda
dengan menghubung – singkat collector dan base nya.
Jika diasumsikan Q1 dan Q2 mempunyai harga β yang tinggi, arus
base dapat diabaikan. Jadi arus melalui Q1 hampir sama dengan
IREF.
V CC    V EE   V BE
IREF 
R
Karena Q1 dan Q2 mempunyai VBE yang sama, arus collectornya

akan sama
V  V  V
I  I REF  CC EE BE
R
Dengan mengabaikan efek Early pada Q2, arus collector akan tetap
konstan selama Q2 tetap pada daerah aktif. Hal ini akan tetap
terjaga jika tegangan collector lebih tinggi dari tegangan base (-
VEE + VBE).
Hubungan Q1 dan Q2 seperti pada gambar 47(b) dikenal sebagai

‘current mirror’ 53
Cara kerja dan model sinyal kecil
Gambar 48 (a) Rangkaian konseptual untuk menunjukkan cara

kerja transistor sebagai penguat
(b) Rangkaian (a) tanpa sinyal vbe untuk analisa DC (bias)
EBJ diberi forward bias oleh sebuah batere VBE. CBJ diberi reverse
bias oleh catu daya DC VCC melalui resistor RC. Sinyal yang akan
diperkuat, vbe, ditumpangkan pada VBE.
Langkah pertama keadaan bias DC dengan men-set vbe sama

dengan nol. (Lihat gambar 48(b)) 54
27
3/18/2014
Hubungan antara arus dan tegangan DC:

I C  I S e V BE V T
I E  I C 
I B  I C 
V C  V CE  V CC  I C R C
Untuk bekerja pada mode aktif, VC harus lebih besar dari (VB –
0,4) dengan harga yang memungkinkan simpangan sinyal pada
collector,
Arus collector dan transkonduktansi.
Jika sinyal vbe dipasangkan seperti pada gambar 48(a) total

tegangan base – emitter vBE menjadi
vBE =VBE + v beV BE V T V  v 

IC  IS e  I e BE be V T
, S
 V BE  v 
Dan arus collector
 I menjadi: V V
S e e
T be T
55
iC  I C e v be V T
Jika vbe << VT maka:

 v 
iC  I C  1  be

 V T 
Persamaan (pendekatan) di atas hanya berlaku untuk vbe lebih

kecil dari 10 mV, dan ini dikenal dengan pendekatan sinyal kecil.
Maka arus collector total:
I
iC  I C  C
v be
V T
I
i c  C
v be
V T
i c  g m v be
v
g m  be
i c
gm disebut transkonduktansi
56
28
3/18/2014
Gambar 49.Cara kerja linier dari transistor dengan sinyal kecil
57
Transkonduktansi BJT sebanding dengan arus bias collector IC.

BJT mempunyai transkonduktansi yang cukup tinggi dibandingkan
dengan MOSFET, misal untuk IC = 1 mA, gm ≈ 40 mA/V
Interpretasi grafis gm dapat dilihat pada gambar 49, di mana gm

sama dengan kemiringan kurva karakteristik iC – vBE pada iC = IC
(titik bias Q). Jadi
 iC
g 
 v BE
m
i C  I C
Pendekatan sinyal kecil → amplitudo sinyal harus dijaga cukup

kecil → transistor bekerja pada daerah terbatas pada kurva iC – vBE
di mana segmen masih bisa dianggap linier.
Untuk sinyal kecil (vbe << VT), transistor berperan seperti sebuah
sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan (VCCS).
Terminal masukan VCCS : antara base dan emitter, terminal
keluaran di antara collector dan emitter.
Transkonduktansi dari VCCS ini: gm dan resistansi keluaran tidak
terhingga (untuk keadaan ideal). Pada kenyataannya BJT
mempunyai resistansi keluaran yang terbatas karena ada efek 58
Early.
29
3/18/2014
Arus base dan resistansi masukan pada base
Untuk menentukan resistansi masukan, pertama hitung total arus

base iB iC IC 1 IC
i    v
B
   V T
be
i B  I B  i b
I
I  C
B

1 I
i  C
v
b
 V T
be
I
g m  C
V T
g
i  m
v
b
 be
59
Resistansi masukan sinyal kecil antara base dan emitter, melihat ke

arah:base, disebutv rπ dan didefinisikan sebagai
r   be
i b

r  
g m
V
r   T
I B
jadi rπ berbanding lurus dengan β dan berbanding terbalik dengan

arus bias IC.
Arus emitter dan resistansi masukan pada emitter

i I i
Total arus emitter
iE  iC dapat
 C
ditentukan
 c
dari
E  
i E  I E  i e
I
I  C
E

i I I
i  c
 C
v  E
v
e
  V T
be
V T
be
60
30
3/18/2014
Resistansi masukan sinyal kecil antara base dan emitter, melihat ke

arah:emitter, disebut re atau resistansi emitter dan didefinisikan
sebagai
v
r e  be
i e
V
r e  T
I E
 1
r e  
g m g m
Hubungan antara rπ dan re dapat diperoleh dengan

mengkombinasikan definisinya masing-masing
vbe = ibrπ = iere
Jadi: rπ = (ie/ib)re
rπ = (β+1)re
61
Penguatan tegangan
Untuk mendapatkan tegangan sinyal keluaran, maka kita alirkan

arus collector melalui sebuah resistor. Total tegangan collector:
vC = VCC – iRRC
= VCC – (IC + ic)RC
= (VCC – ICRC) – icRC
= VC – icRC
VC adalah tegangan bias dc pada collector, dan tegangan sinyal

adalah:
vc = –icRC = –gmvbeRC
= (–gmvRcC)vbe
A V    g m R C
v be
Jadi penguatan tegangan dari penguat, Av adalah

gm sebanding dengan arus bias collector, jadi
I R
A v   C C
V T
62
31
3/18/2014
Memisahkan sinyal dengan harga-harga DC
Arus dan tegangan pada rangkaian penguat terdiri dari dua

komponen: komponen dc dan komponen sinyal.
Komponen DC ditentukan dari rangkaian dc pada gambar 48(b),

sedangkan cara kerja sinyal BJT dapat diperoleh dengan
menghilangkan sumber DC, seperti pada gambar 50.
Gambar 50 Rangkaian penguat pada gambar 48 dengan sumber

DC dihilangkan (di hubung singkat)
63
Model Hybrid - π
Gambar 51 (a) BJT sebagai VCCS (penguat transkonduktansi
Gambar 51 (b) BJT sebagai CCCS (penguat arus)
64
32
3/18/2014
Pada gambar 51(a), BJT digambarkan sebagai VCCS yang

mempunyai resistansi masukan (melihat ke arah base) rπ, dengan
sinyal kendali vbe. Hubungan arus dan tegangan pada rangkaian
ini:
i c  g m v be
v
i b  be
r 
i e 
v be
 g m v be 
v be
1  g m r  
r  r 
 

v be
1     v 
r 

r 
be
 1   
 v be r e
Pada gambar 51(b) BJT digambarkan sebagai CCCS, dengan

sinyal kendali ib. Hubungan arus sebagai berikut:
g m v be  g m ib r  
 g m r  i b
65
Model T
Gambar 52 (a) BJT sebagai VCCS

Gambar 53 (b) BJT sebagai CCCS
Pada kedua gambar yang ada adalah re, bukan rπ
66
33
3/18/2014
Pada gambar 52(a), BJT digambarkan sebagai VCCS yang

mempunyai resistansi masukan (melihat ke arah emitter ) r e
dengan sinyal kendali vbe Hubungan arus dan tegangan pada
rangkaian ini:
i b
v be

v be
 g m v be  1  g m r e 
r e r e
  

v be
1    
v be
 1  
r e r e    1 
v v
 be
 be
  1 r e r 
Pada gambar 52(b) BJT digambarkan sebagai CCCS, dengan

sinyal kendali ie. Hubungan arus sebagai berikut:
g m v be  g m ie r e 
 g m r e ie   i e
67
Aplikasi rangkaian ekivalen sinyal kecil.
Proses yang sistimatis dalam menganalisa penguat transistor:

1. Tentukan titik kerja dc BJT, terutama arus collector dc IC.
2. Hitung harga-harga parameter model sinyal kecil: gm =
IC/VT, rπ = β/gm dan re = VT/IE = α/gm.
3. Hilangkan semua sumber dc dengan mengganti sumber
tegangan dc dengan hubung singkat, dan sumber arus dc
dengan hubung terbuka.
4. Ganti BJT dengan salah satu model rangkaian ekivalen.
5. Analisa rangkaian yang didapat untuk menentukan
penguatan tegangan, resistansi masukan dan lain-lain.
68
34
3/18/2014
Contoh soal 14:

Analisa penguat transistor pada gambar 53(a) dan tentukan
penguatan tegangannya. Asumsikan β = 100
Gambar 53 (a) rangkaian (b) analisa dc (c) model sinyal kecil
69
Tentukan titik kerja. Asumsikan vi = 0.

V  V
I B  BB BE
R BB
3  0 ,7
  0 , 023 mA
100
I C   I B  100  0 , 023  2 , 3 mA
V C  V CC  I C R C
  10  2 ,3  3   3 ,1 V
Karena VB (+0,7 V) < VC → transistor bekerja pada mode aktif.
Tentukan parameter model sinyal kecil:

V 25 mV
r  T
  10 ,8 
e
I E 2 ,3 0 , 99  mA
I 2 , 3 mA
g m  C
  92 mA/V
V T 25 mV
 100
r     1 , 09 k 
g 92
70
m
35
3/18/2014
Model rangkaian ekivalen terlihat pada gambar 53(c).

Perhatikan tidak ada sumber tegangan dc. Terminal rangkaian
yang terhubung ke sebuah sumber tegangan dc yang konstan
selalu dapat dianggap sebagai sinyal ‘ground’.
r
v  v
 R
be i
r  BB
1 , 09
 v i  0 , 011 v i
101 , 09
v o   g m v be R C
  92  0 , 011 v i  3   3 , 04 v i
v
A v  o
  3 , 04 V/V
v i
Tanda negatif menunjukkan pembalikan fasa.
71
Contoh soal 15:

Untuk mendapatkan pengertian yang lebih mendalam dari cara
kerja penguat transistor, kita akan melihat bentuk gelombang
pada berbagai titik pada rangkaian yang telah dianalisa pada
contoh sebelumnya. Untuk hal ini asumsikan vi merupakan
gelombang segitiga. Pertama tentukan amplitudo maksimum dari
vi yang dimungkinkan pada rangkaian ini. Kemudian dengan
amplitudo ini, gambarkan bentuk gelombang pada i B(t), vBE(t),
iC(t) dan vC(t).
Jawab:
Satu kendala pada amplitudo sinyal adalah pendekatan sinyal
kecil, dimana vbe tidak boleh melebihi 10 mV.Jika digunakan
bentuk gelombang segitiga vbe dengan 20 mV peak-to-peak dan
bekerja mundur,


V be 10
V i    0 , 91 V
0 , 011 0 , 011
72
36
3/18/2014
Untuk memeriksa apakah transistor masih bekerja pada mode

aktif dengan vi beramplitudo Vi = 0,91 V, periksa harga tegangan
collector. Tegangan pada collector akan terdiri dari gelombang
segitiga yang ditumpangkan pada harga dc VC = 3,1 V. Tegangan
puncak dari bentuk gelombang segitiga:
 
V c  V i  penguatan  0 , 91  3 , 04  2 , 77 V
Pada saat simpangan negatif, tegangan collector mencapai harga

minimum:
VCmin = 3,1 – 2,77 = 0,33 V
Tegangan ini lebih rendah dari tegangan base kurang dari 0,4 V,
jadi transistor masih bekerja pada daerah aktif. Walaupun
demikian kita akan menggunakan harga amplitudo yang lebih
rendah, yaitu 0,8 V. Analisa selengkapnya adalah sebagai berikut:


V 0 ,8
I  i
  0 , 008 mA
  1 , 09
b
R BB r  100
Sinyal ini ditumpangkain pada arus base IB seperti yang terlihat

pada gambar 54(b)
73
Gambar 54. Bentuk gelombang sinyal. 74
37
3/18/2014
Tegangan base – emitter terdiri dari komponen gelombang

segitiga yang ditumpangkan pada tegangan dc VBE = 0,7V.
Puncak
dari gelombang

segitiga:
r 1 , 09
V be  V i  0 ,8  8 , 6 mV
r   R BB 100  1 , 09
Total vBE terlihat pada gambar 54(c)
Sinyal arus segitiga pada collector akan mempunyai puncak:

 
I c   I b  100  0 , 008  0 , 8 mA
Arus sinyal akan ditumpangkan pada arus collector dc IC (=2,3

mA), seperti yang terlihat pada gambar 54(d).
Tegangan sinyal pada collector dapat diperoleh dengan

mengalikan
 vi dengan penguatan tegangan
V c  3 , 04  0 ,8  2 , 43 V
Tegangan total pada collector dapat dilihat pada gambar 54(e)
75
Contoh soal 16:

Analisa-lah rangkaian pada gambar 55(a) untuk menentukan
penguatan tegangan dan bentuk gelombang pada berbagai titik.
Kapasitor C adalah kapasitor coupling yang berfungsi untuk
menghubungkan sinyal vi dan mem-block dc. Dengan cara ini bias
dc hanya ditentukan oleh V+ dan V- serta RE dan RC. Untuk hal ini
harga C diasumsikan sangat besar, idealnya ∞, sehingga akan
menjadi hubung singkat untuk frekuensi sinyal yang diinginkan.
Demikian juga kapasitor yang dipakai untuk menghubungkan sinyal
keluaran vo.
Jawab:I 
 10  V E

10  0 ,7
 0 , 93 mA
Tentukan titik kerja
R E dc:
E
10
Asumsikan β = 100, α= 0,99
IC = 0,99 IE = 0,92 mA
VC = –10 + RCIC
= –10 + 0,92 x 5 = –5,4 V
Jadi transistor bekerja pada mode aktif 76
38
3/18/2014
Gambar 55
77
Sinyal pada collector dapat mempunyai simpangan dari –5,4 V

sampai +0,4 V (yaitu 0,4 V di atas tegangan base) tanpa
memasuki daerah jenuh. Tetapi 5,8 V simpangan negatif pada
tegangan collector akan menyebabkan tegangan minimum
collector menjadi –11, 2V. Tegangan ini lebih negatif dari
tegangan catu daya. Jika kita memaksakan untuk memasangkan
sebuah masukan yang akan menghasilkan sebuah keluaran yang
demikian, maka transistor akan cut off dan puncak negatif akan
terpotong, seperti yang terlihat pada gambar 56. Bentuk
gelombang pada gambar 56 tetap linier hanya saja puncak
negatifnya terpotong; yaitu pengaruh non linier tidak
diperhitungkan. Hal ini tidak benar, karena kita telah mendorong
transistor ke daerah cut off pada puncak sinyal negatif yang
berarti kita melebihi batas sinyal kecil.
Tentukan penguatan tegangan sinyal kecil. Gunakan model

  0 , 99
rangkaian ekivalen T dan menghilangkan semua sumber dc.
V T 25 mV
(Lihat gambar
r e  55(c)).
  27 
I E 0 , 93 mA
78
39
3/18/2014
Gambar 56. Sinyal terdistorsi karena cut off.
v
i e   i
r e
 R
v o    ie R C  C
v i
r e
v  R
A v  o
 C
 183 , 3 V/V
v i r e
79
Perhatikan penguatan tegangan positif berarti keluaran

mempunyai fasa yang sama dengan masukan yang dipasangkan
pada emitter.
Besaran sinyal yang diperbolehkan, perhatikan gambar 55(c) di

mana vi = veb. Jadi bila diinginkan kerja sinyal kecil yang linier,
maka puncak vi harus dibatasi kira-kira 10 mV. Dengan harga
amplitudo ini,
V c seperti terlihat
, 3  0 , 01pada
 gambar V 57, harga amplitudo

 183 1 , 833
Vc:
Gambar 57 80
40
3/18/2014
Penambahan model sinyal kecil dengan memperhatikan efek Early
Efek early menyebabkan arus collector tergantung tidak hanya

pada vBE, tetapi juga pada vCE. Ketergantungan pada vCE dapat
dimodelkan dengan menempatkan resistansi keluaran r o.
V  V V
r o  A CE
 A
IC I C
VA = tegangan Early; VCE dan IC adalah koordinat titik kerja dc.
Pengaruh ro pada cara kerja transistor sebagai penguat dapat

dilihat pada persamaan berikut
v o   g m v be  R C // r o 
Jadi penguatan akan berkurang. Jika ro >> RC, pengurangan

penguatan ini dapat diabaikan. Secara umum pengaruh ro
diabaikan jika ro > 10RC.
81
Gambar 58. Model sinyal kecil hybrid-π dengan ro
82
41
3/18/2014
Ringkasan Model Sinyal Kecil dari BJT
Model hybrid-π
versi (gmvπ) versi (βib)
Model T
versi (gmvπ) versi (βib)
83
Parameter model sebagai fungsi arus bias dc

I
g m  C
V T
V  V 
r e  T
   T

I E  I C 
 V 
r     T

 IC 
V
r o  A
I C
Parameter model sebagai fungsi gm


r e 
g m

r  
g m
84
42
3/18/2014
Parameter model sebagai fungsi re


g m 
r e
r     1 r e
1 1
g m  
r  r e
Hubungan antara α dan β


 
1  

 
  1
1
  1 
1  
85
Penguat BJT satu tingkat
Struktur dasar
Gambar menunjukkan rangkaian dasar penguat BJT dengan
pemberian bias dengan arus yang konstan. Yang perlu
diperhatikan adalah memilih RB yang besar untuk menjaga
resistansi masukan pada base yang besar. Tetapi penurunan
tegangan dan pengaruh β pada RB harus dibatasi. Tegangan dc VB
menentukan simpangan sinyal yang dibolehkan pada collector.
Gambar 59. Struktur dasar rangkaian yang dipakai untuk

merealisasikan penguat BJT diskrit satu tingkat. 86
43
3/18/2014
Penguat BJT satu tingkat
Struktur dasar
Gambar menunjukkan rangkaian dasar penguat BJT dengan
pemberian bias dengan arus yang konstan. Yang perlu
diperhatikan adalah memilih RB yang besar untuk menjaga
resistansi masukan pada base yang besar. Tetapi penurunan
tegangan dan pengaruh β pada RB harus dibatasi. Tegangan dc VB
menentukan simpangan sinyal yang dibolehkan pada collector.
Gambar 59. Struktur dasar rangkaian yang dipakai untuk

merealisasikan penguat BJT diskrit satu tingkat. 87
Karakterisasi Penguat BJT
Tabel 5. Parameter karateristik penguat
Rangkaian:.
Definisi:
Resistansi masukan tanpa beban:

v
R i  i
i i R  
L
Resistansi masukan:
v
R in  i
i i
88
44
3/18/2014
Resistansi keluaran
v
R out  x
i x v  0
sig
Penguatan tegangan hubung terbuka

v
A vo  o
v i R  
L
Penguatan tegangan
v
A v  o
v i
Penguatan arus hubung singkat

i
A is  o
i i R  0
L
Penguatan arus
i
A i  o
i i
89
Penguatan tegangan menyeluruh hubung terbuka

v
G vo  o
v sig R  
L
Penguatan tegangan menyeluruh

v
G v  o
v sig
Transkonduktansi hubung singkat

i
G m  o
v i R  0
L
Resistansi keluaran penguat ‘proper’

v
R o  x
i x v  0
i
90
45
3/18/2014
Rangkaian ekivalen
A.
91
Persamaan:
v R in
i

v sig R in  R sig
R
A  A L
 R
v vo
R L o
A vo  G m R o
R in R
G  A L
 R  R
v vo
R in sig R L o
R in
G  A
 R
vo vo
R in sig
R
G  G L
 R
v vo
R L o
92
46
3/18/2014
Contoh soal 17:

Sebuah penguat transistor dicatu oelh sebuah sumber sinyal yang
mempunyai tegangan hubung terbuka vsig = 10 mV dan
mempunyai resistansi dalam Rsig = 100 kΩ. Tegangan vi pada
masukan penguat dan tegangan keluaran vo diukur tanpa dan
dengan resistansi beban.RL = 10 kΩ yang dihubungkan pada
keluaran penguat. Hasil pengukuran itu adalah sebagai berikut:
vi (mV) vo (mV)
Tanpa RL 9 90
Dengan RL terhubung 8 70
Carilah parameter penguat.

90
A   10 V/V
Jawab:
vo
9
Dengan dataG Rvo L= ∞,
90 tentukan A dan G
 9 V/V vo vo
10
R i
G  A
 R
vo vo
R i sig
R i
9   10
R i  10
R i  900 k  93
Dengan menggunakan data RL = 10 kΩ tentukan Av dan Gv

70
A v   8 , 75 V/V
8
70
G v   7 V/V
10
Harga Av dan Avo dapat dipakai untuk menentukan Ro

R
A  A L
 R
v vo
R L o
10
8 , 75  10
10  R o
R o  1 , 43 k 
Harga Gv dan Gvo dapat dipakai untuk menentukan Rout

R L
G  G
 R
v vo
R L out
10
7  9
10  R out
R out  2 , 86 k 
94
47
3/18/2014
Harga Rin dapat ditentukan dari

v R in
i

v sig R in  R sig
8 R in

10 R in  100
R in  400 k 
Transkonduktansi hubung singkat Gm dapat dihitung seperti

berikut
A 10
G m  vo
  7 mA/V
R o 1 , 43
Penguatan arus Ai dapat ditentukan sebagai berikut:

v R v R
A i  o L
 o in
v i R in v i R L
R 400
 A v
in
 8 , 75   350 A/A
R L 10
95
Penguatan arus hubung singkat dapat ditentukan sebagai berikut.

Dari rangkaian ekivalen A, arus keluaran hubung singkat adalah
i osc  A vo v i R o
Untuk menentukan vi perlu diketahui harga Rin yang diperoleh

dengan RL = 0. Dari rangkaian pengganti C, arus keluaran hubung
singkat adalah:
i osc  G vo v sig R out
Dari kedua persamaan untuk iosc dan ganti Gov dengan:

R i
G  A
 R
vo vo
R i sig
Dan vi dengan
R in  0

R
v v L
 R
i sig
R in R  0 sig
L
96
48
3/18/2014
Maka:
  R   R  
R in R  0
 R sig   1 
sig
  o
  1 
  R   R  
L
i out
 81,8 k 
i osc  A vo ii R in R  0
R o
L
i
A is  osc
 10  81 , 8 / 1 , 43  572 V/V
i i
97
Penguat Common Emitter
Gambar 60 (a) Struktur Penguat Common Emitter

(b) Model Rangkaian Pengganti Hybrid-π
98
49
3/18/2014
CE adalah kapasitor bypass yang mempunyai harga cukup besar,

yang fungsinya membuat ground untuk sinyal atau ac ground
pada emitter. Artinya untuk sinyal ac, impedansi CE kecil sekali
(idealnya nol), jadi arus sinyal akan men-bypass resistansi
keluaran dari sumber arus I.
CC1 dan CC2 adalah kapasitor coupling yang fungsinya

menghubungkan sumber sinyal dan resistansi beban dengan
penguat tanpa mengganggu arus tegangan bias. Jadi kapasitor ini
akan memblock dc dan menjadi hubung singkat untuk sinyal ac.
Untuk menentukan karakteristik terminal dari penguat CE, yaitu

resistansi masukan, penguatan tegangan dan resistansi keluaran,
gunakan model rangkaian pengganti sinyal kecil hybrid-π.
Penguat ini penguat unilateral, jadi Rin = Ri dan Rout = Ro. Analisa
rangkaian ini v
R akan
in  di imulai
 R dari
B || sisi
R ibmasukan.
ii
Rib adalah resistansi masukan melihat ke arah base.
99
Karena emitter terhubung ke ground:

R ib  r 
Biasanya dipilih RB >> rπ, sehingga:

R in  r 
Jadi resitansi masukan dari penguat CE biasanya beberapa kilo-

ohm.
Tegangan pada masukan R
penguat:
v  v in
 R
i sig
R in sig
 v
R B || r 
sig
R B || r    R sig
Untuk RB >> rπ
r
v  v
 R
i sig
r  sig
Catatan: v  v
 i
100
50
3/18/2014
Pada sisi keluaran penguat:

v o   g m v   r o || R C || R L 
Ganti vπ dengan vi, maka penguatan tegangan penguat, yaitu

penguatan tegangan dari base ke collector:
A v   g m ro || R C || R L 
Penguatan tegangan hubung terbuka diperoleh dengan men-set
RL = ∞
A vo   g m ro || R C 
Efek dari ro adalah mengurangi penguatan tegangan sedikit saja

karena ro >> RC, jadi
A vo   g m R C
Resistansi keluaran diperoleh dengan melihat ke arah terminal

keluaran dengan menghubung singkat sumber vsig. Hal ini akan
menghasilkan vπ = 0
R out  R C || r o
101
Jadi ro mengurangi resistansi keluaran penguat hanya sedikit saja

karena biasanya ro >> RC
R out  R C
Untuk penguat unilateral ini Ro = Rout, kita bisa menggunakan Avo

dan Ro untuk mendapatkan penguatan tegangan Av
R
A  A L
 R
v vo
R L o
Penguatan tegangan menyeluruh dari sumber ke beban, Gv,

dapat diperoleh dengan mengalikan (vi/vsig) dengan Av
G  
R B || r 
g ro || R || R 
v
R B || r    R sig
m C L
Untuk RB >> rπ
G  
 ro || R C || R L 
 R
v
r  sig
102
51
3/18/2014
Dari persamaan ini didapatkan jika Rsig >> rπ, penguatan

menyeluruh sangat tergantung dari β. Hal ini tidak diinginkan
karena β bervariasi.
Pada sisi lain, jika Rsig << rπ, penguatan menyeluruh akan
menjadi: G v   g m  r o || R C || R L 
Yang sama dengan penguatan Av, yang tidak tergantung dari

β.Biasanya penguat CE dapat memberikan penguatan pada orde
ratusan. Hanya saja respon pada frekuensi tingginya agak
terbatas.
i os  penguatan
Untuk menghitung g m v  arus hubung singkat, Ais
v   v i  i i R in
i os
A is    g m R in
ii
Gantilah Rin = RB || rπ. Jika RB >> rπ, |Ais| = β

Kesimpulan: CE mempunyai penguatan tegangan dan arus yang
besar dengan Rin rendah dan Rout tinggi.
103
Penguat Common Emitter dengan Resistansi Emitter
Gambar 61(a) Penguat CE dengan resistansi emitter

(b) Model rangkaian pengganti T 104
52
3/18/2014
Model rangkaian pengganti yang dipakai adalah model T karena

adanya resistansi emitter RE yang dapat diserikan dengan re.
Pada model rangkaian ini tidak disertakan resistansi keluaran r o
karena akan membuat analisa lebih rumit dan pada rangkaian
penguat diskrit pengaruh ro kecil.
Rin adalah resistansi

R in  R B paralel
|| R ib antara RB dan Rib
Rib adalah resistansi pada base

v
R ib  i
i b
i  1   ie 
i e
b
  1
v i
i 
 R
e
r e e
R ib    1 r e  R e 
Jadi, resistansi masukan melihat ke arah base sama dengan

(β+1) kali resistansi total pada emitter. Faktor (β+1) disebut
‘resistance-reflection rule’.
105
Pada persamaan tersebut terlihat bahwa dengan penambahan

resistansi pada emitter akan menambah Rib. Rasio penambahan
pada Rib adalah
R ib  dengan R e     1 r e  R e 

R ib  tanpa R e     1 r e
R
 1  e
 1  g m R e
r e
Jadi, Re dapat dipakai untuk mengendalikan harga Rib yang juga

merupakan harga Rin. Agar pengendalian ini menjadi efektif, RB
harus jauh lebih besar dari Rib, artinya Rib adalah resistansi
masukan yang dominan.
v o   i c  R C || R L 
Untuk menentukan penguatan tegangan:
   i e  R C || R L 
v o   R C || R L 
A   
 R
v
v i r e e
R || R
  1  A   C L
 R
v
r e e
Jadi, penguatan tegangan dari base ke collector sama dengan

perbandingan resistansi total pada collector dengan resistansi
total pada emitter.
106
53
3/18/2014
Penguatan tegangan hubung terbuka: RL = ∞

 R
A   C
 R
vo
r e e
 R
A   C
1  R
vo
r e e r e
g m R g m R C
A   C
 
1  R e 1  g m R
vo
r e e
Jadi, penambahan Re akan mengurangi penguatan tegangan

dengan faktor (1+gmRe) yang sama dengan faktor penambahan
resistansi masukan Rib.
Resistansi keluaran:
Rout = RC
Untuk penguat ini Rin = Ri dan Rout =Ro

i os    i e
Penguatan arus
i i  vhubung
i R in singkat:
 R i
A is   in e
v i
A  
 R ib || R B 
 R e
is
r e
107
Untuk RB >> Rib

A 
    1 r e  R e    
 R
is
r e e
Penguatan tegangan menyeluruh dari sumber ke beban:

v i R in   R C || R L 
G   A  
 R  R
v v
v sig R sig in r e e
Ganti Rin = RB||Rib dan asumsikan RB >> Rib

R ib     1   r e  R e 
  R C || R L 
G v  
R sig     1   r e  R e 
Catatan: penguatan lebih kecil dari penguatan penguat CE.

Tetapi penguatan ini lebih tidak sensitif terhadap β.
Dengan penambahan Re, penguat dapat menangani sinyal

masukan yang lebih besar tanpa menimbulkan distorsi non linier,
karena hanya sebagian kecil dari sinyal masukan yang ada pada
base, vi, yang
v  nampak
r e antara base
1 dan emitter
 
v i r e  R e 1  g m R e
108
54
3/18/2014
Jadi untuk vπ yang sama, sinyal pada terminal masukan penguat, vi,
dapat lebih besar dengan faktor (1+gmRe) jika dibandingkan dengan
sinyal pada penguat CE.
Kesimpulan:
Dengan penambahan resistansi Re pada emitter, penguat CE
mempunyai karakteristik sebagai berikut:
1. Resistansi masukan Rib meningkat dengan faktor (1+gmRe)
2. Penguatan tegangan dari base ke collector, Av, berkurang
dengan faktor (1+gmRe).
3. Untuk distorsi non linier yang sama, sinyal masukan vi dapat
meningkat dengan faktor (1+gmRe)
4. Penguatan tegangan menyeluruh tidak terlalu tergantung
dengan β.
5. Respons terhadap frekuensi tinggi menjadi lebih baik.
Re juga merupakan umpan balik negatif pada rangkaian penguat.

Re juga disebut emitter degeneration resistance
109
Penguat Common Base
Base dihubungkan ke ground. Sinyal masukan dipasangkan pada

emitter dan sinyal keluaran diambil dari collector. Base
merupakan terminal bersama.
Dengan terhubungnya base ke ground, tegangan ac dan dc pada

base sama dengan nol, maka RB tidak ada. Kapasitor CC1 dan CC2
berfungsi sebagai kapasitor coupling.
Model rangkaian pengganti T terlihat pada gambar 62(b). Di sini

ro tidak disertakan karena pengaruhnya tidak terlalu besar pada
kinerja penguat CB diskrit.
Dari gambar 62(b) dapat ditentukan resistansi masukan:
R in  r e
re mempunyai harga antara beberapa ohm sampai beberapa

kilo ohm. Jadi CB mempunyai resistansi masukan yang kecil
110
55
3/18/2014
Gambar 62(a) Rangkaian penguat Common Base

(b) Model rangkaian pengganti T 111
Untuk menentukan penguatan tegangan:

v o    i e  R C || R L 
v
i e   i
r e

A v 
v o
  R C || R L 
v i r e
Penguatannya sama dengan penguatan pada penguat CE. Hanya

tidak ada pembalikan fasa.
Penguatan tegangan hubung terbuka, RL = ∞
A vo  g m R C
Avo sama dengan Avo pada penguat CE. Hanya tidak ada
pembalikan fasa.
Resistansi
R keluaran:
 R out C
112
56
3/18/2014
Jika ro diabaikan, penguat CB adalah penguat unilateral, maka Rin

= Ri dan Rout = Ro
Penguatan arus hubung

 ie singkat
  i e Ais:
A    
 i
is
ii e
Walaupun penguatan dari penguat ‘proper’ CB sama dengan

penguatan pada CE, penguatan menyeluruhnya tidak demikian
halnya. Dengan resistansi masukan yang kecil, maka sinyal
masukan akan teredam cukup besar.
v R i r
i
  e
v sig R i  R sig r e  R sig
Kecuali pada kondisi Rsig pada orde yang sama dengan re, faktor
transmisi sinyal vi/vsig akan kecil sekali.
Salah satu pemakaian rangkaian CB adalah untuk memperkuat
sinyak frekuensi tinggi yang muncul pada kabel coaxial. Untuk
menghindari refleksi sinyal pada kabel, penguat CB harus
mempunyai resistansi masukan sama dengan resistansi
karakteristik kabel yang biasanya berkisar antara 50 Ω - 75 Ω.
113
Penguatan menyeluruh, Gv
G 
r e
g  R || R 

v m C L
r e R sig

  R C || R L 
r e  R sig
Karena α ≈ 1, penguatan menyeluruh merupakan perbandingan

antara resistansi total pada rangkaian collector dengan resistansi
total pada rangkaian emitter. Penguatan penyeluruh tidak
tergantung dari harga β.
Kesimpulan:
Penguat CB mempunyai resistansi masukan yang rendah,
penguatan arus hubung singkat yang hampir sama dengan satu,
penguatan tegangan hubung terbuka yang positif (non inverting)
dan resistansi keluaran yang tinggi.
Penguat CB mempunyai respon yang baik pada frekuensi tinggi.
Penggunaan penguat CB yang paling menonjol adalah sebagai
penguat arus dengan penguatan satu atau disebut current-buffer.
Artinya menerima arus sinyal masukan dari resistansi masukan
yang rendah dan mengirimkan arus yang sama ke resistansi 114
keluaran yang tinggi pada collector.
57
3/18/2014
Penguat Common Collector atau Emitter Follower
Gambar 63(a) Rangkaian penguat Emitter Follower

(b) Model rangkaian pengganti T dengan penambahan ro
115
Gambar 63(c) Rangkaian pengganti seperti pada gambar 63(b)

dengan ro paralel dengan RL.
Pada penguat ini collector dihubungkan dengan ground, jadi R C

dihilangkan. Sinyal masukan dipasangkan pada base, dan sinyal
keluaran diambil dari emitter yang dihubungkan melalui
kapasitor coupling ke resistansi beban.
Pada analisa sinyal resistansi beban RL diserikan dengan emitter

sehingga model rangkaian pengganti yang digunakan adalah
model T. Pada rangkaian ini resistansi ro nampak paralel dengan 116
resistansi beban RL.(lihat gambar 63(c)).
58
3/18/2014
Rangkaian emitter follower tidak unilateral, artinya resistansi

masukan tergantung dari RL dan resistansi keluaran tergantung
dari Rsig.
Dari gambar 63(c) terlihat bahwa BJT mempunyai sebuah

resistansi (ro || RL) yang diserikan dengan resistansi emitter re.
Dengan menggunakan ‘resistance-reflection rule’ menghasilkan
rangkaian seperti pada gambar 64(a). (resistansi pada sisi base
sama dengan (β+1) resistansi pada sisi emitter)
R ib    1 r e  ro || R L 
Resistansi masukan pada base, Rib:
Resistansi masukan total:
R in  R B || R ib
Untuk mendapatkan efek penuh dari kenaikan Rib, dapat dipilih

RB sebesar mungkin (dengan memperhatikan titik kerja). Dan
jika memungkinkan CC1 dapat juga dihilangkan, jadi sumber
sinyal dihubungkan langsung dengan base.
117
Gambar 64(a) Rangkaian ekivalen emitter follower dengan

merefleksikan semua resistansi pada emitter ke sisi base.
(b) Penggunaan teori Thévenin pada rangkaian masukan.
Penguatan menyeluruh
R
G v:   1 r o || R L 
 B
G v
R sig  R B R sig || R B     1 r e  ro || R L 
Perhatikan: penguatan tegangan lebih kecil dari satu.

Untuk RB >> Rsig dan (β+1)[re+(ro || RL)] >> (Rsig || RB),
penguatan menjadi mendekati satu. Jadi tegangan pada emitter
mengikuti tegangan pada masukan.Itulah sebabnya disebut 118
emitter follower
59
3/18/2014
Gambar 65(a) Rangkaian ekivalen emitter follower dengan

merefleksikan semua resistansi pada base ke sisi emitter.
(b) Penggunaan teori Thévenin pada rangkaian masukan
Alternatif lainnya, kita dapat merefleksikan resistansi base ke sisi

emitter. Agar tegangan tidak berubah, semua resistansi di sisi base
dibagi dengan (β+1). Hasilnya dapat dilihat pada gambar 65(a).
Dengan menggunakan teori Thévenin pada sisi masukan, diperoleh
rangkaian seperti pada gambar 65(b)
119
Penguatan tegangan menyeluruh, Gv:

G 
R B ro || R L 
 R
v
R || R
R sig B sig B
 r  ro || R 
  1
e L
Untuk RB >> Rsig dan ro >> RL:

v R
o
 L
v R
sig sig
 r  R
  1
e L
Penguatan mendekati satu jika Rsig/(β+1) << RL atau (β+1)RL >>

Rsig. Hal ini adalah peran penyangga (buffering action) dari
emitter follower, yang akan menghasilkan penguatan arus hubung
singkat hampir sama dengan (β+1).
Tegangan keluaran hubung terbuka menjadi Gvovsig, di mana Gvo

diperoleh dengan RL= ∞
R r
G  B o
 R
v
R R || R
sig B sig B
 r  r
  1
e o
120
60
3/18/2014
Catatan: biasanya ro besar dan suku kedua menjadi hampir sama

dengan satu. Suku pertama mendekati satu jika RB >> Rsig.
Resistansi Thévenin adalah resistansi keluaran Rout. Kurangi vsig
menuju nol, lihat resistansi dari terminal emitter ke arah
rangkaian  R sig || R B 
R  r ||  r  
out o

o
  1 
Biasanya ro >> komponen yang diparalelkan dalam tanda kurung

dan dapat diabaikan, jadi
R || R
R  r  sig B
out o
  1
Jadi resistansi keluaran emitter follower rendah. Rangkaian

ekivalen Thévenin dari rangkaian keluaran emitter follower dapat
digunakan untuk mencari vo dan Gv untuk harga RL sembarang.
(lihat gambar 66).
Kesimpulan: emitter foilower mempunyai resistansi masukan

yang tinggi, resistansi keluaran yang rendah, penguatan
tegangan yang lebih kecil dari satu dan penguatan arus yang
cukup besar. 121
Gambar 66. Rangkaian ekivalen Thévenin dari rangkaian keluaran

emitter follower
Jadi pemakaian ideal dari emitter follower adalah untuk

menghubungkan sumber yang mempunyai resistansi yang tinggi
ke beban yang mempunyai resistansi yang rendah, biasanya
sebagai tingkat terakhir dari penguat bertingkat (multistage
amplifier) yang tujuannya bukan untuk memperkuat tegangan
tetapi untuk memberikan penguat bertingkat ini resistansi
keluaran yang rendah.
122
61
3/18/2014
Pada emitter follower hanya sebagian kecil dari sinyal yang akan
tampak antara base dan emitter. Jadi emitter follower dapat
bekerja secara linier untuk variasi amplitudo sinyal yang cukup
besar. Tetapi harga absolut batas atas amplitudo tegangan
keluaran ditentukan oleh kondisi cut off dari transistor.
Perhatikan gambar 63(a) jika sinyal masukan adalah gelombang

sinusoida. Jika masukan negatif, keluaran vo akan negatif dan
arus pada RL akan mengalir dari ground ke terminal emitter.
Transistor akan 
cut off bila arus ini menjadi sama dengan arus
bias I. Jadi harga
V o amplitudo
 I
dari vo adalah:
R L

V o  IR L
Maka harga vsig menjadi:


IR
V sig  L
G v
Jika amplitudo vsig lebih besar dari harga di atas, tansistor akan
cut off dan amplitudo negatif sinyal gelombang keluaran akan
terpotong
123
Kesimpulan dan perbandingan

1. Konfigurasi CE cocok digunakan untuk penguat yang
menghendaki penguatan yang besar.
2. Dengan menambahkan Re pada CE dapat memperbaiki kinerja
penguat tetapi penguatan akan berkurang.
3. Konfigurasi CB dipergunakan sebagai penguat frekuensi tinggi,
karena mempunyai respon yang baik pada frekuensi tinggi,
hanya saja resistansi masukannya kecil.
4. Emitter follower dipakai sebagai penyangga tegangan, untuk
menghubungkan sumber yang mempunyai resistansi yang
tinggi dengan beban yang mempunyai resistansi rendah.
Konfigurasi ini digunakan juga sebagai tingkat keluaran dari
penguat bertingkat.
124
62
3/18/2014
Tabel 5.Karakteristik dari penguat diskrit satu tingkat

Common Emitter
R in  R B || r   R B ||   1 r e
A v   g m ro || R C || R L 
R out  r o || R C
G  
R B || r 
g ro || R || R 
v
R B || r    R sig
m C L
 ro || R C || R 
  L
r   R sig
A is   g m R in   
125
Common Emitter dengan Resistansi Emitter
Abaikan ro
R in  R B ||   1 r e  R e 
A  
 R C || R L    g m R C || R L 
 R e 1 
v
r e g m R e
R out  R C
G  
 R C || R L 
v
R sig    1 r e  R e 
v 1


v i 1  g m R e
126
63
3/18/2014
Common Base
Abaikan ro
R in  r e
A v  g m R C || R L 
R out  R C
G 
 R C || R L 
 re
v
R sig
A is  
127
Common Collector atau Emitter Follower
R in  R B ||   1 r e  ro || R L 
A 
ro || R L 
v
r e   r o || R L 
 R || R 
R  r ||  r  sig B

out o

e
  1 
G 
R B ro || R L 
 R
v
R || R
R sig B sig B
 r  ro || R 
  1
e L
A is    1
128
64
3/18/2014
Inverter digital BJT
Gambar 67. Rangkaian dasar inverter digital BJT
Pada inverter logika, rangkaian bekerja pada mode cutoff dan

daerah jenuh.
Jika tegangan masukan vI ‘high’ mendekati tegangan catu daya
VCC (menyatakan logika ‘1’) transistor akan ‘terhubung’ dan
dalam keadaan jenuh (dengan memilih harga RB dan RC yang
tepat). Sehingga tegangan keluaran akan VCEsat ≈ 0,2V, yang
menyatakan logika ‘0’.
Sebaliknya, jika tegangan masukan ‘low’ pada tegangan
mendekati ‘ground’ (misal VCEsat), sehingga transistor ‘cutoff’, iC
akan nol dan vO = VCC, yang merupakan logika ‘1’ 129
Pemilihan keadaan ‘cutoff’ dan ‘jenuh’ sebagai mode operasi

dari BJT pada rangkaian inverter didasari oleh 2 faktor:
1. Disipasi daya pada rangkaian relatif rendah pada keadaan
‘cutoff’ dan ‘jenuh’. Pada keadaan ‘cutoff’ semua arus sama
dengan nol dan pada keadaan ‘jenuh’ tegangan pada
transistor juga rendah.
2. Level tegangan keluaran (VCC dan VCEsat) terdifinisi dengan
baik. Sebaliknya, jika transistor bekerja pada daerah aktif, vO
= VCC – iCRC = VCC – βiBRC yang sangat tergantung pada
parameter β.
130
65
3/18/2014
Karakteristik transfer tegangan
Gambar 68. Karakteristik transfer tegangan rangkaian inverter

dengan RB =10 kΩ, β = 50 dan VCC = 5 V
131
1. Pada vI = VOL = VCEsat = 0,2 V, vO = VOH = VCC = 5 V
2. Pada vI = VIL, transistor mulai ‘on’ → VIL ≈ 0,7 V
3. Untuk VIL < vI < VIH, transistor berada pada daerah aktif dan
beroperasi sebagai penguat dengan penguatan sinyal kecil:
v R
A  o
   C

v
v i R B r 
R
r   R B  A v    C
R B
4. Pada vI =VIH, transistor memasuki daerah jenuh → VIH adalah

harga yang menyebabkan transistor berada pada ambang saturasi.
I 
V CC  V CEsat  R C
B

Dengan harga-harga yang digunakan, IB = 0,096 mA dan

VIH = IBRB + VBE = 1,66 V
132
66
3/18/2014
5. Untuk vI = VOH = 5 V, transistor berada pada keadaan jenuh

yang dalam dengan vO = VCEsat = 0,2 V, dan
 
 V CC  V CEsat  R C
forced
 V OH  V BE  R B
6. Noise margin:
NMH = VOH – VIH = 5 – 1,66 = 3,34 V
NML = VIL – VOL = 0,7 – 0,2 = 0,5 V
7. Penguatan pada daerah transisi dapat dihitung dari koordinat

pada titik X dan Y
5  0 ,2
Penguatan tegangan     5 V/V
1 , 66  0 ,7
133
67

Pertemuan - 5 - BJT (Contd)

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Pertemuan - 5 - BJT (Contd)

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Pertemuan - 5 - BJT (Contd)

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

hendroagungs.blogspot.

BJT sebagai Penguat dan sebagai Saklar

Cara kerja sinyal besar – Karakteristik Transfer

Gambar 26. (a) Rangkaian dasar penguat common – emitter

Rangkaian dasar penguat common-emitter terlihat pada gambar 26.

Karakteristik transfer tegangan dari rangkaian CE terlihat pada

vO = vCE = VCC – RCiC

vI = vBE < 0,5 V → transistor cutoff.

vI > 0,5 V → transistor mulai aktif, iC naik, vO turun.

Mode aktif berakhir ketika vO = vCE turun sampai 0,4 V di bawah

Pada daerah jenuh, BJT menunjukkan resistansi yang rendah,

Jika sinyal vi akan diperkuat, sinyal ini ditumpangkan pada VBE

Penguatan sinyal kecil Av:

c. Untuk vCE = 0,3 V

Untuk menaikkan iC dari 1 mA ke 1,617 mA, vBE harus

d. Untuk vo = 0,99 VCC = 9,9 V

Untuk menurunkan iC dari 1 mA ke 0,0147 mA, vBE harus

Gambar 27 Rangkaian yang akan dianalisa secara grafis

Perhatikan gambar 27 yang mirip dengan rangkaian terdahulu

Gambar 28. Konstruksi grafis untuk menentukan arus dc base

Gambar 29. Konstruksi grafis untuk menentukan arus dc collector

Hubungan di atas adalah hubungan linier yang digambarkan

Gambar 30 (a). Penentuan grafis komponen sinyal vbe dan ib ketika

Gambar 30 (b). Penentuan grafis komponen sinyal vce dan ic ketika

Pengaruh letak titik bias pada simpangan sinyal

Gambar 31. Pengaruh lokasi titik bias pada simpangan sinyal

Cara kerja sebagai saklar.

Gambar 32: Rangkaian sederhana yang digunakan untuk

Harga masukan vI bervariasi.

Arus base akan menjadi:

Dan arus collector menjadi:

Harga vI yang diperlukan untuk mendorong transistor ke EOS

VI(EOS) = IB(EOS)RB + VBE

Menaikkan vI > VI(EOS) → menaikkan arus base yang akan

Pada keadaan jenuh, transistor dapat dipaksa bekerja pada harga

Perbandingan antara IB dan IB(EOS) disebut faktor ‘overdrive’

Untuk membuat transistor jenuh dengan β yang paling rendah,

Untuk faktor ‘overdrive’ = 10, arus base harus:

Jadi RB yang diperlukan:

Rangkaian BJT pada DC

Rangkaian BJT pada contoh-contoh soal berikut ini, hanya

Dalam menganalisa sebuah rangkaian, langkah pertama harus

Perhatikan gambar 34(a) dan 34(b). Analisa rangkaian ini untuk

Asumsikan EBJ forward bias dengan tegangan VBE = 0,7V

Asumsikan transistor dalam mode aktif.

VC = 10 – ICRC = 10 – 0,99 x 4,7 ≈ +5,3 V

Karena VB = 4 V, CBJ reverse biased dengan tegangan 1,3 V, jadi

Perhatikan rangkaian pada gambar 35(a).

Tentukan tegangan pada semua simpul dan arus pada semua

Karena tegangan collector 3,52 V lebih rendah dari tegangan

Hitung tegangan di semua simpul dan arus di semua cabang pada

Karena collector terhubung pada catu daya negatif (lebih negatif

Asumsikan β = 100 → α = 0,99

IC = 0,99 x 4,65 = 4,6 mA

Jadi CBJ reverse

Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus pada

Asumsikan transistor bekerja pada daerah aktif:

IC = βIB = 100 x 0,043 = 4,3 mA

Jadi CBJ reverse biased dengan tegangan 0,7 V → transistor