JFET_ENSAK2017

Etude du Transistor à effet de champs « JFET » Page 1 sur 8
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMPS A JONCTION :

JFET
I Définitions
Dans un Transistor à Effet de Champ à jonctions (TEC) le courant est :

- créé par le déplacement d'un seul type de porteurs : les majoritaires (composant
unipolaire)
- modifié par un champ électrique appliqué transversalement au sens de
déplacement des porteurs.
Le transistor à effet de champ à jonctions (Junction Field Effect Transistor

: JFET ) comporte trois électrode :
• Une électrode qui injecte les porteurs dans la structure : la source
(source).
• Une électrode qui recueille les porteurs : le drain (drain ).
• Une électrode ou est appliquée la tension de commande : la grille
(gate) .
• La partie de semi-conducteur située sous la grille est souvent appelée
le canal.
1.1.Symboles
1.3 Descriptions
Les TEC (Transistors à Effet de Champ) ou FET (Field Effect
Transistor) ou JFET dans lesquels le passage du courant à travers un canal
continu reliant la source au drain est en fait contrôlé par le champ créé par
une troisième électrode, la grille située sur le canal.
Il existe des NJFET et des PJFET, suivant que la conduction électrique est
assurée par les électrons ou par les trous. Mais comme les PJFET ne sont
pas utilisés, ils ne sont presque plus fabriqués. Le transistor FET est basé
sur un principe physique différent du transistor à jonction ; ici, le courant
est véhiculé par des porteurs d'une seule polarité, c’est un dispositif
unipolaire, par opposition au transistor à jonction qui est dit bipolaire
puisqu'il met en jeu des porteurs n et p
Dans les explications qui suivent nous

prendront le cas des NJFET.
Figure 1 : coupe d’un JFET canal N
La figure 1 donne le principe de fonctionnement du JFET canal N.

Une couche n est déposée sur un substrat p fortement dopé. Ensuite on
forme une jonction de grille p sur le dessus du cristal. Un contact est pris
de part et d’autre de la grille. Ce sont les sorties source et drain. On relie
la grille et le substrat à la masse.
Si une faible tension positive Vds est appliquée entre le drain et la source,
un courant va circuler à travers la zone n. On sait qu'une jonction polarisée
en inverse présente une zone désertée dont l'épaisseur est fonction de la
tension inverse. Lorsqu'on augmente Vds, le courant diminue car l'épaisseur
de la zone désertée augmente et la résistance du canal augmente. Si on
augmente encore Vds, les deux zones désertées se rejoignent, le canal est
saturé. La chute de tension est Vdsat et le courant est Idsat.
Lorsque la grille est polarisée en inverse, c' est à dire négative pour un
canal n, les zones désertées se rapproche encore plus vite la saturation se
produit pour Id plus faible
On obtient les courbes Id = f (Vds) à Vgs = cst
Figure 2 : caractéristique du sortie
Le JFET est comparable à un tube de télévision, la source produit des

électrons qui aboutissent au drain. Ils sont contrôlés par la tension de la
grille.
Le NJFET ne peut fonctionner qu’en appauvrissement avec une grille

négative. Si elle devenait positive, les jonctions p – n passantes créeraient
un courant important qui détruirait le JFET.
Dans un FET, la conduction du canal N ne dépend plus d'un courant de

commande, comme c'était le cas pour un transistor bipolaire mais dépend
d'une tension de commande appliquée sur la grille du FET. Plus le canal est
rétréci moins le canal conduira les électrons de la source au drain. Pour ce
faire, on appliquera une tension grille négative qui augmentera la barrière de
potentiel de la jonction PN polarisé en inverse et qui étranglera la partie
conducteur du canal N au voisinage de cette jonction. Plus la tension grille
négative est élevée moins le FET est conducteur entre le drain et la source.
Pour une certaine tension appelée tension de pincement Vp (ou tension de
blocage VgsBLOCAGE) le FET ne conduira plus.
Il découle de leur fabrication certaines propriétés électriques utiles pour

l’utilisation des FET.
1. Pratiquement aucun courant de commande IGS ≅ 0A (de l'ordre du pico

ampère). En effet, la grille est isolée du canal conducteur. Ce qui signifie
que l'impédance d'entrée est élevée et que la puissance de commande
nécessaire est très faible.
2. Le courant de drain ID est dépendant de la tension de commande Vgs. La

relation entre le courant ID et la tension Vgs représente ce que nous
appelons la fonction de transfert, noté ID = f (Vgs)
Figure 3 : caractéristiques de transfert
En fait, la relation entre le courant de drain ID et la tension de commande

Vgs est quadratique, et nous pouvons accepter la relation suivante:
ID = IDSS ( 1 - VGS) 2
VP
Beaucoup de fabricants donne IDSS et VP, ce qui permet, avec cette

formule, de calculer le courant ID pour toute tension Vgs.
MANIPULATION
Le transistor étudié est un JFET à canal N. La première partie de la
manipulation consiste à déterminer les principales caractéristiques et les
paramètres de ce transistor en statique. La deuxième partie traite le mode
de polarisation en source commune du JFET monté en amplificateur et la
détermination des paramètres de ce dernier.
Les paramètres statiques sont :
- la tension de pincement VP
- le courant de saturation IDSS
Les paramètres dynamiques sont :
∆I D
- la transconductance définie par : g m = point de fonctionnement
∆VGS
- la conductance de sotie définie par :
1 ∆I D
= point de fonctionnement
ρ ∆VDS
A. Travail à préparer
A.1 Étude d’un amplificateur à JFET
Le transistor est monté en source commune suivant le schéma de la
figure ci-dessous.
mA
Cg C0 RD
Ο
+
VS Ed
__ RG
eg RS Cs
Figure 4 : Etage amplificateur

On prendra : Cg = 100 nF , CS = C0 = 220 µF et RG = 470 KΩ
Ω
Afin d’éviter l’utilisation de deux sources d’alimentation continue, on adopte

une polarisation automatique du composant.
On étudie d’abord la polarisation et l’on détermine les valeurs des
résistances du montage, par la suite on étudie le régime dynamique.
A.1.1 Etude de la polarisation

Les paramètres statique d’un JFET à canal N de type
« BF245 » sont :
- la tension de pincement │VP│ ≈ 3 V
- le courant de saturation IDSS = 8 mA
a) prendre ED =15V et déterminer IDO Sachant que :

VGSO = 0,15 Vp et VDSO = 0,5 (ED –VP) +VP
b) Calculer les valeurs de Rs et RD
A. 1.2 Etude dynamique
Fixer la fréquence du générateur à 5 Khz
a) Déterminer l’expression du gain en tension G = Vs / eg (on

supposera que les condensateurs Cg et Cs jouent convenablement leur
rôle de découplage).
b) Déterminer l’impédance de sortie Zs
c) Déterminer l’impédance d’entrée Ze
B. MESURES
B.1 détermination des caractéristiques statiques
Le courant statique de grille étant pratiquement nul, le réseau des

caractéristiques se réduit simplement à la caractéristique de sortie : ID
(VDS) à VGS = cte et celle du transfert direct ID (VGS) à VDS = cte.
B.1.1 Caractéristique de sortie ID (VDS) à VGS = cte
1) Réaliser le montage de la figure ci dessous et relever le réseau des

caractéristiques
ID (VDS) à VGS = cte
Le choix des échelles est fonction des paramètres IDSS et Vp qu’il

faut mesurer avant toute manipulation. Le paramètre VGS sera choisi dans
les rapports suivants :
VGS
= 0; 0,15; 0,6;
VP
mA
Rd
. R1
+
Ed
EG - R2
Figure 5 : Etude statique
B.1.2 Caractéristique de transfert ID (VGS) à VDS = cte.
1) Relever la caractéristique de transfert ID (VGS) à VDS = 6 V

2
2) Vérifier la validité de la relation ID = IDSS (1 –VGS/VP)
3) Déterminer l’extension de la zone linéaire de la caractéristique de
transfert en régime pincé.
E − Vp
4) En choisissant VGSO = 0,15 Vp et VDSO = + Vp
2
déterminer :
- La conductance gm
ρ
- La conductance de sortie : 1/ρ
B.2 Etude dynamique
1) Réaliser le montage de la figure 4 et Fixer la fréquence du
générateur à 5 Khz
2) Mesurer le gain en tension G = Vs / eg. Lors des mesures veiller à

ce que le signal de sortie soit sinusoïdal.
3) Mesurer l’impédance de sortie Zs
4) Mesurer l’impédance d’entrée Ze
5) Comparer ces valeurs avec les valeurs théoriques.

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TRANSISTOR A EFFET DE CHAMPS A JONCTION :

Dans un Transistor à Effet de Champ à jonctions (TEC) le courant est :

Le transistor à effet de champ à jonctions (Junction Field Effect Transistor

Dans les explications qui suivent nous

Figure 1 : coupe d’un JFET canal N

La figure 1 donne le principe de fonctionnement du JFET canal N.

On obtient les courbes Id = f (Vds) à Vgs = cst

Figure 2 : caractéristique du sortie

Le JFET est comparable à un tube de télévision, la source produit des

Le NJFET ne peut fonctionner qu’en appauvrissement avec une grille

Dans un FET, la conduction du canal N ne dépend plus d'un courant de

Il découle de leur fabrication certaines propriétés électriques utiles pour

1. Pratiquement aucun courant de commande IGS ≅ 0A (de l'ordre du pico

2. Le courant de drain ID est dépendant de la tension de commande Vgs. La

Figure 3 : caractéristiques de transfert

En fait, la relation entre le courant de drain ID et la tension de commande

Beaucoup de fabricants donne IDSS et VP, ce qui permet, avec cette

Figure 4 : Etage amplificateur

Afin d’éviter l’utilisation de deux sources d’alimentation continue, on adopte

A.1.1 Etude de la polarisation

a) prendre ED =15V et déterminer IDO Sachant que :

b) Calculer les valeurs de Rs et RD

A. 1.2 Etude dynamique

Fixer la fréquence du générateur à 5 Khz

a) Déterminer l’expression du gain en tension G = Vs / eg (on

B.1 détermination des caractéristiques statiques

Le courant statique de grille étant pratiquement nul, le réseau des

B.1.1 Caractéristique de sortie ID (VDS) à VGS = cte

1) Réaliser le montage de la figure ci dessous et relever le réseau des

Le choix des échelles est fonction des paramètres IDSS et Vp qu’il

Figure 5 : Etude statique

B.1.2 Caractéristique de transfert ID (VGS) à VDS = cte.

1) Relever la caractéristique de transfert ID (VGS) à VDS = 6 V

2) Mesurer le gain en tension G = Vs / eg. Lors des mesures veiller à

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