le transistor à effet de champ

Le transistor à effet de champ (Field Effect Transistor) est un dispositif imaginé par
Schockley en 1958. Le principe en est le contrôle du courant dans un barreau
semiconducteur à l'aide de deux tensions. En effet si on considère un barreau semi-
conducteur avec une densité d’électrons n, le courant s’écrit :

Dans l’expression précédente n,v et S sont susceptibles de varier. Suivant que

l’on fait varier S ou n. On distingue deux grandes familles de transistors à effet
de champ :
Les transistors à jonction pour lesquels on provoque une variation de la section
du canal S
Jonction PN silicium (JFET)
Jonction métal Semi-conducteur (MESFET)
Les transistors à contrôle de charges pour lesquels on fait varier la densité de
porteurs n.
Les transistors à grille isolée sur Silicium(MOSFET)
A la différence des transistors bipolaires le courant n'est constitué que d'un seul
type de porteurs (électrons ou trous). De plus c'est un dispositif qui se prête très
bien à une intégration à grande échelle.

1. Le Transistor à effet de champ à jonctions JFET

La structure d'un transistor a effet de champ à jonction est donnée à la figure 1. Il
est constitué d'un canal généralement dopé N inséré entre deux zones dopées N+.
On distingue 3 contacts.
la Source S est l'électrode par où les porteurs majoritaires entrent dans le
barreau. (Source d'électrons)
le drain D est l'électrode par où les porteurs majoritaires quittent le barreau.
(Électrode chargée de drainer les électrons)
la grille G permet de commander le courant IDS.
 Figure 1

Canal N

Canal P
PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
Un TEC est donc un barreau SC bordé par deux jonctions. Ces deux jonctions
sont normalement polarisées en inverse. La tension VGS est normalement
négative et le courant qui circule dans la grille est très faible. Les deux zones
de charge d’espace sont dans la région N à cause de la forte dissymétrie de
dopage. Leurs épaisseurs dépendent fortement de VGS. L’augmentation donc
de |VGS| provoque l’élargissement des ZCE et donc la restriction du canal. Ce
qui ce traduit par une réduction la conductance du canal, et par suite, une
diminution du courant ID. On peut donc contrôler ce courant par la tension VGS.

Figure 2
 ID

ID
ID

IDsat IDsat

c) VDS=VDSat d) VDS>VDSat

Figure 3 : schéma montrant l’évolution des zones de charge d’espace en fonction de

VDS à VGS cte <Vp
Considérons un fonctionnement du TEC à VGS < 0 constante. Lorsque VDS=0 la zone
de charge d'espace a la même largeur dans tout le canal (fig 3-a). Lorsque l'on
augmente VDS à partir de cette valeur nulle le courant IDS se met à croître de façon
linéaire (zone linéaire de la caractéristique (ID =f(VDS)). D'autre part la tension
inverse appliquée à la jonction P+N constituée par la grille et le canal varie de VGS
au niveau de la source, à VGS-VDS au niveau du drain. Du fait que VDS > 0 et VGS < 0
on a: | VGS - VDS |> |VGS| et la largeur de la zone de charge d'espace augmente de la
source au drain (fig 3-b) le transistor fonctionne en zone ohmique.

Lorsque la tension VDS atteint une valeur VDSat, les deux côtés de la zone de charge
d'espace se rejoignent au niveau du drain provoquant ainsi le pincement du canal
(fig. 3-c). Dans ce cas, |VGS - VDS | = VGD atteint une valeur particulière VP. La tension
VP est appelée tension de pincement et constitue une caractéristique du transistor.

Si l'on continue à augmenter VDS Le point de pincement progresse dans le canal en

direction de la source (fig 4-d). On pourrait penser que cette zone empêche les
électrons d'atteindre le drain. Ce n'est pas le cas car la présence du champ
électrique longitudinal propulse les électrons présents à l'entrée de la zone vers le
drain. En conséquence, le courant drain est constant et égal à IDSat . On dit que le
transistor est à la saturation. (zone de saturation de la caractéristique (ID =f(VDS).
 Caractéristiques du Transistor FET 3823
Figure 1 : caractéristiques du transistor FET 3823

courant Id (mA)
25
Caractéristiques
Caractéristique
de sortie
de transconductance

20 VDSAT Vgs = 0V
IDSS IDSat
Vgs = - 0,5V
IDSat
15 Vgs = - 1V
IDSat
Vgs = - 1,5V
IDSat
Vgs = - 2V
Vds = 8V 10
IDSat

Vgs(V)
Vds (V)
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

VPincement Zone linéaire Zone de saturation

L’application d’une tension négative sur la grille réduit la conductance du canal
quelque soit VDS et provoque le pincement plus tôt. VDS et IDSat décroissent comme
indiqué sur la caractéristique.
Calcul des caractéristiques statiques
A) région linéaire
Introduisant les notations du problème en nous reportant à la figure
L : la longueur du canal ;
2a : l'épaisseur du canal ;
Z : largeur du canal (=largeur de la grille) ;
ND : le dopage du canal ; la mobilité des porteurs dans le canal est constante et indépendante du champ
électrique présent.
B : est la tension de barrière des 2 jonctions grille-canal

Figure 4
A cause de la tension drain - source, dans le canal il existe un potentiel tel que:
V(0) = 0 à la source, V(L) = VD au drain et à l'abscisse x : V(x).
De ce fait l'épaisseur W(x) de la ZCE de chaque jonction n'est pas constante, en
l'absence de tension grille elle vaut à l'abscisse x :

2 ε sc ε 0
W(x)   B  V(x)  V GS 
qN d

La résistance présentée par une tranche de canal située à l'abscisse x et

d'épaisseur dx est : 1 dx
dR  .
σN Z.2 a  w(x) 
N est la conductivité du matériau N : N = q.ND.µN
La chute de tension correspondant à la circulation du courant ID dans cet
élément du canal vaut :

On tire :
 2 ε sc ε 0  I D .dx
dV  a -  B  V(x)  V GS   
 qN d  2.q. μ n .N D
.Z
Intégrant le long du canal, le courant ID étant conservatif,
VD S
 2 ε sc ε 0  L
I D .dx
 a -  B  V(x)  V GS   dV  
0  qN d  0
2.q. μ n .N D
.Z

2 2 ε sc ε 0  3 3
 I D .L
V DS .a  (  B  V DS  V GS ) 2  (  B  V GS ) 2 
On trouve 3 qN d   2.q. μ n .N D
.Z

On pose la conductance du canal sans zone déserte on a :

 2 ε sc ε 0  
2 
3 3
I D  G 0  V DS  (   V  V ) 2
 (   V ) 2

3 qN a 
2
 B DS GS B GS

 d 
(5)
 
2
 2 1   qN a
2 
3 3
V0 
d
ID  G 0  V DS  (   V  V ) 2
 (   V ) 
3 V 2  
B DS GS B GS

1
 2 ε sc ε 0
 0 

La tension de pincement est donnée par : w(x)=a

2
2 ε sc ε 0 qN a
W(V p
) a   B  VP   VP  B 
d

qN d
2 ε sc ε 0
2
qN a
 V P   B  V 0 avec V 0 
d

2 ε sc ε 0
 Dans la région linéaire VDS est petit et très inférieure à B-VGS, on peut
développer le crochet et faire apparaître une relation linéaire entre ID et VDS.
 2 ε sc ε 0  
I D  G 0 1  (  B  V GS )  V DS  G . V DS  B  V GS 
2 G  G 0 1  
 qN d
a  V0
 

Dans ce cas l’évolution du potentiel est négligeable entre S et D et on peut

considérer la polarisation inverse comme pratiquement indépendante de x.
Donc w(x) cte. On remarque ID est proportionnel à VDS, d’où le nom du régime
linéaire ou Ohmique. Cette relation est valable jusqu’au pincement

B) région de saturation
La tension de saturation VDsat est la tension qui provoque le pincement du
canal, au niveau du drain, c’est-à-dire pour laquelle la largeur de la ZCE est
égale à a.
2
2 ε sc ε 0
 
qN a
V Dsat    B  V GS
d
W Sat  a  B
 V Dsat  V GS
qN d
2 ε sc ε 0

On remplaçant VDS par VDSat dans la relation (5) on tire

 1  
 2 1 V 
I DSat  G 0   (  B  V GS ) 2  1  (  B  V GS ) 
0

 3
 V0 2
1  3 
  
Cette relation exprime la variation du courant de saturation en fonction de la
tension grille, c'est la caractéristique de transfert. De cette relation on tire :
2)l’expression de la transconductance du dispositif qui caractérise le gain du
transistor en source commune.

dI D   B  V GS 
gm  sat
 G 0 1  
dVGS  V0 

On remarque que gm est proportionnelle à G0 donc à la mobilité des porteurs. Ceci

explique que les TEC sont à canal N (µn>µp)
1) l’expression du courant de saturation maximum IDSS obtenu pour VG=0
V0 2 B 
I DSS  G 0
 G 0 B   1
3 3 V0 

En pratique, on assimile souvent la caractéristique de transfert à une parabole et

l'expression du courant de saturation est très souvent donnée par la relation
empirique :

Le constructeur donne les valeurs du courant de saturation maximum IDSS et de la

tension de pincement Vp , il est alors facile de déterminer la valeur expérimentale
du courant de saturation.
 le transistor à effet de champ à jonction : régime dynamique

Polarisation du transistor
De la même façon que pour le transistor bipolaire il nous faut choisir un point
de fonctionnement avant de définir les paramètres petits signaux car ceux-ci
seront fonction de ce point de fonctionnement. Pour cela, il faut polariser le
transistor.
Dans le cas de la polarisation automatique (figure 5) le point de
fonctionnement IDSo, VGSo sera déterminé par l'intersection de la caractéristique de
transfert ID(VGS) avec la droite d'équation VGS = - RSIDS (figure 6).

Figure 5 Rc

VDD
Figure 6
Paramètres basses fréquences
Le schéma équivalent "basses fréquences" d'un transistor a effet de champ est
représenté à la figure 7.

Figure 7

La transconductance gm représente la possibilité de contrôler le transistor à

l'aide de la tension de grille. Elle est directement liée à l'amplification du
transistor. Elle est définie autour du point de fonctionnement par :

dI D   B  V GS 
gm  sat
 G 0 1  
dVGS  V0 
 Résistance d'entrée : L'entrée du transistor se faisant sur une jonction
polarisée en inverse (grille source) la résistance d'entrée sera quasiment
infinie.
Résistance de sortie est définie par :

rds de l'ordre de 100 k.

Paramètres hautes fréquences

Le schéma équivalent complet d’un FET est représenté sur la
figure 8.

Circuit d’entrée :
rgs : très élevée : (~1010)
CGs : très petite (~pF); c’est la capacité d’une jonction en inverse
rs : représente la résistance série entre le contact de la source est
la région du canal (~50)

Dispositifs
Circuit de sortie : Éléments de réaction
gm : (~10-3A/V) rgd : très élevée :
(~1010)
rds : (~105 )
CGd : très petite (~pF);
Cds : négligeable
(~pF)
Avantage et limites en fréquences
Outre leur impédance d’entrée très élevée, les TEC présentent l’avantage
d’avoir une excellente réponse en fréquence. Nous allons évaluer leur
fréquence de coupure.
Le gain en courant est définit par

is id g m v GS gm
  
ie ie V DS  cte j  .( C gs  C gd ). v GS j  .( C gs  C gd )

Compte tenu du schéma équivalent de la figure 8 on peut déterminer la

fréquence de transition du TEC. Cette fréquence est définie comme la
fréquence pour laquelle le gain en courant du transistor est égal à 1. Cette
fréquence est donnée par :

gm
f T 
2  .( C gs  C gd )
 C qN D ε
C C
G0
GS
 G0

V GS 2B
1
B

C qN D ε
C C
G0
GD
 G0

V GD 2B
1
B