Rapport TP.02

Filière : génie électrique et informatique et industrielle
(GEII)
Compte Rendu du Travail Pratique

DU COMPOSANTS DE PUISSANCE
Prépare par :
EL MSIYAH Oumaima
FESFASSE Iman
KHAYI Hiba
lACHGAR Imane
Encadré par :
M.EL KHOUILI
Année universitaire : 2022 /2023

REMERCIEMENTS
On tient à remercier dans un premier temps l’équipe
pédagogique de l’école supérieure de technologie et
les intervenants professionnels responsables de
notre formation pour avoir assuré la partie théorique
de Celle-ci.
On adresse nos remerciements profondes à Monsieur

D.ELKHOUILI l’encadrant des travaux pratiques pour
l’aide et les conseils concernant les missions évoquées
dans ce rapport.
On tient à remercier également tous les profs qui ont

assisté à nos travaux pratiques pour leur coopération
sincère.
I. Objectifs
 Etude pratique des composants de l’électronique de

puissance
 Tracer leur caractéristique statique
 Déduire leur demaine d’utilisation
II. Diode de puissance
a. Définition :
La diode est un composant

électronique. C'est un dipôle non
linéaire et polarisé. Le sens de
branchement d'une diode détermine le
fonctionnement du circuit
électronique dans lequel elle est placée. Sans précision ce mot
désigne un dipôle qui ne laisse passer le courant électrique que
dans un sens
b. Schéma du montage :
c. Tableau des résultats des mesures :
E(V) 0 5 10 15 20 25 30
ID 0 0.18 0.36 0.54 0.72 0.9 1.14
VAK 0.6 1.21 1.23 1.24 1.24 1.25 1.26
d. Caractéristique statique de la diode :
 D’apprêt les mesures on trouve un courant de fuit très faible

au moment du blocage de la diode, d’où il est nul.
e. Etude :
Chute de tension : V=1.26

Courant nominale : I= 1.14 A
R=ΔVAK/ΔId =(1.14-0.18 ) /(1.26-1.21) = 19.2Ω
Vs=0.95V
Vd = Vs +Rd *Id =0.95+19.21.14=22.38 V
III. Thyristor :
a. Définition :
Le thyristor est Composant semi-conducteur
possédant une électrode de commande permettant de
déclencher le passage du courant dans une seule
direction.
Composant semi-conducteur possédant une électrode
de commande permettant de déclencher le passage
du courant dans une seule direction.
II est composé de 4 couches PNPN formant 3

jonctions J1, J2 et J3
c. Tableaux des résultats des mesures :
Pour Ig =0 :
Ve (v) 5 10 15 20 25 30
IA 8 16 24 34 42 56
(µA)
VAK 4.8 9.3 14.1 18.1 23.4 28.2
(V)
Pour Ig #0 :
VE (v) 0 5 10 15 20 25 30
IA (A) 0 0.06 0.14 0.20 0.24 0.3 0.36
Ig 0 20 20 20 20 20 20
(mA)
VAK 0 0.81 0.9 0.98 1.047 1.11 1.168
(v)
Pour VE = 5 Ig= 20 mA et Vseuile = 0.8
d. caractéristique statique :
Pour Ig =0 :
Pour Ig #0
e. conclusion :
Amorçage :
quand Vak > 0 on va envoyer une impulsion de courant sur la gâchette. Le
courant doit "rentrer" dans la gâchette. Ce courant de gâchette sort par la
cathode. La cathode joue le rôle de potentiel commun comme l'émetteur d'un
transistor. Lorsque le thyristor est passant, il se comporte comme une diode. La
tension à ses bornes est de l'ordre de 1V à 1.2V (comparer au 0.7V pour une
diode passante). Que le courant de gâchette soit maintenu ou coupé, le thyristor
reste passant.
Blocage :
Pour bloquer le thyristor on va ajouter une résistance variable (RHEOSTAT) de 1400 ohm en
série avec R1 (la résistance en série avec la cathode de thyristor) dans la ligne
Principale et annule E2 (la source d'alimentation de de la gâchette), le thyristor ne se
bloquera pas directement à cause du courant de maintien
D'apprêt les mesures on trouve un courant de fuit très faible au moment du blocage de la
diode, d'où il est nul.
IV. Transistor :
a. Définition :
Le transistor est un composant électronique à
semi-conducteur utilisé pour redresser, moduler
ou amplifier les courants électriques. C'est un
composant totalement commandé à la
fermeture
et l'ouverture, compose de 3 couche PNP ou NPN avec deux jonctions
et de trois bornes : BASE, COLLECTEUR et EMETTEUR.
c. Tableaux des résultats des mesures :

Pour Ib=0
ve (v) 0 5 10 15 20 25 30
Vce (v) 0 4.5 9.5 14.5 19.5 24.5 29.5
Ic (µA) 0 4 12 20 29 39 46
Pour Ib=100mA
Ve (v) 0 5 10 15 20 25 30
Vce (v) 0 0.95 1 1.05 1.1 1.15 1.2
Ic (A) 0 0.06 0.17 0.28 0.39 0.51 0.62
d. Caractéristique statique :
Pour Ib =0
Pour Ib=100mA
e. Etude :
Par exploitation le courant Ib doit être égale a 100 mA pour que, on
obtenir Ic=3A
On a les deux jonctions émettre et collecteur se rejoint et se touchaient
comme dans un interrupteur alors le transistor pet être utilise comme
un interrupteur.

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On tient à remercier également tous les profs qui ont

 Etude pratique des composants de l’électronique de

II. Diode de puissance

La diode est un composant

ID 0 0.18 0.36 0.54 0.72 0.9 1.14

VAK 0.6 1.21 1.23 1.24 1.24 1.25 1.26

d. Caractéristique statique de la diode :

 D’apprêt les mesures on trouve un courant de fuit très faible

Chute de tension : V=1.26

II est composé de 4 couches PNPN formant 3

IA (A) 0 0.06 0.14 0.20 0.24 0.3 0.36

c. Tableaux des résultats des mesures :

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