Scribd Logo
Importer

Bienvenue sur Scribd !

  • 83 vues

    DS 2018-2019 Mec

    Transféré par

    noura loussaief

    Droits d'auteur :

    © All Rights Reserved
    Téléchargez comme PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

    DS 2018-2019 Mec

    Transféré par

    noura loussaief
    83 vues2 pages

    Titre original

    DS 2018-2019 mec

    Copyright

    © © All Rights Reserved

    Formats disponibles

    PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

    Avez-vous trouvé ce document utile ?

    Ce contenu est-il inapproprié ?

    Droits d'auteur :

    © All Rights Reserved
    Téléchargez comme PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
    Télécharger au format pdf ou txt
    83 vues2 pages

    DS 2018-2019 Mec

    Transféré par

    noura loussaief

    Droits d'auteur :

    © All Rights Reserved
    Téléchargez comme PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
    Télécharger au format pdf ou txt
    sur 2

    Ministère de l’Enseignement Supérieur ‫وزارة التعليـم العالي و البحث العلمي‬

    et de la Recherche Scientifique

    Université de Carthage
    ‫جامعـة قرطاج‬

    Ecole Nationale d’Ingénieurs de Carthage ‫المدرسـة الوطنية للمهندسين بقرطاج‬

    Année universitaire 2018-2019


    Devoir Surveillé
    Physique des semi-conducteurs

    Enseignants : A.Tlili, F.Oueslati, A. Rihani et N. Loussaief Documents : Non autorisés


    Filière / Classe : 1ère Année ingénieur mécatronique Calculatrice : Autorisée
    Date : Nombre de pages : 2
    Durée : 1h30

    Exercice 1

    On considère un barreau de silicium intrinsèque de longueur L=100 µm et de section S=200 µm2.


    On donne : q = 1,6.10 -19 C, la constante de Boltzmann k = 1,38.10 -23 J/K.
    Largeur de la bande interdite Eg = 1,1 eV.
    Concentration effective des porteurs dans la bande de conduction et des trous dans la bande de valence
    sont données, respectivement, par

    1. Calculer la concentration ni des porteurs à 300 K.


    2. Déterminer la position du niveau de Fermi EF de ce semi-conducteur et le placer sur un diagramme de
    bandes d’énergie.
    On veut réaliser une résistance en circuit intégré à partir de silicium dopé. On dope donc le
    barreau avec des impuretés à raison d’un atome d’antimoine (Sb) pour 5.10 12 atomes de silicium.
    3. Déterminer la concentration des impuretés introduites. La densité de silicium est 7,2.1024 cm-3.
    4. Quel type de semi-conducteur obtient-on ? (dans quelle colonne de la classification périodique se situe
    cet atome?)
    5. Etablir les expressions générales donnant les concentrations des porteurs n et p en fonction de ni et de
    la concentration des impuretés, déterminer ces concentrations à 300 K.
    6. Déterminer la relation donnant la résistance R en fonction de L, S et de la conductivité.
    7. En déduire la résistance R pour une mobilité des électrons égale la valeur 1500 cm2V-1s-1

    45, rue des entrepreneurs Charguia 2, Tunis Carthage 2035. Tél/fax 71 941 579
    Ministère de l’Enseignement Supérieur ‫وزارة التعليـم العالي و البحث العلمي‬
    et de la Recherche Scientifique

    Université de Carthage
    ‫جامعـة قرطاج‬

    Ecole Nationale d’Ingénieurs de Carthage ‫المدرسـة الوطنية للمهندسين بقرطاج‬

    Exercice 2
    Un cristal de GaAs est éclairé de façon non uniforme pendant un temps t. Cet éclairement produit
    une variation de concentration en électron de 1 1017 à 1 1018 électrons par cm3 entre les extrémités du
    cristal (d = 0.1 cm).
    1. Existe -t'il un courant dans ce cristal malgré l'absence de tension appliquée?
    2. Déterminer la densité de courant produit par la diffusion des porteurs.
    3. Pour un cristal comportant 1017 atomes de Sélénium(Se) quelle tension doit être appliquée aux
    extrémités pour produire une densité de courant équivalente
    Données: Dn=225 cm2/s et µn=2000 cm2/V−1.s−1.

    45, rue des entrepreneurs Charguia 2, Tunis Carthage 2035. Tél/fax 71 941 579

    Vous aimerez peut-être aussi