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    sur 3

    1

    Université Kasdi Merbah Ouargla


    Faculté des Sciences et Technologie et Sciences de la Matière
    Département de Génie Electrique
    Option : Automatique
    Niveau : Master (S1)
    Module : Electronique

    LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

    Exercice 1
    Le transistor du circuit ci-dessous est polarisé au milieu de la caractéristiques de sortie
    Ic = f(VCE). Pour VBE = 0.5 V :
    1°) Etablir le point de fonctionnement Q(VCEQ, ICQ).
    2°) Donner la puissance maximale que doit pouvoir dissiper le transistor.
    3°) Quelle est la puissance fournie par l’alimentation ?
    4°) Quelle est la valeur du courant crête de sortie possible ?
    5°) Donner la valeur de la tension de sortie maximale possible
    6°) Quelle est la valeur de la valeur de la puissance efficace de sortie possible ?
    7°) Quel est le rendement maximal ? +Ec
    On donne : IP
    E C  30 V R2 Rc
    R 0  250  C
    C
    R c  25  , R E  5  , R1  30  , R 2  270 

    I0 R0
    R1 RE

    Exercice 2
    On veut réaliser un amplificateur de puissance classe A capable de fournir à la sortie une
    puissance maximale de 50 Watts (aux bornes de Ru). Les valeurs maximales que peut
    atteindre le transistor sont : ICmax = 4 A, VCEmax = 100 V. Sachant que le montage adopté est
    ci-dessous ;
    1°) Déterminer la valeur de E et le rapport de transformation n = n1/n2.
    2°) Tracer les droites de charges statique et dynamique. On donne Ru = 4 Ω.
    +E

    R2 Ru

    R1

    Dr M. Boulakroune
    2

    Exercice 3
    Le transistor monté dans le circuit ci-dessous travaille en classe A.
    1°) Déterminer RE et RB pour avoir le point de repos Q définit par VCE = 25 V et IC = 1.25 A,
    VBE négligeable.
    Les caractéristiques du transistor sont données ci-dessous avec ICB0 = 0.004 A et VCEsat = 10V.
    Tracer les droites de charge statique C et dynamique a.
    2°) Calculer :
    a- La puissance maximale de sortie (sans distorsion).
    b- La puissance dissipée par le transistor pour le cas favorable (sans distorsion).
    c- La puissance maximale de sortie pour le cas défavorable (avec distorsion).
    d- La puissance dissipée par le transistor pour le cas défavorable (avec distorsion).
    e- La puissance fournie par l’alimentation.
    f- Les rendements.
    IC(A)
    E = 60V Ib = 140 mA
    3 Ib = 120 mA
    Rc = 20 Ω
    Rb Ib = 100 mA
    C2
    C1 Ib = 80 mA
    T1 2
    Ib = 60 mA

    Rg = 15 kΩ Vs Ib = 40 mA
    Ve CE
    RE 1 Ib = 20 mA
    eg
    Ib = 10 mA

    VCE(V)
    10 20 30 40 50 60 70

    Exercice 4
    On considère l’étage symétrique de la figure ci-dessous équipé de deux transistors considérés
    comme amplificateurs parfaits. Les caractéristiques de sortie parallèles à l’axe des tensions,
    équidistantes pour les valeurs équidistantes de Ib). Pour les valeurs suivantes :
    ICE0 = 0, VCEsat = 0, RL = 1kΩ et E = 9 V et en posant RCC = (n1/n2)2RL, RCC : résistance du
    collecteur tel que : RE << RCC.
    Etudier le fonctionnement pour :
    +E

    R1 I0+Ic1
    n1 n2

    T1 RL
    Ve1
    C
    Ve
    Ve2
    RE
    T2

    R2
    I0+Ic2
    Dr M. Boulakroune
    3

    1°/ Fonctionnement en classe A


    On néglige Ib pour obtenir le courant du collecteur de repos I0 = 5 mA et on utilise le rapport
    de transformation n1/n2 tel que la puissance de sortie Ps puisse être maximale avec une tension
    d’entrée convenable.
    a. Tracer la droite de charge dynamique a de T1. En déduire la valeur de RC de ce
    transistor si sa puissance est Psmax = Rc.Im2/2, Où Im : amplitude max du courant
    alternatif du collecteur.
    b. Exprimer Rc en fonction de RCC puis calculer n1/n2.
    c. Calculer Psmax, la puissance fournie par l’alimentation et nmax = Psmax/Pf

    2°/ Fonctionnement en classe B


    Même tension d’alimentation E et même charge Rc. Mêmes questions qu’au 1°/ avec
    Immax = I0.

    Dr M. Boulakroune

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