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- TEL602 Chapitre 3 : Lamplificateur hyperfrquence transistor

TEL602 - Hyperfrquences II

Chapitre 3 : Lamplificateur hyperfrquence transistor

1. Introduction
L'amplificateur est un des circuits de base dans les systmes de tlcommunication.
Dans ce chapitre, nous tudions les amplificateurs linaires transistors, et les
mthodes de conception de lamplificateur en hyperfrquences.

2. Gnralits
Dfinition

Lamplificateur est un dispositif lectronique qui sert agrandir (amplifier) le niveau

de signal (tension, puissance) appliqu son entre.

Si on prend PE la puissance de signal lentre dun amplificateur, alors la puissance Figure 1 : La rponse en puissance dun amplificateur.
de sortie scrit :
Le point de compression 1dB (IP1dB)
PS = G P E
On dfinit le point de compression 1 dB not (IP1dB) par le niveau de puissance pour
G : est le gain en puissance de cet amplificateur. lequel la sortie est de 1 dB en dessous de la caractristique idale. partir de ce point,
lamplificateur nest pas linaire :
En dcibels : PS(dB)=PE(dB)+G(dB)
OP1dB= IP1dB + G(-1dB)
Linarit dun amplificateur
Le facteur de bruit
La linarit est la capacit d'un amplificateur de dlivrer une puissance de sortie
proportionnelle la puissance d'entre. Elle dpend principalement du transistor qui Le facteur de bruit dun amplificateur dfinit le niveau de bruit gnr par
constitue lamplificateur. lamplificateur. Ce bruit gnr par lamplificateur diminue sa sensibilit donc la
possibilit damplifier des faibles puissances.
La rponse en puissance dun amplificateur est montre par la figure 1.
La gamme dynamique
Pour PE < IP1dB : la rponse de lamplificateur est linaire (PS = G PE).
On dfinit la gamme dynamique par lintervalle de puissance dans lequel
Pour PE>IP1dB : le gain subit une compression qui devient de plus en plus importante
lamplificateur fonctionne sans distorsion (linaire). Elle est limite par le minimum
donc la puissance subit des distorsions et lamplificateur se sature.
de puissance dtectable par lamplificateur dune part, et par le point de compression
1 dB de lautre part.

S. Labandji 1 Ver : 18/05/2015 S. Labandji 2 Ver : 18/05/2015

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Lamplificateur bande troite/large Le transistor assure lamplification, et dtermine plusieurs caractristiques de
lamplificateur comme le gain, le facteur de bruit, etc. De bonnes performances
On dfinit la bande passante relative dun amplificateur par :
ncessitent un bon choix de transistor, ce choix est port sur plusieurs critres, citons :
la gamme de frquence dutilisation, le gain, le facteur de bruit, la puissance maximale
de sortie, le taux dintgration, le cot
Avec :
Les rseaux dadaptation sont des circuits qui optimisent le transfert dnergie de la
cest la bande passante -3dB (GMAX/2).
source vers le transistor et du transistor vers la charge.

cest la frquence centrale de fonctionnement de lamplificateur. Le circuit dalimentation fournit lnergie ncessaire pour le fonctionnement du
transistor.
On dit que lamplificateur est bande troite, si : 10%.

On dit que lamplificateur est large bande, si : 10%. 4. Les transistors

Lamplificateur petits/grands signaux Les transistors en hyperfrquences

Si le signal lentre de lamplificateur est faible, il est possible de considrer que sa On distingue deux grandes familles de transistors : les transistors bipolaires (BJT) et
variation ne couvre quune petite portion linaire de la caractristique de les transistors effet de champ (FET). Les BJT sont utiliss principalement dans les
lamplificateur. On dit quil sagit dun amplificateur petit signal. applications de puissance tandis que les FETs sont souvent utiliss dans les applications
faible bruit.
Si le signal lentre de lamplificateur est lev, alors sa variation couvre une large
portion de la caractristique non linaire de lamplificateur. On dit quil sagit dun Citons les transistors les plus populaires en hyperfrquences :
amplificateur grand signal. Le transistor bipolaire (BJT) : Ce transistor en NPN ou PNP est bas sur un seul
Dans le cas dun amplificateur grand signal donc non linaire, on ne peut pas utiliser matriau semi-conducteur (Si), il permet daller jusqu 10GHz.
les paramtres S pour le caractriser. Le transistor bipolaire htrojonction (HBT) : Le transistor bipolaire
htrojonction est compos par des semi-conducteurs diffrents. Il permet datteindre
3. Schma-bloc dun amplificateur hyperfrquence
des frquences suprieures 100 GHz, avec de bonnes performances en bruit et
Le schma-bloc dun amplificateur hyperfrquence est montr par la figure 2.
consommation par rapport un BJT classique. On le trouve en technologie : GaAs
Le Circuit (Arsniure de Gallium), InP et SiGe.
dalimentation
Mtal semi-conducteur FET (MESFET) : Pour le MESFET la grille est mtallique,
Lentre Rseau Rseau La sortie
Le ce qui forme un contact mtal-semi-conducteur. Il atteint des frquences plus leves
dadaptation dadaptation
transistor
de lentre de la sortie
de celles des JFETs. Les FET en GaAs sont trs populaires.

Figure 2 : La structure dun amplificateur hyperfrquence

S. Labandji 3 Ver : 18/05/2015 S. Labandji 4 Ver : 18/05/2015

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Mtal oxyde FET (MOSFET) : le MOSFET est caractris par une grille mtallique
isole de la couche active par un oxyde isolant. Dans cette famille, on trouve les
technologies CMOS, NMOS. Ces transistors sont largement utiliss pour les circuits
intgrs.

Le transistor haute mobilit dlectrons (HEMT) : cest un FET htrojonction

Figure 3 : Circuit quivalent hyperfrquence simplifi dun BJT en metteur commun.
construit par plusieurs couches de matriaux semi-conducteurs diffrents. Il permet
datteindre des frquences qui dpassent les 100 GHz (dpends de la technologie de
fabrication). Cette famille de transistors est dveloppe principalement en GaAs, mais
aussi en GaN, InP

La table suivante compare les transistors les plus populaires :

BJT HBT CMOS MESFET HEMT HEMT Figure 4 : Circuit quivalent hyperfrquence simplifi dun FET en source commune.
Si SiGe Si GaAs GaAs GaN
Frquence max 10 30 20 60 100 10 Les paramtres de rpartition dun transistor
(GHz)
Les paramtres S dun transistor dpendent du montage, de point de fonctionnement,
Gain type (dB) 10-15 10-15 10-20 5-20 10-20 10-15
et de la frquence. Souvent, les constructeurs fournissent des fiches techniques pour
Facteur de bruit (dB) 2.0 0.6 1.0 1.0 0.5 1.6
Niveau de puissance lev Moyen Faible Moyen Moyen lev leurs transistors avec des tableaux des paramtres S mesurs en fonction de la

Cot Faible Moyen Faible Moyen lev Moyen frquence pour certains points de polarisation et gnralement pour un montage en
metteur commun ou source commune.
Le circuit quivalent dun transistor
En gnral S12 est de faible valeur, cependant S21 qui constitue le gain du transistor est
Les circuits quivalents hyperfrquences simplifis petit signal dun BJT et dun FET
suprieur 1 dans les conditions de fonctionnement optimales du transistor.
sont donns par la figure 3 et la figure 4 respectivement.

La capacit entre lentre et la sortie (CBC et CGD) dans la plus part des transistors est
de faible valeur, donc elle peut tre nglige pour des frquences relativement basses.
Par consquences il est possible de considrer que la puissance ne circule que de
lentre vers la sortie et S12=0, ce qui permet de simplifier lanalyse de circuit.

Pour des frquences leves limpdance de la capacit (CBC et CGD) devient de plus
en plus faible. Elle favorise le courant de la parcourir directement ce qui diminue la
valeur de S21 et le gain du transistor. En plus elle constitue une boucle de retour de la
sortie vers lentre ce qui dtriore la stabilit. Figure 5 : Variations de S21(dB) en fonction de la frquence pour un transistor.

S. Labandji 5 Ver : 18/05/2015 S. Labandji 6 Ver : 18/05/2015

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5. Lamplificateur gain lev Avec :
B 1 |S | |S | || C S S
Le schma de principe dun amplificateur transistor est illustr dans la figure (6).
B 1 |S | |S | || C S S
ZS
Pour || 1, le maximum de gain de transducique scrit :

E Q1 Q2 ZL | |
1 5
| |
S 1 2 L
Pour || 1, le maximum de gain de transducique scrit :
Figure 6 : Schma de principe dun amplificateur transistor.
| |
1 6
Logiquement, lors de la ralisation de lamplificateur, on cherche avoir le maximum | |
du gain. Pour cela, il faut raliser ladaptation entre lentre du transistor et la source,
On dfinit le maximum de gain stable K=1 :
simultanment avec ladaptation entre la sortie de transistor et la charge.
| |

1
| |
Cependant, le problme qui se pose cest que dpend de en mme temps que
Cercles gain constant
dpend de .
Si K<1, ladaptation simultane est impossible, donc il est impossible dobtenir le


2 .
1 1
Ladaptation simultane (K>1) Le gain damplification en puissance GP est indpendant de lentre (de ZG), donc il
est possible de faire un choix de la valeur de GP en slectionnant la valeur de la charge
On montre quil est possible de raliser ladaptation simultane si et seulement si : K>1.
ZL, puis il suffit dappliquer une adaptation conjugue lentre.
partir des quations (1) (2), il est possible de calculer les coefficients de rflexion
On montre que le lieu des points de pour lesquels le gain GP soit constant, dfini
qui assurent ladaptation simultane lentre et la sortie.
des cercles dont le centre et le rayon sont donns par les expressions suivantes :
Si || 1 , la stabilit est inconditionnelle, et les solutions qui assurent ladaptation
S S 1 2 |S S | |S S |
simultane sont : 7
1 |S | || 1 |S | ||
B B 4|C | B B 4|C |
3 cest le gain en puissance normalis
2C 2C | |
Si || 1 , La stabilit est conditionnelle, mais ladaptation simultane est possible,
De la mme faon, le gain disponible GA qui ne dpend pas de la charge (ZL), ainsi il
et les solutions qui assurent ladaptation simultanes sont :
est possible de faire un choix de GA donc de ZS, et dappliquer une adaptation conjugue
B B 4|C | B B 4|C | la sortie.
4
2C 2C

S. Labandji 7 Ver : 18/05/2015 S. Labandji 8 Ver : 18/05/2015

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Le lieu des points de pour lesquels le gain GA soit constant, dfini des cercles dont Remarques :
le centre et le rayon sont donns par les expressions suivantes : 1. Le cercle gA=1 ou gP =1 (0 dB) passe toujours par le centre de labaque.

S S 1 2 |S S | |S S | 2. Le maximum de gain (GP ou GA) correspond un rayon R nul, si k>1:

8
1 |S | || 1 |S | ||

cest le gain disponible normalis La conception de lamplificateur en utilisant GP

| |
Cette mthode est valable pour le cas dune adaptation conditionnelle, ou dans les cas
Un exemple de trac des cercles gain constant pour GA ou pour GP, est reprsent
o on veut concevoir un amplificateur avec un gain personnalis et non pas forcment
dans la figure suivante.
le maximum.

On trace les cercles gain de puissance GP constant sur labaque de Smith, en

prenant comme gain maximal dans le cas dune adaptation conditionnelle.

Dans la rgion de stabilit pour la charge, on choisit le coefficient de rflexion

sur les cercles du gain GP, do on dtermine ZL.

On adapte la source lentre du transistor ( ), il est possible de calculer
partir de :


1 1
Cependant, il faut vrifier que est situ dans la rgion stable pour la source,
sinon il faut changer la valeur de et refaire les tapes.

Il ne reste que de calculer les deux circuits dadaptation.

6. Les rseaux dadaptation

Les rseaux dadaptation dans un amplificateur permettent de fixer les valeurs des
impdances (ZS et ZS) vues par le transistor. Ils permettent aussi de raliser ladaptation
conjugue.

On utilise des quadriples non dissipatifs raliss base des lments ractifs, par
exemple : Les lignes de transmission pour ladaptation par stubs. Ou bien les capacits,
Figure 7 : Cercles gain constant. selfs, qui forment des quadriples en L ou en .

S. Labandji 9 Ver : 18/05/2015 S. Labandji 10 Ver : 18/05/2015

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Ces quadriples ne consomment pas de puissance, ils sont sans perte, et ils ninfluent Une fois les deux ractances Xp et Xs sont calculs, il est possible de calculer le circuit
pas sur le facteur de bruit de lamplificateur. lectrique correspondant.

Calcul des quadriples dadaptation LC en L

Le quadriple dadaptation en L, est constitu dune branche srie qui contient

limpdance et dune branche shunt qui contient limpdance . La ractance
parallle doit tre connecte du ct de limpdance rsistance la plus leve.

Z1 jXs Z1 jXs
E
jXp Z2 jXp Z2

Figure 8 : Cellule dadaptation en L pour Figure 9 : Cellule dadaptation en L pour
(R2>R1) (R1>R2)
Figure 10 : Diffrents cas de quadriple dadaptation en L.
On pose :
R1 : la partie relle de Z1. R2 : la partie relle de Z2. 7. Le circuit de polarisation du transistor
X1 : la partie imaginaire de Z1. X2 : la partie imaginaire de Z2.
Le transistor ncessite une alimentation pour son fonctionnement, elle est assure par

Cas (R2>R1) : Cas (R1>R2) : le circuit dalimentation. Il faut que le transistor soit polaris au bon point de

Premire solution : Premire solution : fonctionnement pour quil donne les performances optimales pour une application
prcise (faible bruit, gain lev).

1 1

Deuxime solution : Deuxime solution :

1 1

Avec : Q cest le facteur de qualit. Avec :

2 2
2 2 1 1
1 1
1 1 2 2 1 2

Figure 11 : Points de polarisation dun transistor.

S. Labandji 11 Ver : 18/05/2015 S. Labandji 12 Ver : 18/05/2015

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sp_sms_CFY66-10_19920901
Pour les applications faible bruit on choisit un faible courant du drain de 10%-15% S-PARAMETERS SNP9
Bias="Hemt: Vds=2V Id=10mA"
Idss (point1) avec une faible tension. Un courant Ids lev denviron 90%-95% Idss S_Param
SP1
Frequency="{2.00 - 18.00} GHz"
Noise Frequency="{2.00 - 17.00} GHz"

(point2) permet davoir un bon gain en puissance. On utilise une tension VDS leve Meas
Eqn
MeasEqn Term Term
Stabilit Term1 Term2
pour les applications de puissance (point3 Id=50%Idss). Il est possible de dire la mme mod_delta=mag(S11*S22-S12*S21)
K=stab_fact(S)
Num=1
Z=50 Ohm
Num=2
Z=50 Ohm
S_StabC=s_stab_circle(S,51)
chose pour un BJT et le courant de collecteur. L_StabC=l_stab_circle(S,510)

Meas
Eqn
MeasEqn
Gains
MaxGain=max_gain(S)
GT=pwr_gain(S,PortZ1,PortZ2)
GpCircles=gp_circle(S, , , 3, )
GammaL=polar(0.746,156.78)
GammaS=conj(S11+(S12*S21*GammaL)/(1-S22*GammaL))
ZL=50*(1+GammaL)/(1-GammaL)
ZS=50*(1+GammaS)/(1-GammaS)
Figure 13 : Circuit de simulation des paramtres S du transistor CFY66-10 11GHz.

Daprs les cercles de stabilit pour la source et pour la charge (en rouge et en bleu
respectivement), la rgion stable est lextrieure de ces deux cercles, donc la plus part
de la surface de labaque de Smith.
Figure 12 : Le circuit de polarisation dun transistor.
Le circuit de polarisation en courant continu (Figure 12) doit tre spar du circuit
hyperfrquence. On utilise les selfs de choc (self d'arrt) entre lalimentation en courant
continu et le transistor, qui laissent passer les courants continu et bloquent les signaux
hyperfrquences. Les capacits de dcouplage lentre et la sortie de lamplificateur
laissent passer le signal et bloquent le courant continu de lalimentation.

8. Exemple de conception dun amplificateur 11Ghz

On veut concevoir un amplificateur fonctionnant 11Ghz, avec un HEMT de
SIEMENS, le CFY66-10. Pour la simulation de ce transistor, nous avons utilis le
Figure 14 : Cercles de stabilit et cercles gain (Gp) constant.
modle du transistor qui se trouve dans la bibliothque du logiciel ADS.
Nous avons choisi le point =0.74/156.78 sur le cercle de gain Gp=13.47dB ce qui
La figure 13 montre le circuit de simulation des paramtres S du transistor CFY66-10,
correspond au point =0.88/-160.1 lentre.
avec ltude de la stabilit et les calculs de gain 11GHz.
Il ne reste que de calculer un circuit dadaptation entre le premier point et la charge de
Nous avons trouv K=0.94 et module de delta=0.23, donc le transistor est
50 , et entre limpdance de la source de 50 et le deuxime point.
conditionnellement stable.
Dans cet exemple nous avons utilis des circuits stubs parallles en circuit ouvert.
Do le circuit de lamplificateur ci-dessous.

S. Labandji 13 Ver : 18/05/2015 S. Labandji 14 Ver : 18/05/2015

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S_Param
S-PARAMETERS SP1 9. Les tapes de conception dun amplificateur hyperfrquence
Start=8 GHz
Stop=14 GHz
sp_sms_CFY66-10_19920901
SNP9
Step=10 MHz tape 1 : tude du cahier des charges.
Bias="Hemt: Vds=2V Id=10mA"
Frequency="{2.00 - 18.00} GHz"
Noise Frequency="{2.00 - 17.00} GHz" TLIN
Term
tape 2 : Choix du transistor (ou des transistors) qui rpond aux spcifications du
TL1
TLIN Term2
Z=50 Ohm
E=170.8
TL2 Num=2 cahier des charges (Gain, Facteur de bruit, frquence de fonctionnement, Cot...).
Term TLIN TLIN Z=50 Ohm Z=50 Ohm
F=11 GHz E=114.0
Term1 TL4 TL3
Num=1 Z=50 Ohm Z=50 Ohm F=11 GHz tape 3 : tude de la stabilit la bande de frquence de fonctionnement.
Z=50 Ohm E=104.6 E=156.3
F=11 GHz F=11 GHz
tape 4 : Choix des impdances de la source et de la charge selon le but de la

Figure 15 : Simulation des paramtres S de circuit final de lamplificateur. conception.

Ci-dessous les rsultats de simulation de lamplificateur : tape 5 : Conception des circuits dadaptation.

20 m4 14.5 tape 6 : Conception des circuits dalimentation.

14.0
0 m3
13.5

-20
13.0
tape 7 : Simulation de la conception sur un logiciel de CAO.
m3
MaxGain

freq= 11.00GHz
GT

12.5
MaxGain=13.474
tape 8 : Optimisation et ajustements.
-40
m4 12.0
freq= 11.00GHz
GT=13.476 11.5
-60
11.0

-80
8 9 10 11 12 13 14
10.5
8 9 10 11 12 13 14
tape 9 : Fabrication de lamplificateur.
freq, GHz freq, GHz

20 m1
0

0
-10
dB(S(2,1))

-20
dB(S(1,1))

-20 m1
freq= 11.00GHz
-40 dB(S(2,1))=13.476
-30
m5
freq= 11.00GHz
dB(S(1,1))=-49.914 -60
-40

m5 -80
-50
8 9 10 11 12 13 14
8 9 10 11 12 13 14
freq, GHz
freq, GHz

0 0

-2
-20

-4
m2
dB(S(1,2))

dB(S(2,2))

-40
freq= 11.00GHz
-6 dB(S(2,2))=-9.920
-60
-8

-80
-10
m2 Figure 17 : Un amplificateur hyperfrquence avec une adaptation par stubs en technologie
-100 -12
microstrip.
8 9 10 11 12 13 14 8 9 10 11 12 13 14

freq, GHz freq, GHz

Figure 16 : Rsultats de simulation de lamplificateur.

Sur ces rsultats on remarque que la valeur du gain obtenue correspond bien la valeur choisie sur
labaque de la figure 14. Les valeurs de S11 et de S22 sont faibles, ce qui confirme la bonne adaptation
lentre et la sortie.

S. Labandji 15 Ver : 18/05/2015 S. Labandji 16 Ver : 18/05/2015