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Q U E S T I O N N A I R E
NOTES :
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Exercice n 1
Aprs avoir ralis, 20 C, un essai de traction sur une prouvette daluminium dont la section droite S0 est gale
50,00 mm 2 et dont la longueur initiale L0 est gale 100,00 mm, on a obtenu les rsultats partiels suivants :
E = 70 GPa
Rm = 80 MPa
At = 35 %
= 23,6x10 -6 C-1
a) Sachant qu la limite conventionnelle dlasticit Re0,2 , la dformation totale t de lprouvette est gale 0,25 (2 pts)
%, calculez la limite conventionnelle dlasticit R e0,2 (en MPa) de cet aluminium.
b) quelle temprature
T (en C) doit-on porter laluminium non dform pour quil subisse une dilatation linique
(2 pts)
e obtenue sa limite conventionnelle dlasticit ?
c) Calculez lnergie lastique We0,2 (en (kJ/m3) emmagasine dans laluminium lorsque sa limite conventionnelle
(1 pt)
dlasticit Re0,2 est atteinte.
d) Calculez lnergie lastique
Rm est atteinte?
Wem (en (kJ/m3) emmagasine dans laluminium lorsque sa rsistance la traction (1 pt)
e) Si lon suppose que la rupture de cet aluminium se produit lorsque sa rsistance la traction Rm est atteinte
(1 pt)
(pas de striction), calculez lallongement permanent de laluminium Af (en %) aprs sa rupture.
f)
e60 (en %) que subit laluminium lorsquil est soumis une contrainte de 60 (1 pt)
g) Si, aprs avoir atteint cette contrainte de 60 MPa au cours de lessai de traction, on dcharge lprouvette et
(2 pt)
que lon reprenne lessai de traction, quelle sera la nouve
? Quel
nom donne-t-on ce phnomne ?
h) Citez au moins une autre mthode pour obtenir un effet semblable sur la limite dlasticit de laluminium.
(1 pt)
Le cuivre cristallise selon le rseau de Brava is cubique faces centres (CFC) et les plans de glissement
cristallographique associs ce rseau sont des plans appartenant la famille {111}.
a) Sur la figure prsente au formulaire de rponse, tracez, dans la maille considre, le plan spcifique (1 1 1 ) (1,5 pts)
appartenant la famille {111}.
b) Dans une maille CFC, quelle est la caractristique de cette famille de plans {111} quand on la compare des (1 pt)
familles de plans dont les indices de Miller {hkl} ne sont pas tous gaux 1 ?
c) Quels sont el s systmes de glissement associs ce plan particulier
(2 pts)
d) Sur la maille CFC prsente sur le formulaire de rponse, tracez les directions de glissement appartenant
(1,5 pts)
ces systmes de glissement du plan (1 1 1) et donnez les indices de ces directions.
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On ralise un essai de traction sur un monocristal de cuivre de haute puret et on tudie uniquement les
possibilits de glissement cristallographique dans le plan spcifique (1 1 1 ) . Deux directions de traction sont
considres : la direction
r
r
A = [001] et la direction B = [1 1 1] .
Conseil : lutilisation du produit scalaire de deux vecteurs peut savrer utile la rsolution de certaines des
questions suivantes.
e) Pour quelle direction de traction se produira le glissement cristallographique dans le plan (1 1 1 ) ? Justifiez (1 pt)
votre rponse.
f)
Selon la direction de traction choisie, quels seront les systmes de glissement activs ?
(2 pts)
On constate lapparition du glissement cristallographique dans les systmes activs pour une contrainte nominale
de traction nom gale 1,225 MPa.
g) Que se passe-t-il physiquement dans le monocristal quand le glissement cristallographique irrversible (1 pt)
?
h) Quelle est la cission critique
puret ?
i)
En fait, on constate que le cuivre polycristallin commercialement pur prsente une limite proportionnelle dlasticit
Re
j)
Citez deux raisons qui expliquent la diffrence des valeurs de la limite proportionnelle dlasticit
cuivre polycristallin, soit dduite des essais de traction sur un monocristal, soit direc
cuivre polycristallin.
Re0,2 du (2 pts)
x = 1 x v y +z
E
)]
da
= C K n
dN
y = 1 y v(x +z )
E
z =
1
z v x + y
E
G=
E
2 (1 + v )
R th =
)]
2 E s
a0
(ma )ox M
(m a )M ox
R=
l
S
Eg
= 0 exp
2kT
a
r
F
cos cos
S0
G b
2 a
th =
Ai corr t
nF
= (n e e e + n t e t )
r = ua + vb + wc
y = nom
m=
= ne ee
hx ky
lz
1=
+
+
na nb nc
1 + 2
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2ES
2
KC = a
f S CS + f LCL = C0
E
R . f (v )
R4 =
E S
= S R3
R . f (v )
t
K2
1 exp
2
m
2
m
(R m )c = V f (R m ) f
+ (1 V f ) m
(R m )C
= Vf f + 1 Vf
) (R )
EC = V f E f + Vm Em
Q
D = D0 exp 0
kT
vel =
R3 =
Re 0. 2 = 0 + kd 1 / 2
lc =
R m . f (v )
K 2 t
EC
(R m )C
3
V f E f + Vm Em
8
= kVf (Rm ) f + Vm m
m m