SESIÓN 4 EPtot 5to Electricidad Ind - Jueves

TEMA 4: EL TRANSISTOR IGBT
INSTRUCTOR: PRÁXEDES BECERRA TERRONES

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OBJETIVO
• Al finalizar el tema, el alumno será capaz de reconocer un IGBT, explicar
su funcionamiento, interpretar sus parámetros e indicar sus aplicaciones,
correctamente.
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EL TRANSISTOR IGBT(Isolated Gate Bipolar Transistor)
2.- DEFINICIÓN: También llamado transistor bipolar de puerta aislada, apareció en
los años 80.
• Mezcla características mas importantes de un transistor BJT y de un transistor
MOSFET.
• En la salida se comporta como un BJT, pero se controla con la tensión de
entrada(como el MOSFET y no por corriente)
MOSFET
G
E
Símbolo IGBT canal N
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¿QUÉ ES EL IGBT?
 Es un dispositivo electrónico de conmutación, fabricado de silicio, tiene tres
terminales: colector(C), emisor(E) y puerta(G).
 Tiene dos estados:
Estado de conducción (ON)
Estado bloqueo (OFF)
 Se controla mediante una tensión VGE aplicada entre puerta y emisor.
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• IGBT: IGBT canal N.
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• MÓDULO IGBT: Este módulo contiene 2 IGBT canal N.
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• CARACTERISTICAS:
• Es un conmutador de media frecuencia, frecuencias menores de 100khz.
• Tiene tres terminales: colector (C), emisor(E) y puerta (G).
• Se activa (satura) con un pulso positivo de 15V, aplicado entre puerta (G)
y emisor (E).
• Es un dispositivo hibrido pues reúne las mejores características de entrada
de un MOSFET y las características de salida de un BJT.
• Se desactiva (bloquea)disminuyendo la tensión VGE a 0V.
https://youtu.be/PlFjPAwaTNk Transistor IGBT Funcionamiento
https://youtu.be/hUpb0qtJoTo ¿Que es un transistor IGBT?. ¿Cómo funciona?

https://youtu.be/elovLEnsksw El IGBT Teoría y practica 1h
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POLARIZACIÓN:
C Capacitor interno entre NOTA:
G y E en el IGBT El control automático de la
conducción y el bloqueo del
IGBT se consigue aplicando VGE
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POLARIZACIÓN:
a)
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• CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA DEL IGBT:
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• ESPECIFICACIONES TÉCNICAS DEL IGBT
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• ESPECIFICACIONES TECNICAS DEL IGBT IRG4BC30K
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• ESPECIFICACIONES TECNICAS DEL IGBT IRG4BC30K
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• TABLAS COMPARATIVAS DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA:
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OTRAS CARACTERÍSTICAS IMPORTANTES:
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• CONCLUSIÓN:
• El IGBT es un conmutador electrónico. Actualmente se fabrican IGBT
que pueden trabajar conmutando hasta aproximadamente 100khz.
• Sus características de entrada son similares a los MOSFET y las de
salida a los BJT.
• Para llevarlo a conducción debe tener una fuente de tensión positiva
entre C y E (VDD) y aplicar un pulso positivo de tensión de 15V entre
la puerta y el emisor (VGE).
• El IGBT pasa al estado de bloqueo si la tensión entre puerta y emisor es 0V o
-5V.
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Aplicaciones del IGBT:
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• EJEMPLO:Circuito para el control de la velocidad de un
motor DC de 2HP, mediante un circuito troceador.
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Ejercicios:
1.- Indique los símbolos del IGBT
2.- Dibuje el circuito equivalente de un IGBT.
3.- Indique la afirmación verdadera respecto al IGBT.

a) Es controlado por corriente
b) Es similar a un MOSFET
c) Es un transistor hibrido
d) Conmuta a frecuencia menores que los MOSFET pero mayores que BJT
e) c) y d)
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4.- El IGBT surgió de la necesidad de controlar:
a) Altas frecuencias b) Bajas tensiones c) Altas
corrientes
d) bajas frecuencias e) a) y c) son correctas
5.- Indique la afirmación falsa respecto al IGBT.

a) El IGBT se emplea como un conmutador electrónico en frecuencias de
decenas de KHz.
b) Algunos IGBT tienen un diodo en antiparalelo de protección conectado
entre D y S.
c) Para que pase al estado de conducción el IGBT debe recibir entre G y S una
tensión de 15V.
d) El estado de bloqueo del IGBT se controla mediante la corriente puerta IG.
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6.- El IGBT se emplea como conmutador en frecuencias del orden de los:
a) Hz b) MHz c) KHz d) GHz e) THz
7.- El siguiente símbolo representa al:
a)MOSFET b)IGBT c)FET d)BJT e)JFET
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TRABAJO COLABORATIVO:
1.-Para pasar a la conducción el Transistor IGBT requiere de una tensión compuerta-
emisor en un rango aproximado de:
a) Mayor que 20 V
b) 4-15V
c) 1-3V
d) 10-25V
e) 2-10V
2.- Indique el transistor IGBT que está correctamente polarizado.
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3.- El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación a una frecuencia del
orden de los:
a) Hz b) MHz . c) KHz d) GHz
e) THz
4.- El transistor IGBT es un dispositivo que generalmente se utiliza como:

a) Interruptor controlado
b) Amplificador semicontrolado
c) Troceador
d) Inversor
e) Amplificador controlado
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5.- Indique la afirmación FALSA respecto al IGBT:
a) Es un dispositivo controlado por tensión.
b) La corriente de salida se controla mediante la corriente de puerta I G.
c) Se comporta como MOSFET en su entrada y como BJT en su salida.
d) Puede trabajar a mayor frecuencia que un BJT pero a menos frecuencia que un MOSFET.
e) Para pasar de saturación (ON) a corte (OFF), se aplica una tensión V GE = 0V.
6.- Indique la afirmación FALSA respecto al IGBT.

a) Es un transistor controlado por tensión
b) Es un transistor hibrido entre BJT y MOSFET.
c) Puede trabajar como interruptor a frecuencias menores que un BJT.
d) Se utiliza en los circuitos inversores de los variadores de frecuencia
e) Puede controlar altas tensiones y corrientes.
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2.- Dibuje el circuito equivalente de un IGBT.

3.- Indique la afirmación verdadera respecto al IGBT.

5.- Indique la afirmación falsa respecto al IGBT.

7.- El siguiente símbolo representa al:

a)MOSFET b)IGBT c)FET d)BJT e)JFET

4.- El transistor IGBT es un dispositivo que generalmente se utiliza como:

6.- Indique la afirmación FALSA respecto al IGBT.

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