UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERIA QUIMICA Y TEXTIL

TEMAS
Introduccin a los sistemas de potencia - Dispositivos
electrnicos -
TIRISTORES DE POTENCIA
CONTROLES ELECTRICOS Y AUTOMATIZACION
EE - 621
TIRISTORES
La electrnica de potencia busca la
transformacin de la energa elctrica
Fuente
Primaria
- Red
- Bateras
- Panelas solares
- Generadores Elicos
- Etc.
Circuito de
Potencia Carga
Circuito de
Control o mando
- Resistencia
- Bateras
- Lmparas
- Motores
- Etc.
gobierno informacin
Media: 100W 1kW
Cargadores de Bateras
Balastos Electrcos (HID)
Secadores
Reguladores de Velocidad
Baja: <100W
Alarmas
Balastos Electrnicos
(Fluorescentes)
Fuentes de alimentacin
Herramientas Elctricas.
Alta: 1kW 100kW
Hornos de Induccin
Accionadores para Locomotoras
Secadores
Soldadura automtica
Muy Alta: 100kW 100MW
Reguladores de Tomas (Alta tensin)
Inversores para generadores
Inversores no autnomos para
generadores

Rangos de potencia segn el tipo
de aplicacin
- Tener dos estados claramente definidos, uno de alta
impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia
(conduccin).
- Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y
con pequea potencia de control.
- Ser capaz de soportar altas tensiones cuando est
bloqueado y grandes intensidades, con pequeas cadas
de tensin entre sus extremos, cuando est en
conduccin.
- Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a
otro.
En la Electrnica de potencia, el concepto principal es el
rendimiento. El dispositivo no puede trabajar en rgimen
de amplificacin pues las prdidas seran elevadas, es
necesario trabajar en rgimen de conmutacin.
Este dispositivo trabajando en conmutacin deber
cumplir las siguientes caractersticas:
Tipos de conversin de la energa
CA / CC
CC / CC
CA / CA
CC / CA
Rectificador
Regulador
de continua
Cicloconvertidor
Reg. alterna
Inversor
Dispositivos empleados en los
convertidores de potencia
Dispositivos Electrnicos
Sin control: Diodos
Con control de encendido: Tiristores
Con control total: Transistores
Transformadores
Bobinas
Condensadores
Dispositivos Pasivos
Dispositivos empleados en los
convertidores de potencia
Diodos de Potencia
Diodos de tres capas
Mayor seccin
Problemas de velocidad
Problemas trmicos
nodo
Ctodo
n
+
p
+
n
-
Slo control de
encendido
Muy robustos
Baja frecuencia
Tecnologa muy madura
Ctodo
nodo
Ctodo
n
+
p
+
n
-
p
-
Puerta
Tiristores (SCR)
Dispositivos empleados en los
convertidores de potencia
GTO
Control de encendido y apagado
(difcil)
Muy robustos
Baja frecuencia (mayor que los
SCRs)
Ctodo
nodo
Ctodo
n
+
p
+
n
-
p
-
Puerta
Transistor bipolar
Control de encendido y
apagado (dificultad media)
Robustos
Media frecuencia (mayor que
los SCRs y los GTOs)
n
+
n
-
p
-
Colector
Emisor Base
Dispositivos empleados en los
convertidores de potencia
MOSFET de potencia
Fcil control de encendido y
apagado
Alta frecuencia (mayor que
los otros)
Resistivo en conduccin
Puerta
Drenador
Fuente
n
+
n
-
p
IGBT
Fcil control de encendido y
apagado
Frecuencia entre BJT y MOSFET
Casi como un BJT en
conduccin
n
+
n
-
p
-
p
+
Puerta
Emisor
Colector
Dispositivos empleados en los
convertidores de potencia
10
2
10
7
10
5
10
4
10
3
10
6
M
A
R
G
E
N


D
E


P
O
T
E
N
C
I
A


(
V

A
)

IGBT
MOSFET
10 10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
10
7
10
8
GTO
SCR
BJT
FRECUENCIA (Hz)
TIRISTORES
(Thyristor)
En 1956 se desarrollo el primer Tiristor Bell Telephoned Laboratory.

Inicialmente fue llamado Transistor PNPN (hoy conocido como SCR)
Los tiristores son dispositivos especialmente populares en
Electrnica de Potencia.

Son sin duda los dispositivos electrnicos que permiten
alcanzar potencias mas altas, son dispositivos realmente
robustos.
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores que se
utilizan en los circuitos conversores de potencia elctrica controlada.
Compiten en algunas aplicaciones, con los transistores de potencia.
Actan como interruptores de corriente elctrica, con caracterstica
biestable, que lo hace pasar de un estado no conductor, a un
estado conductor.
En comparacin con los transistores, desde el punto de vista de su
actuacin como interruptor de corriente elctrica, los tiristores tienen
menores perdidas por conduccin en estado encendido y tienen
mayores especificaciones para el manejo de la potencia elctrica a
convertir.
Los transistores, en cambio, tienen en general, mejor prestacin
durante la conmutacin, por su mayor velocidad y menor perdida de
conmutacin.
Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores
denominados tiristores, con dos, tres y hasta cuatro terminales
externos.
Definicin y tipos de Tiristores
- Dispositivo de 4 capas con estados estables de conduccin y bloqueo

- Interruptor de potencia muy alta

- Potencias y tensin muy altas

- Frecuencias de conmutacin no superiores a 2kHz

SCR (Silicon Controlled Rectifier).
Interruptor unidireccional

GTO (Gate Turn-off)
Interruptor unidireccional. Apagado por puerta

TRIAC (Triode AC)
Interruptor bidireccional

DIAC. (Diode AC)
Interruptor bidireccional ( Control de tiristores)
RECTIFICADOR
CONTROLADO DE SILICIO
SCR
16
SCR
Rectificador Controlado de Silicio
SCR
Introduccin
Definicin: El tiristor (SCR, Silicon Controlled Rectifier o
Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo
semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la
disposicin PNPN. Est formado por tres terminales,
llamados Anodo, Ctodo y Puerta. El instante de
conmutacin, puede ser controlado con toda precisin
actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento
unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y
amplificador a la vez.


nodo
gate
ctodo
El tiristor convencional, denominado SCR (rectificador
controlado de silicio) es el tiristor de mayor inters hoy en
da.
Fue introducido por primera vez en 1956 por los
laboratorios de Bell Telephone y son capaces de controlar
hasta 10 MW con niveles de corriente de hasta 2000 A a
18000 V.
Posee tres terminales, dos de los cuales los emplea para
conducir la corriente elctrica a convertir, y el tercer
terminal se lo utiliza para encender el dispositivo).
La operacin inversa, o sea el bloqueo de la corriente
controlada, solo se logra por accin natural (cruce por cero
de la corriente por el cambio de polaridad del voltaje), o por
accin forzada de circuitos de conmutacin auxiliares.
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Tiene una enorme capacidad de manejar potencia
Son muy robustos
Seguir teniendo aplicaciones debido a que es de los
semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia
Una corriente por el gate sirve para polarizar la juntura
intermedia y poner el disp. en conduccin

Estructura de 4 capas
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

V
AK

I
A

Caracterstica V-I
nodo
Ctodo
A
K
V
AK

I
A

Con polarizacin inversa se comporta como un diodo: no conduce
Polarizacin directa: si no se
ha disparado, no conduce
Polarizacin directa: una vez
disparado, conduce como un diodo
Zona de transicin
El SCR se apaga de forma natural cuando la corriente pasa por cero
Puerta
Ventajas del SCR
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Puede bloquear ambas polaridades de una seal de
A.C.
Bloquea altas tensiones y tiene cadas en directa
pequeas
Requiere poca corriente de gate para disparar una gran
corriente directa
Desventajas del SCR
El dispositivo no se apaga con Ig=0
No pueden operar a altas frecuencias
Pueden dispararse por ruidos de tensin
Tienen un rango limitado de operacin con respecto a la
temperatura
Parmetros fundamentales para seleccionar un SCR
Tensin de ruptura
Corriente mxima
Velocidad de conmutacin
Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales
Alta tensin
400 V
800 V
1000 V
1200 V
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Soportan tensin directa (V
DRM
)
e inversa (V
RRM
)
Estructura
En la fabricacin se emplean tcnicas de difusin y
crecimiento epitaxial. El material bsico es el Si. En la
figura estn representados algunos tipos de encapsulado:
Principio de Funcionamiento

Tensin de nodo negativa respecto a ctodo (V
AK
< 0):

Los diodos U
1
y U
3
quedan polarizados en inverso y U
2
en
directo. La corriente del diodo viene dada por:



( )
S
kt qv
S S3 S1 A
I 1 e I I I I ~ = = =
Tensin de nodo positiva respecto a ctodo (V
AK
> 0),
sin excitacin de puerta:
Sin seal en la puerta (G), las uniones U
1
y U
3
estarn
polarizadas en directo y U
2
en inverso. La nica corriente que
circula por el dispositivo es la inversa de saturacin del diodo
formado en la unin U
2
. A esta corriente de saturacin la
llamamos I
S2
.
) I ( I I I
K 1 A 2 S2 2
+ + = o o
Teniendo en cuenta que la corriente neta ha de ser la misma
en todas las uniones:


y sustituyendo:


de donde:


El transistor formado por la capas P
1
N
1
P
2
se encuentra en
bloqueo directo, por lo que se comporta como un cto abierto,
puesto que el valor de I
A
es muy pequeo. Esto supone que
o
1
+ o
2
<< 1 con lo que la expresin anterior se reduce a:




K A 2
I I I = =
A 2 A 1 S2 A
I I I I o o + + =
( )
2 1
S2
A
1
I
I
o o +
=
S2 A
I I =
Tensin de nodo positiva respecto a ctodo (V
AK
> 0),
con excitacin de puerta:
El tiristor, idealmente, se comporta como un cortocircuito (V
AK

del orden de 1 a 2 V).
CO E C
I I I + =o
( )
CO E B
I I 1 I = o
4.- Modelo de dos transistores:
Del modelo anterior, obtenemos las siguientes expresiones:




Finalmente obtenemos: (teniendo en cuenta: I
B1
= I
C2
)





Cuando (o
1
+ o
2
) se aproxima a 1, la divisin tiende a ,
por lo que I
A
tiende a aumentar sin lmite, pasando el
dispositivo al estado ON.



( )
CO1 A 1 B1
I I 1 I = o
CO2 K 2 C2
I I I + =o
G A K
I I I + =
( )
2 1
CO2 CO1 G 2
A
1
I I I
I
o o
o
+
+ +
=
Si ahora operamos en el circuito de forma que la suma
((o
1
+ o
2
) sea menor que 1, el dispositivo estar en estado
OFF, mantenindose la I
A
muy pequea.

Si aumentamos I
G
, la corriente de nodo tiende a
incrementarse y por tanto, tiende a aumentar o
1
y o
2

produciendo un efecto de realimentacin positiva. De aqu
podemos deducir los dos tipos de disparo del SCR:

1.- Por tensin suficientemente elevada aplicada entre A
K, lo que provocara que ste entrara en conduccin por
efecto de "avalancha";
2.- Por intensidad positiva de polarizacin en la puerta.
Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el
estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas
corrientes de fugas

Mtodos de disparo:

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin
nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal
de mando debe permanecer un tiempo suficiente-mente
largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de
corriente de nodo mayor que I
L
, corriente necesaria para
permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez
disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber
circular una corriente mnima de valor I
H
,

Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

6.1.- Por puerta.
6.2.- Por mdulo de tensin. (V)
6.3.- Por gradiente de tensin (dV/dt)
6.4.- Disparo por radiacin.
6.5.- Disparo por temperatura.

Disparo por puerta

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un
tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un
impulso positivo de intensidad, entre los terminales de
puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin
positiva entre nodo y ctodo.
Una vez disparado el dispositivo, perdemos el control del
mismo por puerta. En estas condiciones, si queremos
bloquearlo, debemos hacer que V
AK
< V
H
y que I
A
< I
H


Al disparar el elemento debemos tener presente que el
producto entre los valores de corriente y tensin, entre puerta
y ctodo, deben estar dentro de la zona de disparo seguro y
no exceder los lmites de disipacin de potencia de puerta.

El valor de la resistencia (R) vendr determinado por la
pendiente de la recta tangente a la curva de mxima
disipacin de potencia de la curva caracterstica de
puerta del tiristor como podemos observar en la figura.
Limitaciones del tiristor

Las ms importantes son debidas a:

8.1.- Frecuencia de funcionamiento.
8.2.- Pendiente de tensin (dV/dt).
8.3.- Pendiente de intensidad (dI/dt).
8.4.- Temperatura.

Frecuencia de funcionamiento

No podemos superar ciertos valores de frecuencia, que
vendrn impuestos por la propia duracin del proceso de
apertura y cierre del dispositivo.
El hecho de trabajar a frecuencias altas, imponen al tiristor
restricciones de dI/dt; podramos decir que el dispositivo
"conserva en la memoria" el calentamiento producido por
esta dI/dt. Esto es debido a la imposibilidad para poder
disipar el exceso de calor producido en su interior.

Podemos afirmar que para valores muy altos de dI/dt y
con frecuencias crecientes, se denota una fuerte
disminucin de la capacidad de conduccin del
elemento.

Limitaciones de la pendiente de ten-sin (dV/dt)

Los picos transitorios de tensin que apare-cen a
travs de un semiconductor son gene-ralmente de corta
duracin, gran amplitud y elevada velocidad de
crecimiento.

Una velocidad excesiva del crecimiento de la tensin
aplicada entre nodo y ctodo (dV/dt), amenaza con
provocar el cebado indeseado del tiristor, anteriormente
bloqueado, en ausencia de seal de puerta. Este
fenmeno se debe a la capacidad interna del tiristor que
se carga con una corriente i = C(dV/dt) la cual, si dV/dt
es grande, puede ser suficiente para provocar el cebado.

Limitaciones de la pendiente de intensidad (dI/dt)

Una variacin rpida de la intensidad puede dar lugar a
una destruccin del tiristor.

Inicialmente, el rea de conduccin estar limitada al rea de
la puerta, por lo que la unin entera no conduce
instantneamente. Como el cristal no es totalmente
homogneo existen zonas donde la resistividad es ms baja
y por tanto la concentracin de intensidad es mayor (puntos
calientes). En la figura se muestra el proceso de conduccin
en funcin del tiempo.
Limitaciones de la temperatura

En los semiconductores de potencia, se producen prdidas
durante el funcionamiento que se traducen en un
calentamiento del dispositivo.

Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son
repetitivos, la potencia media disipada en un tiristor ser:




puerta. de Potencia dt I V
T
1
P
T
0
A AK AV
+ =
}
Extincin del tiristor. Tipos de con-mutacin.

Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual,
obligaremos al tiristor que estaba en conduccin a pasar a
corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir,
perdemos completamente el control sobre el mismo.

El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones
para pasar de nuevo a corte. Este estado implica
simultneamente dos cosas:

1.- La corriente que circula por el dispositivo debe quedar
completamente bloqueada.
2.- La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y
ctodo no debe provocar un disparo indeseado del
tiristor.

Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo
podemos agruparlos en dos grandes grupos:

1.- Conmutacin Natural
a.-) Libre
b.-) Asistida

2.- Conmutacin Forzada

a.-) Por contacto mecnico
b.-) Por cto resonante
-Serie
-Paralelo
c.-) Por carga de condensador
d.-) Por tiristor auxiliar

Conmutacin natural.

La conmutacin se produce bien de forma espontnea
debido a la propia alimentacin principal o bien provocada
automticamente por la siguiente fase de la alimentacin.
a.-) Conmutacin libre
Se produce cuando la intensidad por el tiristor se anula
por si misma, debido al comportamiento natural de la fuente
de tensin. Para poder comprender mejor este tipo de
conmutacin nos basaremos en el cto de la figura:
Las formas de onda correspondientes al cto de la figura
anterior son las siguientes

















T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Apagado del SCR
Apagado esttico
Apagado dinmico
Hay dos tipos de apagado:
El apagado esttico se utiliza en
aplicaciones de red (50 Hz)
El tiristor se apaga de forma natural
El apagado dinmico se utiliza en
aplicaciones de frecuencia ms elevada
(1 - 20 kHz)
Se requiere un circuito externo para
apagar el SCR de forma forzada
I
MANTENIMIENTO

I
A

I
A

V
AK

V
AK

s
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

Ejemplo de funcionamiento
R
1

V
1

V
1

V
R

V
T

V
R

V
T

Disparo
o
U
S
(t)
U
max
U
max
i
g
t
t
t
U
AK
U
E
(t)
A
K
G
U
AK
I
G
I
A
Carga
U
E
(t)
U
S
(t)
R
g
SCR: Ejemplo de control de fase
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

TRIAC
Funciona como un tiristor
Al dispararlo, conduce hasta que la corriente pasa por cero
Es bidireccional. Conduce en ambos sentidos
Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes
Su uso es comn en aplicaciones de baja potencia (pero relativamente
alta comparada con la potencia de muchos sistemas de alimentacin)
Especificaciones tpicas
200, 400, 600, 800, 1000 V
1- 50 A
T1
T2 G
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

TRIAC
Hay 4 posibilidades de funcionamiento
No todas son igual de favorables
T2
T1
I
G

+
-
T2
T1
I
G

+
-
T2
T1
I
G

+
-
T2
T1
I
G

-
+
I
G
>
I
H
<
I
L
<
I
H
Corriente de mantenimiento I
L
Corriente de enclavamiento
35 mA 35 mA
35 mA
30 mA 30 mA 30 mA 30 mA
40 mA 60 mA 60 mA 40 mA
70 mA
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

TRIAC Ejemplo
C
R
R
L
(Carga)
Comp. con
Histresis
Nivel de
comparacin
V
RL

V
Comp

V
G

V
G

o
o: ngulo de disparo
Controlando el ngulo de
disparo se controla la
potencia que se le da a R
L

A este tipo de control se
le llama control de fase
U
MAX
U
Carga
o t
I
G
T
2
T
1
G
I
G
U
e
R
L
U
carga
U
T2T1
I
G
TRIAC: Ejemplo de control de fase
I
T
(RMS) = 12A
V
DRM
=

V
RRM
= 700 V
Disparo
Apagado
Control de fase
SCR TRIAC
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

DIAC
No es un interruptor
Una vez disparado se comporta como un diodo
Cuando su corriente pasa por cero, se apaga
Para dispararlo hay que sobrepasar una tensin caracterstica V
DIAC

que suele ser de 30 V.
Es totalmente simtrico
Aplicaciones: se suele usar para disparar TRIACs y tiristores
30 V
- 30 V
T1
T2
V
T12

I
T12

T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

GTO Gate Turn-Off Thirystor
A
K
G
En muchas aplicaciones, el hecho de no poder
apagar el SCR es un grave problema
El GTO solventa ese inconveniente
Con corriente entrante por puerta, se dispara
Con corriente saliente por puerta, se apaga
Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia
Es muy robusto
T
I
R
I
S
T
O
R
E
S

GTO
Soporta altas tensiones
Puede manejar corrientes elevadas
La cada de tensin en conduccin es relativamente baja
El GTO es bsicamente igual que un SCR
Se han modificado algunos parmetros constructivos para
poder apagarlo por puerta
Se pierden algunas caractersticas (solucin de compromiso).
Por ejemplo, la corriente de disparo es mayor.
Cada de tensin en conduccin ligeramente superior al SCR
Algo ms rpido que un SCR
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
Dispositivos Disparadores de Tiristores
Diac.
Conmutador bilateral de silicio SBS.
Transistor unijuntura UJ T.
Transistor unijuntura programable PUT.
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
Diac.
Conmutador bilateral de silicio SBS
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
Transistor unijuntura UJ T
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
Transistor unijuntura programable PUT.
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
CIRCUITO INTEGRADO TCA 785
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
CIRCUITO INTEGRADO TCA 785
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES
DISPARO DE TIRISTORES