Transistores Bipolares 1

TRANSISTORES
BIPOLARES
Fundamentos I
Encapsulado de los transistores
Estructura elemental de un Transistor
Base En principio un transistor bipolar está formado
por dos uniones PN.
(B)
Emisor
Colector Para que sea un transistor y no dos diodos
N P N (E) deben de cumplirse dos condiciones.
(C)
1.- La zona de Base debe ser muy estrecha
C E (Fundamental para que sea transistor).
SÍMBOLO 2.- El emisor debe de estar muy dopado.

B
Normalmente, el colector está muy poco
C dopado y es mucho mayor.
¡¡¡ IMPORTANTE !!!

N
-
No es un dispositivo simétrico
P N+ Descubiertos por
Shockley,
B E Brattain y Barden
en 1947
ASPECTO MAS REAL DE UN
(Laboratorios
TRANSISTOR BIPOLAR
Bell)
Transistores bipolares de unión (I)
Transistor PNP: zona P, zona N y zona P
Transistor NPN: zona N, zona P y zona N
Colector (P) Colector (N)
Base Base
(N) (P)
PNP Emisor (P) NPN Emisor (N)
•El emisor debe estar mucho más
dopado que la base. Muy, muy
•La base debe ser mucho más importante
pequeña que la longitud de difusión
de los mayoritarios del emisor.
Funcionamiento de un Transistor Bipolar NPN
Para que funcione un transistor

como amplificador del tipo NPN
vamos a polarizar la JBE en
directa, y la JBC en inversa,
usando una batería en la Base VCC
que llamamos VEE y otra en el VEE
Colector que llamamos VCC.
La VEE polariza en directa la JBE

provocando una resistencia de
entrada “baja” y la Corriente de
Emisor (Ie), dicha corriente pasa
en casi su totalidad (98%) al
colector y forma la Ic. Hay un 2%
que fuga por base y forma la Ib
Funcionamiento de un Transistor Bipolar PNP
En este caso tenemos

un transistor PNP en
el cual la polarización
es inversa a la usada
en los NPN
VEE VCC
Parámetro de amplificación  (alfa)
La es la corriente de portadores minoritarios el cual es de origen

térmico por lo tanto a 25°C se puede despreciar y entonces se puede
decir que:
Parámetro de amplificación  (Beta)
 es la ganancia estática de Corriente de Colector frente a la de emisor.
En los manuales el parámetro que se encuentra es el del hFB en lugar de 
uscamos ahora la relación que existe entre la corriente de colector y la
de base:
Si decimos que ganancia es la relación entre la corriente de salida y la

de entrada y tomamos como corriente de salida la de colector y la de
base como la de entrada podemos definir a:
El parámetro  es indicado por los fabricantes en sus hojas de datos

como el Hfe, y por lo tanto la expresión de la corriente de colector
completa toma la forma:
Parámetro de amplificación  (Beta)
Este parámetro de amplificación se usa en la configuración de Emisor

Común, donde la Corriente de entrada es el terminal de Base (Ib), y la
corriente de salida es la del terminal de Colector (Ic)
El transistor como amplificador
Factores y
Relaciones entre  y 
Característica Eléctricas
Regímenes Máximos de Operación
Características Eléctricas
En Operación
Curva Característica de Salida
La Recta de Carga Estática RCE
Mallas de Salida y entrada de la
configuración Emisor Común
Malla de entrada:
Malla de salida:
Características de una Juntura PN
Para la polarización directa y corrientes inferiores a 10mA la corriente directa

del diodo vale:
Resistencia estática: Resistencia dinámica:
Características de una Juntura PN
en el Transistor
El Transistor excitado con Señales Senoidales
Desplazamiento del Punto Q por dispersión del HFe
Polarización para obtener una ICQ constante
Circuito de Polarización UNIVERSAL
Aplicación de la Polarización UNIVERSAL
Trazado de la Recta de Carga Dinámica (RCD)
Ejemplo de Análisis
Resolución
Ecuaciones de Diseño
Para que el circuito se estable deberemos cumplir:
La resistencia estática que “vé” el circuito es:
La carga que “vé” el circuito dinámicamente es:
La máxima corriente de pico que se puede obtener en el circuito de colector es

igual al valor de la corriente de reposo de la etapa, esto se cumple en los
amplificadores en clase A:
Establecemos la condición de diseño que se usa para obtener la máxima excursión

de la señal en un amplificador:
Las tres etapas amplificadoras

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TRANSISTORES

SÍMBOLO 2.- El emisor debe de estar muy dopado.

¡¡¡ IMPORTANTE !!!

Para que funcione un transistor

La VEE polariza en directa la JBE

En este caso tenemos

La es la corriente de portadores minoritarios el cual es de origen

Si decimos que ganancia es la relación entre la corriente de salida y la

El parámetro  es indicado por los fabricantes en sus hojas de datos

Este parámetro de amplificación se usa en la configuración de Emisor

Para la polarización directa y corrientes inferiores a 10mA la corriente directa

La resistencia estática que “vé” el circuito es:

La carga que “vé” el circuito dinámicamente es:

La máxima corriente de pico que se puede obtener en el circuito de colector es

Establecemos la condición de diseño que se usa para obtener la máxima excursión

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