Transistores BJT Clase 1

TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIN
El primer transistor fue creado y patentado el 23 de Diciembre de

1947.

Desarrollado por Walter H. Brattain y Joseph Barden en los
Laboratorios Bell Telephone Laboratories.

Es un dispositivo semiconductor formado por dos capas de
material tipo n ( p) y una capa entre ellas de material tipo p ( n).

Existen transistores npn pnp.

Dispositivos de 3 terminales (emisor, base y colector).

La capa del emisor est fuertemente dopada.
La del colector ligeramente dopada.
Y la de la base muy poco dopada, adems ms delgada.
BIPOLARES
NPN

PNP
EFECTO DE
CAMPO
UNIN
METAL-OXIDO-
SEMICONDUCTOR
CANAL N (JFET-N)

CANAL P (JFET-P)
CANAL N (MOSFET-N)

CANAL P (MOSFET-P)
TRANSISTORES
CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES
n p p
B
C
E
Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base
Tiene 3 modos de operacin: Corte, Saturacin y
Activo.
Modo Unin E-B Unin C-B
Corte Inverso Inverso
Activo Directo Inverso
Saturacin Directo Directo
Transistores BJT PNP
Transistores BJT en Modo Activo
B
N P N
C E
En este modo la corriente de colector es determinada por la
ecuacin anterior.
La corriente de base es una fraccin de la corriente de colector
El valor de es tpico de 100 a 200, y en dispositivos
especiales hasta de 1000.
La corriente del emisor es la suma de las corrientes
I
C
=I
S
(e
VBE/VT
)
I
B
=I
C
/
I
E
=I
C
+I
B
=I
C
/
P
N N
n
B
C
E
B
C
E
Smbolo Electrnico
Modelos de Transistor BJT NPN de Primer Orden en Modo Activo
B C
E
I
B

+
V
BE

-
E
B
C
+
V
BE

-
I
E

N P P
B
C
E
Modelo de Transistor BJT PNP de Primer Orden en Modo Activo
B
C
E
I
B

+
V
EB

-
B
C
E
Smbolo Electrnico
B
C
E
+
V
BE

-
I
E

Configuracin de Transistores
Caractersticas de
salida del transistor en
configuracin de
emisor comn.
Configuracin de Emisor Comn
A diferencia de la configuracin
anterior, el voltaje CE si tiene
influencia sobre la magnitud de la
corriente de colector.
La corriente de colector es
constante, por tanto el
colector se comporta como
una fuente de corriente
constante en la regin activa.
Caractersticas de salida
del transistor en
configuracin de base
comn.
Configuracin de Base Comn
Configuracin de Colector Comn
Esta configuracin en la Materia Electrnica de las Telecomunicaciones
no la presentaremos debido a que esta configuracin ms que todo se
utiliza para propsitos de acoplamiento de impedancias. Debido a que
este arreglo tiene una alta impedancia a la entrada y baja impedancia a la
salida, al contrario de las otras dos configuraciones.
Para todos los propsitos prcticos las caractersticas de salida de esta
configuracin son las mismas que se usan para Emisor Comn.
Punto de Operacin
1. El anlisis de circuitos a transistores, requiere de conocimiento de la
operacin del mismo tanto en DC como en AC
2. El teorema de la superposicin puede ser aplicado al circuito
3. Una vez definidos los niveles de DC se debe establecer el punto de
operacin deseado.
4. Cada diseo determinar la estabilidad del sistema
5. El punto de operacin es un punto fijo sobre las caractersticas del
transistor que definen una regin para la amplificacin de la seal
aplicada.
Circuito de Polarizacin Fija.
Recta de carga
Vcc
Ic/Rc
Variando R
B
Variando R
C

Vcc
Ic/Rc
Polarizacin Fija con una Resistencia en el Emisor (R
E
)

Polarizacin por Divisor de Voltaje
V
E
=(1/10)Vcc
R
2
(1/10)R
E

I
cq
=(1/2)I
CSat
R
i
=(+1)R
E

Saturacin Mximos Niveles de Operacin
V
CE
=0
R
CE
=0
I
CSat
=Vcc/Rc
I
CSat
=Vcc/(Rc+ R
E
)

Polarizacin por Retroalimentacin de Voltaje
Anlisis en AC de transistores BJT
Modelos del Transistor:
Modelo r
e

Configuracin de base
comn
Configuracin de
emisor comn
I
c
= I
e

I
c
= I
e

I
c
= I
b

Modelo Hbrido Equivalente
Configuracin de
emisor comn
hie=r
e
hfe=
hoe=1/r
0

Configuracin de base
comn
hib=r
e
hfb= -
Ejercicios Propuestos
Considere un transistor npn con V
BE
=0.7 cuando Ic=1mA.
Encuentre V
BE
cuando la corriente del colector es 0.1mA y
10mA. (V
T
=25mV a temperatura ambiente)

Los transistores de cierto tipo se especifican para tener
valores de en el intervalo de 50 a 100, encuentre el
intervalo de valores de .
Considere un transistor npn con V
E
=-0.7 , una =50 .
Encuentre las corrientes de emisor, base y colector, adems
el voltaje de colector.
10V
4V
3.3k
4.7k
=100
10V
6V
3.3k
4.7k
=100
10V
3.3k
4.7k
=100
Calcule todas las corrientes y
Voltaje
10V
-10V
1k
2k
=100
10V
5V 2k
100k
=100

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