Presentación 2

ESTUDIO DE LOS ELEMENTOS DE TRES CAPAS (EL
TRANSISTOR)
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple

funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
La palabra transistor se deriva del término transfer resistor

("resistencia de transferencia") y designa, en forma genérica, a un
componente electrónico de tres terminales cuya resistencia es
una función del nivel de corriente o voltaje aplicado a uno de sus
terminales. Aprovechando esta propiedad, los transistores se utilizan
como fuentes de corriente controladas en las aplicaciones
mencionadas anteriormente y muchas otras más.
Los transistores pueden ser básicamente de dos tipos: bipolares o
de unión y unipolares o de efecto de campo.
Los transistores bipolares son los transistores propiamente

dichos y son dispositivos controlados por corriente. Los
transistores de efecto de campo se conocen comúnmente como
FETs, por sus siglas en inglés (Field Effect Transistors) y son
dispositivos controlados por voltaje.
Tanto los transistores como los FETs vienen en una gran variedad
de tamaños y presentaciones estándares llamados encapsulados,
que determinan su aplicación y métodos de montaje.
EL TRANSISTOR BIPOLAR (NPN, PNP)
Los transistores bipolares o BJT por sus siglas en inglés (Bipolar

Junction Transistor) están físicamente formados por tres capas
alternadas de silicio tipos P y N y poseen externamente tres
terminales de conexión llamados emisor (E), base (B) y colector
(C). La base actúa como terminal de control. Dependiendo de la
forma como se alternen las capas P y N, pueden ser de dos tipos,
llamados transistores NPN y transistores PNP.
Estructura de capas y símbolo del transistor . npn y
pnp:
ESTUDIO DE LA CURVA CARACTERÍSTICA DEL BJT
Es la representación gráfica de
IB en función de VBE, que son
los parámetros básicos del
circuito de entrada.
Se obtiene anotando los

valores de IB y VBE mientras
se varía
el voltaje VBB y se mantiene
constante VCE. Su aspecto
no varía con otros valores de
VCE.
Su forma es exponencial: en un
transistor de silicio, el valor
de IB aumenta rapidísimamente
cuando VBE es ligeramente
superior a 0,7 V
Es la representación gráfica de IC en
función de VCE
que son los parámetros básicos del
circuito de salida.
Se obtiene fijando el valor de VBB (y,

por tanto, el de IB)
y anotando los valores de IC y VCE
mientras variamos
el voltaje VCC.
Es la representación gráfica de IC en
función de IB.
Se obtiene fijando el valor de VCE y

anotando los valores
de IC e IB mientras se varia el voltaje
VBB.
Puede observarse una región lineal

en cada curva.
CIRCUITO DE POLARIZACIÓN EN EMISOR COMÚN
BJT Circuito simple ideal (Emisor Común):
Unión Base- Emisor polarizada directamente Unión Base-Colector

polarizada inversamente.
ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Zona Activa:
Unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT).Unión

Base-Colector polarizada inversamente.
Zona de Corte:
Unión Base-Emisor polarizada inversamente. Base-Colector

polarizada inversamente. No hay movimiento de electrones
(sólo minoritarios)
No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de

Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector
y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y
Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
Zona de Saturación:
Unión Base-Emisor polarizada directamente. Unión Base-

Colector polarizada directamente.
Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un

incremento de la corriente de colector considerable. En este caso
el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión
de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector.
POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE
VCC En otras configuraciones de

polarización la corriente Ic y el voltaje
RC
Vce de polarización son función de la
ganancia de corriente (β) del
R1
C2
Vo
transistor. Sin embargo, debido a que
C
β es sensible a la temperatura,
C1
Vi
B
especialmente para el caso de los
transistores de silicio, y a que el valor
R2 E
real de beta normalmente no se
RE
encuentra bien definido, sería muy
deseable desarrollar un circuito de
polarización que sea menos
dependiente, 1nF
10k
o de hecho,
independiente
Q1 de la beta del
39k
transistor.
2N3904
La configuración de polarización 1nF

1k5
por divisor de voltaje es una red

que cumple con tales condiciones 3k9
POLARIZACIÓN DE DC POR RETROALIMENTACIÓN DE
VOLTAJE
AMPLIFICADORES CON BJT
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos, uno

entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y
emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo,
es decir 0,7V para un transistor de silicio y 0,3 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector se tendrá una

corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es decir,
ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de
señal, β varía entre 100 y 300. Entonces, existen tres
configuraciones para el amplificador:
Aunque la señal de entrada puede acoplarse al dispositivo de
varias formas, solamente resultan útiles en la práctica tres
configuraciones básicas, llamadas:
• Base común
• Emisor común, y
• Colector común
A continuación examinaremos con cierto detalle cada una de

ellas
AMPLIFICADOR DE BASE COMÚN
Q1
CI NPN CO
10uF 10uF
Entrada Salida
RE RC
470R 4k7
RB1
100k
+ 9V
CB RB2
10k
47uF
La señal se inyecta al emisor a través de CI y se extrae amplificada

por el colector vía CO. La base, conectada dinámicamente a tierra a
través de CB, actúa como elemento común a los circuitos de entrada
y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre están en fase.
Los condensadores CI y CO actúan como condensadores de paso o
de acoplamiento . Su objetivo es eliminar el nivel de cc presente a la
entrada o a la salida y transferir solo las señales de audio
propiamente dichas.
El circuito anterior presenta una baja impedancia de entrada
(entre 0,5 Ω y 50 Ω) y una alta impedancia de salida (entre
1kΩ y 1 MΩ).
Las ganancias de voltaje y de potencia pueden ser altas, del

orden de 1500.
La ganancia de corriente es inferior a 1 (entre 0,95 y 0,995).

AMPLIFICADOR DE EMISOR COMÚN
Vcc
+ 15 V
RB1 RC
82k 7k5
CO
7.5 V
0.1uF
CI Salida
1.6 V Q1
NPN
0.1uF
Entrada
RB2 RE
10k 1k CE
10uF
En la figura anterior se muestra un amplificador emisor común
práctico. La señal se inyecta a la base a través de CI y se recibe
amplificada del colector vía CO. El emisor, conectado dinámicamente
a tierra a través de CE, actúa como elemento común a los circuitos de
entrada y de salida.
En este modo de conexión las señales de entrada y de salida siempre

están en oposición de fase. Nuevamente CI y CO actúan como
condensadores de acoplamiento y CE como condensador de deriva.
Las resistencias RB1, RB2, RE y RC polarizan adecuadamente el

transistor y fijan su punto de trabajo. Este circuito, como el anterior,
utiliza la estrategia de polarización por divisor de voltaje .
La impedancia de entrada de este montaje es del orden de 20 Ω a 5

kΩ y la impedancia de salida del orden de 50 Ω a 50 kΩ. El circuito
proporciona simultáneamente ganancia de corriente y voltaje.
La ganancia de potencia puede llegar a ser relativamente alta, del

orden de 10000. Típicamente la ganancia de corriente es del orden de
50
AMPLIFICADOR DE COLECTOR COMÚN
CC RC
47uF 470R
CI Q1
NPN
10uF
Entrada
RB2 RB1
10k 100k
CO Salida
RE 20uF
4k7
+9V
La señal se introduce por la base a través de CI y se extrae por el
emisor vía CO. El colector, conectado dinámicamente a tierra a
través de CC, actúa como elemento común a los circuitos de
entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre
están en fase. El montaje se denomina también seguidor de
emisor.
El amplificador colector común se caracteriza por tener una alta

impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. La
ganancia de voltaje es siempre menor que 1 y la de potencia es
normalmente inferior a la que se obtiene con las configuraciones
anteriores. Este montaje se utiliza principalmente como adaptador
de impedancias.

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ESTUDIO DE LOS ELEMENTOS DE TRES CAPAS (EL

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple

La palabra transistor se deriva del término transfer resistor

Los transistores bipolares son los transistores propiamente

Los transistores bipolares o BJT por sus siglas en inglés (Bipolar

Se obtiene anotando los

Se obtiene fijando el valor de VBB (y,

Se obtiene fijando el valor de VCE y

Puede observarse una región lineal

BJT Circuito simple ideal (Emisor Común):

Unión Base- Emisor polarizada directamente Unión Base-Colector

Unión Base-Emisor polarizada directamente (VBE>VT).Unión

Unión Base-Emisor polarizada inversamente. Base-Colector

No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de

Unión Base-Emisor polarizada directamente. Unión Base-

Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un

VCC En otras configuraciones de

La configuración de polarización 1nF

por divisor de voltaje es una red

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos, uno

Lo interesante del dispositivo es que en el colector se tendrá una

A continuación examinaremos con cierto detalle cada una de

La señal se inyecta al emisor a través de CI y se extrae amplificada

Las ganancias de voltaje y de potencia pueden ser altas, del

La ganancia de corriente es inferior a 1 (entre 0,95 y 0,995).

En este modo de conexión las señales de entrada y de salida siempre

Las resistencias RB1, RB2, RE y RC polarizan adecuadamente el

La impedancia de entrada de este montaje es del orden de 20 Ω a 5

La ganancia de potencia puede llegar a ser relativamente alta, del

El amplificador colector común se caracteriza por tener una alta

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