Ponce Final

RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA
ALUMNOS:
CARAZAS COARITA, VICKY 17190106
CHAFLOQUE TASAYCO, JESÚS 17190168
CHUI ALTAMIRANO, WILLIAM 17190169
HUAMANI CCORAHUA, JUAN 14190086
NOLASCO HUAMAN, KERRY 17190124
RIVERA CALDERON, CRISTHIAN 17190163
PROFESOR: ING. PONCE
CURSO: CIRCUITOS ELECTRONICOS II.
ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRONICA

UNMSM
RESPUESTA DE UN AMPLIFICADOR EN
ALTA FRECUENCIA
Se ha visto cómo los capacitores de acoplamiento y puenteo afectan la
ganancia de voltaje de un amplificador en bajas frecuencias donde las
reactancias de los capacitores de acoplamiento y puenteo son
significativas. En el intervalo de frecuencias medias de un amplificador, los
efectos de los capacitores son mínimos y pueden ser despreciados. Si la
frecuencia se incrementa lo suficiente, se llega a un punto donde las
capacitancias internas del transistor comienzan a tener un efecto
significativo en la ganancia. Las diferencias básicas entre los BJT y los
FET son las especificaciones de las capacitancias internas y la resistencia
de entrada.
Amplificadores basados en BJT
Un circuito equivalente en CA en alta frecuencia para el
amplificador basado en BJT:
Los capacitores de acoplamiento y puenteo se tratan
como cortos efectivos y no aparecen en el circuito
equivalente. Las capacitancias internas, Cbe y Cbc,
las cuales son significativas sólo en altas frecuencias,
sí aparecen en el diagrama.
Como previamente se mencionó, Cbe en ocasiones se

llama capacitancia de entrada Cib y Cbc es ocasiones se
llama capacitancia de salida Cob, Cbe se especifica en
hojas de datos a un cierto valor de Vbe.
Teorema de Miller en análisis en alta frecuencia
Aplicando el teorema de Miller al amplificador inversor de la figura y
utilizando la ganancia en frecuencias medias, se tiene un circuito que puede
ser analizado en cuanto a respuesta en alta frecuencia. Viendo desde la
fuente de señales, la capacitancia Cbc aparece en la capacitancia de
entrada Miller de la base a tierra. Cbe simplemente aparece como una
capacitancia a tierra de CA, como muestra la figura, en paralelo con
Cent(Miller). Viendo el colector, Cbc aparece en la capacitancia de salida
Miller del colector a tierra. Como muestra la figura, la capacitancia de salida
Miller aparece en paralelo con Rc. Estas dos capacitancias Miller crean un
circuito RC de entrada de alta frecuencia y un circuito RC de salida en alta
frecuencia. Estos dos circuitos, el de entrada y el de salida difieren en baja
frecuencia, los cuales actúan como filtros pasoaltas porque las
capacitancias están a tierra y por consiguiente actúan como filtros
pasobajas. El circuito equivalente en la figura es un modelo ideal porque se
desprecian las capacitancias parásitas provocadas por las interconexiones
del circuito.
PARTE DE CHRISTIAN
PARTE DE KERRY
TEMA: RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR CON FET
El análisis de la respuesta en alta frecuencia del amplificador
con FET es muy parecido al del amplificador con BJT,
mostramos en la siguiente figura, existen capacitancias entre
electrodos y de alambrado, ellos son los que determinan esta
característica.
F.1: Elementos capacitivos que afectan la respuesta en alta frecuencia del amplificador JFET.
Los capacitadores (Cgs y Cgd), varían en el orden de los Pico-Faradios (1-
10pF), y la capacitancia Cds también varía en ese orden (0,1 -1pF).
En la imagen presentada a continuación, tenemos el JFET con las partes

(Drenador, Surtidor y Gate) y a cada parte del amplificador un condensador:
 Cgd: Condensador Gate-Drenador.

 Cgs: Condensador Gate-Surtidor.
 Cds: Condensador Drenador-Surtidor
 Una de las condiciones fundamentales para que se cumpla esta
función es que el Amplificador con el que se trabaje tiene que ser
un INVERSOR.
 En la siguiente figura tenemos lo analizado en C.A. hacemos el
circuito equivalente de la red en alta frecuencia, aparecerá una
Capacitancia de Efecto Miller.
 A altas frecuencias el condensador (Ci y Co) se aproximará a uno
en cortocircuito y el valor de Vgs se reducirá y, por tanto, también
lo hará la ganancia total del circuito y por supuesto que la
magnitud voltaje de salida en paralelo se reducir Vo.
F.2: Circuito equivalente de C.A de alta frecuencia
Las frecuencias de corte definidas por los circuitos de entrada y
salida se obtienen determinando primero los circuitos
equivalentes de Thevenin para cada sección, como mostramos
en la siguiente figura, para el circuito de entrada tenemos:
F.3: Circuito Thevenin equivalente para el circuito de ENTRADA.

F.3: Circuito Thevenin equivalente para el circuito de F.4: Circuito Thevenin equivalente para el circuito de SALIDA
ENTRADA.
 Ahora para hallar la Resistencia de Entrada Thevenin
(𝑹𝑻𝒉𝒊 ) lo hacemos de la siguiente manera:
 Para el Condensador (Ci )tenemos:
 Para el circuito de Salida se tiene:

 Ahora para hallar la Resistencia de Entrada Thevenin (𝑹𝑻𝒉𝒐 )
lo hacemos de la siguiente manera:
 Despreciando a Despreciando a rd tenemos:
 Para el Condensador (𝐶𝑜 ) tenemos:

 Y Para (𝐶𝑀𝑜 ) que está contenida en la anterior ecuación, y tenemos:
PARTE DE JUANCARLOS
GANANCIA POR ANCHO
DE BANDA
PRODUCTO GANANCIA POR ANCHO DE
BANDA FRECUENCIA DE GANANCIA UNIDAD
(GBP)
 Es el producto de la ganancia en lazo abierto disponible y el ancho
de banda a una frecuencia específica. Este parámetro está ligado
con el concepto de frecuencia a ganancia unidad (ft) y en algunos
casos son la misma cosa.
PRODUCTO GANANCIA POR ANCHO DE
BANDA FRECUENCIA DE GANANCIA
UNIDAD (GBP)
 El producto depende de las resistencias de carga y del generador, y

es constantepara unos valores determinados de estas resistencias.
 No podremos disminuir la ganancia para aumentar el ancho de
banda, ya que ambos dependen de estas resistencias.
GBP=AvBW
 Cuando se trabaja a ganancia unitaria, el GBP es igual al ancho de
banda.
La siguiente condición define una cantidad llamada producto de
ganancia por ancho de banda de un transistor.
𝒉𝒇𝒆 (𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂)
=𝟏
𝟏 + 𝒋𝒇/𝒇𝑩
 De modo que:
La frecuencia a la cual 𝒉𝒇𝒆 𝒅𝑩 = 𝟎 𝒅𝑩 se indica con
claridad por medio de ft. La magnitud de hfe en el punto
de la condición definida (ft>>fb) es:

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Como previamente se mencionó, Cbe en ocasiones se

En la imagen presentada a continuación, tenemos el JFET con las partes

 Cgd: Condensador Gate-Drenador.

F.3: Circuito Thevenin equivalente para el circuito de ENTRADA.

 Para el Condensador (Ci )tenemos:

 Para el circuito de Salida se tiene:

 Despreciando a Despreciando a rd tenemos:

 Para el Condensador (𝐶𝑜 ) tenemos:

 El producto depende de las resistencias de carga y del generador, y

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