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EXPERIENCIA:
AMPLIFICADOR MONOETAPA
PROFESOR:
ESTUDIANTE:
GRUPO HORARIO:
90G
2018
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
AMPLIFICADOR MONOETAPA
I. Objetivo.
Analizar la operación en cd y en ca de un amplificador en emisor común, base
común y colector comun.
Explicar la operación de los JFET.
Definir, analizar y aplicar parámetros importantes del JFET.
Analizar y describir circuitos de polarización del JFET.
Determinar la ganancia de voltaje.
aplica a la base como entrada y se toma en el colector como salida, el emisor es común tanto
para las señales de entrada como de salida. No hay señal en el emisor porque el capacitor
de puenteo pone efectivamente al emisor en cortocircuito con tierra a la frecuencia de la
señal. Todos los amplificadores combinan tanto la operación en ca como en cd, lo cual debe
ser considerado, aunque debe tenerse en cuenta que la designación en emisor común se
refiere a la operación en ca.
Inversión de fase La señal de salida está desfasada 180° con respecto a la señal de
entrada. A medida que el voltaje de la señal de entrada cambia, hace que cambie la corriente
de ca en la base y el resultado es un cambio de la corriente en el colector a partir de su valor
de punto Q. Si se incrementa la corriente en la base, la corriente en el colector se incrementa
por encima de su valor de punto Q, lo que aumenta la caída de voltaje a través de RC. Este
incremento del voltaje a través de RC indica que el voltaje en el colector se reduce a partir
de su punto Q. Así que cualquier cambio en el voltaje de la señal de entrada produce un
cambio opuesto en el voltaje de la señal en el colector, lo cual constituye una inversión de
fase.
Análisis en cd
Para analizar el amplificador ilustrado en la figura 1, primero se deben determinar los valores
de polarización de cd. Para ello se desarrolla un circuito equivalente en cd eliminando los
capacitores de acoplamiento y puenteo porque aparecen como un circuito abierto en lo que
a polarización de cd respecta. Esto también elimina el resistor de carga y la fuente de señal.
El circuito equivalente en cd se muestra en la figura 2.
La resistencia de cd de entrada en la base se determina de la siguiente manera:
𝑅𝐸𝑁𝑇(𝐵𝐴𝑆𝐸) = 𝛽𝐶𝐷 𝑅𝐸
Como en este caso RENT(BASE) es más de diez veces R2, el divisor de voltaje es rígido. La
corriente de cd en la base se calcula como
𝑅2
𝑉𝐵 ≅ ( )𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
Y
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
Por consiguiente,
𝑉𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸
Como 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 , entonces
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
Por último,
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
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Análisis en ca
1. Los capacitores C1, C2 y C3 son reemplazados por cortos efectivos porque sus valores se
seleccionan de modo que XC sea despreciable a la frecuencia de la señal y se pueda
considerar que es de 0 Ω.
Voltaje de señal (ca) en la base Se muestra una fuente de voltaje de ca, Vs, conectada a
la entrada en la figura 3(b). Si la resistencia interna de la fuente de ca es de 0 Ω, entonces
todo el voltaje de la fuente aparece en la base. No obstante, si la fuente de ca no tiene una
resistencia interna cero, entonces se deben tener en cuenta tres factores al determinar el
voltaje de señal real en la base: la resistencia de fuente (Rs), la resistencia de polarización y
la resistencia de entrada de ca en la base del transistor (Rent(base). Esto se ilustra en la figura
4(a) y se simplifica combinando R1, R2 y Rent(base) en paralelo para obtener la resistencia de
entrada, Rent(tot), la cual es la resistencia “vista” por una fuente de ca conectada a la entrada,
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como muestra la figura 4(b). Es deseable un alto valor de resistencia de entrada de modo
que el amplificador no cargue en exceso a la fuente de señal. Esto se opone al requerimiento
de un punto Q estable, el cual necesita resistores más pequeños. El requerimiento
incompatible con la alta resistencia de entrada y la polarización estable es sólo uno de los
muchos intercambios que han de ser considerados cuando se eligen componentes para un
circuito. La siguiente fórmula expresa la resistencia de entrada total.
Rent(tot) = R1 || R2 || Rent(base)
El voltaje en la base es
y como
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Eliminando Ie,
Base comun
En la configuración base común la entrada es por el emisor, y la salida por el colector
como se muestra en la siguiente figura:
Listado de subtemas:
Aplicaciones:
En donde se asume que hre y hoe son cero. La razón de porqué se usa el modelo ac
del emisor común configurado para base común, y no directamente el modelo ac de
base común, es que los parámetros del emisor común, son los que normalmente se
dan en el datasheet, e igualmente los resultados son los mismos. En los siguientes
ejemplos se observan las ecuaciones de los parámetros de un base común, zi, zo, vi,
vo, ii, io, Av, y Ai para los diferentes tipos de polarización.
TRANSISTOR FET
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque
la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero
tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante
baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán
desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que
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notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya
que el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como
el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de
valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no
destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente
crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor
de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora.
Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de
los distintos dispositivos.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma
con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas
donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la tabla.
Modelo de transistor
FET canal n
Modelo de transistor
FET canal p
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ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta
como una fuente de corriente gobernada por VGS
ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).
Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única variable que me
controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de puerta.
Ecuación de Shockley:
ID=IDSS(1-
VGS/Vp)2
Donde:
En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el gráfico,
son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta
del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma
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TÉCNICAS DE MANUFACTURA.
El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947, partiendo
de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John Bardeen, y Walter
Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.
En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer transistor de
silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de fabricación, su
comercialización a gran escala.
Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas, en los
circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes a
vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos
transistorizados de "estado sólido" o "frios").
Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de
ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicación sobre el
transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis
y diseño, con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para
el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo predominante, con
párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.
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La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la
mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas
en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la
terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo
material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S).
Los dos materiales tipo p se encuentran
conectados juntos y al mismo tiempo hacia la
terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto,
esencialmente el drenaje y la fuente se conectan
en esencia a los extremos del canal tipo n y la
compuerta, a las dos capas del material tipo p.
En ausencia de cualquiera de los potenciales
aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo
condiciones sin polarización. El resultado es una
región de agotamiento en cada unión, como se
ilustra en la figura siguiente, que se parece a la
misma región de un diodo bajo condiciones sin
polarización. Recuérdese también que una
región de agotamiento es aquella región carente
de portadores libres y por lo tanto incapaz de
permitir la conducción a través de la región.
Transistor de unión de efecto de campo (JFET).
Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas, pero la
analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la
terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del
dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a
la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). La
"compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga)
hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del
canal-n, como se ilustra en la figura anterior, debido a que la terminología se define para el flujo
de electrones.
Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo superior
de ambos materiales tipo p. La razón para el cambio en la anchura de la región se puede
describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia uniforme en el
canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura
siguiente. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal, como se indica
en la misma figura. El resultado es que la región superior del material tipo p estará
inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la región inferior inversamente polarizada
sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la explicación de la operación del diodo, que cuanto mayor sea
la polarización inversa aplicada, mayor será la anchura de la región de agotamiento, de aquí la
distribución de la región de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que
la unión p-n esté inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una
corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG =
O A es una importante característica del JFET.
Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo NPN
ó PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad
de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con sentidos
opuestos de circulación de corriente.
En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el
electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico), los tipo unijuntura, los MOS o de
óxido metálico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para
controlar grandes potencias y tensiones), etc.
Existe una innumerable cantidad de diseños, especializados para alta potencia, bajo ruido
eléctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensión, aplicaciones de conmutación,
etc.
Amperímetro.
Voltímetro.
Osciloscopio.
Cables de conexión.
Un multitester.
Transistor NPN.
Resistencia de 220K, 2.2K, 3.9K, 39K, 1MK, 4.7K ohms.
Condensador de10uF.
IV. Análisis
Datos Teóricos:
Circuito 1
Analisis en CD:
𝟓.𝟔𝒌𝛀 𝑽𝑬 𝟎.𝟑𝟐
𝑽𝑩 = ∗ 𝟏𝟔𝒗 = 𝟏. 𝟎𝟐𝒗 𝑰𝑬 = =
𝟓.𝟔𝒌𝛀+𝟖𝟐𝒌𝛀 𝑹𝑬 𝟏𝒌
𝑽𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 𝑰𝑬 = 𝟎. 𝟑𝟐𝒎𝑨
𝑽𝑬 = 𝟎. 𝟑𝟐
𝟐𝟓𝒎𝑽
𝒓𝒆 = = 𝟕𝟖. 𝟏𝟐𝟓𝛀
𝟎. 𝟑𝟐𝒎𝑨
Analisis en CA:
𝑹´ = 𝟖𝟐𝒌𝛀 ∥ 𝟓. 𝟔𝒌𝛀 = 𝟓. 𝟐𝟒𝒌𝛀
𝜷𝒓𝒆 = 𝟏𝟎𝟎 ∗ 𝟕𝟖. 𝟏𝟐𝟓 𝑹𝑩 ≥ 𝟏𝟎𝜷𝒓𝒆 ⇔ 𝒁𝒊 = 𝜷𝒓𝒆
𝜷𝒓𝒆 = 𝟕𝟖𝟏𝟐. 𝟓𝛀 𝒓𝒐 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑪 ⇔ 𝒁𝒐 = 𝑹 𝑪
𝒁𝒊 = 𝑹´ ∥ 𝜷𝒓𝒆 = 𝟓. 𝟐𝟒𝒌𝛀 ∥ 𝟕𝟖𝟏𝟐. 𝟓𝒌𝛀 = 𝟓. 𝟐𝟑𝒌𝛀
𝒁𝒐 = 𝑹𝑪 = 𝟑. 𝟑𝒌𝛀 = 𝟑. 𝟑𝒌𝛀
𝑽𝒐 𝑹𝑪 ∥𝒓𝑶 𝟑.𝟑𝒌𝛀
𝑨𝒗 = = − =− = −𝟒𝟐. 𝟐𝟒
𝑽𝒊 𝒓𝒆 𝟕𝟖.𝟏𝟐𝟓𝛀
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Circuito 2
Analisis en CD:
𝟓𝟔𝒌𝛀 𝑽𝑬 𝟑.𝟑𝟔
𝑽𝑩 = ∗ 𝟐𝟎𝒗 = 𝟒. 𝟎𝟔𝒗 𝑰𝑬 = =
𝟓𝟔𝒌𝛀+𝟐𝟐𝟎𝒌𝛀 𝑹𝑬 𝟐.𝟐𝒌
𝑽𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 𝑰𝑬 = 𝟏. 𝟓𝟑𝒎𝑨
𝑽𝑬 = 𝟑. 𝟑𝟔
𝟐𝟓𝒎𝑽
𝒓𝒆 = = 𝟏𝟔. 𝟑𝟒𝛀
𝟏. 𝟓𝟑𝒎𝑨
Analisis en CA:
𝑹´ = 𝟐𝟐𝟎𝒌𝛀 ∥ 𝟓𝟔𝒌𝛀 = 𝟒𝟒. 𝟔𝟒𝒌𝛀
𝜷𝒓𝒆 = 𝟏𝟖𝟎 ∗ 𝟏𝟔. 𝟑𝟒 𝑹𝑩 ≥ 𝟏𝟎𝜷𝒓𝒆 ⇔ 𝒁𝒊 = 𝜷𝒓𝒆
𝜷𝒓𝒆 = 𝟐𝟗𝟒𝟏. 𝟐𝛀 𝒓𝒐 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑪 ⇔ 𝒁𝒐 = 𝑹 𝑪
𝒁𝒊 = 𝑹´ ∥ 𝜷𝒓𝒆 = 𝟒𝟒. 𝟔𝟒𝒌𝛀 ∥ 𝟐𝟗𝟒𝟏𝒌𝛀 = 𝟒𝟑. 𝟗𝟖𝒌𝛀
𝒁𝒐 = 𝑹𝑪 ∥ 𝒓𝒐 = 𝟔. 𝟖𝒌𝛀 ∥ 𝟓𝟎𝒌𝛀 = 𝟓. 𝟗𝟗𝒌𝛀
𝑽𝒐 𝑹𝑪 ∥𝒓𝑶 𝟓.𝟗𝟗𝒌𝛀
𝑨𝒗 = = − =− = −𝟎. 𝟑𝟕
𝑽𝒊 𝒓𝒆 𝟏𝟔.𝟑𝟒𝛀
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Circuito 3
Analisis en CD:
R2 *Vcc 0*(12v)
VB 0v VE VB VBE 0v 0.7v 0.7v
R1 R2 220
26mv
re
0.57 0.57 IE
IE 0.57mV
RE 1K 26mV
re 45.61
0.57mV
Analisis en CA:
R1 * R2 (220 K ) *(0) K
Req R1 || R2 0
R1 R2 (220 0) K
0*5473.2
Zi Req || re 0
(0 5473.2)
Z 0 Rc ; r0 50
Z 0 3.9 K
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Circuito 4
Analisis en CD:
R2 *Vcc 1M (18v)
VB 18v
R1 R2 1M
0.57 0.57
IE 1.12mV
RE 0.51K
26mv
re
IE
26mV
re 23.21
1.12mV
R1 * R2 (0 K ) *(1) M
Req R1 || R2 0
R1 R2 (0 1M )
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V. Cuestionario
1. ¿Son intercambiables los terminales del colector y del emisor de un transistor
bipolar?
No. Use los transistores bipolares en la orientación correcta. La estructura interna del
transistor esta optimizada para funcionar en modo directo. Al intercambiar los
terminales del colector y del emisor no solo empeora el rendimiento del transistor, sino
que también se podrían causar daños irreparables en el dispositivo.