Tema VII

Memorias
7.1 Tipos de memoria
7.2 Ciclos de memoria
Presenta:
ING. y M.A. REN MONTESANO BRAND
ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS
UNIVERSIDAD NACIONAL AUTNOMA DE MXICO
FACULTAD DE CONTADURIA Y ADMINISTRACIN
Objetivo
Al trmino del presente tema, el alumno conocer la
estructura de los principales tipos de memoria empelada en
las computadoras y su funcionamiento.
Memorias
Las memorias son los dispositivos de almacenamiento de
datos e instrucciones en una computadora.

Llamamos sistema de memoria al conjunto de estos
dispositivos y los algoritmos de hardware y/o software de
control de los mismos.
Una clasificacin funcional de las memorias es la siguiente:

a) Memoria interna: Constituida por los registros internos
de la CPU. Este tipo de memoria caracteriza por su alta
velocidad.
b) Memoria central (o principal): Almacena programas y
datos, es relativamente grande, rpida y es accedida
directamente por la CPU a travs de un bus.
c) Memoria secundaria: Se usa para el almacenamiento
de programas del sistema y grandes archivos. Su
capacidad es mucho mayor que las anteriores pero ms
lenta y el acceso a la misma por parte de la CPU en
indirecto. Las principales tecnologas son la magntica y
la ptica.
Memorias
Se pueden definir algunos parmetros generales aplicables
a todas las memorias.

a) Unidad de almacenamiento: Bit.
b) Capacidad de almacenamiento: Cantidad de bits que
puede almacenarse. Si bien la unidad de almacenamiento
es el bit, muchas veces se usa el byte.

As encontramos capacidades en Kb ( 1Kb = 1024 bytes),
en Mb (1Mb = 1024 Kb), en Gb (1Gb = 1024 Mb), etc.. Las
memorias se consideran organizadas en palabras, cada
palabra es un conjunto de bits a los cuales se accede
simultneamente.
Memorias
c) Tiempo de acceso (ta): Es el que se tarda en leer o
escribir una palabra en la memoria desde el momento que
se direcciona. La velocidad de acceso ba=1/ta se mide en
palabras/segundo.

d) Tipo de acceso:
Acceso aleatorio: cuando el tiempo de acceso es similar
para cualquier posicin
Acceso serie: cuando el tiempo de acceso depende de la
posicin que ocupa la palabra dentro de la memoria.
Memorias
Memorias
e) Tiempo de ciclo (tc): Indica el mnimo tiempo entre dos
accesos sucesivos a la memoria. El tiempo tc es mayor que
el tiempo ta. El ancho de banda de una memoria se define
como la inversa de tc y es un indicativo de la cantidad de
palabras procesables por unidad de tiempo.

f) Medio fsico
- Electrnicas: construidas con semiconductores.
- Magnticas: basadas en el fenmeno de histresis de los
materiales ferromagnticos.
- pticas: utilizan la tecnologa lser.
Memorias
g) Estabilidad

- Volatilidad: el contenido de la memoria se pierde cuando
se suspende la alimentacin elctrica.
- Almacenamiento dinmico: El bit se almacena como carga
de una capacidad parsita de un transistor MOS. La
informacin se pierde cuando el capacitor se descarga lo
que hace necesario un refresco peridico para restaurar
el contenido antes que se deteriore.
- Lectura destructiva (DRO): Al efectuar la lectura se pierde
la informacin, por lo cual dicho proceso debe
acompaarse de una restauracin.
Memorias
Memorias
Memorias electrnicas

Pueden considerarse como un sistema digital mixto
(combinacional y secuencial) capaz de almacenar
informacin binaria el cual se puede acceder (introducir o
extraer informacin) slo parcialmente en un momento
dado.

Memorias
En funcin del tipo de acceso, estas memorias se clasifican
en:

- Memorias de acceso aleatorio (RAM), en las que ta es
similar para cualquier posicin.
Se subdividen en:

Memorias de lectura/escritura, tambin llamadas activas.
Se caracterizan por tener los ta de lectura y escritura
similares, presentan volatilidad, pierden su contenido
cuando dejan de estar alimentadas. Se subdividen en:

Memorias estticas (SRAM)
Memoria dinmicas (DRAM)

Memorias
Memorias de slo lectura (ROM), tambin llamadas
pasivas. Se caracterizan por tener el ta de escritura en
mucho mayor que el de lectura, presentan no volatilidad, no
pierden su contenido sin alimentacin.
Se subdividen en:

ROM, se graban una vez por el fabricante.
PROM, se graban una vez por el usuario.
EPROM, se graban varias veces por el usuario, el
borrado se realiza con luz ultravioleta.
EEPROM, se graban varias veces por el usuario, el
borrado se realiza elctricamente posicin a posicin.
FLASH, se graban varias veces por el usuario, el borrado
se realiza elctricamente de una sola vez.
Memorias
Memorias de acceso serie, en las que el tiempo de
acceso ta depende de la posicin de la palabra dentro de la
memoria. Son memorias de lectura/escritura.

Se subdividen en:

Registros de desplazamiento
Memorias pila (LIFO), ltima escritura, primera lectura
Memorias cola (FIFO), primera escritura, primera lectura.
Memorias
Desde los 60 aparecen los circuitos integrados que
permiten construir memorias de alta capacidad,
actualmente se encuentran memorias semiconductoras del
orden de los Mb.

Podemos considerar la memoria como un conjunto de
posiciones, cada una de ellas est formada por una o ms
celdas o clulas elementales.
Memorias RAM
Memorias RAM
Memorias RAM
El tipo de celda depende de la clase de memoria que se
trate y la tecnologa utilizada. En las RAM de
lectura/escritura consisten en flip-flops asncronos. En las
RAM de slo lectura (ROM) consisten en diodos o
transistores.
Memorias RAM
Las memorias RAM operan de la siguiente manera:

- Una direccin (conjunto de m bits) se transfiere al registro
de direcciones.
- El decodificador de direcciones procesa la direccin y
selecciona una posicin de memoria.
- La posicin seleccionada se lee o escribe en funcin de
las seales de control.
- Si es una lectura, el contenido de la posicin seleccionada
se transfiere al registro de datos de salida (de n bits). Si es
una escritura (para el caso de una RAM de
lectura/escritura) se transfiere el registro de datos de
entrada (que debe haber sido cargado anteriormente) a la
posicin seleccionada.
Memorias RAM
La organizacin interna de las memorias RAM puede ser
2D o 3D

Organizacin 2D

Cada celda binaria es accedida por una sola lnea de
seleccin. Las celdas se organizan en una matriz de dos
dimensiones, en la que las filas vienen dadas por el nmero
de palabras (N) y las columnas por la longitud (cantidad de
bits) de cada palabra.
Memorias RAM
Memorias RAM
Organizacin 3D

Cada celda binaria es accedida por dos lneas de
seleccin. La activacin de ambas simultneamente
determina la seleccin de la celda. As se logra reducir el
tamao de los decodificadores.

la cantidad lneas de salidas del decodificador de una
organizacin 2D:
LS2D = 2m , donde m en la cantidad de lneas de
direccionamiento.
Se reduce a
LS3D = 2. 2 m/2 considerando a los dos decodificadores
iguales.
Memorias RAM
Memorias RAM
La reduccin de lneas se logra a costa de agregar un
decodificador y una compuerta AND por cada palabra.

Organizacin 2D


Memorias RAM
Memorias RAM
Memorias RAM
Se observa que si la lnea de seleccin est activa con un 1
lgico, se habilita la celda para lectura/escritura. Si L/E = 1
se trata de una operacin de lectura, las entradas al flip-flop
se bloquean y se habilita la compuerta AND de salida. Si L/E
= 0, se bloquea la compuerta AND de salida y se habilita la
entrada al flip-flop.
Organizacin 3D


Memorias RAM
Memorias RAM
Memorias RAM
Las lneas de acceso a la memoria son:

Lneas de direccionamiento A0:A3

Lneas de datos I/O0:I/O3, se trata de 4 lneas
bidireccionales que pueden actuar como entradas o salidas.

Para lograr lneas bidireccionales se usan los buffer
triestado, de esta forma se evita usar lneas de entrada y
salida independientes.
Memorias RAM
Seales de control de lectura escritura (L/E*).

-L/E* = 1 : leer;
-L/E* = 0 : escribir

Seales de control C/S.

C/S = 1, lneas de datos en alta impedancia.
C/S = 0 y L/E = 0, lneas de datos conectadas al bus, el
contenido de la posicin direccionada se vuela al bus.
C/S = 0 y L/E = 1, lneas de datos de entrada conectadas al
interior de la memoria y lneas de datos de salida en alta
impedancia.
O/E = 1, se deshabilitan los circuitos de salida de la memoria
sin tener en cuenta el estado de las seales C/S y L/E.
Memorias RAM
Ciclo de lectura y ciclo de escritura.

Para una correcta operacin de la memoria es necesaria una
temporizacin adecuada de las seales aplicadas a sus lneas.
Existe una variedad de memorias, cada una de ellas requiere
de su propia temporizacin.

El fabricante provee los diagramas de tiempo que involucran
las seales de la memoria. Se plantean diagramas de tiempo
para operacin de lectura y escritura para una memoria ms o
menos general.
Memorias RAM
Un ciclo de lectura o escritura comienza con la aplicacin de
una direccin en las lneas de direccionamiento (bus de
direcciones), la lnea CE (como se ve en la tabla de verdad)
debe estar en cero desde aproximadamente el mismo
momento.

Si es una lectura R/W debe colocarse en 1. Los datos a leer
aparecern en las lneas de salida de datos (Dout) al cabo
del tiempo TA, este es el tiempo de lectura.
Memorias RAM
Si es una escritura R/W debe colocarse en 1 un tiempo
mnimo tAW (tiempo de fijacin de la direccin), despus del
cual debe pasar a 0 para indicar una operacin de escritura,
valor en el cual debe mantenerse al menos el tiempo tWP
(ancho del pulso de escritura) para garantizar que los datos se
han almacenado en la RAM. Los datos a escribir deben estar
en las lneas de entrada de datos (Din) aproximadamente en el
momento que aparece la nueva direccin y mantenerse hasta
despus del tiempo tWP.

El tiempo tC es el tiempo de ciclo, indicativo de la cantidad de
operaciones sucesivas por unidad de tiempo. Se observa que
tC es siempre mayor que ta.
Memorias RAM
Memorias RAM
Memorias DRAM
Memorias ROM
Estas memorias una vez programadas slo realizan
operaciones de lectura. No son voltiles pueden utilizarse para
almacenar cdigos, generadoras de caracteres, funciones
aritmticas complejas, unidades de control microprogramadas,
almacenamiento de partes del sistema operativo (BIOS), entre
otras.

La organizacin interna de estas memorias es similar a las
RAM de lectura/escritura. La parte de entrada/salida es ms
sencilla por cuanto slo es necesario considerar las salidas, de
igual manera que las lneas de control. A pesar que las ROM
son memorias RAM, se suele utilizar este ltimo trmino para
hacer referencia a las memorias de lectura/escritura.
Memorias ROM
Memorias ROM
Los diodos se utilizan como elementos acopladores. La
conexin de varios a una misma lnea, implementa la funcin
OR de las seales de entrada. Puede decirse entonces que
una ROM de 2n x m bits, podra realizar cualquier
combinacional de n variables de entrada y m funciones.

Las salidas del bus de datos son triestado para permitir la
conexin de ms de una memoria a un bus comn.
Memorias ROM
Memorias PROM
Los elementos de conexin son diodos o transistores con un
fusible en serie. Inicialmente la memoria presenta todas las
conexiones establecidas. La programacin consiste en destruir
el fusible en aquellos lugares donde quiere almacenarse un 0.
Esto se consigue direccionando la palabra deseada e
inyectando una corriente adecuada en las salidas, as la
conexin queda abierta y es como si no existiera el elemento
acoplador. Se deduce que una vez programada la memoria ya
no es posible volver a hacerlo.

Internamente estas memoria son similares a las ROM.

Para la grabacin de estas memorias es necesario disponer
de equipos de grabacin especiales, disponibles
comercialmente.
Memorias ROM
Memorias ROM
Memorias RPROM
A diferencia de las anteriores pueden ser reescritas por el
usuario. Es necesario contar con equipos de grabacin
especficos para cada tipo de memoria. La grabacin se
realiza con la memoria fuera del circuito en el cual est
conectada.

Se distinguen tres tipos de RPROM

- EPROM Las celdas estn constituidas por puertas flotantes
de transistores MOS. La descarga se realiza con luz
ultravioleta exponiendo la celda a la misma por varios minutos.
La reprogramacin es elctrica aplicando tensiones superiores
a las de funcionamiento. La reprogramacin es permanente
hasta que vuelva a grabarse.
Memorias ROM
- EEPROM Similares a las anteriores con diferencia que el
borrado es posicin a posicin, elctrico y en algunas caso
puede realizarse con la memoria inserta en el circuito.

- FLASH Similares a la anterior solo que el borrado se realiza
simultneamente a todas la posiciones.
Apuntes de arquitectura de computadoras, Unidad 3,
memorias, Universidad Tecnolgica Nacional, Facultad
Regional Mendoza, Argentina. Disponible en:

http://www.frm.utn.edu.ar/arquitectura/unidad3.pdf

Bibliografa
Muchas gracias por su atencin