E3 Clase 04
E3 Clase 04
E3 Clase 04
Familias Lógicas
Conjuntos de Circuitos Integrados (C.I.) que implementan funciones
lógicas, fabricados con:
➢La misma tecnología.
➢Una estructura similar.
➢Las mismas características básicas.
Se las identifica comercialmente por un formato del tipo (no existe estandarización):
Ejemplo: 74ACT138
Familia / sub familia Función lógica -74ACT= Advanced CMOS
– TTL compatible
3 a 6 caracteres 2 a 4 caracteres
-138 = cuádruple flip-flop
“D” (en el C.I.)
UNNE – FACENA – ELECTRÓNICA III
X
S2=X•Y•Z
C Y
S1=A+B+C S2=X•Y•(A+B+C)
B
Z
A
R
-V
“0”
Problemas:
1. En dos niveles lógicos, los niveles de “1”
tensión de salida dependen de la conexión
2. ¿Cómo se implementa un inversor?
UNNE – FACENA – ELECTRÓNICA III
0
Codificador
de diodos 1
(8 líneas a
3 bits): 2
Matrices
3 NAND en
una PLA
4
b2 b1 b0
UNNE – FACENA – ELECTRÓNICA III
RB Z =A’ vO
1.0
A
0.5
VCC=3,6V VCC=3,6V
640 640
450
Z=(A+B+C)’ Z=(A+B+C)’
A
450
B 450 450 450
450
C
C B A
AND DL VCC=5V VO
5.0
2K 2K
=A’
Z =(A•B•C)’
A 4.0
D1 D2
B 20K
C 3.0
VBB= -2V
VOH (mín)
= 2.6 V
VCC=5V
2.0
1,6K 2K
1.0
2,15K
1,6K 2K
15.0
2,15K
13.5
Z =(A•B•C)’
A Q1
B D2
5K
C
HTL
VCC=15V
3K 15K 5.0
DTL
12K
NML NMH
6,9V Z =(A•B•C)’ 1.5
A Q1
0
B 0 1.5 5.0 6.5 7.5 8.5 13.5 15.0
5K
C
UNNE – FACENA – ELECTRÓNICA III
Q3 S
2.0
E IIH
IOL
1.0
0,4 P
0,2
0,5 1.0 1,35 2.0 3.0 4.0 vI
0,8 2,0 VI VO
3,6 N=0
N=0 N=10
VIL 0,8 V VOL 0,2 V 0,4 V VIH mín 2,4 N=10
NMH=0,4V
2,0
VOH mín
VIH 2,0 V VOH 3,6 V 2,4 V
IIL 1,6 mA IOL ― 16 mA 0,8
VIL máx NML=0,4V0,4 VOL máx N=10
IIH 40 μA IOH ― 400 μA 0,2 N=0
UNNE – FACENA – ELECTRÓNICA III
en “0” A Q1 Q2 A Q1 Q2 =2,5
Z en “1” mA Z
Tiempo de propagación
Q3 Q3
tP medio
5K 5K
10 nseg.
vO
3.5
vI
Disipación 0.2
Retardos
t tpHL t
dinámica tpLH
15 vO =8 nseg. =12 nseg.
ICC,
mA
5
t t
UNNE – FACENA – ELECTRÓNICA III
130
4K 1,6K
B B
Q4 Z Z
A A
A Q1 Q2
B Z=(A · B)’
Q3
Transistor VCC=5V
multiemisor 5K
130
4K 1,6K 4K
Q4
Q2 Q2’
A B
Q1 Q1’
Z=(A+B)’
Q3
5K
UNNE – FACENA – ELECTRÓNICA III
130 130
4K 1,6K 4K 4K 1,6K
Q4 Q4
Q2 Q2’ D2
C Q1 Q1’ D A Q1 Q2
A B =(A+B)’
Z=(AC+BD)’ B Z
Q3 H Q3
5K 5K
Si H=1 (≈VOH):
C → D2: cortado; → Z=(A·B)’
A B Si H=0 (≈VOL):
Z Z
D A → Q2: cortado; → Q3: cortado;
B H → D2: conduce;
→ V2 ≈VOL + 0,6V → Q4: cortado;
→ Z= Alta impedancia (Tri-state)
UNNE – FACENA – ELECTRÓNICA III
760 60
500 2,8K
40K 20K
4K
470
12K
900 50
2,8K
74S
1K
500 250
+5.0V
7K6 110
24K
74LS
5K
2K8 3K5
UNNE – FACENA – ELECTRÓNICA III
Bibliografía básica
Ginzburg. M. C., Técnicas Digitales con Circuitos Integrados. (B)
- Capítulo 9
Taub, H. – Schilling, D. Electrónica Digital Integrada. Marcombo, 1977.
- - Capítulo 6
Ginzburg, M. C. Técnicas Digitales con Circuitos Integrados. (B)
- Capítulo 11
Mandado, E. Sistemas Electrónicos Digitales. (B)
- Capítulo 5
Wakerly, J. F. Diseño Digital – Principios y Prácticas. (F)
- Capítulo 3