Fi904 - Cla Semana 15

Aproximación de electrones fuertemente
enlazados
Consideramos que:
Los estados de los electrones en un cristal no difieren mucho de los
estados en un átomo aislado.
• Para los electrones fuertemente enlazados (cercanos al núcleo),
se desprecia esta diferencia.
• Sólo se considera apreciable (aunque pequeña) la diferencia
para los electrones más alejados del núcleo.
̂ 𝜑 = 𝐸𝜑
𝐻
−ћ2 ⃗∇2
( + Ω(𝑟) + U(𝑟)) 𝜑(𝑟) = 𝐸𝜑 (𝑟)
2𝑚
V(𝑟) = Ω(𝑟) + U(𝑟)
Comparemos un electrón en un cristal y un electrón en un átomo

aislado.
−ћ2 ⃗∇2
̂=
𝐻 + 𝑉(𝑟)
2𝑚
−ћ2 ⃗∇2
̂𝑎 =
𝐻 + 𝑉𝑎 (𝑟)
2𝑚
Subíndice “a” – átomo aislado
̂=𝐻
𝐻 ̂𝑎 + 𝑊
𝑊 = 𝑉 − 𝑉𝑎 -- energía de perturbación
̂ 𝜑 = 𝐸𝜑
𝐻
̂𝑎 + 𝑊)𝜑 = 𝐸𝜑
(𝐻
Átomo aislado:
̂𝑎 𝜑𝑎 = 𝐸𝑎 𝜑𝑎
𝐻
Por otro lado:
𝜑 = ∑ 𝑎𝑔 𝜑𝑔
𝑔
𝜑𝑔 = 𝜑𝑔 (𝑟 − 𝑅⃗𝑔 )
e-
r
g g+1 g+2
Rg
O
ϕg ϕg+1
̂𝑎 + 𝑊) ∑ 𝑎𝑔 𝜑𝑔 = 𝐸 ∑ 𝑎𝑔 𝜑𝑔
(𝐻
𝑔 𝑔
Se aplica el operador a cada término de la sumatoria, se le da forma

especial a 𝑎𝑔 , se multiplica por 𝜑𝑔′ y se integra. Se obtiene:
∑𝑔 𝐴(𝑞𝑔 )𝑒 𝑖𝑘⃗.𝑞⃗𝑔
𝐸 = 𝐸𝑎 +
∑𝑔 𝑆(𝑞𝑔 )𝑒 𝑖𝑘⃗.𝑞⃗𝑔
∗
𝑆(𝑞𝑔 ) = ∫ 𝜑𝑔′ 𝜑𝑔 𝑑𝑉
∗
𝐴(𝑞𝑔 ) = ∫ 𝜑𝑔′ 𝑊𝜑𝑔 𝑑𝑉
Considerando que las funciones atómicas decrecen rápidamente y no
hay traslape (o es despreciable) ni con las funciones de átomos
vecinos:
0, 𝑠𝑖 𝑔 ≠ 𝑔′
𝑆(𝑞𝑔 ) = {
1, 𝑠𝑖 𝑔 = 𝑔′
Entonces:
⃗
𝐸 = 𝐸𝑎 + ∑ 𝐴(𝑞𝑔 )𝑒 𝑖𝑘.𝑞⃗𝑔
𝑔
𝐴(𝑞𝑔 ) depende, además del posible traslape, de la energía de

perturbación W. Y, supongamos que es apreciable sólo para los
vecinos inmediatos, y que toma el mismo valor A si los vecinos
equidistan.
𝐴, 𝑠𝑖 𝑔 ≠ 𝑔′
𝐴(𝑞𝑔 ) = {
𝐶 (𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡), 𝑠𝑖 𝑔 = 𝑔′
⃗
𝐸 = 𝐸𝑎 + 𝐶 + 𝐴 ∑ 𝑒 𝑖𝑘.𝑞⃗𝑔
𝑣𝑒𝑐𝑖𝑛𝑜𝑠
Red sc de parámetro a:
6 vecinos
𝐸 = 𝐸𝑎 + 𝐶 + 2𝐴(cos 𝑘𝑥 𝑎 + cos 𝑘𝑦 𝑎 + cos 𝑘𝑧 𝑎)
Banda s:
A<0
En la dirección 𝑘𝑥 :
𝐸 = 𝐸𝑎 + 𝐶 + 2𝐴(cos 𝑘𝑥 𝑎)
Banda p: A>0
Banda d: A<0
Masa efectiva (m*)
Es el valor que se asigna como masa y que toma en cuenta el efecto

de la fuerza del campo eléctrico interno (de los demás electrones y
núcleos).
∗
ℏ2
𝑚 = 2
𝜕 𝐸
𝜕𝑘 2
(en una dimensión, eje k)
Hueco
Son los estados vacantes
En la banda de valencia, el comportamiento de todos los electrones

ante la presencia de un campo eléctrico es equivalente al de unas
supuestas partículas con carga +e que ocupan los estados vacantes.
SEMICONDUCTORES
Semiconductores intrínsecos
Químicamente puros
𝑛𝑖 = 𝑝𝑖
Semiconductores extrínsecos
Tienen impurezas (átomos de otros elementos)

(También se dice: están dopados)
Hay de 2 tipos:
• Tipo n
• Tipo p
Tipo n
Tipo p
Si todos los átomos de impurezas se ionizan:
𝑛 − 𝑝 = 𝑁𝑑 − 𝑁𝑎
𝑁𝑑 - concentración de átomos donadores

𝑁𝑎 - concentración de átomos aceptores
Ley de acción de masas
𝑛𝑝 = 𝑛𝑖2
Concentración de electrones en la banda de conducción
𝑛 = ∫ 𝑓 (𝐸 )𝐷(𝐸 )𝑑𝐸
𝐵𝐶
Concentración de huecos (en la banda de valencia)
𝑝 = ∫ (1 − 𝑓(𝐸 ))𝐷(𝐸 )𝑑𝐸

𝐵𝑉
Se obtiene:
𝒎∗𝒏 𝒌𝑩 𝑻 𝟑/𝟐
𝒏 = 𝟐( ) 𝒆(𝑬𝑭−𝑬𝒈)/𝒌𝑩𝑻 ;
𝟐𝝅ℏ𝟐
𝒎∗𝒑 𝒌𝑩 𝑻 𝟑/𝟐
𝒑 = 𝟐( ) 𝒆−𝑬𝑭/𝒌𝑩𝑻 ;
𝟐𝝅ℏ𝟐
𝐸𝐹 −𝐸𝑔
𝑛 = 𝑁𝐶 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
;
𝐸
− 𝑘 𝐹𝑇
𝑝 = 𝑁𝑉 𝑒 𝐵
Concentración intrínseca:
La que tendría un semiconductor, a la misma temperatura, si no
estuviese dopado.
𝑛𝑝 = 𝑛𝑖2
3/2
𝑚𝑛∗ 𝑘𝐵 𝑇 3/2 (𝐸 −𝐸 )/𝑘 𝑇 𝑚𝑝∗ 𝑘𝐵 𝑇
2( ) 𝑒 𝐹 𝑔 𝐵 .2( ) 𝑒 −𝐸𝐹 /𝑘𝐵 𝑇 = 𝑛𝑖2
2𝜋ℏ2 2𝜋ℏ2
𝑘𝐵 𝑇 3/2 ∗ ∗ 3/4 −𝐸𝑔 /(2𝑘𝐵 𝑇)

𝑛𝑖 = 2 ( ) (𝑚 𝑛 𝑚𝑝 ) 𝑒
2𝜋ℏ2
Energía de Fermi en un semiconductor intrínseco:
𝑛𝑖 = 𝑝𝑖
3/2
𝑚𝑛∗ 𝑘𝐵 𝑇 3/2 (𝐸 −𝐸 )/𝑘 𝑇 𝑚𝑝∗ 𝑘𝐵 𝑇
2( ) 𝑒 𝐹 𝑔 𝐵 = 2( ) 𝑒 −𝐸𝐹 /𝑘𝐵 𝑇
2𝜋ℏ2 2𝜋ℏ2
3/2
𝑚𝑝∗
𝑒 (2𝐸𝐹 −𝐸𝑔 )/𝑘𝐵 𝑇 = ( ∗)
𝑚𝑛
3 𝑚𝑝∗
(2𝐸𝐹 − 𝐸𝑔 )/𝑘𝐵 𝑇 = ln ( ∗ )
2 𝑚𝑛
𝐸𝑔 3 𝑚𝑝∗
𝐸𝐹 = + 𝑘 𝑇. ln ( ∗ )
2 4 𝐵 𝑚𝑛

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Aproximación de electrones fuertemente

V(𝑟) = Ω(𝑟) + U(𝑟)

Comparemos un electrón en un cristal y un electrón en un átomo

Por otro lado:

Se aplica el operador a cada término de la sumatoria, se le da forma

𝐴(𝑞𝑔 ) depende, además del posible traslape, de la energía de

Es el valor que se asigna como masa y que toma en cuenta el efecto

En la banda de valencia, el comportamiento de todos los electrones

Tienen impurezas (átomos de otros elementos)

𝑁𝑑 - concentración de átomos donadores

Ley de acción de masas

Concentración de huecos (en la banda de valencia)

𝑝 = ∫ (1 − 𝑓(𝐸 ))𝐷(𝐸 )𝑑𝐸

𝑘𝐵 𝑇 3/2 ∗ ∗ 3/4 −𝐸𝑔 /(2𝑘𝐵 𝑇)

Energía de Fermi en un semiconductor intrínseco:

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