Fisica de Circuitos Semiconductores Formulario

Primer Examen Elementos Activos
Formulario y constantes que se entregarán en el examen
Ecuaciones
Ley de acción de masas 𝑛𝑖 2 = 𝑛 ⋅ 𝑝
Aproximaciones para 𝑝 ≈ 𝑁𝐴 para silicio P

semiconductores extrínsecos 𝑛 ≈ 𝑁𝐷 para silicio N
Conductividad 𝜎 = (𝑞𝑛𝜇𝑒 + 𝑞𝑝𝜇ℎ )
Resistividad 𝜌 = 1/(𝑞𝑛𝜇𝑒 + 𝑞𝑝𝜇ℎ )
Densidad de corriente de arrastre 𝐽⃗𝑑𝑟𝑖𝑓𝑡 = 𝜎 ⋅ 𝐸⃗⃗
Densidad de corriente de difusión 𝐽𝑑𝑖𝑓,𝑛 = 𝑞 ⋅ 𝐷𝑛 ⋅ 𝛻𝑛, 𝐽𝑑𝑖𝑓,𝑝 = −𝑞 ⋅ 𝐷𝑝 ⋅ 𝛻𝑝
Densidad de corriente total 𝐽⃗𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝐽⃗𝑑𝑟𝑖𝑓𝑡 + 𝐽⃗𝑑𝑖𝑓𝑓
Velocidad de arrastre 𝑣𝑑 = 𝜇 ⋅ 𝛦
𝑘𝑇
Relación de Einstein 𝐷= 𝜇 = 𝑉𝑡 ⋅ 𝜇
𝑞
Potencial de contacto del sistema 𝑉𝑏𝑖 = 𝜙𝑀 − 𝜙𝑆

metal-semiconductor
Barrera Schottky 𝜙𝐵 = 𝜙𝑀 − c
2𝜋𝑚𝑒 𝑘𝑇 3/2
Concentración de portadores de carga 𝑛𝑖 = 2 ( ) ⋅ 𝑒 −𝐸𝐺/2𝑘𝑇
ℎ2
en función de la temperatura
Probabilidad de ocupación: Distribución de Fermi-Dirac

−(𝐸−𝐸𝐹 )
1 𝑒 𝑘𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝐸 > 𝐸𝐹
𝑓(𝐸) = 𝐸−𝐸𝐹 ≈{ (𝐸−𝐸𝐹 )
1+ 𝑒 𝑘𝑇 1− 𝑒 𝑘𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝐸 < 𝐸𝐹
(𝐸𝐹 −𝐸𝑖 ) (𝐸𝑖 −𝐸𝐹 )
Concentración de portadores de carga 𝑛 = 𝑛𝑖 ⋅ 𝑒 𝑘𝑇 , 𝑝 = 𝑛𝑖 ⋅ 𝑒 𝑘𝑇
dependiendo del nivel de Fermi

𝑁𝐴
Diferencia entre nivel de Fermi intrínseco 𝐸𝑖 − 𝐸𝐹 = 𝑘𝑇 𝑙𝑛 𝑛𝑖
y extrínseco del semiconductor P
𝑁𝐷
Diferencia entre nivel de Fermi intrínseco 𝐸𝐹 − 𝐸𝑖 = 𝑘𝑇 𝑙𝑛 𝑛𝑖
y extrínseco del semiconductor N
Primer Examen Elementos Activos
Formulario y constantes que se entregarán en el examen
𝑛
Regla de los 60 mV 𝑉𝑏𝑖 = 𝜙(𝑥𝑏 ) = 60 mV ⋅ log (10𝑏10 )
𝑁𝐴 ⋅𝑁𝐷
Potencial de contacto de la junta PN 𝑉𝑏𝑖 = 𝑉𝑡 ⋅ 𝑙𝑛 ( )
𝑛𝑖 2
Capacitancia en reversa de la junta PN 𝐶𝑗 = 𝐶𝑗0 /√1 − 𝑉𝑅 /𝑉𝑏𝑖
𝜖0 𝜖𝑟 𝑞 𝑁 𝑁 1
Capacitancia en equilibrio de la junta PN 𝐶𝑗0 = √ ⋅ 𝑁 𝐴+𝑁𝐷 ⋅ 𝑉
2 𝐴 𝐷 𝑏𝑖
𝜏 𝑞𝐴(𝑊𝑝 𝑛𝑝 +𝑊𝑛 𝑝𝑁 )
Capacitancia en directa de la junta PN 𝐶𝑑 = 𝑉𝑇 ⋅ 𝐼𝐷 = ⋅ 𝐼𝐷
𝑇 2𝐼𝑆 𝑉𝑇
2𝜖𝑆𝑖 𝑁𝑎 𝜙𝐵
Ancho de la zona de agotamiento 𝑥𝑛 = √𝑞𝑁
𝑑 (𝑁𝑎 +𝑁𝑑 )
2𝜖 𝑁 𝜙
𝑥𝑝 = √𝑞𝑁 𝑆𝑖(𝑁 𝑑+𝑁𝐵 )
𝑎 𝑎 𝑑
2𝜖𝑆𝑖 𝜙𝐵 1 1
𝑥𝐵 = 𝑥𝑝 + 𝑥𝑛 = √ (𝑁 + 𝑁 )
𝑞 𝑑 𝑎
Ecuación de Shockley 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 (𝑉𝐷 /𝑉𝑇 ) − 1)
Resistencia estática del diodo 𝑅𝐷 = 𝑉𝐷 /𝐼𝐷
Resistencia dinámica del diodo 𝑟𝑑 = 𝑉𝑡 /𝐼𝐷

𝑉𝑝
Valor promedio de salida sin filtrado, 𝑉𝑜,𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 = 𝜋
rectificador media onda, caso ideal
𝐼𝐿 𝑇
Capacitancia de filtrado, media onda 𝐶= 𝑉𝑟
𝑉𝑟
Valor medio de salida con filtro, 𝑉𝐿 ≅ 𝑉𝑚 − 2
rectificadores, caso ideal
2𝑉𝑝
Valor promedio de salida sin filtrado, 𝑉𝑜,𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 = 𝜋
rectificador onda completa, caso ideal
𝐼 𝑇
𝐿
Capacitancia de filtrado, 𝐶 = 2𝑉
𝑟
onda completa
Constantes
Carga del electrón: 1.6x10-19 C
Masa del electrón: 9.1x10-31 kg
Constante de Planck: 6.626x10-34 Js
Permitividad del vacío: 8.85x10-12 F/m

8.85x10-14 F/cm
Permitividad relativa del silicio: 11.7
Permitividad del dióxido de silicio: 3.9
Constante de Boltzmann: 1.38x10-23 J/K

8.571x 10-5 eV/K
Concentración intrínseca 1x1010 cm-3 a 300 K

de portadores de carga en el silicio
Concentración intrínseca 2x1013 cm-3 a 300 K

de portadores de carga en germanio
Voltaje térmico: 26 mV
Movilidad de los electrones en Si: 1350 cm2/Vs
Movilidad de los huecos en Si: 480 cm2/Vs
Coeficiente difusión electrones Si: 33.75 cm2/s
Coeficiente difusión huecos Si: 12 cm2/s
Afinidad electrónica Silicio 4.05 eV

de semiconductores Germanio 4.13 eV
GaAs 4.07 eV
AlAs 3.5 eV
Banda prohibida Silicio 1.12 eV

de semiconductores Germanio 0.66 eV
GaAs 1.424 eV
Función de trabajo de metales Plata 4.26 eV

Aluminio 4.28 eV
Oro 5.1 eV
Cromo 4.5 eV
Molibdeno 4.6 eV
Níquel 5.15 eV
Tungsteno 4.55 eV

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Formulario y constantes que se entregarán en el examen

Ley de acción de masas 𝑛𝑖 2 = 𝑛 ⋅ 𝑝

Aproximaciones para 𝑝 ≈ 𝑁𝐴 para silicio P

Conductividad 𝜎 = (𝑞𝑛𝜇𝑒 + 𝑞𝑝𝜇ℎ )

Resistividad 𝜌 = 1/(𝑞𝑛𝜇𝑒 + 𝑞𝑝𝜇ℎ )

Densidad de corriente de arrastre 𝐽⃗𝑑𝑟𝑖𝑓𝑡 = 𝜎 ⋅ 𝐸⃗⃗

Densidad de corriente de difusión 𝐽𝑑𝑖𝑓,𝑛 = 𝑞 ⋅ 𝐷𝑛 ⋅ 𝛻𝑛, 𝐽𝑑𝑖𝑓,𝑝 = −𝑞 ⋅ 𝐷𝑝 ⋅ 𝛻𝑝

Densidad de corriente total 𝐽⃗𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝐽⃗𝑑𝑟𝑖𝑓𝑡 + 𝐽⃗𝑑𝑖𝑓𝑓

Potencial de contacto del sistema 𝑉𝑏𝑖 = 𝜙𝑀 − 𝜙𝑆

Probabilidad de ocupación: Distribución de Fermi-Dirac

dependiendo del nivel de Fermi

Formulario y constantes que se entregarán en el examen

Capacitancia en reversa de la junta PN 𝐶𝑗 = 𝐶𝑗0 /√1 − 𝑉𝑅 /𝑉𝑏𝑖

Ecuación de Shockley 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 (𝑉𝐷 /𝑉𝑇 ) − 1)

Resistencia estática del diodo 𝑅𝐷 = 𝑉𝐷 /𝐼𝐷

Resistencia dinámica del diodo 𝑟𝑑 = 𝑉𝑡 /𝐼𝐷

Carga del electrón: 1.6x10-19 C

Masa del electrón: 9.1x10-31 kg

Constante de Planck: 6.626x10-34 Js

Permitividad del vacío: 8.85x10-12 F/m

Permitividad relativa del silicio: 11.7

Permitividad del dióxido de silicio: 3.9

Constante de Boltzmann: 1.38x10-23 J/K

Concentración intrínseca 1x1010 cm-3 a 300 K

Concentración intrínseca 2x1013 cm-3 a 300 K

Movilidad de los electrones en Si: 1350 cm2/Vs

Movilidad de los huecos en Si: 480 cm2/Vs

Coeficiente difusión electrones Si: 33.75 cm2/s

Coeficiente difusión huecos Si: 12 cm2/s

Afinidad electrónica Silicio 4.05 eV

Banda prohibida Silicio 1.12 eV

Función de trabajo de metales Plata 4.26 eV

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