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    6 - Transistores MOSFET

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    Aaron Alameda Alcaide
    El documento describe el funcionamiento y regiones de trabajo del transistor MOSFET y cómo se pueden utilizar en circuitos como inversores y celdas de memoria SRAM, DRAM y Flash.

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    de 20

    FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA

    Tema 6: Transistores MOSFET

    Prof. Dr. Luis Alberto Aranda


    CONTENIDOS

    1. Funcionamiento del transistor MOSFET


    2. Regiones de trabajo del transistor MOSFET

    3. Circuitos con transistores MOSFET

    2
    CONTENIDOS

    1. Funcionamiento del transistor MOSFET


    2. Regiones de trabajo del transistor MOSFET

    3. Circuitos con transistores MOSFET

    3
    EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

    • El transistor de efecto de campo o FET (field-effect transistor) es un dispositivo


    semiconductor que utiliza el campo eléctrico para controlar la conductividad del
    canal que transporta la carga

    • Funcionan transportando un único tipo de carga (electrones o huecos) por eso


    también se les conoce como transistores unipolares

    • Son muy utilizados hoy en día para amplificar o conmutar señales

    • Tienen tres terminales denominados fuente (S), drenador (D) y puerta (G)

    • La corriente de drenador se controla con la caída de tensión puerta-fuente

    4
    FAMILIA DE TRANSISTORES FET

    FET

    JFET MOSFET

    Empobrecimiento Empobrecimiento Enriquecimiento

    Canal N Canal P Canal N Canal P Canal N Canal P

    5
    EL TRANSISTOR MOSFET

    • El transistor MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) es el transistor más


    utilizado hoy en día en microelectrónica

    • Los transistores bipolares fueron los más utilizados inicialmente, pero fueron
    sustituidos poco a poco por los MOSFET debido a que son más fáciles de fabricar
    y a que ocupan menos espacio (mayor integración)

    • Construidos a partir de un sustrato de silicio sobre el que se hace crecer una


    capa de dióxido de silicio (SiO2) y luego se deposita una capa de silicio
    policristalino (antiguamente se depositaba aluminio, de ahí el “metal” del nombre)

    6
    EL TRANSISTOR MOSFET

    • La capa de óxido actúa como aislante, impidiendo el flujo de electrones por la


    puerta. Sin embargo, al aplicar tensión VGS los electrones se acercan al metal

    • Si la tensión es suficiente se crea un canal Metal Óxido (aislante)


    y la corriente fluye de fuente a drenador

    Transistor bipolar NPN MOSFET canal P

    7
    MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO

    • Los MOSFET de enriquecimiento funcionan cuando VGS > 0

    • Por el contrario, los MOSFET de empobrecimiento funcionan cuando VGS = 0

    • Si consideramos un MOSFET como un interruptor, el de enriquecimiento frente


    al de empobrecimiento se comporta al revés, cuando uno está encendido el otro
    está apagado y viceversa

    • Estudiaremos los transistores MOSFET de enriquecimiento

    8
    CONTENIDOS

    1. Funcionamiento del transistor MOSFET


    2. Regiones de trabajo del transistor MOSFET

    3. Circuitos con transistores MOSFET

    9
    REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

    • Dado que el transistor MOSFET presenta un aislante en la puerta (G), la


    resistencia en ese terminal es muy alta y la corriente que circula por la puerta es
    nula (𝑰𝑮 = 𝟎) independientemente de la región de trabajo del transistor

    • En el transistor bipolar, la región de trabajo (corte, activa y saturación) se controla


    mediante la corriente de base (𝑰𝑩 )

    • En el transistor MOSFET, la región de trabajo se controla mediante la caída de


    tensión entre la puerta y la fuente (𝑽𝑮𝑺 )

    • El transistor MOSFET también tiene 3 regiones de trabajo. La diferencia es que a


    la región de activa se la denomina región óhmica o región lineal

    10
    REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

    • Corte: la tensión entre la puerta y la fuente (𝑉GS ) es inferior a la tensión umbral


    (𝑉GS(th) ). No se consigue generar el canal de conducción por lo que, 𝑰𝑫 = 𝟎. En
    este caso el transistor no conduce y se comporta como un interruptor abierto

    D
    𝑉GS < 𝑉GS(th)
    G
    S 𝐼G = 𝐼D = 𝐼S = 0 A

    11
    REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET
    • Región óhmica o lineal: superada la tensión umbral (𝑉GS(th) ), si la tensión 𝑉GS crece lo
    suficiente, se crea un canal de conducción en la región que separa la fuente y el
    drenador. Entonces, una pequeña tensión entre el drenador y la fuente (𝑉DS ) hará que
    circule una intensidad de drenador (𝐼D ) proporcional a la tensión 𝑉DS aplicada. El
    transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión 𝑉GS

    𝐼D 𝑉GS > 𝑉GS(th)

    𝐼G = 0 → 𝐼D = 𝐼S D 𝑉DS < (𝑉GS −𝑉GS th )


    𝑉𝐷𝑆 2
    𝑉𝐷𝑆
    𝑅= 𝐼D = 𝑘 𝑉GS − 𝑉GS · 𝑉DS −
    G 𝐼𝐷 th
    2
    S
    𝐴
    𝑘 es una constante que se mide en
    𝑉2
    𝐼S

    12
    REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

    • Saturación: cuando 𝑉DS supera cierto límite, se produce un estrangulamiento del


    canal en la zona cercana a la puerta, lo que hace que la tensión de drenador no
    pueda crecer más. 𝐼D se hace independiente de 𝑉DS . El transistor se comporta
    como una fuente de corriente controlada por 𝑉GS

    𝐼D 𝑉GS > 𝑉GS(th)

    𝐼G = 0 → 𝐼D = 𝐼S D 𝑉DS > (𝑉GS −𝑉GS th )


    𝑘 2
    𝐼D = 𝑉 − 𝑉GS
    G 2 GS th

    S
    𝐴
    𝑘 es una constante que se mide en
    𝑉2
    𝐼S

    13
    CONTENIDOS

    1. Funcionamiento del transistor MOSFET


    2. Regiones de trabajo del transistor MOSFET

    3. Circuitos con transistores MOSFET

    14
    EL MOSFET COMO INVERSOR

    • Podemos construir un inversor utilizando un MOSFET canal N (llamados NMOS)

    • Si la tensión Vin conmuta entre 0V y +Vdd el transistor sólo puede estar en dos
    regiones de trabajo: corte o saturación
    +
    • En el circuito de la figura, la salida Vout toma el
    valor contrario a la entrada Vin

    • Cuando Vin = 0V el transistor está en corte, por


    lo que ID = 0 y Vout = +Vdd

    • Cuando Vin = +Vdd el transistor satura, por lo


    que Vout = GND = 0V

    15
    EL MOSFET COMO INVERSOR

    • También lo podemos construir utilizando un MOSFET canal P (llamados PMOS)

    • Si la tensión Vin conmuta entre 0V y +Vdd el transistor sólo puede estar en dos
    regiones de trabajo: corte o saturación
    +
    • En el circuito de la figura, la salida Vout toma el
    valor contrario a la entrada Vin

    • Cuando Vin = 0V el transistor satura, por lo que


    Vout = +Vdd

    • Cuando Vin = +Vdd el transistor se corta, por lo


    que ID = 0 y Vout = GND = 0V

    16
    EL MOSFET COMO INVERSOR

    • Podemos combinar ambos tipos de transistores para construir ese mismo inversor

    • De esta forma se evita el uso de la resistencia (lo que facilita la integración)

    • Se dice que el inversor está fabricado con


    tecnología CMOS (complementary MOS)

    • Cuando un transistor satura el otro se corta y


    viceversa

    • Es la base de la informática actual

    17
    CELDA DE MEMORIA SRAM

    • Las celdas de memoria SRAM (static random access memory) están formadas
    por 6 transistores MOSFET

    • Permiten almacenar 1 bit de información mientras estén alimentadas (volátiles)

    • Son rápidas de leer y escribir

    • Usadas como memoria caché

    18
    CELDA DE MEMORIA DRAM

    • Las celdas de memoria DRAM (dynamic random access memory) están formadas
    por 1 transistor MOSFET y un condensador

    • Permiten almacenar 1 bit de información mientras estén alimentadas (volátiles)

    • La información se degrada con el tiempo Word line

    • Son más lentas, pero más densas


    que las SRAM
    C
    Bit line
    • Usadas como memoria RAM

    19
    CELDA DE MEMORIA FLASH

    • Celdas de memoria no volátil usadas para construir memorias de


    almacenamiento masivo (ej. pendrive)

    • Se pueden implementar utilizando transistores MOSFET de puerta flotante

    • Estos transistores tienen un hueco entre el


    aislante y el metal de la puerta que actúa
    como trampa para los electrones (pueden
    entrar, pero no salir)

    • Aplicando una tensión en sentido opuesto se


    liberan y la celda se borra

    20

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