TRANSISTORES DE

POTENCIA
Universidad de Guadalajara. CUCEI
Electrónica de Potencia I7263 D07
Prof. José de Jesús Ramos Guillen.

Equipo #18 Tema #4

Guzman Perez, Carlos Eduardo. 210614589
García Magallón, Luis. 212632452
25/02/2019
 Características Generales del BJT
El interés actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya que existen
dispositivos de potencia con características muy superiores. Le dedicamos un tema porque es
necesario conocer sus limitaciones para poder comprender el funcionamiento y limitaciones
de otros dispositivos de gran importancia en la actualidad.

Son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica

aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología
TTL o BICMOS.
 FUNCIONAMIENTO
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

- Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose - como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
- Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
- Colector, de extensión mucho mayor.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el
emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de
portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
 Característica de salida (IC frente a VCE ) del transistor NPN de potencia, para distintas
corrientes de base, IB5>IB4>...IB1 y Esquema del BJT de tipo NPN.

Por tanto se considera el transistor cortado cuando se aplica una tensión VBE ligeramente negativa ⇒IB
= -IC = -IC0
Terminología
TRANSISTOR DARLINGTON
El transistor Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores
bipolares en un único dispositivo. fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell,
Sidney Darlington en 1952.
EL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pero si
tenemos el retardo de conmutación, al cambiar de estado se produce un pico de potencia
disipada. Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al
aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se produce el paso de un estado
a otro.

Podremos distinguir entre tiempo de encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). Cada
uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.
● Delay Time: Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la señal
de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la señal de salida alcanza el 10%
de su valor final.
● Rise time: Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 10% y el
90% de su valor final.
● Storage time: Tiempo que transcurre desde que se quita la excitación de entrada y el
instante en que la señal de salida baja al 90% de su valor final.
● Fall time: Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 90% y el
10% de su valor final.
APLICACIONES
● Amplificación de diferentes tipos (radio, instrumentación, televisión…)
• Función como fototransistores ( Detección de radiación luminosa)
• Generar señales (generador de ondas, emisión de radiofrecuencia, osciladores…)
• Actuar como conductores (conmutar). Control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos…
MOSFET de Potencia
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un lugar
importante dentro de la industria, desplazando a los viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de
potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensión, baja potencia y conmutación
resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentación conmutadas, motores sin
escobillas y aplicaciones como robótica, CNC y electrodomésticos.
Simbología
 Clasificaciones
-Según el tipo de portadores del canal:

* CANAL-N

* CANAL-P

-Según el modo de formación del canal:

* ACUMULACIÓN

* ENRIQUECIMIENTO

-Según las diversas geometrías usadas en la implementación:

* VDMOS (Vertical Diffused MOS, Mos de doble difusion)

* V-GROOVE ó TRENCH

* LATERAL POWER MOS

 Características
- Región Ohmica ..

* Vgs – Vgs(th) > Vds

* Parámetro: Rds(ON) RDS(determinar la pérdida de conducción)

- Región Activa ..

* Vgs – Vgs(th) < Vds

* Parámetro: Gm (transconductancia)

- Gm = constante

- Región de bloqueo .. * Vgs < Vgs(th)

- Ruptura por avalancha .. * Vds > BVdss

Regiones de operación
 Región de Corte
El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el transistor
MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del Drenador-
Surtidor.

No hay conducción entre Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un
interruptor abierto.
 Región Óhmica
El MOSFET es un dispositivo de conmutación, por lo que evitaremos, en lo posible, polarizarlo
en la zona activa. La tensión de entrada típica tomará un valor bajo o alto. La tensión baja es 0
V, y la tensión alta es VGS(on), especificado en hojas de características.

Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando

VGS > Vt y VDS < ( VGS – Vt ).

 Región de Saturación
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión entre el
Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de saturación (Vds sat)
Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas características proporcionadas
por el fabricante.

VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación

 APLICACIONES
La forma mas habitual de emplear los mosfet es en circuitos CMOS, consistentes en el uso de
transistores PMOS Y NMOS.

● Resistencia controlada por tensión

● Circuitos de conmutación de Potencia
● Mezcladores de frecuencia, etc...
 Proceso de conmutación
Se producen PICOS DE POTENCIA durante las conmutaciones.

-La POTENCIA PROMEDIO disipada en la conmutación es proporcional a la FRECUENCIA:

Psw = 0.5 * Vcc * Icc * ( toff + ton ) * fs

-La Qrr (carga eléctrica desplazada) del diodo debe ser removida por el MOS, y por tanto
incrementa notablemente la disipación.

-La carga total del entrada al Gate, Qg, permite estimar la potencia entregada por la fuente
del driver:

P( Vdrv ) = Qg * Vdrv * fs
Datos Transistores Mosfet
 Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada Este dispositivo posee las características de las señales
de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje
de saturación del transistor bipolar.
Combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Símbolo de transistor IGBT Circuito Equivalente
 Características
● ICmax Limitada por efecto Latch-up( creación inadvertida de una resistencia eléctrica
entre el suministro de energía de un circuito).

● VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.

● Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportar la durante unos 5 a 10
us. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
 ● VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300
voltios.

● La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC

● Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW,
trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz
Características Eléctricas
 CONMUTACIÓN
La corriente de cola se debe a la conmutación más lenta del BJT, debido a la carga
almacenada en su base (huecos en la región n-).

• Provoca pérdidas importantes (corriente relativamente alta y tensión muy elevada) y limita
la frecuencia de funcionamiento.

• La corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la resistencia de
dispersión, es la causa del “latch up” dinámico.
• En los PT-IGBT la capa n+ se puede construir con una vida media corta y la ncon una vida
media larga, así el exceso de huecos en n- se difunde hacia la capa n + dónde se recombinan
(efecto sumidero), disminuyendo más rápido la corriente.
 Funcionamiento
En el estado de bloqueo la tensión VGS es nula. Al aplicar un voltaje VGS
en la puerta el transistor IGBT comienza a conducir.

La corriente ID es mayor cuanto mayor es la tensión aplicada a la puerta siempre y cuando el

drenador esté polarizado positivamente frente al surtidor.

Si esto no es así, estaremos en la región de VDS negativa y el transistor trabajará en la zona de

corte. No conducirá ninguna corriente. Si la tensión de bloqueo VDS supera un cierto valor
máximo tanto en el umbral de trabajo positivo como negativo, el dispositivo entrará en
avalancha.
 Aplicaciones

• Control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida, sistemas de soldadura,

iluminación de baja frecuencia y alta potencia. Están presentes en la circuitería de los
automóviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero también de los
electrodomésticos del hogar mediante la interconexión de diversos IGBT que controlan los
motores eléctricos.
• Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrónica
realmente potentes y con velocidades de conmutación de hasta 20KHz. Los IGBTs han
estado todo momento con nosotros y han sido claves en el desarrollo de la electrónica de
potencia.
• Algunos fabricantes de tecnología de consumo ya están utilizando para mejorar sus
dispositivos o darles nuevas capacidades. Por ejemplo estos transistores han permitidos ser
integrados en teléfonos móviles para dotar cámaras de un flash de xenón realmente
potente.
• Otro ejemplo de esta tecnología es su utilización para activar o desactivar los pixeles en
las pantallas táctiles de nueva generación, sistemas de iluminación de edificios o centrales
OPTOACOPLADORES

También llamado optoaislador o

aislador acoplado ópticamente.
Ya que puede aislar
eléctricamente dos circuitos, su
única conexión es puramente
óptica.

Contiene un foto emisor LED

infrarrojo (ILED) y un foto Fig. 1. Optotransistor en encapsulado DIP
receptor de luz que se satura
con la luz recibida del led,
normalmente en forma de
OPTOACOPLADORES - Tipos
Dependen del dispositivo receptor

Foto-Transistor

PC817, 4N35, 4N36, 4N37, TLP521

Foto-Darlington

4N32, 4N33, TLP627

Foto-Triac MOC3021,
MOC3022, MOC3023

Fig. 2. Tipos de optoacopladores

OPTOACOPLADORES - Usos

Además de para aislar circuitos,

se pueden utilizar
Optoacopladores para:

● Interfaces en circuitos Fig. 3. Optotriac con su

lógicos. diagrama

● Interfaces entre señales de

corriente alterna y circuitos
lógicos.
● En sistemas de recepción
(telefonía). Fig. 4. Optotriac
● Control de potencia. MOC3041

● A modo de relé.
 OPTOACOPLADORES - Ejemplo
Multisim

Circuito Realizado
Activación por la base Activación por luz
PWM
Pulse Width Modulation por sus siglas en inglés o mejor conocido como modulación por ancho de pulso.

Es un tipo de señal de voltaje cuyo ciclo de trabajo (Duty Cycle) es variable y configurable. Lo más común
es que sea una señal cuadrada que varía entre 0v y 5v.

Sirve para controlar la cantidad de energía que recibe una carga

PWM - Ciclo de Trabajo

Es la relación entre la duración de la onda

en alto con el tiempo de la onda en bajo, se
declara como un valor porcentual.

La frecuencia es fija, solo se modifica la

duración del pulso en alto.
Donde:
D=ciclo de trabajo
Pi=tiempo de la señal en
alto
Fig. 5. Diferentes
T=Periodo Ciclos de Trabajo
PWM - Ejemplo

Circuito realizado en Multisim

 PWM - Ejemplo

Mediciones de voltaje y visualización de la señal PWM

LM555
El temporizador LM555 es un controlador muy estable capaz de producir impulsos de
temporización precisos, generación de espera y secuencias de tiempo

Con una operación monoestable, el retraso es controlado por una resistencia externa y un
condensador.

Con la operación astable, la frecuencia y el ciclo de trabajo son controlados con precisión por
dos resistencias y un condensador externos.
LM555 - Pinout

1. GND
2. Disparo
3. Salida
4. Reinicio
5. Control de voltaje
6. Umbral
7. Descarga
Fig. 6. LM555 Pinout
8. Voltaje de alimentación
LM555 - Modo Aestable
Genera una señal oscilante de frecuencia y ciclo de trabajo variable

Fig. 7. Diagrama interno y

conexiones del LM555. Modo
Aestable
LM555 - Modo Aestable (fórmulas)

Tiempo en alto (Ta) = ln(2) * (R1+R2)*C

Tiempo en bajo (Tb) = ln(2)*R2*C

T =Ta + Tb = ln(2)(R1+2R2)*C

F =1/T = 1 /[ln(2)*(R1+2R2)*C] = 1.44 / [(R1+2R2)*C]

D = Ta/T = (R1+R2)/ (R1+2R2)

LM555 - Modo Monoestable
Genera un solo pulso de determinada frecuencia

Fig. 8. Diagrama interno y

conexiones del LM555. Modo
Monoestable
LM555 - Modo Monoestable

Respuesta Fórmula
T=1.1R*C

Fig. 9. Respuesta de LM555 en

modo monoestable
Bibliografía
Optoacoplador – ¿Qué Es y Cómo Utilizarlo?. 2014. EDUCACHIP. Recuperado de:
http://www.educachip.com/optoacoplador-que-es-y-como-utilizarlo/

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https://www.shoptronica.com/curiosidades-tutoriales-y-gadgets/4517-que-es-
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TEMPORIZADOR LM555 CN. HETPRO. Recuperado de: https://hetpro-

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Circuito integrado LM555 o timer 555. Mecatronica Latam. Recuperado de:

https://www.mecatronicalatam.com/tutorial/es/circuito-integrado/lm555

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http://www3.fi.mdp.edu.ar/pep/apuntes/mosfet_2.pdf
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Transistor BJT de potencia

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Transistor IGBT

https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT

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https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par
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Bibliografia de Imagenes
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Fig. 3. OPTOACOPLADOR TRIAC MOC 3021. Recuperado de: https://che-charls-electroall.webnode.es/_files/200000040-c48f5c588f/450/MOC3021.jpg

Fig. 4. Moc3041 Optoacoplador (triac) Con Cruce Por Cero. MercadoLibre. Recuperado de: https://http2.mlstatic.com/moc3041-optoacoplador-triac-con-cruce-por-
cero-D_Q_NP_969910-MLV26121776576_102017-R.webp

Fig. 5. What is PWM: Pulse Width Modulation. Recuperada de: https://circuitdigest.com/sites/default/files/projectimage_tut/Pulse-Width-Modulation.jpg

Fig.6. LM555 Timer IC. Robomart. Recuperado de: https://www.robomart.com/image/cache/catalog/RM0066/lm555-timer-ic-timer-ic-list-rm0066-by-robomart-a16239-

500x500.JPG

Fig.7. Circuito integrado LM555 o timer 555. Mecatronica latam. Recuperado de:
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format=500w

FIg.8. Circuito integrado LM555 o timer 555Mecatronica latam. Recuperado de:

https://static1.squarespace.com/static/5a948d661137a6a48344244d/t/5bd291b38165f553ab015ef1/1541458005862/multivibrador+monoestable.png?format=500w

Fig.9. CIRCUITO INTEGRADO 555. Recuperado de: https://www.areatecnologia.com/electronica/imagenes/circuito-integrado-555-curva-monoestable.jpg