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    Jonathan Morales
    Este documento presenta diferentes configuraciones de polarización para transistores de efecto de campo (FET) y sus ecuaciones pertinentes. Resume 7 configuraciones principales de polarización fija, autopolarización, divisor de voltaje, compuerta común y realimentación para JFET y MOSFET de empobrecimiento y enriquecimiento. Cada configuración incluye un diagrama de solución gráfica que muestra la corriente de drenaje en función de los voltajes de puerta y drenaje-fuente.

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    Este documento presenta diferentes configuraciones de polarización para transistores de efecto de campo (FET) y sus ecuaciones pertinentes. Resume 7 configuraciones principales de polarización fija, autopolarización, divisor de voltaje, compuerta común y realimentación para JFET y MOSFET de empobrecimiento y enriquecimiento. Cada configuración incluye un diagrama de solución gráfica que muestra la corriente de drenaje en función de los voltajes de puerta y drenaje-fuente.

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    formulas electronica 1

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    Este documento presenta diferentes configuraciones de polarización para transistores de efecto de campo (FET) y sus ecuaciones pertinentes. Resume 7 configuraciones principales de polarización fija, autopolarización, divisor de voltaje, compuerta común y realimentación para JFET y MOSFET de empobrecimiento y enriquecimiento. Cada configuración incluye un diagrama de solución gráfica que muestra la corriente de drenaje en función de los voltajes de puerta y drenaje-fuente.

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    de 1

    TABLA 7.

    1
    Configuraciones de polarización del FET

    Tipo Configuración Ecuaciones pertinentes Solución gráfica

    VDD ID
    RD IDSS
    Polarización fija VGSQ = - VGG
    del JFET VDS = VDD - ID RS Punto Q
    RG
    VGG –
    + VP VGG 0 VGS

    VDD ID
    IDSS
    RD
    Autopolarización VGS = - ID RS
    del JFET VDS = VDD - ID1RD + RS2 Punto Q
    I'D
    RG RS
    VP V' 0 VGS
    GS

    VDD ID
    R2VDD IDSS
    Polarización por R1 RD VG =
    R1 + R2 VG
    medio del divisor
    VGS = VG - ID RS Punto Q RS
    = VDD - ID1RD + RS2
    de voltaje del JFET R2 RS VDS
    VP 0 VG VGS

    VDD ID
    RD IDSS
    Compuerta común VGS = VSS - ID RS VSS
    del JFET VDS = VDD + VSS - ID1RD + RS2 Punto Q RS
    RS
    –VSS VP 0 VSS VGS
    ID
    VDD VGS = - ID RS IDSS
    RD
    JFET VD = VDD
    1RD = 0 Æ2 VS = ID RS Punto Q
    I'D

    VDS = VDD - IS RS VP V'GS 0 VGS

    VDD ID
    RD Punto Q IDSS
    JFET VGSQ = 0 V
    VGS = 0 V
    caso especial IDQ = IDSS Q

    1VGSQ = 0 V2
    RG
    VGG
    VP 0 VGS
    ID
    VDD
    Punto Q
    Polarización fija VGSQ = + VGG
    IDSS
    de MOSFET tipo VDS = VDD - ID RS
    empobrecimiento RG RS
    (y MESFET)
    VP 0 VGG VGS

    Polarización por VG ID
    VDD
    RD
    R2VDD RS
    medio del divisor de R1 VG = Punto Q
    R1 + R2 IDSS
    voltaje del MOSFET
    VGS = VG - IS RS
    = VDD - ID1RD + RS2
    tipo empobrecimiento R2 RS
    (y MESFET)
    VDS
    VP 0 VG VGS
    Configuración por VDD ID
    VDD
    realimentación del RD
    RG RD
    MOSFET tipo VGS = VDS ID(encendido)
    VGS = VDD - ID RD Punto Q
    enriquecimiento
    (y MESFET) 0 VGS(Th) VDD VGS
    VGS(encendido)

    Polarización por VDD VG ID


    medio del divisor de RD R2VDD RS
    R1 VG =
    voltaje del MOSFET R1 + R2
    Punto Q
    tipo enriquecimiento R2 RS VGS = VG - ID RS
    (y MESFET) 0 VGS(Th) VG VGS

    440

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