Producto Academico 01 Ingenieria de Materiales

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Ingeniería de Materiales

Producto Académico N° 01: Tarea

1. Consideraciones:

Criterio Detalle
Tema o asunto Estructura atómica, enlaces interatómicos y estructura del sólido
cristalino
Enunciado Resuelve los siguientes casos:
Los monocristales de silicio se usan mucho para fabricar chips de
computadora.
 Calcula la concentración de átomos de silicio en el silicio, es
decir, la cantidad de átomos de silicio por unidad de
volumen de silicio.
Durante el crecimiento de los monocristales de silicio, con
frecuencia se introducen átomos de otros elementos (llamados
dopantes) en forma deliberada, para controlar y cambiar la
conductividad y otras propiedades eléctricas del silicio. Uno de esos
dopantes es el fosforo (P), que se agrega para fabricar cristales
semiconductores de tipo n de silicio. Supón que la concentración
que se requiere en un cristal de silicio es 1017 átomos de P/cm3.
 Compara las concentraciones de los átomos en el silicio y la
concentración de los átomos de P.
 ¿Qué importancia tienen esos números desde el punto de
vista tecnológico? Supón que la densidad del silicio es de 2,
33 g/cm3.
Para estudiar el comportamiento del hierro a temperaturas
elevadas, es necesario diseñar un instrumento que pueda detectar
(con exactitud del 1%) el cambio de volumen de un cubo de hierro
de 1 cm3 cuando se calienta pasando por su temperatura de
transformación polimórfica. A 911ªC, el hierro es BCC con un
parámetro de red de 0,2863 nm. A 913ªC, es FCC, con parámetro
de red de 0,3591 nm.
 Determina la exactitud que se requiere en el instrumento
medidor.
Instrucciones  El trabajo es individual.
para presentar  Revisa la rúbrica de evaluación correspondiente al producto
el archivo en el académico 01
 Resuelve la tarea en un documento WORD.
aula virtual
 Guarda el documento con tu apellido: Ej.: Zevallos_PA1
 Envía la tarea a través del aula virtual.
Referencias Askeland D., Fulay P., Wright w. Ciencia e ingeniería de materiales.
para realizar la 6a ed. México D. F., México: Cengage learning.
actividad. https://osvaldoweb.files.wordpress.com/2016/04/ciencia-e-
ingenieria-de-materiales-sexta-edicic3b3n.pdf

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Rúbrica de evaluación:

A continuación, se presenta la escala de valoración, en base a la cual se evaluará


el trabajo individual, donde la escala máxima por categoría equivale a 3 puntos y la
mínima, 0.

Criterios Logrado Suficiente (2) En proceso No logrado


(3 puntos) (1 puntos) (0 puntos)
Orden y El trabajo es El trabajo es El trabajo es El trabajo se ve
organización presentado de una presentado de presentado en descuidado y
manera ordenada, una manera una manera desorganizado. Es
clara y organizada ordenada y organizada, pero difícil saber qué
que es fácil de organizada que puede ser difícil información está
entender. es, por lo general, de entender. relacionada.
fácil de entender.
Calcula Realiza cálculos Realiza cálculos Realiza No realiza los cálculos.
detallando el detallando el cálculos pero
procedimiento de proceso no detalla el
manera precisa y manera precisa proceso.
detallada
Operacionalización Por lo general, usa Por lo general, Algunas veces Raramente usa una
de datos una estrategia usa una usa una estrategia efectiva
eficiente y efectiva estrategia estrategia para resolver
para resolver efectiva para efectiva para problemas.
problemas. resolver resolver
problemas. problemas,
pero no lo
hace
consistentemen
te.
Enunciado de Proporciona Proporciona un Proporciona No proporciona
respuestas enunciado de enunciado de una respuesta enunciados de
respuestas respuesta poco con referencia respuestas.
detalladas, basadas detallada, pero a alguno de los
en los datos basada en los datos
obtenidos. datos obtenidos.
obtenidos.
Total
Nota:
RESPUESTAS

Concentración atómica del silicio es 4,96 x 1028 at/m3

Concentración del silicio es 4,96 x 1034 at/cm3 y del fosforo es 1.0 x 1017 at/cm3
Es exactamente el doble, lo implica que el dopaje del silicio la proporción es 2:1

Teniendo en cuenta la diferencia entre ambos valores que es 0.0728, se recomienda un


instrumento de medición con una precisión mínima de 0.01nm

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