Universidad Autónoma de

Nuevo León
Facultad de ingeniería Mecánica y Eléctrica
Materia:
Electrónica 1 Laboratorio
Docente:
Ing. Eduardo Izquierdo Salazar
Alumno:
Juan Rolado Mendoza de la Fuente
Matricula: 1969191
Carrera: IMTC

Horario: N1-N2 Miércoles Grupo: 327

Fecha: 03/04/2022
Lugar: Ciudad Universitaria, San Nicolas de los Garza

Foto del estudiante:

Índice
Practica 8 “Diseño De Un Amplificador Emisor Común” .................................................................. 3
Introducción .................................................................................................................................... 3
Objetivo. .......................................................................................................................................... 3
Lista de Material. ............................................................................................................................ 3
Equipo. ............................................................................................................................................ 3
Marco Teórico ................................................................................................................................. 4
Diagrama de funcionamiento de Amplificador Emisor Común .................................................. 4
Teoría Preliminar ............................................................................................................................ 6
Procedimiento. ................................................................................................................................ 8
Circuito Simulado ........................................................................................................................ 8
Reporte.......................................................................................................................................... 14
Conclusión ..................................................................................................................................... 18
Bibliografías ................................................................................................................................... 19
Practica 8 “Diseño De Un Amplificador Emisor Común”
Introducción
A grandes rasgos el transistor de unión NPN es un dispositivo electrónico de tres terminales
compuesto por tres capas de semiconductores N, P y N, formadas por cristal de silicio, como
el utilizado en esta experiencia, o de germanio, impurificadas con átomos que sustituyen a
los primarios de la red cristalina y que tienen en su capa externa un número de electrones
superior (N) o inferior (P) al de la capa externa del silicio, dejando electrones libres o huecos,
respectivamente. Las tres regiones de un transistor se denominan emisor (e), base (b) y
colector (c). En el símbolo gráfico del transistor se pone una flecha en el terminal emisor,
indicando el sentido de circulación de la corriente, cuando la unión emisor-base se polariza
directamente.

Objetivo.
Diseñar un amplificador E-C y Medir los parámetros de funcionamiento del amplificador.
Lista de Material.
• 1 Transistor 2N3904 (Descargar hoja de especificaciones de Internet)
• 1 Resistencia 22K, ½W
• 1 Resistencia 120K, ½W
• 2 Resistencia 10K, ½W
• 1 Resistencia 1.2K, ½W
• 1 Resistencia 330, ½W
• 2 Capacitores de 47F, 50V
• 1 Capacitor 100F, 50V
Equipo.
• 1 Osciloscopio
• 1 Fuente de poder
• 1 Generador de funciones
Marco Teórico

El amplificador común emisor es de las configuraciones más utilizadas y común de los

transistores NPN. Esta configuración utiliza los transistores como amplificador de señales a
la salida, también son conocidos como amplificador emisor común bjt.
La amplificación sólo se realiza a las señales alternas pues son las que llevan información,
aunque se usa señal de voltaje directo en las conexiones del circuito para configurar el punto
de operación del transistor amplificador.
Todos los amplificadores de señales lo que más buscan es que la señal de salida se amplifique
sin tener ninguna interferencia de ruido, por lo tanto, es importante configurar bien el punto
Q del transistor que depende de la corriente del colector y el voltaje colector-emisor.
Este tipo de configuración es muy usado debido a su simplicidad ya que no se necesita de
ningún integrado sino solo de un transistor tipo BJT que es bastante sencillo y económico de
conseguir, sin embargo, su configuración para lograr la amplificación de la señal de salida es
más complicado que la de un amplificador inversor pues los transistores BJT amplifican
corriente y es conocido que es más complicado controlar corriente que voltaje.
Además, esta configuración tiene la particularidad que la señal de voltaje de salida se
amplifica y se desfasa unos 180° con respecto a la señal de voltaje de entrada, siendo bastante
similar como si se hiciera uso de un amplificador inversor, solo que en este caso se utiliza un
transistor y no un amplificador integrado.
Por lo tanto, es utilizado para cuando se necesita amplificar una señal y que se invierta, o
para simplemente cambiar de fase alguna señal de entrada.
Diagrama de funcionamiento de Amplificador Emisor Común
A continuación, se podrá visualizar el circuito de un amplificador de emisor común para
conocer más a fondo sobre él:
En primera instancia se puede visualizar que existe un divisor de tensión conformado por
Vcc y las resistencias R1 y R2 los cuales se ubican a la entrada de la base del transistor,
formando entonces la polarización del divisor de voltaje, todo esto para garantizar que el
voltaje de base inactiva Vb se mantenga siempre con un valor menor al de Vcc que permita
la estabilidad en el circuito y reduzca lo más posible las variaciones del valor de Beta y
mantenga la amplificación lo más estable posible.

Para poder saber cuánto es entonces el valor de Vb en el transistor emisor común se procede
a utilizar la fórmula de divisor de voltaje:

Siendo Rt la suma de todas las resistencias existentes en el circuito de división de voltaje,

entonces la fórmula final para calcular el voltaje de Vb es:

Se calcula siempre en R2 debido a que como se muestra en el diagrama de conexiones, esta

es la resistencia que va a ‘‘contener’’ dicha diferencia de tensión.
Por otra parte, se encuentran los condensadores del circuito, estos son de vital importancia
pues si se tiene en cuenta que los condensadores se comportan como un circuito abierto en
presencia de corriente continua y como un corto en presencia de corriente alterna se puede
deducir que por su position su diagramas sean vitales.
En el caso del capacitor C1, este al encontrarse en serie con el voltaje de la señal de entrada
funciona como un circuito abierto para cualquier señal continua de la entrada y como un corto
si es alterna, por lo tanto, es mejor conocido como el '' condensador de bloqueo''.
Para el caso del capacitor C2, este se encuentra en paralelo con la resistencia que se ubica en
el emisor del transistor, y ayuda a las variaciones de resistencia que puede presentar Re
debido a las variaciones de temperatura pudiendo variar con ello el valor de la corriente de
base y alterando la amplificación final de la señal.
Teoría Preliminar
El diseño del amplificador Emisor-Colector (E-C) se efectuará con las siguientes
características:
Av = -20
VCC =12V
Ro >= 8K
BJT = 2N3904
RL = 10K
 = hfe=100 (Medir en el multímetro el hfe de tu transistor)
Diseño para Máxima Oscilación Simétrica.
PASO 1.- Seleccionar el valor de la resistencia del colector RC. RC>= Ro RC= 10K
PASO 2.- Establecer ecuaciones de diseño

Sustituir los valores conocidos en las primeras tres ecuaciones se obtienen:

PASO 3.- Determinar los valores de Icq, RE y RE1. Se encuentran resolviendo las últimas
tres ecuaciones del paso anterior:
Icq= 0.699mA
RE= 1.72 K RE1= 0.363 K Seleccionar 330 
RE2= (1.72-0.363)KΩ= 1.357 K Seleccionar 1.2 K
PASO 4.- Calcular RB.

PASO 5.- Calcular el voltaje de Thévenin VBB

PASO 6.- Calcular las resistencias R1 y R2.

PASO 7.-Determinar la resistencia de entrada:

Procedimiento.
1.- Implementar el circuito del amplificador E-C (Figura 17). Observar que los valores
corresponden al diseño planteado en la teoría preliminar.
Circuito Simulado

 = hfe= (Medir en el multímetro el hfe de tu transistor)

Mediciones de voltaje en directa (CD) con Multímetro
2.- Medir el punto de operación, tomando lectura de los siguientes voltajes de CD con el
multímetro digital:
VCC= __12v_____________
VC=____4.846v____________
VB=____1.758v____________
VE=____1.102v__________
3.- Observar que se cumplan las siguientes condiciones:
𝑽𝑩 𝑽𝑬 + 𝟎. 𝟔
𝑽𝒄 > 𝑽𝑩
𝑽𝑪 > 𝑽𝑬
𝑽𝑪 < 𝑽𝑪𝑪
Si no se cumplen estas condiciones, revisar las conexiones, revisar que el transistor este bien
conectado y que el voltaje entre Base-Emisor (B-E) sea aproximadamente 0.7 V. (Las
terminales del transistor deben estar bien identificadas, consulta la hoja de especificaciones)
y analiza los pasos del 1 al 3 nuevamente.
Mediciones de CA (Corriente Alterna)
4.-Ajustar escalas adecuadas en el Osciloscopio.
5.- Aplicar en la entrada del amplificador una señal senoidal de 5KHz y 200 mVp-p
aproximadamente. Observar en el osciloscopio las señales de entrada (CH1) y de salida
(CH2) simultáneamente.

6.- Tomar lectura de las amplitudes de los voltajes pico a pico de entrada (Vi)y de salida
(Vo). Vo=__0.9979v______________
Vi=___1.326v_____________
*Observar que la señal de salida, esta invertida con respecto a la señal de entrada. (desfase
de señal de salida con respecto a la de entrada en 180°)
7.-Calcular la Ganancia de Voltaje

8.- Medir el valor de la resistencia de entrada del amplificador, insertar una resistencia de 10
K entre los puntos A y B. Tomar lectura con el osciloscopio de los siguientes voltajes, es
decir cambiar los canales 1 y 2 a los puntos A y B (alternativamente puedes utilizar el
multímetro digital en voltaje de CA)
VA=__70.711mV______________
VB=____41.014Mv____________
El valor de Ri se puede determinar sabiendo que

Ri= 15.36KΩ
Al terminar de medir los voltajes (VA y VB) retirar del circuito la resistencia de 10 KΩ.
9.- Medir la resistencia de salida del amplificador, tomando nota de los siguientes voltajes de
CA. Con la carga RL= 10K conectada.
Vo=__950.508mV_____________
Con la carga de RL´=5 K (usa dos de 10 K en paralelo)
Vo´=__634.694mV_____________
La resistencia de salida se puede determinar con la siguiente relación:

8.-Registrar la siguiente información:

Equipo Utilizado Fabricante-Modelo No. De Serie

Multímetro Digital Multisim S/N
Osciloscopio Multisim S/N
Generador de funciones Multisim S/N
Fuente de voltaje Multisim S/N
Otro (Especifique)
Reporte
1.- Realizar el análisis del diseño del amplificador E-C utilizando las leyes de Kirchhoff
(nodos o mallas) planteado en la sección de teoría preliminar.
R= Se repitieron los cálculos realizados en el diseño anteriormente visto. Se realizo el diseño
de un amplificador emisor-común que tendrá las siguientes características.
Av=-20v Vcc=12V
Ro >= 8KΩ BJT= 2N3904
RL=10KΩ B=100
Max. Oscilación Simétrica
Primero se selecciona el valor de la resistencia del colector RC. Que cumpla con lo siguiente:
RC >= Ro
RC= 10K Ω
Se establecen las ecuaciones:
Av=-[RC*RL]/[(RC+RL)(RE1+Rib)]
ICQ= VCC / (RCA + RCD)
RE=VCC/(10*ICQ)
Rib=0.026/ICQ
RE= RE1+RE2
Sustituyendo los valores conocidos en las primeras ecuaciones se obtiene:
20 = 5000 / [RE1 + 0.026/ICQ]
ICQ = 12 / [5000 + RE1 + 10000 +RE]
RE = 1.2/ICQ
Valores de ICQ. RE y RE1
Se determinan resolviendo las ultimas tres ecuaciones del paso anterior:
ICQ = 0.7099mA
RE = 1.69KΩ
RE1 = 0.2133KΩ
RE2 = 1.69 – 0.213 = 1.477KΩ
En esta parte nos dimos cuenta que tenia un error el procedimiento que se re<liazo en el
dueñso del amplificadro ya que ellos calcularon el valor de las resistenicas de acuerdo con
una gaancia de voltaje de -13 y no de -20 como lo indica el problema.
Calcular RB
RB = BRE/10
RB = 16.9Ω
Calcular el voltaje de Thevenin VBB
VBB = ICQ*RB/B+VBE +ICQRE
VBB = 2.0197V
Calcular las resistencias de R1 y R2
R1 = VCC*RB / (VCC - VBB)
R1 = 20.32KΩ

R2 = VCC*RB/VBB
R2 = 100.41KΩ
Se determina la resistencia de entrada
Ri = RB * (hie + BRE) / (RB + hie + BRE)
Ri = 15.36KΩ
Fin de los cálculos que pide la práctica.
2.- Utilizar las curvas de operación del transistor para encontrar el valor de Icq (corriente de
operación del colector), con los resultados obtenidos en el paso 2 del procedimiento.
R= Por medio de la Ley de OHM tenemos que I=V/R, encontrando que el voltaje en RC es
VCC-VC obtenemos la ecuación:
ICQ = (VCC-VC)
Sustituyendo los valores obtenidos en el paso 2
ICQ=(12-4.849)/10KΩ
ICQ=0.71mA
El cual es aproximado al teórico
3.- Determinar el valor de la ganancia de voltaje del amplificador, haciendo uso de los
resultados obtenidos en el paso 6 del procedimiento.
R=
∆V=Vo/Vi
Sustituyendo los valores obtenidos en el paso 5 obtenemos:
∆V=1.326V / -0.9979V
∆V=-13.28V

4.- Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador, con los resultados del
paso 8 del procedimiento. Demostrar la relación planteada. Calcular la resistencia de entrada
teórica y efectuar una comparación.
R=
VB = VA/Ri / (10K + Ri)
Despejando la ecuación para Ri obtenemos:
Ri=VB*10K / (VA/VB)
Sustituyendo los valores en el peso 6 obtenemos:
Ri=410.14*10K / (70.711 – 41.014)
Ri=13.81kΩ
La demostración resulto de simplemente la realización de un divisor de voltaje en la entreada
con VA y obtener el voltaje que pasa en Ri el cual seria VB y se despeja para el Ri el cual
está en serie con la resistencia que aumentamos a 10k.
Se calculo la teórica en el punto 1 del reporte y son muy similares, por lo que se puede
concluir que los cálculos y mediciones están bien efectuados.
5.- Determinar el valor de la resistencia de salida, con los resultados obtenidos en el paso 9
del procedimiento. Demostrar la relación planteada.
R=
Vo/Vo’ = (RL/RL’) / ((Ro + RL’) / (Ro + RL))
Despejando la ecuación anterior para Ro obtenemos:
Ro = (RL – (Vo/Vo’) *RL) / ((Vo/Vo’)-(RL/RL’))
Sustituyendo
Ro = (10K – (950.508mV / 634.964mV) * Rl) / ((950.508mV/634.694mV) - (10K / 5K))
Ro = 9.903KΩ
La demostración de la educación resulta de igualar dos divisores de voltaje en la salida del
circuito ambos para Ro uno utilizando dos resistencias de carga
RL = 10kΩ y otra de Rl=5KΩ
Conclusión

En esta práctica aprendí que el voltaje de salida se mide de la resistencia RL que se encuentra
en la salida del emisor acoplada con un capacitor, esto se dio por que no existe resistencia en
el colector. También aprendí que la ganancia de tensión es ligeramente menor a la unidad, y
que existe una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.
Entonces concluí que esta configuración de amplificador se utiliza como transformador de
impedancia en los circuitos de entrada y salida de sistemas de amplificadores, se le llama
emisor seguidor por que como no existe resistencia en el colector el voltaje se sigue o sigue
al voltaje del emisor, pero con un valor pequeño.
Al amplificarse la señal, se logra obtener un desfase gracias al aumento de corriente, y
provocando que se invierta esto. circuito.
Bibliografías

• Amplificador Emisor Común: ¿Qué es? - Electrónica Completa. (2020, 12 de

diciembre). Electrónica Completa. https://electronicacompleta.com/amplificador-
emisor-comun/
• Administrador. (2019, 3 de diciembre). Amplificador emisor común (amplificador a
transistor) - Electrónica Unicrom. ElectrónicaUnicrom.
https://unicrom.com/amplificador-emisor-comun/
• Diseño de un circuito amplificador común (emisor seguidor) si: (2022). trípode.com.
https://tonayitofriend.tripod.com/practica2_archivos/practica3.html
• Sotavento. (2019, 23 de febrero). Diseño de un amplificador de audio en Emisor
Común con Qucs. TRESCIENTOS BAUDIOS; TRESCIENTOS BAUDIOS.
https://trescientosbaudios.blog/2019/02/23/diseno-de-un-amplificador-de-audio-en-
emisor-comun-con-qucs/
• Doe, J. (2022, 31 de marzo). jf-parede.pt. https://es.jf-parede.pt/common-emitter-
amplifier-circuit-working-sus-caracteristicas