UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA - TÉCNICAS DE INTEGRACIÓN - CARÁCTERISTICAS MOSFET 1

Informe II - Carácteristicas del Mosfet.

Resumen—Resumen — Transistors MOSFET technology, pre-
sent a variety of applications which are determined depending on
its 3 different areas of operation, saturation, off - cut, linear or
triode, where its main uses is now on digital devices, due to their
characteristics, as the speed of work and the different behaviors
of the tensions between its nodes.
Index Terms—MOSFET - FET - drain - gate - base - gain -
impoverishment - time rise - time down - delay

I. I NTRODUCCI ÓN

Los transistores de efecto de campo Metal – Oxido –Semi-

Figura 1. Resultados aplicando 2vgs
conductor (MOSFET), los cuales se basan en el control de la
conductividad de un canal basado en un material semiconduc-
tor mediante un campo eléctrico, es el tipo de transistor más El efecto del cuerpo del transistor se observa al aplicar una
usado en las aplicaciones digitales. Ya que pueden ser traba- tensión en VSB , que representa un cambio directo en el voltaje
jados como una resistencia controlada mediante una tensión umbral Vt mediante la ecuación 4 donde Vto es la tensión de
entre sus terminales. Umbral para tener un VSB = 0 y Υ es un parametro que esta
determinado por la fabricación del dispositivo.
q q
II. M ARCO TE ÓRICO Vt = Vto + Υ[ 2φf + VSB − 2φf ] (4)

En un transistor mosfet tenemos dos zonas de trabajo ,zona

III. A N ÁLISIS DE RESULTADOS
de trı́odo y zona de saturación.Cuando VDS ≤ VGS − Vt
el dispositivo esta trabajando en la región del triodo y si III-A. Curvas caracterı́sticas en Source-Comun del Nmos
VDS ≥ VGS − Vt este se encuenta en la región de saturación. En la siguiente sección se muestran los resultados obtenidos
para el circuito integrado CD4007. Al ser una pastilla con la
En la región de saturación la corriente id esta dada por caracterı́stica de tener dos compuertas tipo N y otras dos tipo
la ecuación 1 P, sólo utilizamos el mismo chip para la caracterización de
ambos dopados.
1 0W 2
iD = kn (VGS − Vt ) (1)
2 L
Si el dispositivo esta trabajando en la zona de triodo la
corriente id ese presenta en la ecuación 2
 
W 1
iD = kn0 (VGS − Vt ) VDS − VDS 2 (2)
L 2

El dispositivo trabajando en la zona de saturación tambien

depende del valor de VDS esto sólo si se quiere tener en
cuenta la dependencia lineal que tiene ID con respecto a
este.analiticamente se puede tomar si se incorpora el factor
1 + λvDS a la ecuación 1 ası́ la ecuación queda de la forma
que se ve a continuación.
Figura 2. Estructura del Integrado - MOSFET
1 0W 2
iD = kn (VGS − Vt ) (1 + λvDS ) (3) En la figura 3 podemos evidenciar las entradas del transistor,
2 L
para la practica de laboratorio se tomaron las entradas 3, 4 y
Al incluir este factor y extrapolar las rectas de carga ID - 5 para tipo N y ), 10 , 11 para el tipo P.
VDS encontramos el voltaje de Early como lo podemos ver En un primer momento se diseña la señal escalonada de
en la figura 1 el cual tipicamente esta entre valores de 30 y 5 pasos mediante la opción Çreate wave”del osciloscopio en
200V donde se establece una señal con un periodo de un mili
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segundo por lo que cada paso avanzarı́a cada 0.20 micro

segundos.

Figura 5. circuito empleado para la simulación

Figura 3. Señal escalonada

Para la polarización del transistor se toma la variación de

una señal DC en VGs y hasta llegar al punto máximo de
saturación. De esta manipulación en la señal de entrada se
pudo graficar y observar las regiones de operación del circuito
integrado para determinar el valor que toma Kn y el voltaje
del valor umbral de forma gráfica.

Después de implementado el circuito se presentan los 4 Figura 6. Sumulación curvas carácteristicas

curvas caracterı́sticas en el modo de operación del mosfet
debido a los escalones de la señal de entrada. Se obtiene
cuatro curvas no tan claras dentro de la modalidad XY pero al
contrastar el resultado con la simulación se evidencia un buen
resultado.
III-B. Tensión de Umbral y Potencial de body

Para hallar el potencial del Body y tensión de umbral se

debe cambiar la tensión en Drain a partir de 0 a 8 Voltios.
El valor final depende de la polarización del integrado y no
debe superar esta tensión. Para ello se ha variado estos valores
presentados en la tabla 1.
Vsb(v) Vds (V) Ids (mA)
1 3.17 9.59
2 3.2 8.93
3 3.243 7.81
4 3.26 7.21
5 3.3 6.30
Figura 4. Curvas resultantes prueba de laboratorio 6 3.34 5.18
7 3.4 3.94
8 3.44 2.97
9 3.49 1.87
A continuación mostramos los resultados que se obtuvieron 10 3.49 1.68
a partir de la simulación , el montaje utilizado para la Según la variación de voltaje presentado en la tabla la
simulación no es el mismo que se realizó en la práctica y curva presenta una sucesión de cambios en la forma de la
lo podemos ver en la figura 5 . En la figura 6 vemos los onda en donde parte de un modo de saturación a el modo de
resultados a partir de la simulación los cuales concuerdan con operación. Cada imagen representa la forma de la onda con
los tomados en laboratorio y podemos ver en la figura 4 cierto valor aplicado.
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Figura 7. Voltaje de Polarización Figura 11. Voltaje de Polarización

En la figura 12 se tiene el circuito utilizado en la práctica y

en la simulación el cual se utilizó para encontrar el potencial
de Body y a partir de este encontrar la tensión de umbral.

Figura 8. Voltaje de Polarización Figura 12. Voltaje de Polarización

Los resultados obtenidos a partir de la anterior simulación

los podemos ver en la figura 13.

Figura 9. Voltaje de Polarización Figura 13. Voltaje de Polarización

La simulación nos muestra una crecimiento exponencial de

tensión Vds e Ids,, en los datos obtenidos se presento un
comportamiento totalmente opuesto, a medida que crece VDS
la corriente disminuye; se pudo realizar en el montaje una
mala referencia para la medida de la corriente, puesto que
el comportamiento es exponencial pero de forma decreciente.
Ya que en el osciloscopio se presento la saturación en la señal
diente de sierra conectada a Drain, cuando se hizo la respectiva
variación de Vsb .

IV. C ONCLUSIONES
El uso de sondas y protoboard en esta práctica difuculta
la toma de medidas y la visualización de las gráficas .se
Figura 10. Voltaje de Polarización genera un gran numero de componentes armónicas las
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cuales provocan una gran distorsión y a su ves perturban

las medidas tomadas .
La velocidad de conmutación de un transistor, depende
de como se utilicen diferentes valores a la entrada de
alimentación ,para ası́ poder obtener las diferentes curvas
en una sola visualización. Se debe tener en cuenta la
frecuencia a la cual varı́a la alimentación , es de suma
importancia escojer la frecuencia adecuada para asi poder
percatar el cambio, en este caso se trabajo 60Hz.

R EFERENCIAS
[1] Adel S. Sedra, Kenneth C.Smith, Microelectronic Circuits, 5ta Edición,
Oxford University, 2004, páginas 650-658.
[2] Integrado CD4007, Texas instrument Rescatado el 30 de
agosto del vinculo: http://www.alldatasheet.es/datasheet-
pdf/pdf/26835/TI/CD4007.html
[3] Integrado 2n3819, Texas instrument Rescatado el 30 de
agosto del vinculo: http://www.alldatasheet.es/datasheet-
pdf/pdf/26835/TI/CD4007.html