DE CIRCUITOS DE COMUNICACIONES

DISENO

Practica Introductoria DCC

Cesar Garca C.I:23.414.274, Vctor Sanchez C.I: 24.709.155, Joel Corona C.I:24.465.633
[email protected], [email protected], [email protected]

ResumenLas caractersticas de un transistor estan presentes

en la hoja de datos del fabricante la cual nos permite tener
conocimiento sobre los valores de trabajo del transistor. Con el
uso del software ADS se realiza la caracterizacion del transistor
obteniendo su comportamiento en DC, tambien en la hoja de
datos se comentan las aplicaciones del transistor, el hallazgo mas
significativo es la importancia de los parametros de dispersion
S que describen el comportamiento del transistor en una banda
de operacion.

I.

la fase del generador controlado para cuando se extiende la

validez del modelo h- a frecuencias cercanas a fT y otros
parametros que introducen los efectos del ruido generado por
el transistor.
Las caractersticas en frecuencia del transistor se muestran
en la Tabla I a una temperatura TA = 25o C
Tabla I
C ARACTERI STICAS GENERALES AC

M ARCO T E ORICO

El BFP760 es un transistor bipolar NPN lineal usado en RF

y de muy bajo nivel de ruido de banda ancha, el dispositivo
se basa en la tecnologa de heterounion bipolar de alto volumen Silicio-Germanio carbono. El diseno del colector soporta
voltajes hasta VCEO = 4,0V y corrientes hasta IC = 70mA.
Con su alta linealidad en corrientes tan bajas como 10mA
el dispositivo soporta disenos de eficiencia energetica. La
frecuencia tpica de transicion es de aproximadamente de
45GHz, Por lo tanto, el dispositivo ofrece una alta ganancia
de potencia a frecuencias de hasta 9 GHz.
Algunas de las aplicaciones de este transistor son las siguientes:
Se usa en comunicaciones moviles y fijas, tales como
WiFi, WiMAX y Bluetooth.
Comunicaciones satelitales
Aplicaciones multimedias como TV, CATV, Radio FM
Aplicaciones moviles UMTS/LTE
En todas estas se le da un uso como amplificador de bajo
ruido.
Modelo Gummel-Poon
El modelo Gummel-Poon representa mejor la situacion fsica
del transistor, una salida de corriente controlada en este se
incluye una estructura de dos diodos con capacitancias. Las
caractersticas de este modelo es el de modulacion del ancho
de la base (efecto Early) al variar las tensiones de polarizacion
y los efectos de la temperatura para el analisis de continua o de
gran senal y la derivacion del modelo hbrido para pequena
senal. Esto lo realiza en base a los principios del modelo
de control por carga, que tambien utiliza para determinar
los efectos de almacenamiento de carga en las zonas neutras
del transistor para incluir las componentes correspondientes
de pequena senal del modelo hbrido . A estas ultimas se
agregan las capacitancias de juntura. Para el analisis con
senales variables en el tiempo este posee un parametro que
corrige las capacitancias de juntura con polarizacion directa
cuando esta cae por efecto de los portadores en transito a traves
de la zona considerada desierta otro parametro que corrige

Parametro

Valores
Tpicos

Unidad

fT

45

GHz

CCB

0,13

pF

CCE

0,42

pF

CBE

0,65

pF

Condicion
VCE = 3 V, IC = 35 mA
f = 1 GHz
f = 1 MHz
VCB = 3 V, VBE = 0
Emitter grounded
VCE = 3 V, VBE = 0
Base grounded
VEB = 0.5 V, VCB = 0
Collector grounded

La frecuencia de transicion fT consiste en el producto del

ancho de banda por la ganancia, el cual es constante, de esta
manera al aumentar la ganancia disminuye el ancho de banda
y si se quiere aumentar el ancho de banda entonces la ganancia
disminuye.
La capacitancia colector-base CCB es la capacitancia de realimentacion del transmisor. Las capacidades aparecen debido
a que los portadores de cargas de signo contrario se encuentran
enfrentados con lo que se crea una suerte de capacitancia entre
las placas del transistor.
La capacitancia base-emisor CBE modela el proceso que
ocurre cuando los portadores minoritario de carga se almacenan en la base cuando el transistor opera en la region activa o
saturacion, por eso esta capacitancia tambien recibe el nombre
de capacitancia de carga de base.
II.
II-A.

M ETODOLOGI A

Curvas caractersticas del transistor IC vs VCE .

Variando el voltaje DC colector-emisor y la corriente DC de

base entre valores de 0 a 5 V y de 20 a 220 A respectivamente, para realizar la comparacion con los datos suministrados
por el fabricante en el mismo rango de valores, y graficando
la corriente de colector (IC ) versus el voltaje colector emisor
(VCE ) estos resultados se muestran en la figura 1.
II-B. Red de polarizacion del transistor para dos puntos de
operacion.
El transistor para operar en una region en especifico debe ser
polarizado, dicha polarizacion originara un punto de trabajo
especificado por voltaje colector emisor (VCE ) y corriente

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DISENO

0.05

IB=220.000
IB=200.000
IB=180.000
IB=160.000
IB=140.000
IB=120.000
IB=100.000

0.04

IC.i

0.03

IB=80.000

0.02

IB=60.000
IB=40.000

0.01

II-C. Graficas de S11 , S12 , S21 y S22 en dB para la banda

de operacion del transistor tomando en cuenta dos puntos de
operacion.
Para un punto de operacion dado por el fabricante
Q1 (VCE , Ic ) se realizo el calculo de los parametros de
dispersion S, para el punto de operacion Q1 (3V, 30mA) y
Q2 (3V, 10mA) ambos dados por el fabricante.

IB=20.000

0.00
-0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VCE

2.5

3.0

3.5

V_DC
SRC1
Vdc=10 V

4.0

DC_Feed
DC_Feed1

R
R2
R=55.8 kOhm

Figura 1. Grafica de Ic vs. Vce para diferentes valores de Ib .

R
RC
R=233.33 Ohm
Vout

de colector (IC ), ambos parametros se ajustan mediante la

red mostrada en la figura 2, la ventaja de esta red a la de
polarizacion fija o autopolarizacion es que el transistor tiene
menos posibilidades de salirse de la zona activa.

DC_Block
DC_Block2

Vin
Term DC_Block
Term1 DC_Block1
Num=1
Z=50 Ohm

R
R1
R=15k

Term
Term2
Num=2
Z=50 Ohm

BFP760
Q1

Figura 3. Esquema del diseno usado para el calculo de los parametros S

Con el esquema mostrado en la Figura 3 se realiza la

simulacion en el programa ADS y se ajusta el barrido de
frecuencia para el calculo hasta 10 GHz. Luego se cambiaron
los valores de las resistencias para cambiar el punto de
operacion y generar las graficas de los parametros S para e ste
punto de operacion
III.
Figura 2. Red de polarizacion universal del transistor.

Realizando el analisis del circuito se obtienen dos ecuaciones de las mallas exterior e interior del diseno.
VCC VCE
RC =
(1)
IC


R1
IB R1 = VCC 0,7
+1
(2)
R2
Con este par de ecuaciones, el conocimiento de las resistencia
de la red de polarizacion dependera, del punto de operacion del
transistor y la eleccion arbitraria de una de las dos resistencia
de la ecuacion 2.
Para dos puntos de operacion dados por el fabricante
Q1 (3V, 30mA) y Q2 (3V, 10mA) donde las resistencias de
polarizacion con cada punto de operacion se aprecian en la
Tabla II
Tabla II

VALORES DE R ESISTENCIAS PARA LOS PUNTOS DE OPERACI ON

Q
Q1
Q2

RC
233.33
700

R1
55.8k
107.3k

R2
15k
15k

R ESULTADOS Y D ISCUSIONES

La variacion del voltaje VCE para una determinada corriente

de base IB , genera una variacion de la corriente de colector
IC descrita en la figura 1, para la cual se aprecia que
aproximadamente para valores de VCE < 0,4 V la union
colector-base se polariza en directo y el transistor opera en
la region de saturacion, para este caso la corriente es maxima
y no depende de la corriente de la base, dependera de el voltaje
de alimentacion VCC y la resistencia RC .
Para voltajes VCE > 0,4 V el transistor comienza a operar
en la zona de activa lo cual la corriente de IC depende de
IB a traves de la ganancia de corriente , tambien se aprecia
que a medida de que se aumenta el voltaje VCE , IC aumenta
gradualmente, esto se debe que el aumento de este voltaje
genera un incremento en la polarizacion inversa de la union
colector-base por lo tanto un incremento de la region de
agotamiento de esta. Esto a su vez genera disminucion del
ancho efectivo de la base, que hace que se incremente la
corriente inversa de saturacion IS y por lo tanto aumento de
la corriente de colector IC .
Comparando la ganancia de transductor |S21 |2 de la hoja
de datos con el valor obtenido en la simulacion para el punto
de operacion Q1 (3V, 30mA).

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Tabla III
DE LOS PAR AMETROS

C OMPARACI ON
S21

m1
m2
m3
m4

Frecuencia
GHz
0.9
2.4
3.5
5.5

20 log(S21 )
Simulacion
27.715
20.123
16.672
11.989

|S21 |2dB
Hoja de datos
28
20
16.5
12

Error
Absoluto
0.285
0.123
0.172
0.011

Figura 4. Parametro S21 con marcadores en los valores de la Tabla

Como se aprecia en la Figura 4 hay poca variacion de los

parametros calculados con los de la hoja de datos del transistor.
Es posible que estos errores de pequenas variaciones se debe
a que en la generacion de las graficas en la simulacion no
se tomaron los suficientes pasos para obtener resultados mas
precisos, as como tambien la cantidad de cifras significativas
tomadas en el resultado y los valores de la hoja de datos sean
una aproximacion del valor exacto.
Para el punto de operacion Q1 (3V, 30mA) se realizo el
calculo de los parametros S en un barrido de frecuencia hasta
10 GHz. Estas graficas de parametros de dispersion S son usados principalmente para redes que operan en radiofrecuencia
y frecuencias de microondas, ya que representan parametros
que son de utilidad particular en RF. En general, para redes
practicas, los parametros S cambian con la frecuencia a la
que se miden, razon por la cual e sta debe especificarse para
cualquier medicion de parametros S se muestran en la Figura
5, Los parametros S11 y S22 en general se refieren a la relacion
entre la onda asumida como incidente y la onda reflejada
en los puertos de entrada o en la carga, respectivamente
se aprecia en la figura 5 que a medida que la frecuencia
aumenta estos parametros aumentan en cambio S12 y S21
se refieren a ganancias inversa y directa respectivamente, la
diferencia de estos dos parametros nos indica que la red, es
no reciproca, igualmente estos a su vez indican el nivel de
amplificacion de la red para una onda que ingresa por su
puerto de salida o entrada. En el caso de transistores utilizados
como amplificadores, cuanto mas pequeno sea el valor de S12 ,
mejor sera la estabilidad y rendimiento del amplificador, ya
que lo que hace este valor es reducir la ganancia total del
dispositivo, es decir, es una ganancia negativa, mediante la

figura 7 muestra los parametros para otro punto de operacion

dado por el fabricante existen diferencias claras en los cuatro
parametros anteriores y estos nuevos la mas apreciable es la
rapidez de cambio de las curvas respecto a la frecuencia, Los
parametros S11 y S22 se muestran en la carta de Smith en la
Figura 6 haciendo un barrido de frecuencia hasta los 10 Ghz.
Comparando la curva en la carta de Smith con la proporcionada
por el fabricante en la hoja de datos observamos que e stas
se asemejan y a simple vista existe poca variacion entre la
simulada y la proporcionada por el fabricante.
IV. C ONCLUSIONES Y R ECOMENDACIONES
Al realizar la practica se obtuvieron los siguientes aspectos,
el principal fue la importancia de los parametros de dispersion
del transistor ya que estos trabajan dependientes del punto de
operacion lo cual describen las perdidas y ganancias en general
del mismo, para su aplicacion resulta importante como estos
cuatros parametros cambian su comportamiento si cambia el
punto de operacion esto infiere en el uso que se desee aplicar
al transistor, en el mismo orden de ideas la simulacion en
el programa ADS si se realizan los pasos adecuados esta
tendra un margen de error del 1 % o mayor debido a la
cantidad de muestras que se tomen la grafica resultante sera
una aproximacion mas precisa a la dada por el fabricante en
la hoja de datos, el modelo Gummel-Poon es recomendado
para las simulaciones en baja y alta frecuencia debido a que
este elimina las capacitancias parasitas que se generan, por
otro lado el ADS resulta un software ideal para la simulacion
en RF y microondas. Un detalle particular es el de la red
de polarizacion universal utilizada ya que esta permite menor
variacion en el estado que trabaja el transistor y permite
permanecer en la region activa con las mnimas variaciones de
la corriente del colector, al realizar el barrido en frecuencia en
la carta de Smith para los parametros S11 y S22 se infiere el
aumento y la disminucion del coeficiente de reflexion, en la
entrada y salida respectivamente dependiendo de la frecuencia
y del punto de operacion que este trabajando el transistor se
puede apreciar el grado de desadaptacion de la red.
La librera que contienen los modelos para realizar simulaciones dada por el fabricante posee dos clases de componentes,
identificados como RF Component y RF Sparam. En el caso
de RF Sparam ya el esquematico del transistor esta diseno
directamente para el calculo de los parametros S, se le ajusta
un punto de operacion deseado para que el programa realice
el calculo, no es necesario una red de polarizacion.

R EFERENCIAS
[1] RF Circuit Design. Christopher Bowick. Second Edition. Newnes. 2007
[2] Microwave Engineering. David M. Pozar. John Wiley and Sons, Inc.,
2012.
[3] Infineon SiGe LNA BFP760, Infineon Technologies AG, Munich, Germany, 2013

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Figura 5. Parametros S en dB para Q1 (3V, 30mA).

Figura 6. Parametros S11 y S22 representados en la carta de Smith para el punto de operacion Q1 (3V, 30mA).

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Figura 7. Parametros S en dB para Q2 (3V, 10mA).

Figura 8. Parametros S11 y S22 representados en la carta de Smith para el punto de operacion Q2 (3V, 10mA).