República Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Defensa

Universidad Nacional Experimental Politécnica
De la Fuerza Armada Nacional
UNEFA
Núcleo Sucre – Sede Cumaná

AMPLIFICADORES A BAJA FRECUENCIA

Y PEQUEÑA SEÑAL CON BJT

Profesora: Realizado por:

Luis Arenas Abraham Araujo
Nelsycar Esparagosa
Zulymar Alpino
5to semestre, Sección “01”
Ing. de telecomunicaciones

Cumaná, Enero de 2022

 Índice

Pag.

Introducción…………………………………………………………………….……..….1

Modelos equivalentes en AC para transistores BJT.…………………………….…...2-14

Cálculo de las ganancias de tensión y corriente y de las impedancias de entrada y

salida para cada etapa
diseñada……………………………………………………………..…………..…......14-24

Análisis y diseño de amplificadores transistorizados de una sola etapa en las tres

configuraciones básicas: emisor común, colector común y base común en aplicación
cascode……………………………................................................................................24-28

Conclusión………………………………………………………………………………....29

Referencias Bibliográficas…………………………………………………..……............30
 Introducción

Debemos conocer que el transistor bipolar tiene cuatro regiones o zonas de

funcionamiento o polarización en CC. Las “regiones de funcionamiento” se determinan de
acuerdo con las polaridades de los voltajes en las uniones colector-base y base-emisor. La
zona más común de funcionamiento del transistor bipolar es la zona activa, que se define
como aquella que tiene la unión E-B polarizada en directo y la unión C-B polarizada en
inverso. Para el p+np esto significa que la E-B tiene una polaridad de “+” a “-” y que la C-
B tiene una polaridad de “-” a “+” Casi todos los amplificadores de señal lineales tienen sus
transistores bipolares polarizados en h región activa, porque es en esa región donde tienen
mayor ganancia de señal y menor distorsión.
La zona de saturación se define como aquella en la que tanto la unión E-B como la
unión C-B están polarizadas en directa. Para el pnp, esto significa que los voltajes VEB y
VCB son positivos. En los circuitos lógicos y cuando el transistor actúa como conmutador,
esto implica la región de funcionamiento en la que │VCE│ es pequeña e │IC│ es elevada;
es decir, el dispositivo actúa como un conmutador cerrado, o sea en “conducción”. Un
conmutador cerrado tiene poco o ningún voltaje entre sus bornes aun cuando fluya una
comente elevada. En un circuito lógico, denominamos a esto un nivel lógico cero o “bajo”.
Definimos la zona o región de corte como aquella en la que ambas uniones están
polarizadas en inversa. Para el transistor pnp esto hace necesario un voltaje negativo de
VEB y de VCB. Esto representa generalmente el estado abierto, o sea en “corte”, para el
transistor como conmutador, o el nivel lógico uno o “alto” en circuitos digitales. Cuando
está en “corte” el transistor es similar a un circuito abierto en que │IC│ es casi cero y
│VCE│ es elevado.
La cuarta región de funcionamiento es la zona o región inversa, denominada
también región activa inversa. Para el funcionamiento en activa Inversa, la unión E-B está
polarizada en inversa y la unión C-B lo está en directa. El uso más común de esta zona de
funcionamiento es en circuitos de lógica digital, como la lógica TTL (transistor-transistor-
logic), en los que la ganancia de señal no es un objetivo.

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 1. Modelos equivalentes en AC para transistores BJT.

MODELO DE UN TRANSISTOR BJT

La clave para el análisis de señal pequeña de un transistor es el uso de circuitos
equivalentes (modelos) que se presentarán a continuación.

Un modelo es una combinación de elementos de un circuito, apropiadamente

seleccionados, que simula de forma aproximada el comportamiento real de un
dispositivo semiconductor en condiciones específicas de operación.
Una vez que se determina el circuito equivalente de ca, el símbolo esquemático del
dispositivo puede ser reemplazado por este circuito equivalente y los métodos básicos de
análisis de circuitos aplicados para determinar las cantidades deseadas de la red.
En los años formativos del análisis de redes de transistores se empleaba con
frecuencia la red equivalente híbrida. Las hojas de especificaciones incluían los parámetros
en sus listas y el análisis simplemente se reducía a insertar el circuito equivalente con los
valores listados. Sin embargo, la desventaja de utilizar este circuito equivalente es que se
definía para un conjunto de condiciones de operación que podrían no coincidir con las
condiciones de operación reales. En la mayoría de los casos no es una desventaja grave
porque las condiciones de operaciones reales son relativamente parecidas a las condiciones
de operación seleccionadas en las hojas de datos. Además, siempre existe una variación en
los valores reales de un resistor y en sus valores de beta, así que como método aproximado
era bastante confiable. Los fabricantes continúan especificando los valores de los
parámetros híbridos para un punto de operación particular en sus hojas de especificaciones.
Realmente no tienen otra opción. Desean dar al usuario alguna idea del valor de cada
parámetro importante para poder comparar entre transistores, aunque en realidad no
conocen las condiciones reales de operación del usuario.
Con el tiempo, el uso del modelo re llegó a ser el método más deseable porque las
condiciones de operación reales determinaban un parámetro importante del circuito
equivalente en lugar de utilizar el valor que aparecía en las hojas de datos que en algunos
casos podía ser bastante diferente. Desafortunadamente, sin embargo, se tiene que seguir
recurriendo a las hojas de datos para algunos de los demás parámetros del circuito

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equivalente. El modelo re no incluía el término de realimentación, lo cual en algunos casos
puede ser importante, si no es que simplemente problemático.
En realidad, el modelo re es una versión reducida del modelo π híbrido utilizado casi
exclusivamente para análisis de alta frecuencia. Este modelo también incluye una conexión
entre la salida y la entrada para incluir el efecto de realimentación del voltaje de salida y las
cantidades de entrada.
A lo largo del texto el modelo re es el modelo seleccionado a menos que el análisis
se centre en la descripción de cada modelo o en una región de examen que predetermine el
modelo que se deberá utilizar. Siempre que sea posible, sin embargo, se compararán los
modelos para ver qué tan estrecha es su relación. También es importante que una vez que
adquiera destreza con un modelo se reflejará en una investigación con un modelo diferente,
así que el cambio de uno a otro no será nada complicado.
En un esfuerzo por demostrar el efecto que el circuito equivalente de ca tendrá en el análisis
que sigue, considere el circuito de la figura 5.3. Supongamos por el momento que ya se
determinó el circuito equivalente de ca de señal pequeña del transistor. Como sólo nos
interesa la respuesta de ca del circuito, todas las fuentes de cd pueden ser reemplazadas por
un equivalente de potencial cero (cortocircuito) porque determinan sólo el nivel de cd
(nivel quiescente) del voltaje de salida y no la magnitud de la excursión de la salida de ca.
Esto se demuestra claramente en la figura 5.4. Los niveles de cd simplemente fueron
importantes para determinar el punto Q de operación correcta. Una vez determinados,
podemos ignorar los niveles de cd en el análisis de la red. Además, los capacitores de
acoplamiento C1 y C2 y el capacitor de puenteo C3 se seleccionaron para que tuvieran una
reactancia muy pequeña en la frecuencia de aplicación. Por consiguiente, también, en la
práctica pueden ser reemplazados por una ruta de baja de resistencia o un cortocircuito.
Observe que esto pondrá en “cortocircuito” al resistor de polarización de cd RE. Recuerde
que los capacitores se comportan como un equivalente de “circuito abierto” en condiciones
de estado estable de cd, lo que permite aislar las etapas para los niveles de cd y las
condiciones quiescentes.

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 Es importante que conforme avance a través de las modificaciones de la red, defina
el equivalente de ca para que los parámetros de interés como Zi, Zo, Ii e Io, definidos por la
figura 5.5, se manejen correctamente. Aun cuando la apariencia de la red puede cambiar,
debe asegurarse que las cantidades que encuentre en la red reducida sean las mismas
definidas por la red original. En ambas redes la impedancia de entrada se define de base a
tierra, la corriente de entrada como la corriente de base del transistor, el voltaje de salida
como el voltaje del colector a tierra, y la corriente de salida como la corriente que fluye a
través del resistor de carga RC.
Los parámetros de la figura 5.5 se pueden aplicar a cualquier sistema ya sea que
tenga uno o mil componentes. En todos los análisis que siguen en este texto, las direcciones
de las corrientes, las polaridades de los voltajes y la dirección de interés de los niveles de
impedancia son como aparecen en la figura 5.5. Es decir, la corriente de entrada Ii y la de
salida Io, se definen como de entrada al sistema. Si, en un ejemplo particular, la corriente de
salida sale del sistema en lugar de entrar a él como se muestra en la figura 5.5, se le debe
aplicar un signo menos. Las polaridades definidas para los voltajes de entrada y salida
también son como aparecen en la figura 5.5. Si Vo tiene la polaridad opuesta, se debe
aplicar el signo menos. Observe que Zi es la impedancia “viendo hacia adentro” del
sistema, en tanto que Zo es la impedancia “viendo de vuelta hacia adentro” del sistema por
el lado de salida. Seleccionando las direcciones definidas para las corrientes y voltajes tal
como aparecen en la figura 5.5, la impedancia de entrada y la de salida se definen como

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positivas. Por ejemplo, en la figura 5.6 las impedancias de entrada y de salida para un
sistema particular son resistivas. Para la dirección de Ii e Io el voltaje resultante a través de
los elementos resistivos tendrá la misma polaridad que Vi y Vo, respectivamente. Si Io se
hubiera definido en la dirección opuesta a la que aparece en la figura 5.5, se tendría que
haber aplicado un signo menos. Para cada caso Zi =Vi/Ii y Zo = Vo/Io con resultados
positivos si todas las cantidades tienen las direcciones definidas y la polaridad de la figura
5.5. Si la corriente de salida en un sistema real tiene una dirección opuesta a la de la figura
5.5 se debe aplicar un signo menos al resultado porque Vo se debe definir como aparece en
la figura 5.5. Tenga en cuenta la figura 5.5 cuando analice redes de BJT en este capítulo. Es
una importante introducción a “Análisis de sistemas”, el cual se está volviendo muy
importante con el uso ampliado de sistemas de circuitos integrados encapsulados.

Si establecemos una tierra común y reacomodamos los elementos de la figura 5.4,

R1 y R2 estarán en paralelo y RC aparecerá del colector al emisor como se muestra en la
figura 5.7. Como los componentes del circuito equivalente de transistor que aparecen en la
figura 5.7 emplean componentes conocidos, tales como resistores y fuentes controladas
independientes, se pueden aplicar técnicas de análisis como la de superposición, el teorema
de Thévenin, etc., para determinar las cantidades deseadas.
Examinemos con más detenimiento la figura 5.7 e identifiquemos las cantidades
importantes que se van a determinar para el sistema. Como sabemos que el transistor es un
dispositivo amplificador, podríamos esperar una indicación de cómo se relaciona el voltaje
de salida Vo con el voltaje de entrada Vi —la ganancia de voltaje. Observe en la figura 5.7
para esta configuración que la ganancia de corriente se define como Ai = Io/Ii.
En suma, por consiguiente, el equivalente de ca de una red se obtiene como sigue:

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 1. Poniendo en cero todas las fuentes de cd y reemplazándolas por un equivalente de
cortocircuito.
2. Reemplazando todos los capacitores por un equivalente de cortocircuito.
3. Quitando todos los elementos evitados por los equivalentes de cortocircuito
introducidos por los pasos 1 y 2.
4. Volviendo a dibujar la red en una forma más conveniente y lógica.
En las secciones siguientes se presentará un modelo equivalente de transistor para
completar el análisis de ca de la red de la figura 5.7.

MODELO re DEL TRANSISTOR

A continuación se presentará el modelo re para las configuraciones del transistor
BJT en emisor común, en base común y en colector común con una breve descripción de
por qué cada una es una buena aproximación del comportamiento real de un transistor BJT.

 Configuración en emisor común

El circuito equivalente para la configuración en emisor
común se construirá por medio de las características del
dispositivo y varias aproximaciones. Comenzando con el lado de
entrada, vemos que el voltaje aplicado Vi es igual al voltaje Vbe
con la corriente de entrada como la corriente de base Ib como se
muestra en la figura 5.8.

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 Recuerde por el capítulo 3 que como la corriente a través de la unión polarizada en
directa del transistor es IE, las características para el lado de entrada aparecen como se
muestra en la figura 5.9a para varios niveles de VBE. Tomando el valor promedio de las
curvas de la figura 5.9a obtendremos la curva única de la figura 5.9b, la cual es la de un
diodo polarizado en directa.

Para el circuito equivalente, por consiguiente, el lado

de entrada es un diodo con una corriente Ie como se muestra
en la figura 5.10. Sin embargo, ahora tenemos que agregar un
componente a la red que establecerá la corriente Ie de la
figura 5.10 utilizando las características de salida.
Si volvemos a dibujar las características del colector
para tener una β constante como se muestra en la figura 5.11
(otra aproximación), todas las características en la sección de salida pueden ser
reemplazadas por una fuente controlada cuya magnitud es beta veces la corriente de base
como se muestra en la figura 5.11. Como ahora están todos los parámetros de entrada y
salida de la configuración original, en la figura 5.12 ha quedado establecida la red
equivalente para la configuración en emisor común.

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 Puede parecer difícil trabajar con el modelo equivalente de la figura 5.12 debido a la
conexión directa entre las redes de entrada y salida. Se puede mejorar reemplazando
primero el diodo por su resistencia equivalente determinada por el nivel de IE, como se
muestra en la figura 5.13. Recuerde por el capítulo 3 que la resistencia de un diodo la
determina rD = 26 mV/ID. Al utilizar el subíndice e porque la corriente determinante es la
corriente de emisor obtendremos re = 26 mV/IE.

El resultado es que la impedancia “viendo hacia adentro” de la base de la red es un

resistor igual a beta veces el valor de re, como se muestra en la figura 5.14. La corriente de
salida del colector sigue estando vinculada a la corriente de entrada por beta como se
muestra en la misma figura.

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 El circuito equivalente, por consiguiente, ha quedado definido, pero ahora los
circuitos de entrada y salida están aislados y están vinculados sólo por la fuente controlada:
una forma mucho más fácil de trabajar cuando se analizan redes.
Ahora tenemos una buena representación del circuito de entrada, pero aparte de la
corriente de salida del colector definida por el nivel de beta e Ic, no tenemos una buena
representación de la impedancia de salida para el dispositivo. Para tener una idea de este
valor de impedancia considere las características de salida típicas de un BJT de la figura
5.15. La pendiente de cada curva definirá una resistencia en ese punto como sigue:

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 Desde luego, por consiguiente, cuanto más cambie VCE por el mismo cambio de IC,
mayor será la resistencia de salida en esa región. Dicho de otro modo, cuanto más
horizontal es la curva mayor es la resistencia de salida. El resultado es que la resistencia r 02
excede por mucho a la resistencia r01. Utilizando un valor promedio de la resistencia de
salida se agregará el otro componente al circuito equivalente tal como aparece en la figura
5.16.

Se utilizará el circuito equivalente de la figura 5.16 a lo largo del análisis siguiente

de la configuración en emisor común. Los valores comunes de beta van de 50 a 200, con
valores que van de unos cientos de ohms a un máximo de 6 kΩ a 7 kΩ. La resistencia de
salida r en general está en el intervalo de 40 kΩ a 50 kΩ.

 Configuración en base común

El circuito equivalente de base común se desarrollará casi del mismo modo en que
se aplicó a la configuración en emisor común. Las características generales del circuito de
entrada y salida generarán un circuito equivalente que simulará de forma aproximada el
comportamiento real del dispositivo. Recuerde que en la configuración en emisor común se
utilizó un diodo para representar la conexión de la base al emisor. Para la configuración en
base común de la figura 5.17a el transistor npn empleado presentará la misma posibilidad
en el circuito de entrada. El resultado es el uso de un diodo en el circuito equivalente como
se muestra en la figura 5.17b. En cuanto al circuito de salida si regresamos al capítulo 3 y
examinamos la figura 3.8, vemos que la corriente del colector está relacionada con la del
emisor por alfa a. En este caso, sin embargo, la fuente controlada que define la corriente del
colector tal como aparece insertada en la figura 5.17b, se opone a la dirección de la fuente
controlada de la configuración en emisor común. La dirección de la corriente del colector
en el circuito de salida se opone ahora a la corriente de salida definida.

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 Para la respuesta de ca, al diodo lo puede reemplazar su resistencia de ca
equivalente determinada por re = 26 mV/re como se muestra en la figura 5.18. Observe que
la corriente del emisor continúa determinando la resistencia equivalente. Con las
características de la figura 5.19 se puede determinar una resistencia de salida adicional casi
del mismo modo que las características del colector de la configuración en emisor común.
Las líneas casi horizontales indican con claridad que la resistencia de salida ro tal como
aparece en la figura 5.18 será bastante alta. Por tanto, la red de la figura 5.18 es un
excelente circuito equivalente para analizar la mayoría de las configuraciones en base
común. Es semejante en muchas maneras a la configuración en emisor común. En general,
las configuraciones en base común tienen una impedancia de entrada muy baja porque en
esencia sólo es re. Los valores normales se extienden desde unos cuantos ohms hasta tal
vez 50 Ω. La impedancia de salida re, en general, está en el intervalo de los megaohms.
Como la corriente de salida se opone a la dirección definida de Io, en el análisis siguiente
verá que no hay desfasamiento entre los voltajes de entrada y salida. En el caso de la
configuración de emisor común existe un desfasamiento de 180°.

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  Configuración en colector común
Para la configuración en colector común, normalmente se aplica el modelo definido
para la configuración de emisor común de la figura 5.16 en lugar de definir uno para ella.
En capítulos subsiguientes investigaremos varias configuraciones en colector común y el
efecto de utilizar el mismo modelo será patente.

MODELO π HÍBRIDO
El último modelo que presentaremos es el modelo π híbrido, el cual incluye
parámetros que no aparecen en los otros dos modelos, ante todo para proporcionar un
modelo más preciso de los efectos de alta frecuencia. Para frecuencias más bajas pueden
efectuarse las aproximaciones con los resultados del modelo re previamente presentado. El
modelo π híbrido aparece en la figura 5.123 con todos los parámetros necesarios para un
análisis completo en frecuencia.

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 Todos los capacitores que aparecen en la figura 5.123 lo son de capacitancia parásita
entre las varias uniones del dispositivo. Existen todos los efectos capacitivos que realmente
sólo entran en juego a frecuencias altas. Para frecuencias bajas a frecuencias medias su
reactancia es muy grande, por lo que se pueden considerar como circuitos abiertos. El
capacitor Cu por lo general es de sólo algunos picofarads (pF) a unas decenas de
picofarads, en tanto que la capacitancia Cu en general abarca desde menos de 1 pF hasta
varios picofarads. La resistencia rb incluye los niveles de contacto de la base, de la masa de
la base y de difusión de resistencia de la base. El primero se debe a la conexión real con la
base. El segundo incluye la resistencia de la terminal externa a la región activa del
transistor y el último es la resistencia real dentro de la región activa de la base. En general
es de algunos a unas decenas de ohms. Los resistores rp, ru y ro son las resistencias entre
las terminales indicadas del dispositivo cuando el dispositivo está en la región activa. La
resistencia rπ (utilizando el símbolo π en concordancia con la terminología π híbrida) es
simplemente βre, como se presentó para el modelo re en emisor común. La resistencia ru
(el subíndice u se refiere a la unión que se forma entre la base y el colector) es muy grande
y crea una ruta de realimentación de los circuitos de salida a los de entrada en el modelo
equivalente. Por lo general es mayor que βro, lo cual la coloca en el intervalo de los
megaohms. La resistencia de salida ro es la que normalmente aparece a través de una carga
aplicada. Su valor, el que por lo general varía entre 5 kΩ y 40 kΩ, se determina a partir del
parámetro híbrido hoe. Es importante observar en la figura 5.123 que la fuente controlada
puede ser una fuente de corriente controlada por voltaje (VCCS) o una fuente de corriente
controlada por corriente (CCCS) según los parámetros empleados.

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 Para el análisis de frecuencias bajas a medias, se pueden ignorar los efectos de
capacitivos parásitos provocados por los muy altos niveles de alta reactancia asociados con
cada uno. La resistencia rb en general es tan pequeña que la puede reemplazar un
equivalente de cortocircuito y la resistencia ru en general es tan grande que puede ser
ignorada en la mayoría de las aplicaciones. El resultado es una red equivalente similar al
modelo re en emisor común previamente presentado.
Como el uso del modelo depende totalmente de la determinación de valores de los
parámetros para la red equivalente, es importante conocer las siguientes relaciones para
extraer los valores de los parámetros de los datos típicamente provistos:

La equivalencia entre las dos fuentes de la figura 5.123 se demuestra en la figura

utilizando las ecuaciones (5.162) y (5.163).
El modelo π híbrido no aparecerá en el análisis de señal pequeña de este capítulo
porque se utiliza, sobre todo, para investigar los efectos de alta frecuencia.

2. Cálculo de las ganancias de tensión y corriente y de las impedancias de entrada

y salida para cada etapa diseñada.

 Ganancia de tensión
La Figura 10.1a muestra un amplificador polarizado mediante divisor de tensión. La
ganancia de tensión se ha definido como la tensión alterna de salida dividida entre la
tensión alterna de entrada. Con esta definición podemos deducir otra ecuación para la
ganancia de tensión que resulta útil en los procesos de detección de averías.

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 Derivación a partir del modelo en π
La Figura 10.1b muestra el circuito equivalente de alterna utilizando el modelo en π
del transistor. La corriente alterna de base ib circula a través de la impedancia de entrada de
la base (βr´e). Aplicando la ley de Ohm, podemos escribir:

En el circuito de colector, la fuente de corriente bombea una corriente alterna ic a

través de la conexión en paralelo de RC y RL. Por tanto, la tensión alterna de salida es igual
a:

Ahora, podemos dividir vout entre vin para obtener:

Figura 10.1 (a) Amplificador en emisor común.

(b) Circuito equivalente de alterna con el modelo en π.

(c) Circuito equivalente de alterna con el modelo en T.

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 (10.1)

Resistencia de colector en alterna

En la Figura 10.1b, la resistencia total de carga en alterna vista por el colector es el
paralelo de RC y RL. Esta resistencia total se denomina resistencia de colector en alterna y
se simboliza mediante rc. Como definición:

(10.2)
Ahora podemos volver a escribir la Ecuación (10.1) como:

(10.3)
Dicho con palabras: la ganancia de tensión es igual a la resistencia de colector en
alterna dividida entre la resistencia en alterna del diodo de emisor.

Derivación a partir del modelo en T

Cualquier modelo de transistor que se emplee proporcionará los mismos resultados.
Más adelante, utilizaremos el modelo en T al analizar los amplificadores diferenciales. Por
cuestiones prácticas, ahora vamos a deducir la ecuación de la ganancia de tensión utilizando
el modelo en T.
La Figura 10.1c muestra el circuito equivalente utilizando el modelo en T del
transistor. La tensión de entrada vin aparece en r´e.
Aplicando la ley de Ohm, podemos escribir:

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 En el circuito de colector, la fuente de corriente bombea una corriente alterna ic a
través de la resistencia de colector. Por tanto, la tensión alterna de salida es igual a:

Ahora podemos dividir vout entre vin para obtener:

Dado que ic ≈ ie, podemos simplificar la ecuación como sigue:

Ésta es la misma ecuación que se ha obtenido con el modelo en π. Se aplica a todos

los amplificadores en emisor común, porque todos tienen una resistencia de colector en
alterna rc y un diodo de emisor con una resistencia en alterna r´e.

Amplificadores multietapa
Para obtener una mayor ganancia de tensión podemos crear un amplificador
multietapa conectando en cascada dos o más etapas amplificadoras. Esto quiere decir que
hay que utilizar la salida de la primera etapa como entrada para la segunda. A su vez, la
salida de la segunda etapa se puede emplear como entrada de la tercera etapa, y así
sucesivamente.

Ganancia de tensión de la primera etapa

La Figura 10.5a muestra un amplificador de dos etapas. La señal de salida
amplificada e invertida de la primera etapa se acopla a la base de la segunda etapa. La
salida amplificada e invertida de la segunda etapa se acopla a la resistencia de carga. La
señal que hay en la resistencia de carga está en fase con el generador de señal. La razón de
ello es que cada etapa invierte la señal 180°. Por tanto, dos etapas invierten la señal 360°, lo
que es equivalente a 0° (señales en fase).

Ganancia de tensión de la segunda etapa

La Figura 10.5b muestra el circuito equivalente de alterna. Observe que la
impedancia de entrada de la segunda etapa carga la primera. En otras palabras, la
17
impedancia zin de la segunda etapa está en paralelo con la resistencia RC de la primera
etapa. La resistencia de colector en alterna de la primera etapa es:

Figura 10.5 (a) Amplificador de dos etapas.

(b) Circuito equivalente de alterna.

Ganancia de tensión de la segunda etapa

La resistencia de colector en alterna de la segunda etapa es:

Ganancia total de tensión

La ganancia total de tensión del amplificador está dada por el producto de las
ganancias individuales:

18
 (10.5)
Por ejemplo, si cada etapa tiene una ganancia de tensión de 50, la ganancia total de
tensión es 2500.

 Ganancia de corriente
La ganancia de corriente se obtiene del cociente de la corriente de salida del
amplificador entre la corriente en los terminales de entrada.
∆i = isal / ient

Ejemplo: Si se tiene un amplificador con ganancia de corriente igual a 500 (∆i =

500), se le aplica a una carga de 200 ohmios y si la corriente de entrada ient = 10 uA. ¿Cuál
es la tensión en la carga?

 Primero se obtiene la corriente de salida: isal = ∆i x ient = 500×10 uA = 5000 uA =

5 mA
 La tensión en la carga será: Vsal = 200 x isal = 200 ohmios x 5mA = 1000 mV = 1
voltio

 El efecto de carga de la impedancia de entrada

Hasta el momento, hemos supuesto una fuente de tensión alterna ideal (resistencia
de la fuente igual a cero). En esta sección, vamos a ver cómo la impedancia de entrada de
un amplificador puede cargar la fuente de alterna, es decir, reducir la tensión alterna que
aparece en el diodo de emisor.

Impedancia de entrada
En la Figura 10.3a, la fuente de tensión alterna vg tiene una resistencia interna RG
(el subíndice g hace referencia a “generador”, un sinónimo de fuente). Cuando el generador
de alterna no es constante, parte de la tensión alterna de la fuente cae en su resistencia
interna. Como resultado, la tensión alterna entre la base y tierra es menor que la ideal.

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 Figura 10.3 Amplificador en emisor común. (a) Circuito.

(b) Circuito equivalente de alterna.

(c) Efecto de la impedancia de entrada.

El generador de alterna tiene que excitar a la impedancia de entrada de la etapa

zin(etapa). Esta impedancia de entrada incluye los efectos de las resistencia de polarización
R1 y R2, en paralelo con la impedancia de entrada de la base zin(base). La Figura 10.3b
ilustra esta idea. La impedancia de entrada de la etapa es igual a:

20
 Ecuación de la tensión de entrada
Cuando el generador no es constante, la tensión alterna de entrada vin de la Figura
10.3c es menor que vg. Aplicando el teorema del divisor de tensión, podemos escribir:

(10.4)
Esta ecuación es válida para cualquier amplificador. Después de calcular o estimar
la impedancia de entrada de la etapa, podemos determinar cuál es la tensión de entrada.
Nota: el generador es constante cuando RG es menor que 0,01zin (etapa).

 Impedancia de salida
La impedancia de salida de un amplificador es la misma que su impedancia de
Thevenin. Una de las ventajas de un seguidor de emisor es su baja impedancia de salida.
Como se ha estudiado en anteriores cursos de electrónica, la máxima transferencia
de potencia se produce cuando la impedancia de carga está adaptada (son iguales) a la
impedancia de fuente (Thevenin). En ocasiones, cuando se desea tener la máxima potencia
en la carga, el diseñador puede adaptar la impedancia de carga a la impedancia de salida de
un seguidor de emisor. Por ejemplo, la baja impedancia de un altavoz puede adaptarse a la
impedancia de salida de un seguidor de emisor para suministrar la máxima potencia al
altavoz.

Idea básica
La Figura 11.6a muestra un generador de alterna que excita a un amplificador. Si la
fuente no es constante, parte de la tensión alterna cae en la resistencia interna RG. En este
caso, necesitamos analizar el divisor de tensión mostrado en la Figura 11.6b para obtener la
tensión de entrada vin. Se puede aplicar una idea similar a la salida del amplificador. En la
Figura 11.6c, podemos aplicar el teorema de Thevenin en los terminales de carga. Mirando
hacia atrás, hacia el amplificador, vemos una impedancia de salida zout. En el circuito
equivalente de Thevenin, esta impedancia de salida forma un divisor de tensión con la
resistencia de carga, como se muestra en la Figura 11.6d. Si zout es mucho menor que RL,
la fuente de salida es constante y vout es igual a vth.

21
 Figura 11.6 Impedancias de entrada y de salida.

Figura 11.7 Impedancia de salida de la etapa en emisor común.

Amplificadores en emisor común

La Figura 11.7a muestra el circuito equivalente de alterna para el lado de la salida
de un amplificador en emisor común. Al aplicar el teorema de Thevenin, obtenemos el
circuito de la Figura 11.7b. En otras palabras, la impedancia de salida que ve la resistencia
de carga es RC. Dado que la ganancia de tensión de un amplificador en emisor común
depende de RC, un diseñador no puede hacer RC demasiado pequeña sin perder ganancia
de tensión. Dicho
de otra manera, es muy difícil obtener una impedancia de salida pequeña con un
amplificador en emisor común. Por ello, los amplificadores en emisor común no son
adecuados para excitar resistencias de carga pequeñas.

Seguidor de emisor
La Figura 11.8a muestra el circuito equivalente de alterna de un seguidor de emisor.
Cuando aplicamos el teorema de Thevenin al punto A, obtenemos el circuito de la Figura

22
11.8b. La impedancia de salida zout es mucho menor que la que se puede obtener con un
amplificador en emisor común y es igual a:

(11.5)
La impedancia del circuito de base es RG ll R1 ll R2. La ganancia de corriente del
transistor reduce esta impedancia en un factor β. El efecto es similar al que obtenemos con
un amplificador con resistencia de emisor sin desacoplar, excepto en que nos movemos de
la base hacia el emisor. Por tanto, conseguimos una reducción de la impedancia en lugar de
un aumento. La menor impedancia de (RG ll R1 ll R2)/β está en serie con r´e, como se
indica en la Ecuación (11.5).

Funcionamiento ideal
En algunos diseños, las resistencias de polarización y la resistencia en alterna del
diodo de emisor son despreciables. En este caso, la impedancia de salida de un seguidor de
emisor puede aproximarse como:

(11.6)
Esto nos lleva a la idea clave de un seguidor de emisor: reduce la impedancia de la
fuente de alterna en un factor β. Como resultado, el seguidor de emisor permite construir
fuentes de alterna constantes. En lugar de emplear una fuente de alterna constante que
maximice la tensión en la carga, un diseñador puede preferir maximizar la potencia en la
carga. En ese caso, en lugar de diseñar para tener:

Figura 11.8 Impedancia de salida del seguidor de emisor.

23
 De esta forma, el seguidor de emisor puede suministrar la máxima potencia a una
impedancia de carga baja, como por ejemplo un altavoz estéreo. Básicamente, eliminando
el efecto de RL en la tensión de salida, el circuito se comporta como una etapa separadora
entre la entrada y la salida.
La Ecuación (11.6) es una fórmula ideal. Puede utilizarla para obtener un valor
aproximado de la impedancia de salida de un seguidor de emisor. En circuitos discretos, la
ecuación normalmente sólo proporciona una estimación de la impedancia de salida. No
obstante, su uso es adecuado en la detección de averías y los análisis preliminares. Cuando
sea necesario, puede utilizar la Ecuación (11.5) para obtener un valor preciso de la
impedancia de salida.

3. Análisis y diseño de amplificadores transistorizados de una sola etapa en las

tres configuraciones básicas: emisor común, colector común y base común en
aplicación cascode.

LAS 3 CONFIGURACIONES BÁSICAS DE LOS TRANSISTORES (BJT)

Los transistores bipolares son amplificadores de corriente ideales. Cuando se
aplica una pequeña señal al terminal de entrada, en los terminales de salida aparece una
reproducción ampliada de esta corriente. Aunque la señal de entrada puede acoplarse al
dispositivo de varias formas, solamente las tres configuraciones básicas (base común,
emisor común y colector común) resultan útiles en la práctica.

24
 fig. 1 Resumen de configuraciones de los transistores

 Montaje en Base Común

En la figura 2 se muestra un amplificador base común práctico. La señal se inyecta

al emisor a través de Ci y se extrae amplificada por el colector vía Co. La base, conectada
dinámicamente a tierra a través de Cb, actúa como elemento común a los circuitos de
entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre están en fase.

fig. 2. Amplificador en base común

Los condensadores Ci y Co actúan como condensadores de paso o de

acoplamiento. Su objetivo es eliminar el nivel de corriente continua presente a la entrada
o a la salida y transferir sólo las señales de audio propiamente dichas. El condensador Cb
actúa como condensador de deriva (bypass). Su objetivo es mantener estable el voltaje de
polarización de la base, enviando a tierra cualquier variación. Las resistencias RB1, RB2,

25
RC y RE polarizan correctamente las uniones del transistor y fijan el punto de trabajo del
amplificador.
El circuito presenta una baja impedancia de entrada (entre 0.5 Ohm y 50 Ohm) y
una alta impedancia de salida (entre 1 kOhm. y 1 MOhm). Las ganancias de voltaje y de
potencia pueden ser altas, del orden de 150 o más, dependiendo de la Beta del transistor.
La ganancia de corriente es inferior a 1 (entre 0.95 y 0.995).

 Montaje en Emisor Común

En la figura 3 se muestra un amplificador emisor común práctico. La señal se

inyecta a  la base a  través de Ci y se recibe amplificada del colector vía Co. El emisor,
conectado dinámicamente a tierra a través de ce, actúa como elemento común a los
circuitos de entrada y de salida. Observe que en este modo de conexión, las señales de
entrada y de salida siempre están en oposición de fase.

fig. 3. Amplificador en emisor común

Nuevamente, Ci y Co actúan como condensadores de acoplamiento y ce como

condensador de deriva. Las resistencias RB1, RB2, RC y RE polarizan adecuadamente el
transistor y fijan su punto de trabajo. Note que este circuito, como el anterior, utiliza la
estrategia de polarización universal o por divisor de voltaje.

26
 La impedancia de entrada de este montaje es del orden de 20 W a 5 kW. y la
impedancia de salida del orden de 50 W a 50 kOhm,. El circuito proporciona
simultáneamente ganancia de corriente y de voltaje. La ganancia de potencia puede llegar
a ser relativamente alta, del orden de 10.000. Típicamente, la ganancia de corriente es el
orden de 50. Esta es la configuración más utilizada en la práctica.

 Montaje en Colector Común

En la figura 4 se muestra un amplificador colector común práctico. La señal se

introduce por la base a través de Ci y se extrae por el emisor vía Co. El colector,
conectado dinámicamente a tierra a través de Ce, actúa como elemento común a los
circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre están en
fase. El montaje se denomina también seguidor de emisor.
El amplificador colector común se caracteriza por tener una alta impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida. La ganancia de voltaje es siempre menor que 1 y la de
potencia es normalmente inferior a la que se obtiene con las configuraciones base común
o emisor común. Este montaje se utiliza principalmente como adaptador de impedancias.

fig. 4. Amplificador en colector común

 Montaje como Amplificador Diferencial

Una variación importante de los tres tipos fundamentales de amplificadores discutidos

anteriormente es el amplificador diferencial. En este caso, el voltaje de salida es

27
proporcional a la diferencia, con respecto a tierra, entre los voltajes aplicados a los
terminales de entrada. En la figura 5, por ejemplo, se muestra un amplificador diferencial
clásico con entradas y salidas balanceadas.

fig. 5. Amplificador diferencial

28
 Conclusión

Las señales de pequeña amplitud y baja frecuencia permiten al BJT trabajar en la

zona lineal. En estas condiciones, el modelo de parámetros híbridos se convierte en la
mejor herramienta para analizar el funcionamiento del transistor BJT en pequeña señal. De
este modo, el comportamiento del transistor se puede describir mediante unas ecuaciones
lineales y sencillas.
El transistor se puede sustituir por un circuito equivalente compuesto por elementos
lineales, lo cual permite utilizar las leyes comunes de la electrónica (Ohm, Kirchoff,
Thevenin) para su resolución.

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 Referencias Bibliográficas

 Boylestad, Robert y Nashelsky, Louis (2003). Electrónica. Teoría de Circuitos y

Dispositivos Electrónicos. Editorial PEARSON Prentice Hall. Octava Edición.
México.

 Horestein, Mark. (1997). Microelectrónica. Circuitos y Dispositivos. Editorial

Prentice Hall. Segunda Edición. México.

 Malik, Norbert. (2003). Circuitos Electrónicos. Análisis, Simulación y Diseño.

Editorial Prentice Hall.

 Albert Marino y David J. Bates. (2007). Principios de Electrónica. Editorial

McGraw-Hill. Séptima edición. España.

 https://unicrom.com/ganancia-tension-corriente-potencia-amplificador/

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