INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA

MECÁNICA Y ELÉCTRICA
UNIDAD PROFESIONAL AZCAPOTZALCO

Electrónica de potencia aplicada

Práctica No 2 “El transistor en estado de

corte y saturación”

GRUPO: 5MM9
EQUIPO No. 1
Integrantes:
 Hernández Rodríguez Víctor Raúl
 Juanico Martínez Marlen
 Muñoz Velázquez Ricardo
 Ruiz Mora Nhahin Fares
1
 Contenido
1.-Objetivo.........................................................................................................................................5
2.-Marco teórico................................................................................................................................5
3.-Lista de equipo y material..............................................................................................................5
4.-Desarrollo......................................................................................................................................6
4.1 Descripción del dispositivo físico..............................................................................................6
4.1.1 Parte 1: Transistor NPN.....................................................................................................6
4.1.2 Parte 2. Transistor PNP....................................................................................................11
5.- Bitácora de problemas encontrados y estrategias de solución:..................................................15
6.- Conclusiones...............................................................................................................................15
7- Bibliografía...................................................................................................................................16

2
 Índice de tablas
Tabla 1.- Material............................................................................................................................6
Tabla 2.- Equipo.................................................................................................................................6
Tabla 3.-Mediciones en estado de corte............................................................................................7
Tabla 4.-Mediciones en estado de saturación....................................................................................9
Tabla 5.-Mediciones en estado de corte..........................................................................................12
Tabla 6.-Mediciones en estado de saturación de transistor PNP.....................................................13
Tabla 7.- Problemas encontrados y estrategias de solución.............................................................15

3
 Índice de figuras
Figura 1.-Circuito de prueba en estado de corte (interruptor abierto) y saturación (interruptor
cerrado) con transistor bipolar NPN...................................................................................................6
Figura 2.-Circuito de prueba en estado de corte (interruptor abierto) y saturación (interruptor
cerrado) con transistor bipolar PNP.................................................................................................11

4
1.-Objetivo: Comprender el funcionamiento del transistor bipolar a través de la
medición de magnitudes en sus terminales

2.-Marco teórico

Los transistores o también llamados BJT (Transistor de Unión Bipolar), son

dispositivos semiconductores, de tres capas que consta de dos capas de material
tipo n y una de material tipo p (llamado transistor NPN) o de dos capas de material
tipo p y una de material tipo n (llamado transistor PNP). Se utiliza para controlar el
flujo de corriente eléctrica en la que una pequeña cantidad de corriente en el
conductor base controla una mayor cantidad de corriente entre el Colector y el
Emisor. En corriente CD actúa como conmutador y en AC como amplificador [ 1].
Los transistores cuentan con tres regiones de funcionamiento y cada una funciona
diferente, ya sea como interruptor abierto, cerrado o como amplificador. Estas
regiones se basan en la cantidad de voltaje que circule por la base del transistor
[1].
La región de corte nos dice que un transistor entra en región de corte cuando el
voltaje de la base es nulo o menor a 0.6v, ya que no logra activar el paso de
corriente entre el colector y el emisor, es decir se comporta como un interruptor
abierto [2].
Por su parte la región de saturación menciona que cuando el voltaje que circula
por la base supera al establecido por el fabricante, satura al transistor por lo que
permite la circulación entre colector y emisor como si fuera un cable normal, es
decir se comporta como un interruptor cerrado [2].
Por ultimo la región activa que es cuando el voltaje de la base está en un rango
intermedio entre la región de saturación y la de corte. Cuando logramos estabilizar
el transistor es capaz de amplificar las señales de entrada las veces que tenga el
valor de ß ya que este multiplica la corriente del transistor [2].
También se consideran los Transistores de Efecto de Campo, que son dispositivos
en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como
amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión
aplicada a la entrada. Dentro de estos transistores encontramos los JFET,
MESFET y MOSFET [3].

3.-Lista de equipo y material

5
 Tabla 1.- Material

No Descripción matricula cantidad unidad

1 Protoboard N/A 1 Pieza
2 Alambre de conexión N/A 2 Metros
3 Transistor NPN TIP41 1 Pieza
4 Transistor PNP TIP42 1 Pieza
5 Resistencia de 2K N/A 2 Pieza
6 Resistencia de 10K N/A 2 Pieza
7 Potenciómetro de N/A 1 Pieza
100k

Tabla 2.- Equipo

No Descripción cantidad observaciones

1 Multímetro con puntas 1 Solicitar al almacén
2 Puntas banana-caimán 2 Solicitar al almacén

4.-Desarrollo
4.1 Descripción del dispositivo físico
4.1.1 Parte 1: Transistor NPN.
A. Estado de corte.

Figura 1.-Circuito de prueba en estado de corte (interruptor abierto) y saturación

(interruptor cerrado) con transistor bipolar NPN.

a) Monta el circuito de la figura 1 revisando que el potenciómetro este en su

valor mínimo Rmin y mantén el interruptor abierto. Energiza el circuito y
realiza las mediciones de acuerdo a la tabla 3.

6
 Tabla 3.-Mediciones en estado de corte.

VRV1[V] VR1[V] VR2[V] VBE[V] VCE VBC[V]

0 0 0 0.39 4.99 4.60
b) Calcula por ley de Ohm la corriente en la base, IB.
0
I B= =0 A
10000
c) Calcula por ley de ohm la corriente en el colector, I C.
0
I C= =0 A
2000
Interpretación de resultados: explica lo que sucede en términos de la corriente
en la base y en el colector.
El transistor se encuentra en una región de corte como vimos en clase. Porque
todo el voltaje se encuentra en la zona de colector emisor y base colector.
Mientras que a las resistencias no se les otorga voltaje o muy muy poco.

B. Estado de saturación.
a) Cierra el interruptor, revisando que el potenciómetro este en su valor
mínimo Rmin. Energiza el circuito y realiza las mediciones de acuerdo a la
tabla 4.

7
Para Rmin.

Para 25k.

8
Para 50k.

Para 75k.

Para 100k.

9
 Tabla 4.-Mediciones en estado de saturación.

Mediciones Cálculos
RV1 VRV1[V] VR1[V] VR2[V] VBE[V] VCE[V] VBC[V] IB[mA] IC[mA] β
Rmin 0 4.43 4.94 0.57 0.05 0.51 0.443 2.47 5.575
25K 3.17 1.27 4.90 0.56 0.09 0.46 0.127 2.45 19.29
50K 3.70 0.74 4.86 0.56 0.14 0.42 0.074 2.43 32.837
75K 3.92 0.52 4.19 0.56 0.81 0.26 0.052 2.095 40.288
100K 4.05 0.40 3.27 0.55 1.73 1.18 0.040 1.63 40.75

V 2 4.94 V V 4.43 V
I C= = =2.47 mA I B= 1 = =0.443 mA
R C 2000 Ω R 1 10000Ω
V 2 4.90V V 1 1.27V
I C= = =2.45 mA I B= = =0.127 mA
R C 2000 Ω R 1 10000Ω
V 4.86V V 0.74 V
I C= 2 = =2.43 mA I B= 1 = =0.074 mA
R C 2000 Ω R 1 10000Ω
V 2 4.19V V 1 0.52V
I C= = =2.095 mA I B= = =0.052mA
R C 2000 Ω R 1 10000Ω
V 3.27 V V 0.40V
I C= 2 = =1.63 mA I B= 1 = =0.040 mA
R C 2000 Ω R 1 10000Ω
I 2.47 mA
β= C = =5.575
I B 0.443 mA
I C 2.45 mA
β= = =19.29
I B 0.127 mA
I C 2.43 mA
β= = =32.837
I B 0.074 mA
I C 2.095 mA
β= = =40.288
I B 0.052 mA
I C 1.63 mA
β= = =40.75
I B 0.040 mA

10
 b) Grafica la curva β-RV1.

Interpretación de resultados:
La corriente no va incrementando de forma lineal ya que al contar con el
interruptor cerrado y el transistor bipolar NPN se verá la diferencia de la
corriente en el circuito.

4.1.2 Parte 2. Transistor PNP.

A. Estado de corte.

11
 Figura 2.-Circuito de prueba en estado de corte (interruptor abierto) y saturación
(interruptor cerrado) con transistor bipolar PNP.

a) Monta el circuito de la figura 2 revisando que el potenciómetro esté en su

valor mínimo Rmin y mantén el interruptor abierto. Energiza el circuito y
realiza las mediciones de acuerdo a la tabla 5.

Figura 3.- Potenciómetro en su valor mínimo e interruptor abierto con transistor bipolar
PNP.

Tabla 5.-Mediciones en estado de corte.

VRV1[V] VR1[V] VR2[V] VBE[V] VCE[V] VBC[V]

0 0 0.01 0.40 4.99 4.59

12
 b) Calcula por ley de Ohm la corriente en la base, IB.
V 0v
I B= 1 I B = =0 A
R1 10000 Ω
c) Calcula por ley de Ohm la corriente en el colector, I C.
V2 0.01V −6
I C= IC = =5 x 10 A
R2 2000 Ω

Interpretación de resultados: explica lo que sucede en términos de la corriente

en la base y el colector.
De igual forma que con el anterior circuito. Se encuentra operando en región
de corte, y es por eso que todo el voltaje se encuentra en la región de base
colector y colector emisor. Por lo que el voltaje que llega a las resistencias es
muy muy bajo o incluso nulo.

B. Estado de saturación.
a) Cierra el interruptor, revisando que el potenciómetro este en su valor
mínimo Rmin. Energiza el circuito y realiza las mediciones de acuerdo a la
tabla 6.

13
 b)
Figura 4.- Potenciómetro en su valor mínimo e interruptor cerrado con transistor bipolar
PNP.

Tabla 6.-Mediciones en estado de saturación de transistor PNP

Mediciones Cálculos
RV1 VRV1[V] VR1[V] VR2[V] VBE[V] VCE[V] VBC[V] IB[mA] IC[mA] β
Rmin 0.04 4.39 4.94 0.57 0.05 -0.51 0.39 2.47 5.62
25K 2.96 1.48 4.91 0.55 0.09 -0.47 0.148 2.45 16.55
50K 3.70 0.74 4.86 0.55 0.14 -0.42 0.074 2.43 32.83
75K 3.89 0.55 3.97 0.56 0.55 0 0.055 1.98 36
100K 4.05 0.41 3.28 0.55 1.72 1.17 0.041 1.64 40
V 2 4.94 V V 2 3.28 V
I C= = =2.47 mA I C= = =1.64 mA
R C 2000 Ω R C 2000 Ω
V 4.91V V 4.39 V
I C= 2 = =2.45 mA I B= 1 = =0.439 mA
R C 2000 Ω R 1 10000Ω
V 2 4.86V
I C= = =2.43 mA
R C 2000 Ω V 1 1.48V
I B= = =0.148 mA
V 3.97 V R 1 10000Ω
I C= 2 = =1.98 mA
R C 2000 Ω

14
 V 1 0.74 V I C 2.45 mA
I B= = =0.074 mA β= = =16.55
R 1 10000Ω I B 0.148 mA
V 1 0.55V
I B= = =0.055 mA I C 2.43 mA
R 1 10000Ω β= = =32.83
I B 0.074 mA
V 0.41V
I B= 1 = =0.041mA
R 1 10000Ω I C 1.98 mA
β= = =36
I C 2.47 mA I B 0.055 mA
β= = =5.62
I B 0.39 mA
IC 1.6 mA
β= = =40
I B 0.041 mA

c) Grafica la curva β-RV1.

Interpretación de resultados:
La corriente no va incrementando de forma lineal ya que al contar con el
interruptor cerrado y el transistor bipolar PNP se verá la diferencia de la corriente
en el circuito. ¿Qué diferencias y que similitudes encuentras entre ambos? La
NPN tiene un comportamiento más lineal o suave, aunque no llega a ser lineal,
mientras que el PNP tiene el pico de beta en 50 k lo cual lo hace diferente al NPN.
Sin embargo, su funcionamiento es el mismo como vimos en clase, simplemente
están conectados de diferente forma, y el hecho de que sean diferentes es
cuestión de que es lo que necesitemos para nuestro circuito.

5.- Bitácora de problemas encontrados y estrategias de solución:

Tabla 7.- Problemas encontrados y estrategias de solución.

Integrante Problema encontrado Estrategia de solución

15
 implementada
Hernández Rodríguez No sabía que Probé casi todos para
Víctor Raúl potenciómetro usar. Al llegar al potenciómetro
buscar potenciómetros en la práctica. Aún por
en Proteus descubrí eso me siento bien
varios. porque pude
experimentar con los
otros. Algunos eran más
automáticos manejando
porcentajes.
Juanico Martínez Marlen No sabía cómo realizar la Vi un tutorial en YouTube
gráfica ya que no de donde se
encontraba los encontraban.
elementos en el proteus
Muñoz Velázquez No encontré el Buscar cómo llamar al
Ricardo potenciómetro en componente, entonces,
Proteus para llamar al
potenciómetro en
Proteus se usa “POT”
Ruiz Mora Nhahin Fares No encontraba la forma Utilice herramientas
de realizar las gráficas como video tutoriales
correspondientes para este caso

6.- Conclusiones:
• Hernández Rodríguez Víctor Raúl: En conclusión, puedo decir que en esta
práctica aprendí a ver cómo funciona el potenciómetro en conjunto del transistor. Y
como a medida asignamos resistencia a nuestro potenciómetro los valores del
transistor aumentan, indicando que como se vio, cuando hay cero resistencia en
potenciómetro, el voltaje se mantiene en la región de corte, impidiendo que el
voltaje pase a las resistencias.
Además de comprender la comparación entre un transistor PNP y NPN,
recordando que su única diferencia sin entrar en especificaciones, es el modo de
conectarlo. Y debemos considerarlo en base a lo que necesitemos en nuestro
circuito.
• Juanico Martínez Marlene: Sabiendo que los transistores tienen tres
regiones de funcionamientos logré interpretar esas regiones cuando estuve
realizando el circuito en Proteus por lo que se me facilitó el comprender en qué
cantidad de voltaje circula por los transistores.

16
 Logrando así también interpretar lo que se vio en la clase y en lo que
estuve investigando, que los transistores NPN y PNP cumplen con su
funcionamiento que ya está basado en la práctica una vez que ya se
realizaron los dos diferentes tipos de transistores.
• Muñoz Velázquez Ricardo: Lo que se me dificulto de la práctica, fue que fue
entender cómo realizar el circuito, pero observándolas clases y los apuntes logre
comprender la práctica y a su vez el funcionamiento de los transistores, que se
utiliza para controlar el flujo de corriente eléctrica en la que una pequeña cantidad
de corriente en el conductor base controla una mayor cantidad de corriente entre
el Colector y el Emisor. También logre observar las similitudes que tenían las
gráficas de los transistores con la de los diodos.
• Ruiz Mora Nhahin Fares: en conclusión, El transistor es un componente
electrónico constituido por materiales semiconductores que prácticamente
revolucionó todos los aparatos electrónicos sin excepción alguna, ya que gracias a
sus pequeñas dimensiones y sus múltiples funcionalidades logró disminuir los
tamaños de todo aparato considerablemente. Gracias a los transistores también
se logró la construcción de circuitos integrados, es decir “Chips con infinidad de
transistores capaces de tener diversos circuitos eléctricos y electrónicos en
encapsulados plásticos de tan solo unos pocos centímetros”.

7- Bibliografía

17
1
. Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2003). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. PEARSON educación.
2
. Malvino, A. P., & Bates, D. J. (1991). Principios de electrónica (Vol. 2, p. 34). McGraw-Hill
3
. Ryder, R.M. 1958. “Ten years of Transistors”, Radio-Electronics Magazine, May, page 35.
Ingeniería Mecafenix. (2019). ¿Qué es un transistor y cómo funciona? 8 agosto, 2019, de
Ingeniería Mecafenix Sitio web: https://www.ingmecafenix.com/electronica/el-transistor/